JPH05281753A - 剥離剤組成物 - Google Patents
剥離剤組成物Info
- Publication number
- JPH05281753A JPH05281753A JP10932392A JP10932392A JPH05281753A JP H05281753 A JPH05281753 A JP H05281753A JP 10932392 A JP10932392 A JP 10932392A JP 10932392 A JP10932392 A JP 10932392A JP H05281753 A JPH05281753 A JP H05281753A
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- Japan
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- compd
- sulfone
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- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 アルカノールアミン化合物、スルホン化合物
又はスルホキシド化合物、及びヒドロキシ化合物からな
る、フォトレジスト剥離剤組成物。 【効果】 フォトレジストの剥離、安全性及び作業性に
優れ、また、金属膜を有する基板に対しても腐食を起こ
さない。
又はスルホキシド化合物、及びヒドロキシ化合物からな
る、フォトレジスト剥離剤組成物。 【効果】 フォトレジストの剥離、安全性及び作業性に
優れ、また、金属膜を有する基板に対しても腐食を起こ
さない。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、無機性基板上に形成さ
れたポジ型フォトレジスト膜、ネガ型フォトレジスト膜
等を基板にダメージを与えること無く、容易に剥離する
ための新規剥離剤組成物に関するものである。
れたポジ型フォトレジスト膜、ネガ型フォトレジスト膜
等を基板にダメージを与えること無く、容易に剥離する
ための新規剥離剤組成物に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路や液晶パネルの素子回路
は、無機性基板上に形成されたAl合金等の導電性金属
膜や酸化膜等の絶縁膜上にフォトレジストを塗布し、露
光させ現像してパターンを形成し、これをマスクとして
金属や絶縁膜にエッチングを行ない、微細回路を形成す
る。その後、不用になったレジストは除去される。この
レジスト除去用の剥離剤としては、アルキルベンゼンと
アルキルベンゼンスルホン酸との組み合わせが広く使用
されている。また、特開昭64−42653号公報に示
されるように、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリ
コールモノアルキルエーテル及び含窒素有機ヒドロキシ
化合物等のアルカリ系の有機溶剤を使用したものや、硫
酸や硝酸等の強酸が用いられる場合がある。さらに、特
開昭62−49355号公報には、アルカノールアミン
又はポリアルキレンポリアミンのエチレンオキサイド付
加物、スルホン化合物及びグリコールモノアルキルエー
テルからなる剥離剤組成物が記載されている。
は、無機性基板上に形成されたAl合金等の導電性金属
膜や酸化膜等の絶縁膜上にフォトレジストを塗布し、露
光させ現像してパターンを形成し、これをマスクとして
金属や絶縁膜にエッチングを行ない、微細回路を形成す
る。その後、不用になったレジストは除去される。この
レジスト除去用の剥離剤としては、アルキルベンゼンと
アルキルベンゼンスルホン酸との組み合わせが広く使用
されている。また、特開昭64−42653号公報に示
されるように、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリ
コールモノアルキルエーテル及び含窒素有機ヒドロキシ
化合物等のアルカリ系の有機溶剤を使用したものや、硫
酸や硝酸等の強酸が用いられる場合がある。さらに、特
開昭62−49355号公報には、アルカノールアミン
又はポリアルキレンポリアミンのエチレンオキサイド付
加物、スルホン化合物及びグリコールモノアルキルエー
テルからなる剥離剤組成物が記載されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述のアルキ
ルベンゼンとアルキルベンゼンスルホン酸との組み合わ
せ組成物の場合は、腐食が起きやすいことやリンス工程
