JPH09191007A - フォトレジスト用剥離液 - Google Patents
フォトレジスト用剥離液Info
- Publication number
- JPH09191007A JPH09191007A JP293396A JP293396A JPH09191007A JP H09191007 A JPH09191007 A JP H09191007A JP 293396 A JP293396 A JP 293396A JP 293396 A JP293396 A JP 293396A JP H09191007 A JPH09191007 A JP H09191007A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- stripping
- stripping solution
- substrate
- photoresist film
- Prior art date
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- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板上に塗布されたフォトレジスト膜を除去
するための剥離液であって、特殊なリンス液によるリン
ス処理を必要とせず、かつ高温でポストベークされたフ
ォトレジスト膜に対しても優れた剥離性能及び溶解性能
を発現し得、さらに蒸留による再生・再利用が容易なフ
ォトレジスト用剥離液を提供する。 【解決手段】 基板上に塗布されたフォトレジスト膜を
除去するための剥離液であって、（Ａ）２−アミノアル
コール、及び（Ｂ）３−メチル−３−メトキシブタノー
ルからなり、（Ｂ）／（Ａ）の重量比が０．６〜１．７
であるフォトレジスト用剥離液。
するための剥離液であって、特殊なリンス液によるリン
ス処理を必要とせず、かつ高温でポストベークされたフ
ォトレジスト膜に対しても優れた剥離性能及び溶解性能
を発現し得、さらに蒸留による再生・再利用が容易なフ
ォトレジスト用剥離液を提供する。 【解決手段】 基板上に塗布されたフォトレジスト膜を
除去するための剥離液であって、（Ａ）２−アミノアル
コール、及び（Ｂ）３−メチル−３−メトキシブタノー
ルからなり、（Ｂ）／（Ａ）の重量比が０．６〜１．７
であるフォトレジスト用剥離液。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はフォトレジスト用剥
離液に関する。更に詳しくは、本発明は、特にガラス基
板上にＬＣＤ（液晶ディスプレイ）を製造する際や、半
導体基板上にＬＳＩ（大規模集積回路）を製造する際の
リソグラフィープロセスにおいて用いられる基板上に塗
布されたフォトレジスト膜を除去するための剥離液であ
って、剥離性能及び溶解性能に優れるばかりでなく、再
生・再利用しやすいフォトレジスト用剥離液に関する。
離液に関する。更に詳しくは、本発明は、特にガラス基
板上にＬＣＤ（液晶ディスプレイ）を製造する際や、半
導体基板上にＬＳＩ（大規模集積回路）を製造する際の
リソグラフィープロセスにおいて用いられる基板上に塗
布されたフォトレジスト膜を除去するための剥離液であ
って、剥離性能及び溶解性能に優れるばかりでなく、再
生・再利用しやすいフォトレジスト用剥離液に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの製造工程やＬＣＤの製造工程に
おいて、パターン形成の際に、フォトレジスト、なかで
もポジ型フォトレジストが広く用いられている。このレ
ジストを剥離する方法として剥離液を用いる方法が知ら
れており、Ｓｉ（シリコン）基板や酸化シリコンなどの
酸不溶性のパターン形成時には、硫酸−過酸化水素水の
混合液をレジスト剥離液とする方法が一般的である。し
かし、Ａｌ（アルミ）配線やＩＴＯ（インジウム錫複合
酸化物）配線などのパターン形成時には、該混合液は基
板上に残すべきＡｌやＩＴＯなどを溶解するため、不都
合である。
おいて、パターン形成の際に、フォトレジスト、なかで
もポジ型フォトレジストが広く用いられている。このレ
ジストを剥離する方法として剥離液を用いる方法が知ら
れており、Ｓｉ（シリコン）基板や酸化シリコンなどの
酸不溶性のパターン形成時には、硫酸−過酸化水素水の
混合液をレジスト剥離液とする方法が一般的である。し
かし、Ａｌ（アルミ）配線やＩＴＯ（インジウム錫複合
