JP2980772B2 - 剥離剤組成物 - Google Patents
剥離剤組成物Info
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、無機性基板上に形成さ
れたポジ型フォトレジスト膜、ネガ型フォトレジスト膜
等を基板にダメージを与えること無く、容易に剥離する
ための新規剥離剤組成物に関するものである。
れたポジ型フォトレジスト膜、ネガ型フォトレジスト膜
等を基板にダメージを与えること無く、容易に剥離する
ための新規剥離剤組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路や液晶パネルの素子回路
は、無機性基板上に形成されたＡｌ合金等の導電性金属
膜や酸化膜等の絶縁膜上にフォトレジストを塗布し、露
光させ現像してパターンを形成し、これをマスクとして
金属や絶縁膜にエッチングを行ない、微細回路を形成す
る。その後、不用になったレジストは除去される。この
レジスト除去用の剥離剤としては、アルキルベンゼンと
アルキルベンゼンスルホン酸との組み合わせが広く使用
されている。また、特開昭６４−４２６５３号公報に示
されるように、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリ
コールモノアルキルエーテル及び含窒素有機ヒドロキシ
化合物等のアルカリ系の有機溶剤を使用したものや、硫
酸や硝酸等の強酸が用いられる場合がある。さらに、特
開昭６２−４９３５５号公報には、アルカノールアミン
又はポリアルキレンポリアミンのエチレンオキサイド付
加物、スルホン化合物及びグリコールモノアルキルエー
テルからなる剥離剤組成物が記載されている。
は、無機性基板上に形成されたＡｌ合金等の導電性金属
膜や酸化膜等の絶縁膜上にフォトレジストを塗布し、露
光させ現像してパターンを形成し、これをマスクとして
金属や絶縁膜にエッチングを行ない、微細回路を形成す
る。その後、不用になったレジストは除去される。この
レジスト除去用の剥離剤としては、アルキルベンゼンと
アルキルベンゼンスルホン酸との組み合わせが広く使用
されている。また、特開昭６４−４２６５３号公報に示
されるように、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリ
コールモノアルキルエーテル及び含窒素有機ヒドロキシ
化合物等のアルカリ系の有機溶剤を使用したものや、硫
酸や硝酸等の強酸が用いられる場合がある。さらに、特
開昭６２−４９３５５号公報には、アルカノールアミン
又はポリアルキレンポリアミンのエチレンオキサイド付
加物、スルホン化合物及びグリコールモノアルキルエー
テルからなる剥離剤組成物が記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述のアルキ
ルベンゼンとアルキルベンゼンスルホン酸との組み合わ
せ組成物の場合は、腐食が起きやすいことやリンス工程
が複雑であり、しかも、剥離力が弱い等の問題がある。
また、特開昭６４−４２６５３号公報記載の剥離液や、
硫酸や硝酸等の強酸を用いる場合は、剥離力や腐食性に
満足できる結果が得られない。また、特開昭６２−４９
３５５号公報記載の剥離剤組成物を用いる場合も、剥離
力が弱いという問題がある。近年、加工サイズの微細化
に伴い金属や酸化膜のエッチング条件が厳しくなり、フ
ォトレジストに加わるダメージが大きく、レジストが変
質してしまう。このため先述の有機溶剤にて処理して
も、レジストが基板上に残ってしまうことが問題となっ
ており、強力な剥離力を持ったものが望まれている。本
発明は、上記の諸点に鑑み、かかる問題点を解決するた
めになされたもので、剥離性、安全性及び作業性に優
れ、しかも、金属膜を有する基板に対しても腐食を起こ
さない剥離剤組成物を提供することを目的とするもので
ある。
ルベンゼンとアルキルベンゼンスルホン酸との組み合わ
せ組成物の場合は、腐食が起きやすいことやリンス工程
が複雑であり、しかも、剥離力が弱い等の問題がある。
また、特開昭６４−４２６５３号公報記載の剥離液や、
硫酸や硝酸等の強酸を用いる場合は、剥離力や腐食性に
満足できる結果が得られない。また、特開昭６２−４９
３５５号公報記載の剥離剤組成物を用いる場合も、剥離
力が弱いという問題がある。近年、加工サイズの微細化