が複雑であり、しかも、剥離力が弱い等の問題がある。
また、特開昭64−42653号公報記載の剥離液や、
硫酸や硝酸等の強酸を用いる場合は、剥離力や腐食性に
満足できる結果が得られない。また、特開昭62−49
355号公報記載の剥離剤組成物を用いる場合も、剥離
力が弱いという問題がある。近年、加工サイズの微細化
に伴い金属や酸化膜のエッチング条件が厳しくなり、フ
ォトレジストに加わるダメージが大きく、レジストが変
質してしまう。このため先述の有機溶剤にて処理して
も、レジストが基板上に残ってしまうことが問題となっ
ており、強力な剥離力を持ったものが望まれている。本
発明は、上記の諸点に鑑み、かかる問題点を解決するた
めになされたもので、剥離性、安全性及び作業性に優
れ、しかも、金属膜を有する基板に対しても腐食を起こ
さない剥離剤組成物を提供することを目的とするもので
ある。
ルベンゼンとアルキルベンゼンスルホン酸との組み合わ
せ組成物の場合は、腐食が起きやすいことやリンス工程
が複雑であり、しかも、剥離力が弱い等の問題がある。
また、特開昭64−42653号公報記載の剥離液や、
硫酸や硝酸等の強酸を用いる場合は、剥離力や腐食性に
満足できる結果が得られない。また、特開昭62−49
355号公報記載の剥離剤組成物を用いる場合も、剥離
力が弱いという問題がある。近年、加工サイズの微細化
に伴い金属や酸化膜のエッチング条件が厳しくなり、フ
ォトレジストに加わるダメージが大きく、レジストが変
質してしまう。このため先述の有機溶剤にて処理して
も、レジストが基板上に残ってしまうことが問題となっ
ており、強力な剥離力を持ったものが望まれている。本
発明は、上記の諸点に鑑み、かかる問題点を解決するた
めになされたもので、剥離性、安全性及び作業性に優
れ、しかも、金属膜を有する基板に対しても腐食を起こ
さない剥離剤組成物を提供することを目的とするもので
ある。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の剥離剤組成物は、基板上に塗布されたフ
ォトレジスト膜を剥離するための剥離剤組成物におい
て、(a) 一般式 H3-n N((CH2 )m OH)n
(ただし、mは2又は3の数を示し、nは1、2又は
3の数を示す。)で表されるアルカノールアミン化合
物、(b) 一般式 R1 −SO2 −R2 又はR1 −S
O−R2 (ただし、R1 及びR2 はそれぞれ独立に炭
素数1もしくは2のアルキル基、又は相互に結合して形
成する炭素数4、5もしくは6の環状アルキレン基を示
す。)で表されるスルホン化合物又はスルホキシド化合
物、及び(c) 一般式 C6 H6-n (OH)n (た
だし、n=1、2又は3)又はC6 H6-m-n (OH)n
Rm (ただし、n=1、2、又は3、m=1又は2
で、環状アルキレン基にヒドロキシ基及びアルキル基又
はアルコキシ基が付加されたもの。)で表されるヒドロ
キシ化合物、からなることを特徴としている。本発明に
おいて無機性基板とは、半導体及び液晶ディスプレイ用
パネルに用いられるけい素、二酸化けい素、ガリウムひ
素単体あるいはこの基体上にアルミ、アルミ合金、クロ
ム、酸化クロム、窒化膜等の導電性あるいは絶縁性被膜
を有する物を含む。
めに、本発明の剥離剤組成物は、基板上に塗布されたフ
ォトレジスト膜を剥離するための剥離剤組成物におい
て、(a) 一般式 H3-n N((CH2 )m OH)n
(ただし、mは2又は3の数を示し、nは1、2又は
3の数を示す。)で表されるアルカノールアミン化合
物、(b) 一般式 R1 −SO2 −R2 又はR1 −S
O−R2 (ただし、R1 及びR2 はそれぞれ独立に炭
素数1もしくは2のアルキル基、又は相互に結合して形
成する炭素数4、5もしくは6の環状アルキレン基を示
す。)で表されるスルホン化合物又はスルホキシド化合
物、及び(c) 一般式 C6 H6-n (OH)n (た
だし、n=1、2又は3)又はC6 H6-m-n (OH)n
Rm (ただし、n=1、2、又は3、m=1又は2
で、環状アルキレン基にヒドロキシ基及びアルキル基又
はアルコキシ基が付加されたもの。)で表されるヒドロ
キシ化合物、からなることを特徴としている。本発明に
おいて無機性基板とは、半導体及び液晶ディスプレイ用
パネルに用いられるけい素、二酸化けい素、ガリウムひ
素単体あるいはこの基体上にアルミ、アルミ合金、クロ
ム、酸化クロム、窒化膜等の導電性あるいは絶縁性被膜
を有する物を含む。
【0005】上記の本発明の剥離剤組成物において、ア
ルカノールアミン化合物1〜50重量%、望ましくは2
