JPH0883786A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0883786A JPH0883786A JP6217555A JP21755594A JPH0883786A JP H0883786 A JPH0883786 A JP H0883786A JP 6217555 A JP6217555 A JP 6217555A JP 21755594 A JP21755594 A JP 21755594A JP H0883786 A JPH0883786 A JP H0883786A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- silicon nitride
- silicon
- nitride film
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】リソグラフィを用いた半導体装置の製造技術に
関し、リソグラフィ工程で裾引きや食い込みを防止する
ことのできる半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】 シリコン基板上に窒化シリコン膜を堆積する
工程と、前記窒化シリコン膜表面に酸化シリコン膜また
は酸化窒化シリコン膜を形成する工程と、前記酸化シリ
コン膜または酸化窒化シリコン膜表面上に、光酸発生剤
を含む化学増幅型レジスト膜を塗布する工程と、前記光
酸発生剤を活性化して酸を発生させる照射線を、前記化
学増幅型レジスト膜に選択的に照射する工程と、前記化
学増幅型レジスト膜を現像し、レジストパターンを得る
工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記窒化
シリコン膜を選択的にエッチングして窒化シリコン膜パ
ターンを得る工程とを含む。
関し、リソグラフィ工程で裾引きや食い込みを防止する
ことのできる半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】 シリコン基板上に窒化シリコン膜を堆積する
工程と、前記窒化シリコン膜表面に酸化シリコン膜また
は酸化窒化シリコン膜を形成する工程と、前記酸化シリ
コン膜または酸化窒化シリコン膜表面上に、光酸発生剤
を含む化学増幅型レジスト膜を塗布する工程と、前記光
酸発生剤を活性化して酸を発生させる照射線を、前記化
学増幅型レジスト膜に選択的に照射する工程と、前記化
学増幅型レジスト膜を現像し、レジストパターンを得る
工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記窒化
シリコン膜を選択的にエッチングして窒化シリコン膜パ
ターンを得る工程とを含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リソグラフィ技術に関
し、特にリソグラフィを用いた半導体装置の製造技術に
関する。
し、特にリソグラフィを用いた半導体装置の製造技術に
関する。
【０００２】
【従来の技術】大規模集積回路装置（ＬＳＩ）の集積度
は、依然として増大が要求され、そのため回路パターン
の微細化が必要とされている。
は、依然として増大が要求され、そのため回路パターン
の微細化が必要とされている。
【０００３】パターンの微細化のため、露光装置の高解
像力化、短波長化が進められており、レジストにも高解
像力化が求められている。短波長露光用の高解像力レジ
ストとして、最近光酸発生剤を含む化学増幅型レジスト
が脚光を浴び、その開発が進められている。
像力化、短波長化が進められており、レジストにも高解
像力化が求められている。短波長露光用の高解像力レジ
ストとして、最近光酸発生剤を含む化学増幅型レジスト
が脚光を浴び、その開発が進められている。
【０００４】化学増幅型レジストは、通常被加工物（ウ
エハ）上にスピン塗布され、予備加熱後、パターン露光
される。露光は、光酸発生剤を活性化し、酸を発生させ
る照射線を用いて行なわれる。このような照射線として
は、可視光、紫外光、Ｘ線等の電磁波や電子線、イオン
線等の粒子線がある。露光によって照射線が照射された
領域には、酸が発生する。
エハ）上にスピン塗布され、予備加熱後、パターン露光
される。露光は、光酸発生剤を活性化し、酸を発生させ
る照射線を用いて行なわれる。このような照射線として
は、可視光、紫外光、Ｘ線等の電磁波や電子線、イオン
線等の粒子線がある。露光によって照射線が照射された
領域には、酸が発生する。