に伴い金属や酸化膜のエッチング条件が厳しくなり、フ
ォトレジストに加わるダメージが大きく、レジストが変
質してしまう。このため先述の有機溶剤にて処理して
も、レジストが基板上に残ってしまうことが問題となっ
ており、強力な剥離力を持ったものが望まれている。本
発明は、上記の諸点に鑑み、かかる問題点を解決するた
めになされたもので、剥離性、安全性及び作業性に優
れ、しかも、金属膜を有する基板に対しても腐食を起こ
さない剥離剤組成物を提供することを目的とするもので
ある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の剥離剤組成物は、基板上に塗布されたフ
ォトレジスト膜を剥離するための剥離剤組成物におい
て、 （ａ） 一般式 Ｈ3-n Ｎ（（ＣＨ2 ）m ＯＨ）n
（ただし、ｍは２又は３の数を示し、ｎは１、２又は３
の数を示す。）で表されるアルカノールアミン化合物、 （ｂ） 一般式 Ｒ1 −ＳＯ2 −Ｒ2 又はＲ1 −ＳＯ−
Ｒ2 （ただし、Ｒ1 及びＲ2 はそれぞれ独立に炭素数
１もしくは２のアルキル基、又は相互に結合して形成す
る炭素数４、５もしくは６の環状アルキレン基を示
す。）で表されるスルホン化合物又はスルホキシド化合
物、及び （ｃ） 一般式化２で表される芳香族ヒドロキシ化合物
からなり、アルカノールアミン化合物１〜５０重量％、
スルホン化合物又はスルホキシド化合物９９．５〜４０
重量％及び芳香族ヒドロキシ化合物０．５〜１０重量％
からなることを特徴としている。
めに、本発明の剥離剤組成物は、基板上に塗布されたフ
ォトレジスト膜を剥離するための剥離剤組成物におい
て、 （ａ） 一般式 Ｈ3-n Ｎ（（ＣＨ2 ）m ＯＨ）n
（ただし、ｍは２又は３の数を示し、ｎは１、２又は３
の数を示す。）で表されるアルカノールアミン化合物、 （ｂ） 一般式 Ｒ1 −ＳＯ2 −Ｒ2 又はＲ1 −ＳＯ−
Ｒ2 （ただし、Ｒ1 及びＲ2 はそれぞれ独立に炭素数
１もしくは２のアルキル基、又は相互に結合して形成す
る炭素数４、５もしくは６の環状アルキレン基を示
す。）で表されるスルホン化合物又はスルホキシド化合
物、及び （ｃ） 一般式化２で表される芳香族ヒドロキシ化合物
からなり、アルカノールアミン化合物１〜５０重量％、
スルホン化合物又はスルホキシド化合物９９．５〜４０
重量％及び芳香族ヒドロキシ化合物０．５〜１０重量％
からなることを特徴としている。
【０００５】
【化２】
【０００６】（式中のｎは１又は２の数を示す。ｎが１
の場合、Ｒは水素、又は炭素数１０以下のアルキル基、
又は炭素数３以下のアルコキシ基を示す。ｎが２の場
合、Ｒは水素を示す。）
の場合、Ｒは水素、又は炭素数１０以下のアルキル基、
又は炭素数３以下のアルコキシ基を示す。ｎが２の場
合、Ｒは水素を示す。）
【０００７】本発明において無機性基板とは、半導体及
び液晶ディスプレイ用パネルに用いられるけい素、二酸
化けい素、ガリウムひ素単体あるいはこの基体上にアル
ミ、アルミ合金、クロム、酸化クロム、窒化膜等の導電
性あるいは絶縁性被膜を有する物を含む。
び液晶ディスプレイ用パネルに用いられるけい素、二酸
化けい素、ガリウムひ素単体あるいはこの基体上にアル
ミ、アルミ合金、クロム、酸化クロム、窒化膜等の導電
性あるいは絶縁性被膜を有する物を含む。
【０００８】上記のように、アルカノールアミン化合物
１〜５０重量％、望ましくは２０〜４０重量％、スルホ
ン化合物又はスルホキシド化合物９９．５〜４０重量
％、望ましくは８０〜５０重量％、及び芳香族ヒドロキ
シ化合物０．５〜１０重量％、望ましくは２〜６重量％
とする。また、アルカノールアミン化合物としてモノエ
タノールアミンを用い、スルホン化合物としてテトラメ
チレンスルホンを用い、スルホキシド化合物としてジメ
チルスルホキシドを用い、芳香族ヒドロキシ化合物とし
てジヒドロキシベンゼンを用いるのが望ましい。
１〜５０重量％、望ましくは２０〜４０重量％、スルホ
ン化合物又はスルホキシド化合物９９．５〜４０重量
％、望ましくは８０〜５０重量％、及び芳香族ヒドロキ
シ化合物０．５〜１０重量％、望ましくは２〜６重量％
とする。また、アルカノールアミン化合物としてモノエ
タノールアミンを用い、スルホン化合物としてテトラメ
チレンスルホンを用い、スルホキシド化合物としてジメ
チルスルホキシドを用い、芳香族ヒドロキシ化合物とし
てジヒドロキシベンゼンを用いるのが望ましい。