0〜40重量%、スルホン化合物又はスルホキシド化合
物99.5〜40重量%、望ましくは80〜50重量
%、及びヒドロキシ化合物0.5〜10重量%、望まし
くは2〜6重量%とする。また、アルカノールアミン化
合物としてモノエタノールアミンを用い、スルホン化合
物としてテトラメチレンスルホンを用い、スルホキシド
化合物としてジメチルスルホキシドを用い、ヒドロキシ
化合物としてジヒドロキシベンゼンを用いるのが望まし
い。
ルカノールアミン化合物1〜50重量%、望ましくは2
0〜40重量%、スルホン化合物又はスルホキシド化合
物99.5〜40重量%、望ましくは80〜50重量
%、及びヒドロキシ化合物0.5〜10重量%、望まし
くは2〜6重量%とする。また、アルカノールアミン化
合物としてモノエタノールアミンを用い、スルホン化合
物としてテトラメチレンスルホンを用い、スルホキシド
化合物としてジメチルスルホキシドを用い、ヒドロキシ
化合物としてジヒドロキシベンゼンを用いるのが望まし
い。
【0006】本発明の剥離剤組成物においては、(a)
一般式 H3-n N((CH2 )m OH)n (但し、mは2又は
3の数を示し、nは1、2又は3の数を示す)で表され
るアルカノールアミン化合物を1〜50重量%、好まし
くは20〜40重量%の範囲で含有する。上記アルカノ
ールアミンとしては例えば、モノエタノールアミン、ジ
ェタノールアミン、トリエタノールアミン、モノプロパ
ノールアミン、ジプロパノールアミン、トリプロパノー
ルアミン又はこれらの混合物が用いられる。上記のアル
カノールアミンの中では、特にモノエタノールアミンが
好ましく用いられる。
一般式 H3-n N((CH2 )m OH)n (但し、mは2又は
3の数を示し、nは1、2又は3の数を示す)で表され
るアルカノールアミン化合物を1〜50重量%、好まし
くは20〜40重量%の範囲で含有する。上記アルカノ
ールアミンとしては例えば、モノエタノールアミン、ジ
ェタノールアミン、トリエタノールアミン、モノプロパ
ノールアミン、ジプロパノールアミン、トリプロパノー
ルアミン又はこれらの混合物が用いられる。上記のアル
カノールアミンの中では、特にモノエタノールアミンが
好ましく用いられる。
【0007】また、本発明の剥離剤組成物は、上記アル
カノールアミン化合物とともに、(b) 一般式 R1
−SO2 −R2 (但し、R1 、R2 はそれぞれに炭素
数1又は2のアルキル基あるいはアルカノール基、又は
相互に結合して形成する炭素数4又は5の環状アルキレ
ン基を示す。)で表されるスルホン化合物、又は、一般
式 R1 −SO−R2 (但し、R1 、R2 はそれぞれ
に炭素数1又は2のアルキル基、又は相互に結合して形
成する炭素数4又は5の環状アルキレン基を示す。)で
表されるスルホキシド化合物を含有する。上記スルホン
化合物としてはジメチルスルホン、ジェチルスルホン、
ビス(2ヒドロキシエチル)スルホン、テトラメチレン
スルホン、ブチルジグリコール(BDG)等のグリコー
ルモノアルキルエーテル又はこれらの混合物が用いられ
る。上記スルホキシド化合物としてはジメチルスルホキ
シド(DMSO)が用いられる。
カノールアミン化合物とともに、(b) 一般式 R1
−SO2 −R2 (但し、R1 、R2 はそれぞれに炭素
数1又は2のアルキル基あるいはアルカノール基、又は
相互に結合して形成する炭素数4又は5の環状アルキレ
ン基を示す。)で表されるスルホン化合物、又は、一般
式 R1 −SO−R2 (但し、R1 、R2 はそれぞれ
に炭素数1又は2のアルキル基、又は相互に結合して形
成する炭素数4又は5の環状アルキレン基を示す。)で
表されるスルホキシド化合物を含有する。上記スルホン
化合物としてはジメチルスルホン、ジェチルスルホン、
ビス(2ヒドロキシエチル)スルホン、テトラメチレン
スルホン、ブチルジグリコール(BDG)等のグリコー
ルモノアルキルエーテル又はこれらの混合物が用いられ
る。上記スルホキシド化合物としてはジメチルスルホキ
シド(DMSO)が用いられる。
【0008】さらに、本発明の剥離剤組成物は、上記の
アルカノールアミン化合物及びスルホン化合物又はスル
ホキシド化合物とともに、(c) 一般式 C6 H6-n
(OH)n (n=1、2及び3)又はC6 H
6-m- n (OH)n Rm (n=1、2、3 m=1、2
環状アルキレン基にヒドロキシ基及びアルキル基あるい
はアルコキシ基が付加されたもの)で表されるヒドロキ
シ化合物を含有する。上記ヒドロキシ化合物としてはフ
ェノール、クレゾール、メトキシフェノール、エチルフ