酸化物）配線などのパターン形成時には、該混合液は基
板上に残すべきＡｌやＩＴＯなどを溶解するため、不都
合である。
【０００３】従来、このような場合の剥離方法として
は、フェノール系の剥離液を用いる方法（特公平５−６
７０３０号公報など）が知られている。しかし、この方
法では、用いる剥離液が有害なフェノールを主成分とす
るうえ、ジクロルベンゼンやテトラクロルエチレンなど
の有害な塩素系溶剤が加えられており、安全衛生上の観
点から問題がある。更に、これらの溶剤を溶かすトリク
レンなどの有機溶媒によるリンスが必要であるうえ、こ
の剥離液は、吸湿により酸性になるため、配線に用いら
れるＡｌなどを腐食しやすいという短所を有している。
は、フェノール系の剥離液を用いる方法（特公平５−６
７０３０号公報など）が知られている。しかし、この方
法では、用いる剥離液が有害なフェノールを主成分とす
るうえ、ジクロルベンゼンやテトラクロルエチレンなど
の有害な塩素系溶剤が加えられており、安全衛生上の観
点から問題がある。更に、これらの溶剤を溶かすトリク
レンなどの有機溶媒によるリンスが必要であるうえ、こ
の剥離液は、吸湿により酸性になるため、配線に用いら
れるＡｌなどを腐食しやすいという短所を有している。
【０００４】また、アミン系の剥離液を用いる方法（特
公昭６４−５６９５号公報など）も知られているが、上
記の欠点はある程度解消されているものの、剥離液とし
て充分な性能を有するものは得られていない。
公昭６４−５６９５号公報など）も知られているが、上
記の欠点はある程度解消されているものの、剥離液とし
て充分な性能を有するものは得られていない。
【０００５】ところで、近年においては、基板の加工精
度を向上させるために現像後のポストベーク温度を高く
して、フォトレジストをより強固に硬化させ、その耐熱
性を上げる傾向がある。また、微細加工時にドライエッ
チングやイオン打ち込みを行うと、その際フォトレジス
トはプラズマ等に曝されたり高熱に曝されるため、変質
や硬化を起こし、より強固に基板と接着して剥離しにく
くなるとともに、剥離したレジスト残渣が剥離液に溶解
しにくくなる。剥離液中にレジスト残渣が残存した場
合、基板上に該残渣が再付着し、極めて不都合である。
つまり、剥離液としては、剥離性能及び溶解性能の両方
に優れることが必要である。
度を向上させるために現像後のポストベーク温度を高く
して、フォトレジストをより強固に硬化させ、その耐熱
性を上げる傾向がある。また、微細加工時にドライエッ
チングやイオン打ち込みを行うと、その際フォトレジス
トはプラズマ等に曝されたり高熱に曝されるため、変質
や硬化を起こし、より強固に基板と接着して剥離しにく
くなるとともに、剥離したレジスト残渣が剥離液に溶解
しにくくなる。剥離液中にレジスト残渣が残存した場
合、基板上に該残渣が再付着し、極めて不都合である。
つまり、剥離液としては、剥離性能及び溶解性能の両方
に優れることが必要である。
【０００６】さらに、従来の剥離液はレジスト剥離に使
用後は廃液となり最終的には焼却等の方法で処分されて
いる。このような大量の有機溶剤の廃棄は環境上好まし
くないうえ、その処理費用も増大している。ここで使用
後の剥離液を再生・再利用しようとしても、従来の剥離
液では混合液であるために極めて困難であった。
用後は廃液となり最終的には焼却等の方法で処分されて
いる。このような大量の有機溶剤の廃棄は環境上好まし
くないうえ、その処理費用も増大している。ここで使用
後の剥離液を再生・再利用しようとしても、従来の剥離
液では混合液であるために極めて困難であった。
【０００７】使用後の液から例えば蒸留により剥離液を
回収しても各成分の含量が違ってしまったものしか得ら
れず、そのため組成の調整が必要となる等、費用がかか
りすぎる欠点があった。この問題に対して特開平５−２
７３７６８号公報ではアミノアルコール単独の剥離液が
開示されているが、該剥離液は剥離性能に優れかつ再生
しやすいが、剥離したレジストの溶解性能が劣るという
問題があった。
回収しても各成分の含量が違ってしまったものしか得ら
れず、そのため組成の調整が必要となる等、費用がかか
りすぎる欠点があった。この問題に対して特開平５−２
７３７６８号公報ではアミノアルコール単独の剥離液が
開示されているが、該剥離液は剥離性能に優れかつ再生
しやすいが、剥離したレジストの溶解性能が劣るという
問題があった。