【０００９】本発明の剥離剤組成物においては、 （ａ） 一般式 Ｈ3-n Ｎ（（ＣＨ2 ）m ＯＨ）n （但し、ｍは２又は
３の数を示し、ｎは１、２又は３の数を示す）で表され
るアルカノールアミン化合物を１〜５０重量％、好まし
くは２０〜４０重量％の範囲で含有する。上記アルカノ
ールアミンとしては例えば、モノエタノールアミン、ジ
ェタノールアミン、トリエタノールアミン、モノプロパ
ノールアミン、ジプロパノールアミン、トリプロパノー
ルアミン又はこれらの混合物が用いられる。上記のアル
カノールアミンの中では、特にモノエタノールアミンが
好ましく用いられる。
３の数を示し、ｎは１、２又は３の数を示す）で表され
るアルカノールアミン化合物を１〜５０重量％、好まし
くは２０〜４０重量％の範囲で含有する。上記アルカノ
ールアミンとしては例えば、モノエタノールアミン、ジ
ェタノールアミン、トリエタノールアミン、モノプロパ
ノールアミン、ジプロパノールアミン、トリプロパノー
ルアミン又はこれらの混合物が用いられる。上記のアル
カノールアミンの中では、特にモノエタノールアミンが
好ましく用いられる。
【００１０】また、本発明の剥離剤組成物は、上記アル
カノールアミン化合物とともに、 （ｂ） 一般式 Ｒ1 −ＳＯ2 −Ｒ2 （但し、Ｒ1 、
Ｒ2 はそれぞれに炭素数１又は２のアルキル基あるいは
アルカノール基、又は相互に結合して形成する炭素数
４、５又は６の環状アルキレン基を示す。）で表される
スルホン化合物、又は、一般式 Ｒ1 −ＳＯ−Ｒ2
（但し、Ｒ1 、Ｒ2 はそれぞれに炭素数１又は２のアル
キル基、又は相互に結合して形成する炭素数４、５又は
６の環状アルキレン基を示す。）で表されるスルホキシ
ド化合物を含有する。上記スルホン化合物としてはジメ
チルスルホン、ジエチルスルホン、ビス（２ヒドロキシ
エチル）スルホン、テトラメチレンスルホン又はこれら
の混合物が用いられる。上記スルホキシド化合物として
はジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）が用いられる。
カノールアミン化合物とともに、 （ｂ） 一般式 Ｒ1 −ＳＯ2 −Ｒ2 （但し、Ｒ1 、
Ｒ2 はそれぞれに炭素数１又は２のアルキル基あるいは
アルカノール基、又は相互に結合して形成する炭素数
４、５又は６の環状アルキレン基を示す。）で表される
スルホン化合物、又は、一般式 Ｒ1 −ＳＯ−Ｒ2
（但し、Ｒ1 、Ｒ2 はそれぞれに炭素数１又は２のアル
キル基、又は相互に結合して形成する炭素数４、５又は
６の環状アルキレン基を示す。）で表されるスルホキシ
ド化合物を含有する。上記スルホン化合物としてはジメ
チルスルホン、ジエチルスルホン、ビス（２ヒドロキシ
エチル）スルホン、テトラメチレンスルホン又はこれら
の混合物が用いられる。上記スルホキシド化合物として
はジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）が用いられる。
【００１１】さらに、本発明の剥離剤組成物は、上記の
アルカノールアミン化合物及びスルホン化合物又はスル
ホキシド化合物とともに、 （ｃ） 一般式化３で表される芳香族ヒドロキシ化合物
を含有する。
アルカノールアミン化合物及びスルホン化合物又はスル
ホキシド化合物とともに、 （ｃ） 一般式化３で表される芳香族ヒドロキシ化合物
を含有する。
【００１２】
【化３】
【００１３】（式中のｎは１又は２の数を示す。ｎが１
の場合、Ｒは水素、又は炭素数１０以下のアルキル基、
又は炭素数３以下のアルコキシ基を示す。ｎが２の場
合、Ｒは水素を示す。）
の場合、Ｒは水素、又は炭素数１０以下のアルキル基、
又は炭素数３以下のアルコキシ基を示す。ｎが２の場
合、Ｒは水素を示す。）
【００１４】上記芳香族ヒドロキシ化合物としてはフェ
ノール、クレゾール、メトキシフェノール、エチルフェ
ノール、アリルフェノール、ノニルフェノール、ジヒド
ロキシベンゼン又はこれらの混合物が用いられるが、好
ましくはジヒドロキシベンゼン（カテコール）が用いら
れる。本発明による特に好ましい剥離剤組成物は、モノ
エタノールアミン３０重量％、テトラメチレンスルホン
６０重量％、ジヒドロキシベンゼン１０重量％、あるい
はモノエタノールアミン３０重量％、ジメチルスルホキ
シド６０重量％、ジヒドロキシベンゼン１０重量％から
なる。本発明による剥離剤組成物は、通常４０〜１２０