ェノール、アリルフェノール、ノニルフェノール、ジヒ
ドロキシベンゼン、ブチルカテコール、トリヒドロキシ
ベンゼン又はこれらの混合物が用いられるが、好ましく
はジヒドロキシベンゼン(カテコール)が用いられる。
本発明による特に好ましい剥離剤組成物は、モノエタノ
ールアミン30重量%、テトラメチレンスルホン60重
量%、ジヒドロキシベンゼン10重量%、あるいはモノ
エタノールアミン30重量%、ジメチルスルホキシド6
0重量%、ジヒドロキシベンゼン10重量%からなる。
本発明による剥離剤組成物は、通常40〜120℃の温
度にて、フォトレジストのある基板をつけることによ
り、フォトレジストを溶解し除去することが可能であ
る。その後、基板を純水にて洗浄し、乾燥させることで
残渣のない基板を得ることができる。但し必要に応じ、
純水にて洗浄する前にメタノール、イソプロピルアルコ
ール等の低級アルコール、あるいはアセトン、メチルエ
チルケトン等のケトン類にて洗浄してもよい。
アルカノールアミン化合物及びスルホン化合物又はスル
ホキシド化合物とともに、(c) 一般式 C6 H6-n
(OH)n (n=1、2及び3)又はC6 H
6-m- n (OH)n Rm (n=1、2、3 m=1、2
環状アルキレン基にヒドロキシ基及びアルキル基あるい
はアルコキシ基が付加されたもの)で表されるヒドロキ
シ化合物を含有する。上記ヒドロキシ化合物としてはフ
ェノール、クレゾール、メトキシフェノール、エチルフ
ェノール、アリルフェノール、ノニルフェノール、ジヒ
ドロキシベンゼン、ブチルカテコール、トリヒドロキシ
ベンゼン又はこれらの混合物が用いられるが、好ましく
はジヒドロキシベンゼン(カテコール)が用いられる。
本発明による特に好ましい剥離剤組成物は、モノエタノ
ールアミン30重量%、テトラメチレンスルホン60重
量%、ジヒドロキシベンゼン10重量%、あるいはモノ
エタノールアミン30重量%、ジメチルスルホキシド6
0重量%、ジヒドロキシベンゼン10重量%からなる。
本発明による剥離剤組成物は、通常40〜120℃の温
度にて、フォトレジストのある基板をつけることによ
り、フォトレジストを溶解し除去することが可能であ
る。その後、基板を純水にて洗浄し、乾燥させることで
残渣のない基板を得ることができる。但し必要に応じ、
純水にて洗浄する前にメタノール、イソプロピルアルコ
ール等の低級アルコール、あるいはアセトン、メチルエ
チルケトン等のケトン類にて洗浄してもよい。
【0009】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、
本発明はこれら実施例により何ら限定されるものではな
い。 比較例1〜4、実施例1〜7 シリコンウエハー上にAl合金を形成し、その上部に酸
化膜を形成した。その酸化膜上に市販のポジ型フォトレ
ジストにてパターニングを行なった。その後、プラズマ
エッチング処理を行ない酸化膜を加工した。この処理に
より残ったフォトレジストを表1に示す組成を有する剥
離剤組成物中に、それぞれ表2に示す所定温度にて10
分間浸漬した後、イソプロピルアルコールで洗浄し、純
水で洗浄し、その後、スピン乾燥を行なった。基板表面
を電子顕微鏡にて観察し、残存フォトレジスト膜の有無
を確認した。なお、表1において、MEAはモノエタノ
ールアミン、BDGはブチルジグリコール、DMSOは
ジメチルスルホキシド、カテコールはジヒドロキシベン
ゼンを示す。また、%は重量%を示す。また、表2にお
いて、×印は残存フォトレジスト膜が有る場合を示し、
○印は残存フォトレジスト膜が無い場合を示す。
本発明はこれら実施例により何ら限定されるものではな
い。 比較例1〜4、実施例1〜7 シリコンウエハー上にAl合金を形成し、その上部に酸
化膜を形成した。その酸化膜上に市販のポジ型フォトレ
ジストにてパターニングを行なった。その後、プラズマ
エッチング処理を行ない酸化膜を加工した。この処理に
より残ったフォトレジストを表1に示す組成を有する剥
離剤組成物中に、それぞれ表2に示す所定温度にて10
分間浸漬した後、イソプロピルアルコールで洗浄し、純
水で洗浄し、その後、スピン乾燥を行なった。基板表面
を電子顕微鏡にて観察し、残存フォトレジスト膜の有無
を確認した。なお、表1において、MEAはモノエタノ
ールアミン、BDGはブチルジグリコール、DMSOは
ジメチルスルホキシド、カテコールはジヒドロキシベン
ゼンを示す。また、%は重量%を示す。また、表2にお
いて、×印は残存フォトレジスト膜が有る場合を示し、
○印は残存フォトレジスト膜が無い場合を示す。
【0010】
【表1】