【０００８】したがって、剥離性能及び溶解性能に優
れ、かつ再生・再利用が容易な剥離液の出現が強く望ま
れている。
れ、かつ再生・再利用が容易な剥離液の出現が強く望ま
れている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】かかる状況において、
本発明が解決しようとする課題は、基板上に塗布された
フォトレジスト膜を除去するための剥離液であって、特
殊なリンス液によるリンス処理を必要とせず、高温でポ
ストベークされたフォトレジスト膜やプラズマ等に曝さ
れたフォトレジスト膜に対しても優れた剥離性能及び溶
解性能を発現し得、かつ再生・再利用が容易であるフォ
トレジスト用剥離液を提供する点にある。
本発明が解決しようとする課題は、基板上に塗布された
フォトレジスト膜を除去するための剥離液であって、特
殊なリンス液によるリンス処理を必要とせず、高温でポ
ストベークされたフォトレジスト膜やプラズマ等に曝さ
れたフォトレジスト膜に対しても優れた剥離性能及び溶
解性能を発現し得、かつ再生・再利用が容易であるフォ
トレジスト用剥離液を提供する点にある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、基
板上に塗布されたフォトレジスト膜を除去するための剥
離液であって、（Ａ）２−アミノエタノール、及び
（Ｂ）３−メチル−３−メトキシブタノールからなり、
（Ｂ）／（Ａ）の重量比が０．６〜１．７であるフォト
レジスト用剥離液に係るものである。
板上に塗布されたフォトレジスト膜を除去するための剥
離液であって、（Ａ）２−アミノエタノール、及び
（Ｂ）３−メチル−３−メトキシブタノールからなり、
（Ｂ）／（Ａ）の重量比が０．６〜１．７であるフォト
レジスト用剥離液に係るものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明において、基板とは、ＬＳ
Ｉ作製用のＳｉウェハ、Ｇａ（ガリウム）−Ａｓ（砒
素）ウェハなどの半導体基板やＬＣＤ作製用のガラス基
板を指し、さらにそれらの基板の上に、二酸化ケイ素、
窒化ケイ素、ポリシリコン、アモルファスシリコン、Ｇ
ａ−Ａｓ、Ｇａ−Ａｌ−Ａｓ、Ａｌ、酸化アルミニウ
ム、銅、ＩＴＯ、クロム、酸化クロム、モリブデン、酸
化モリブデン、タンタル、酸化タンタル、チタン、酸化
チタン、窒化チタンなどの薄膜が形成されているものも
含む。
Ｉ作製用のＳｉウェハ、Ｇａ（ガリウム）−Ａｓ（砒
素）ウェハなどの半導体基板やＬＣＤ作製用のガラス基
板を指し、さらにそれらの基板の上に、二酸化ケイ素、
窒化ケイ素、ポリシリコン、アモルファスシリコン、Ｇ
ａ−Ａｓ、Ｇａ−Ａｌ−Ａｓ、Ａｌ、酸化アルミニウ
ム、銅、ＩＴＯ、クロム、酸化クロム、モリブデン、酸
化モリブデン、タンタル、酸化タンタル、チタン、酸化
チタン、窒化チタンなどの薄膜が形成されているものも
含む。
【００１２】本発明の成分である２−アミノエタノール
及び３−メチル−３−メトキシブタノールとしては、一
般工業用グレードのものでよいが、使用用途がＬＳＩや
ＬＣＤ製造工程であるので、金属類の含有量の少ないも
のが好ましい。
及び３−メチル−３−メトキシブタノールとしては、一
般工業用グレードのものでよいが、使用用途がＬＳＩや
ＬＣＤ製造工程であるので、金属類の含有量の少ないも
のが好ましい。
【００１３】フォトレジスト用剥離液中における（Ａ）
２−アミノエタノール、（Ｂ）３−メチル−３−メトキ
シブタノールの重量比（Ｂ）／（Ａ）は、０．６〜１．
７、好ましくは０．８〜１．７である。該比が過小であ
ると剥離したフォトレジストの溶解性能が低下し、一方
該比が過大であると剥離性能が低下する。
２−アミノエタノール、（Ｂ）３−メチル−３−メトキ
シブタノールの重量比（Ｂ）／（Ａ）は、０．６〜１．
７、好ましくは０．８〜１．７である。該比が過小であ
ると剥離したフォトレジストの溶解性能が低下し、一方
該比が過大であると剥離性能が低下する。
【００１４】本発明のフォトレジスト用剥離液を得るに
は、２−アミノエタノール及び３−メチル−３−メトキ
シブタノールの所定量を混合すればよい。たとえば、簡
単な攪拌機を有する混合器を準備し、二成分を導入し、
室温で攪拌するなどの公知の方法を用いることができ
る。なお、混合後の液は、０．２μｍ以下のフィルタで
濾過することにより、ＬＳＩやＬＣＤ製造プロセスで嫌
われる微粒子を除去することができる。