℃の温度にて、フォトレジストのある基板をつけること
により、フォトレジストを溶解し除去することが可能で
ある。その後、基板を純水にて洗浄し、乾燥させること
で残渣のない基板を得ることができる。但し必要に応
じ、純水にて洗浄する前にメタノール、イソプロピルア
ルコール等の低級アルコール、あるいはアセトン、メチ
ルエチルケトン等のケトン類にて洗浄してもよい。
ノール、クレゾール、メトキシフェノール、エチルフェ
ノール、アリルフェノール、ノニルフェノール、ジヒド
ロキシベンゼン又はこれらの混合物が用いられるが、好
ましくはジヒドロキシベンゼン（カテコール）が用いら
れる。本発明による特に好ましい剥離剤組成物は、モノ
エタノールアミン３０重量％、テトラメチレンスルホン
６０重量％、ジヒドロキシベンゼン１０重量％、あるい
はモノエタノールアミン３０重量％、ジメチルスルホキ
シド６０重量％、ジヒドロキシベンゼン１０重量％から
なる。本発明による剥離剤組成物は、通常４０〜１２０
℃の温度にて、フォトレジストのある基板をつけること
により、フォトレジストを溶解し除去することが可能で
ある。その後、基板を純水にて洗浄し、乾燥させること
で残渣のない基板を得ることができる。但し必要に応
じ、純水にて洗浄する前にメタノール、イソプロピルア
ルコール等の低級アルコール、あるいはアセトン、メチ
ルエチルケトン等のケトン類にて洗浄してもよい。
【００１５】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、
本発明はこれら実施例により何ら限定されるものではな
い。 比較例１〜４、実施例１〜５ シリコンウエハー上にＡｌ合金を形成し、その上部に酸
化膜を形成した。その酸化膜上に市販のポジ型フォトレ
ジストにてパターニングを行なった。その後、プラズマ
エッチング処理を行ない酸化膜を加工した。この処理に
より残ったフォトレジストを表１に示す組成を有する剥
離剤組成物中に、それぞれ表２に示す所定温度にて１０
分間浸漬した後、イソプロピルアルコールで洗浄し、純
水で洗浄し、その後、スピン乾燥を行なった。基板表面
を電子顕微鏡にて観察し、残存フォトレジスト膜の有無
を確認した。なお、表１において、ＭＥＡはモノエタノ
ールアミン、ＢＤＧはブチルジグリコール、ＤＭＳＯは
ジメチルスルホキシド、カテコールはジヒドロキシベン
ゼンを示す。また、％は重量％を示す。また、表２にお
いて、×印は残存フォトレジスト膜が有る場合を示し、
○印は残存フォトレジスト膜が無い場合を示す。
本発明はこれら実施例により何ら限定されるものではな
い。 比較例１〜４、実施例１〜５ シリコンウエハー上にＡｌ合金を形成し、その上部に酸
化膜を形成した。その酸化膜上に市販のポジ型フォトレ
ジストにてパターニングを行なった。その後、プラズマ
エッチング処理を行ない酸化膜を加工した。この処理に
より残ったフォトレジストを表１に示す組成を有する剥
離剤組成物中に、それぞれ表２に示す所定温度にて１０
分間浸漬した後、イソプロピルアルコールで洗浄し、純
水で洗浄し、その後、スピン乾燥を行なった。基板表面
を電子顕微鏡にて観察し、残存フォトレジスト膜の有無
を確認した。なお、表１において、ＭＥＡはモノエタノ
ールアミン、ＢＤＧはブチルジグリコール、ＤＭＳＯは
ジメチルスルホキシド、カテコールはジヒドロキシベン
ゼンを示す。また、％は重量％を示す。また、表２にお
いて、×印は残存フォトレジスト膜が有る場合を示し、
○印は残存フォトレジスト膜が無い場合を示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【表２】
【００１８】比較例５〜９、実施例６〜１０ シリコンウエハー上にＡｌ合金を形成し、その上に市販
のポジ型フォトレジストにてパターニングを行なった。
その後、プラズマエッチング処理を行ないＡｌ合金を加
工し、この処理により残ったフォトレジストを表３に示
す剥離剤組成物中に、それぞれ表４に示す所定温度にて
１０分間浸漬した後、イソプロピルアルコールで洗浄
し、純水で洗浄し、その後、スピン乾燥を行なった。基
板表面を電子顕微鏡にて観察し、残存フォトレジスト膜
の有無を確認した。また、１００℃で処理したものにつ
いてはＡｌ合金の厚みを測定し、エッチングされなかっ
た部分の厚みを膜厚測定機にて測定し、最初の厚みと比
較して剥離剤組成物によって腐食されていないかどうか