【0011】
【表2】
【0012】比較例5〜8、実施例8〜14 シリコンウエハー上にAl合金を形成し、その上に市販
のポジ型フォトレジストにてパターニングを行なった。
その後、プラズマエッチング処理を行ないAl合金を加
工し、この処理により残ったフォトレジストを表3に示
す剥離剤組成物中に、それぞれ表4に示す所定温度にて
10分間浸漬した後、イソプロピルアルコールで洗浄
し、純水で乾燥し、その後、スピン乾燥を行なった。基
板表面を電子顕微鏡にて観察し、残存フォトレジスト膜
の有無を確認した。また、100℃で処理したものにつ
いてはAl合金の厚みを測定し、エッチングされなかっ
た部分の厚みを膜厚測定機にて測定し、最初の厚みと比
較して剥離剤組成物によって腐食されていないかどうか
を調べた。なお、表4において、×印は残存フォトレジ
スト膜が有る場合を示し、処理温度の欄の○印は、残存
フォトレジスト膜が無い場合を示す。また、Al腐食性
の欄の○印は、腐食されていない場合を示している。具
体的には、最初の厚みと比較し減少量の値が100 以
下の場合を示している。
のポジ型フォトレジストにてパターニングを行なった。
その後、プラズマエッチング処理を行ないAl合金を加
工し、この処理により残ったフォトレジストを表3に示
す剥離剤組成物中に、それぞれ表4に示す所定温度にて
10分間浸漬した後、イソプロピルアルコールで洗浄
し、純水で乾燥し、その後、スピン乾燥を行なった。基
板表面を電子顕微鏡にて観察し、残存フォトレジスト膜
の有無を確認した。また、100℃で処理したものにつ
いてはAl合金の厚みを測定し、エッチングされなかっ
た部分の厚みを膜厚測定機にて測定し、最初の厚みと比
較して剥離剤組成物によって腐食されていないかどうか
を調べた。なお、表4において、×印は残存フォトレジ
スト膜が有る場合を示し、処理温度の欄の○印は、残存
フォトレジスト膜が無い場合を示す。また、Al腐食性
の欄の○印は、腐食されていない場合を示している。具
体的には、最初の厚みと比較し減少量の値が100 以
下の場合を示している。
【0013】
【表3】
【0014】
【表4】
【0015】
【発明の効果】以上のように、本発明による剥離剤組成
物は、アルカノールアミン化合物、スルホン化合物又は
スルホキシド化合物、及びヒドロキシ化合物からなり、
安全性及び作業性に優れ、これらの各成分の相乗効果に
よってフォトレジストの剥離性に優れ、特に従来の技術
では困難であった、基板上にてプラズマエッチング、R
IE(reactive ion etching)処
理、イオン注入処理等による加工により変質したフォト
レジスト膜をも、比較的低温処理によって迅速に、か
つ、容易に除去することができる。また、金属膜を有す
る基板に対しても腐食等を起こさない。
物は、アルカノールアミン化合物、スルホン化合物又は
スルホキシド化合物、及びヒドロキシ化合物からなり、
安全性及び作業性に優れ、これらの各成分の相乗効果に
よってフォトレジストの剥離性に優れ、特に従来の技術
では困難であった、基板上にてプラズマエッチング、R
IE(reactive ion etching)処
理、イオン注入処理等による加工により変質したフォト
レジスト膜をも、比較的低温処理によって迅速に、か
つ、容易に除去することができる。また、金属膜を有す
る基板に対しても腐食等を起こさない。
Claims (6)
- 【請求項1】 基板上に塗布されたフォトレジスト膜を
剥離するための剥離剤組成物において、(a) 一般式
H3-n N((CH2 )m OH)n (ただし、mは2
又は3の数を示し、nは1、2又は3の数を示す。)で
表されるアルカノールアミン化合物、(b) 一般式
R1 −SO2 −R2 又はR1 −SO−R2 (ただし、
R1 及びR2 はそれぞれ独立に炭素数1もしくは2のア
ルキル基、又は相互に結合して形成する炭素数4、5も
しくは6の環状アルキレン基を示す。)で表されるスル
ホン化合物又はスルホキシド化合物、及び(c) 一般
式 C6 H6-n (OH)n (ただし、n=1、2又は
3)又はC6 H6-m-n (OH)n Rm (ただし、n=
1、2、又は3、m=1又は2で、環状アルキレン基に
ヒドロキシ基及びアルキル基又はアルコキシ基が付加さ
れたもの。)で表されるヒドロキシ化合物、からなるこ
とを特徴とする剥離剤組成物。 - 【請求項2】 アルカノールアミン化合物1〜50重量
%、スルホン化合物又はスルホキシド化合物99.5〜
40重量%及びヒドロキシ化合物0.5〜10重量%か
らなることを特徴とする請求項1記載の剥離剤組成物。 - 【請求項3】 アルカノールアミン化合物がモノエタノ