は、２−アミノエタノール及び３−メチル−３−メトキ
シブタノールの所定量を混合すればよい。たとえば、簡
単な攪拌機を有する混合器を準備し、二成分を導入し、
室温で攪拌するなどの公知の方法を用いることができ
る。なお、混合後の液は、０．２μｍ以下のフィルタで
濾過することにより、ＬＳＩやＬＣＤ製造プロセスで嫌
われる微粒子を除去することができる。
【００１５】本発明による剥離液を用いて基板上のフォ
トレジスト膜を剥離する方法としては、単に剥離液中に
前記基板を浸漬する方法、剥離液に前記基板を浸漬する
とともに、超音波振動や攪拌羽根などにより剥離液を攪
拌する方法、剥離液を前記基板上にスプレーする方法な
どを上げることができる。なお、剥離操作時の剥離液の
温度としては、２０〜９０℃が適当である。
トレジスト膜を剥離する方法としては、単に剥離液中に
前記基板を浸漬する方法、剥離液に前記基板を浸漬する
とともに、超音波振動や攪拌羽根などにより剥離液を攪
拌する方法、剥離液を前記基板上にスプレーする方法な
どを上げることができる。なお、剥離操作時の剥離液の
温度としては、２０〜９０℃が適当である。
【００１６】本発明の剥離液を用いることにより、１０
０℃程度の通常のポストベークを行ったフォトレジスト
のみでなく、１５０℃以上の温度でポストベークされた
ポジ型フォトレジスト膜やプラズマなどに曝されたフォ
トレジスト膜といった高度に硬化したり変質したりした
フォトレジスト膜の剥離を容易に行うことができる。
０℃程度の通常のポストベークを行ったフォトレジスト
のみでなく、１５０℃以上の温度でポストベークされた
ポジ型フォトレジスト膜やプラズマなどに曝されたフォ
トレジスト膜といった高度に硬化したり変質したりした
フォトレジスト膜の剥離を容易に行うことができる。
【００１７】また、本発明による剥離液は、構成成分が
いずれも水溶性であるのでトリクレンなどの特殊なリン
ス液によるリンス処理を必要とせず、プロセスが簡素化
できるという特徴も有している。さらに、蒸留により容
易に再生・再利用することができるという特徴も有して
いる。
いずれも水溶性であるのでトリクレンなどの特殊なリン
ス液によるリンス処理を必要とせず、プロセスが簡素化
できるという特徴も有している。さらに、蒸留により容
易に再生・再利用することができるという特徴も有して
いる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
する。
する。
【００１９】実施例１及び比較例１ シリコンウェハ上にポジ型フォトレジストを１．２μｍ
の厚さに塗布してプリベーク処理を行った後、フォトリ
ソグラフィ処理として露光及び現像を行うことにより、
レジストパターンを形成し、１８０℃で３０分間ポスト
ベークを行った。このレジストパターン付きウェハを用
い、８０℃の剥離液に浸漬し、水洗した。水洗後のウェ
ハを光学顕微鏡で観察し、フォトレジストの残存状況か
ら剥離に要する時間を求め、剥離性能を評価した。結果
を表１に示した。
の厚さに塗布してプリベーク処理を行った後、フォトリ
ソグラフィ処理として露光及び現像を行うことにより、
レジストパターンを形成し、１８０℃で３０分間ポスト
ベークを行った。このレジストパターン付きウェハを用
い、８０℃の剥離液に浸漬し、水洗した。水洗後のウェ
ハを光学顕微鏡で観察し、フォトレジストの残存状況か
ら剥離に要する時間を求め、剥離性能を評価した。結果
を表１に示した。
【００２０】実施例２〜４及び比較例２〜４ ここでは剥離したフォトレジスト膜の溶解状況を観察し
て溶解性能も測定できるように、あえてパターンは形成
せずに実験を行った。すなわち、約１μｍの熱酸化膜付
きのシリコンウェハ上にポジ型フォトレジストを１．２
μｍの厚さに塗布してプリベーク処理を行った後、１８
０℃または２００℃で再度ベーキングを行った。このフ
ォトレジスト付きの基板を各種組成の剥離液中に浸漬
し、剥離状況及び溶解状況を観察した。なお、１８０℃
ベークのものは溶解時間の測定に、２００℃ベークのも
のは剥離時間の測定に用い、剥離実験での液温は５０
℃、溶解実験での液温は８０℃とした。結果を表２に示
した。剥離性能の評価は実施例１と同様に光学顕微鏡を
用いて行った。また、溶解性能の判定は、剥離液中のレ
ジスト片の溶解による消失を目視観察して行った。
て溶解性能も測定できるように、あえてパターンは形成
せずに実験を行った。すなわち、約１μｍの熱酸化膜付