を調べた。なお、表４において、×印は残存フォトレジ
スト膜が有る場合を示し、処理温度の欄の○印は、残存
フォトレジスト膜が無い場合を示す。また、Ａｌ腐食性
の欄の○印は、腐食されていない場合を示している。具
体的には、最初の厚みと比較し減少量の値が１００Å以
下の場合を示している。
のポジ型フォトレジストにてパターニングを行なった。
その後、プラズマエッチング処理を行ないＡｌ合金を加
工し、この処理により残ったフォトレジストを表３に示
す剥離剤組成物中に、それぞれ表４に示す所定温度にて
１０分間浸漬した後、イソプロピルアルコールで洗浄
し、純水で洗浄し、その後、スピン乾燥を行なった。基
板表面を電子顕微鏡にて観察し、残存フォトレジスト膜
の有無を確認した。また、１００℃で処理したものにつ
いてはＡｌ合金の厚みを測定し、エッチングされなかっ
た部分の厚みを膜厚測定機にて測定し、最初の厚みと比
較して剥離剤組成物によって腐食されていないかどうか
を調べた。なお、表４において、×印は残存フォトレジ
スト膜が有る場合を示し、処理温度の欄の○印は、残存
フォトレジスト膜が無い場合を示す。また、Ａｌ腐食性
の欄の○印は、腐食されていない場合を示している。具
体的には、最初の厚みと比較し減少量の値が１００Å以
下の場合を示している。
【００１９】
【表３】
【００２０】
【表４】
【００２１】
【発明の効果】以上のように、本発明による剥離剤組成
物は、アルカノールアミン化合物１〜５０重量％、スル
ホン化合物又はスルホキシド化合物９９．５〜４０重量
％、及び芳香族ヒドロキシ化合物０．５〜１０重量％か
らなり、安全性及び作業性に優れ、これらの各成分の相
乗効果によってフォトレジストの剥離性に優れ、特に従
来の技術では困難であった、基板上にてプラズマエッチ
ング、ＲＩＥ（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉ
ｎｇ）処理、イオン注入処理等による加工により変質し
たフォトレジスト膜をも、比較的低温処理によって迅速
に、かつ、容易に除去することができる。また、金属膜
を有する基板に対しても腐食等を起こさない。
物は、アルカノールアミン化合物１〜５０重量％、スル
ホン化合物又はスルホキシド化合物９９．５〜４０重量
％、及び芳香族ヒドロキシ化合物０．５〜１０重量％か
らなり、安全性及び作業性に優れ、これらの各成分の相
乗効果によってフォトレジストの剥離性に優れ、特に従
来の技術では困難であった、基板上にてプラズマエッチ
ング、ＲＩＥ（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉ
ｎｇ）処理、イオン注入処理等による加工により変質し
たフォトレジスト膜をも、比較的低温処理によって迅速
に、かつ、容易に除去することができる。また、金属膜
を有する基板に対しても腐食等を起こさない。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−231343（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−227009（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−49355（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−163352（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−81950（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−35357（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−142821（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03F 7/42
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に塗布されたフォトレジスト膜を
剥離するための剥離剤組成物において、 （ａ） 一般式 Ｈ3-n Ｎ（（ＣＨ2 ）m ＯＨ）n
（ただし、ｍは２又は３の数を示し、ｎは１、２又は３
の数を示す。）で表されるアルカノールアミン化合物、 （ｂ） 一般式 Ｒ1 −ＳＯ2 −Ｒ2 又はＲ1 −ＳＯ−