ールアミンであることを特徴とする請求項1記載の剥離
剤組成物 - 【請求項4】 スルホン化合物がテトラメチレンスルホ
ンであることを特徴とする請求項1記載の剥離剤組成
物。 - 【請求項5】 スルホキシド化合物がジメチルスルホキ
シドであることを特徴とする請求項1記載の剥離剤組成
物。 - 【請求項6】 ヒドロキシ化合物がジヒドロキシベンゼ
ンであることを特徴とする請求項1記載の剥離剤組成
物。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10932392A JP2980772B2 (ja) | 1992-04-02 | 1992-04-02 | 剥離剤組成物 |
US08/430,604 US5480585A (en) | 1992-04-02 | 1995-04-28 | Stripping liquid compositions |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10932392A JP2980772B2 (ja) | 1992-04-02 | 1992-04-02 | 剥離剤組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05281753A true JPH05281753A (ja) | 1993-10-29 |
JP2980772B2 JP2980772B2 (ja) | 1999-11-22 |
Family
ID=14507319
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10932392A Expired - Fee Related JP2980772B2 (ja) | 1992-04-02 | 1992-04-02 | 剥離剤組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2980772B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07219241A (ja) * | 1993-10-07 | 1995-08-18 | J T Baker Inc | 金属腐食を減少させるための還元剤を含有しているフォトレジストストリッパー |
US6140027A (en) * | 1998-12-31 | 2000-10-31 | Dongjin Semichem Co., Ltd. | Photoresist remover composition |
US6231677B1 (en) | 1998-02-27 | 2001-05-15 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Photoresist stripping liquid composition |
US6579668B1 (en) | 1999-08-19 | 2003-06-17 | Dongjin Semichem Co., Ltd. | Photoresist remover composition |
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EP1701217A2 (en) | 2005-03-11 | 2006-09-13 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Composition for photoresist stripping solution and process of photoresist stripping |
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US7816312B2 (en) | 2005-03-11 | 2010-10-19 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Composition for photoresist stripping solution and process of photoresist stripping |
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---|---|
JP2980772B2 (ja) | 1999-11-22 |
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