きのシリコンウェハ上にポジ型フォトレジストを１．２
μｍの厚さに塗布してプリベーク処理を行った後、１８
０℃または２００℃で再度ベーキングを行った。このフ
ォトレジスト付きの基板を各種組成の剥離液中に浸漬
し、剥離状況及び溶解状況を観察した。なお、１８０℃
ベークのものは溶解時間の測定に、２００℃ベークのも
のは剥離時間の測定に用い、剥離実験での液温は５０
℃、溶解実験での液温は８０℃とした。結果を表２に示
した。剥離性能の評価は実施例１と同様に光学顕微鏡を
用いて行った。また、溶解性能の判定は、剥離液中のレ
ジスト片の溶解による消失を目視観察して行った。
【００２１】実施例５及び比較例５ 約１μｍの熱酸化膜付きのシリコンウェハ上にポジ型フ
ォトレジストを１．２μｍの厚さに塗布してプリベーク
処理を行った後、フォトリソグラフィ処理として露光及
び現像を行うことによりレジストパターンを形成し、１
２０℃で３０分ポストベークを行った。このレジストパ
ターン付きウェハをドライエッチング装置に配置し、酸
素を２体積％含むＣＨＦ３ガスプラズマでエッチングを
行い酸化膜のパターンを形成した。これを、８０℃で１
０分間剥離処理を行った後、電子顕微鏡でフォトレジス
トの剥離状況を観察した。結果を表３に示した。
ォトレジストを１．２μｍの厚さに塗布してプリベーク
処理を行った後、フォトリソグラフィ処理として露光及
び現像を行うことによりレジストパターンを形成し、１
２０℃で３０分ポストベークを行った。このレジストパ
ターン付きウェハをドライエッチング装置に配置し、酸
素を２体積％含むＣＨＦ３ガスプラズマでエッチングを
行い酸化膜のパターンを形成した。これを、８０℃で１
０分間剥離処理を行った後、電子顕微鏡でフォトレジス
トの剥離状況を観察した。結果を表３に示した。
【００２２】実施例６ （Ａ）２−アミノエタノール及び（Ｂ）３−メチル−３
−メトキシブタノールの重量比（Ｂ）／（Ａ）が１．１
であるフォトレジスト用剥離液に、１２０℃で２時間ベ
ークしたポジ型フォトレジストを８ｇ／リットルの割合
で溶解させた。このものを大気圧下、１７１℃で蒸留
し、留出液を回収し、剥離液として再利用した。再生さ
れたフォトレジスト用剥離液は剥離性能及び溶解性能と
も新しいものと同等であった。なお、蒸留による回収率
は９０％以上であり、かつ得られた液の組成は元の液の
組成と同じであり、また蒸留の比較的初期から終わりま
で一定の組成の液が留出していた。このことは再生方法
として蒸留法を適用する場合他の多成分からなるフォト
レジスト用剥離液に比し極めて有利な点である。
−メトキシブタノールの重量比（Ｂ）／（Ａ）が１．１
であるフォトレジスト用剥離液に、１２０℃で２時間ベ
ークしたポジ型フォトレジストを８ｇ／リットルの割合
で溶解させた。このものを大気圧下、１７１℃で蒸留
し、留出液を回収し、剥離液として再利用した。再生さ
れたフォトレジスト用剥離液は剥離性能及び溶解性能と
も新しいものと同等であった。なお、蒸留による回収率
は９０％以上であり、かつ得られた液の組成は元の液の
組成と同じであり、また蒸留の比較的初期から終わりま
で一定の組成の液が留出していた。このことは再生方法
として蒸留法を適用する場合他の多成分からなるフォト
レジスト用剥離液に比し極めて有利な点である。
【００２３】
【表１】
【００２４】
【表２】 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 実 施 例 比 較 例 ２ ３ ４ ２ ３ ４ 剥離液組成＊１ （Ａ）wt % ６０ ４８ ４０ １００ ７２ ３２ （Ｂ）wt % ４０ ５２ ６０ ０ ２８ ６８ (B)/(A)wt 比 ０．７ １．１ １．５ ０．０ ０．４ ２．１ 剥離時間／分 ＜５ ５ ５ ＜５ ＜５ １５ 溶解時間／分 ２０ １５ １５ ＞３０ ３０ ２０ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
【００２５】
【表３】
【００２６】＊１ 剥離液組成 （Ａ）：２−アミノエタノール （Ｂ）：３−メチル−３−メトキシブタノール ＊２ 剥離状況（酸化膜パターン上のフォトレジスト残
渣の有無） ○：残渣は認められなかった ×：かなりの残渣が認められた
渣の有無） ○：残渣は認められなかった ×：かなりの残渣が認められた
【００２７】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明により、基