Ｒ2 （ただし、Ｒ1 及びＲ2 はそれぞれ独立に炭素数
１もしくは２のアルキル基、又は相互に結合して形成す
る炭素数４、５もしくは６の環状アルキレン基を示
す。）で表されるスルホン化合物又はスルホキシド化合
物、及び （ｃ） 一般式化１で表される芳香族ヒドロキシ化合物
からなり、 アルカノールアミン化合物１〜５０重量％、スルホン化
合物又はスルホキシド化合物９９．５〜４０重量％及び
芳香族ヒドロキシ化合物０．５〜１０重量％からなるこ
とを特徴とする剥離剤組成物。 【化１】 （式中のｎは１又は２の数を示す。ｎが１の場合、Ｒは
水素、又は炭素数１０以下のアルキル基、又は炭素数３
以下のアルコキシ基を示す。ｎが２の場合、Ｒは水素を
示す。） - 【請求項２】 アルカノールアミン化合物がモノエタノ
ールアミンであることを特徴とする請求項１記載の剥離
剤組成物 - 【請求項３】 スルホン化合物がテトラメチレンスルホ
ンであることを特徴とする請求項１記載の剥離剤組成
物。 - 【請求項４】 スルホキシド化合物がジメチルスルホキ
シドであることを特徴とする請求項１記載の剥離剤組成
物。 - 【請求項５】 芳香族ヒドロキシ化合物がジヒドロキシ
ベンゼンであることを特徴とする請求項１記載の剥離剤
組成物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10932392A JP2980772B2 (ja) | 1992-04-02 | 1992-04-02 | 剥離剤組成物 |
| US08/430,604 US5480585A (en) | 1992-04-02 | 1995-04-28 | Stripping liquid compositions |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10932392A JP2980772B2 (ja) | 1992-04-02 | 1992-04-02 | 剥離剤組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05281753A JPH05281753A (ja) | 1993-10-29 |
| JP2980772B2 true JP2980772B2 (ja) | 1999-11-22 |
Family
ID=14507319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10932392A Expired - Fee Related JP2980772B2 (ja) | 1992-04-02 | 1992-04-02 | 剥離剤組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2980772B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6326130B1 (en) * | 1993-10-07 | 2001-12-04 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Photoresist strippers containing reducing agents to reduce metal corrosion |
| US6231677B1 (en) | 1998-02-27 | 2001-05-15 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Photoresist stripping liquid composition |
| KR100286860B1 (ko) * | 1998-12-31 | 2001-07-12 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트 리무버 조성물 |
| KR100335011B1 (ko) | 1999-08-19 | 2002-05-02 | 주식회사 동진쎄미켐 | 레지스트 제거용 조성물 |
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1992
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