板上に塗布されたフォトレジスト膜を除去するための剥
離液であって、特殊なリンス液によるリンス処理を必要
とせず、かつ高温でポストベークされたフォトレジスト
膜に対しても優れた剥離性能及び溶解性能を発現し得、
さらに蒸留による再生・再利用が容易なフォトレジスト
用剥離液を提供することができた。
板上に塗布されたフォトレジスト膜を除去するための剥
離液であって、特殊なリンス液によるリンス処理を必要
とせず、かつ高温でポストベークされたフォトレジスト
膜に対しても優れた剥離性能及び溶解性能を発現し得、
さらに蒸留による再生・再利用が容易なフォトレジスト
用剥離液を提供することができた。
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に塗布されたフォトレジスト膜を
除去するための剥離液であって、（Ａ）２−アミノアル
コール、及び（Ｂ）３−メチル−３−メトキシブタノー
ルからなり、（Ｂ）／（Ａ）の重量比が０．６〜１．７
であるフォトレジスト用剥離液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP293396A JPH09191007A (ja) | 1996-01-11 | 1996-01-11 | フォトレジスト用剥離液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP293396A JPH09191007A (ja) | 1996-01-11 | 1996-01-11 | フォトレジスト用剥離液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09191007A true JPH09191007A (ja) | 1997-07-22 |
Family
ID=11543159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP293396A Pending JPH09191007A (ja) | 1996-01-11 | 1996-01-11 | フォトレジスト用剥離液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09191007A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6130195A (en) * | 1997-11-03 | 2000-10-10 | Kyzen Corporation | Cleaning compositions and methods for cleaning using cyclic ethers and alkoxy methyl butanols |
| WO2002054156A1 (en) * | 2000-12-30 | 2002-07-11 | Dongjin Semichem Co., Ltd. | Method of controlling photoresist stripping process and regenerating photoresist stripper composition based on near infrared spectrometer |
| WO2002054155A1 (en) * | 2000-12-30 | 2002-07-11 | Dongjin Semichem Co., Ltd. | Method of controlling metallic layer etching process and regenerating etchant for metallic layer etching process based on near infrared spectrometer |
| JP2011071480A (ja) * | 2009-06-26 | 2011-04-07 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 電子デバイスを形成する方法 |
| JP2011109059A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 電子デバイスを形成する方法 |
-
1996
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