【０００５】露光後のレジスト層はポスト加熱される。
ポジ型レジストであれば、発生した酸が基材樹脂を可溶
化する。酸は溶媒として機能し、多くの基材樹脂を可溶
化するため、高感度が実現できる。
ポジ型レジストであれば、発生した酸が基材樹脂を可溶
化する。酸は溶媒として機能し、多くの基材樹脂を可溶
化するため、高感度が実現できる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、化学増幅型
レジストを現像すると、レジストパターンの断面形状が
変形してしまうことがある。ポジ型レジストの場合、開
口部が底部分で狭くなる裾引き現象が発生したり、開口
部となるべき領域が完全に抜けず、分離解像しなくなる
といった現象が生じることがある。
レジストを現像すると、レジストパターンの断面形状が
変形してしまうことがある。ポジ型レジストの場合、開
口部が底部分で狭くなる裾引き現象が発生したり、開口
部となるべき領域が完全に抜けず、分離解像しなくなる
といった現象が生じることがある。
【０００７】ネガ型レジストの場合は、逆に開口部の底
部断面が下地界面で拡がる食い込み現象が生じることが
ある。これらの現象は、いずれも高解像力を実現するた
めに大きな障害となってしまう。
部断面が下地界面で拡がる食い込み現象が生じることが
ある。これらの現象は、いずれも高解像力を実現するた
めに大きな障害となってしまう。
【０００８】本発明の目的は、リソグラフィ工程で裾引
きや食い込みを防止することのできる半導体装置の製造
方法を提供することである。本発明の他の目的は、断面
形状の優れたレジストパターンの形成方法を提供するこ
とである。
きや食い込みを防止することのできる半導体装置の製造
方法を提供することである。本発明の他の目的は、断面
形状の優れたレジストパターンの形成方法を提供するこ
とである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、シリコン基板上に窒化シリコン膜を堆積する
工程と、前記窒化シリコン膜表面に酸化シリコン膜また
は酸化窒化シリコン膜を形成する工程と、前記酸化シリ
コン膜または酸化窒化シリコン膜表面上に、光酸発生剤
を含む化学増幅型レジスト膜を塗布する工程と、前記光
酸発生剤を活性化して酸を発生させる照射線を、前記化
学増幅型レジスト膜に選択的に照射する工程と、前記化
学増幅型レジスト膜を現像し、レジストパターンを得る
工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記窒化
シリコン膜を選択的にエッチングして窒化シリコン膜パ
ターンを得る工程とを含む。
造方法は、シリコン基板上に窒化シリコン膜を堆積する
工程と、前記窒化シリコン膜表面に酸化シリコン膜また
は酸化窒化シリコン膜を形成する工程と、前記酸化シリ
コン膜または酸化窒化シリコン膜表面上に、光酸発生剤
を含む化学増幅型レジスト膜を塗布する工程と、前記光
酸発生剤を活性化して酸を発生させる照射線を、前記化
学増幅型レジスト膜に選択的に照射する工程と、前記化
学増幅型レジスト膜を現像し、レジストパターンを得る
工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記窒化
シリコン膜を選択的にエッチングして窒化シリコン膜パ
ターンを得る工程とを含む。
【００１０】さらに、窒化シリコン膜堆積工程の前に、
シリコン基板表面に酸化シリコン膜を形成する工程と、
窒化シリコン膜パターンを得る工程の後に、窒化シリコ
ン膜パターンをマスクとしてシリコン基板表面を選択酸
化する工程とを含んでもよい。
シリコン基板表面に酸化シリコン膜を形成する工程と、
窒化シリコン膜パターンを得る工程の後に、窒化シリコ
ン膜パターンをマスクとしてシリコン基板表面を選択酸
化する工程とを含んでもよい。
【００１１】また、窒化シリコン膜表面に酸化シリコン
膜または酸化窒化シリコン膜を形成する工程は、酸素プ
ラズマを用いて窒化シリコン膜表面を酸化する工程、ま
たは酸素プラズマのダウンフロー中にシリコン基板を配
置する工程、または酸素を含むガスに遠紫外線を照射し
てオゾンを発生させた雰囲気中に窒化シリコン膜表面を
曝露し、その表面をオゾン酸化する工程を含んでもよ
い。
膜または酸化窒化シリコン膜を形成する工程は、酸素プ
ラズマを用いて窒化シリコン膜表面を酸化する工程、ま
たは酸素プラズマのダウンフロー中にシリコン基板を配
置する工程、または酸素を含むガスに遠紫外線を照射し
てオゾンを発生させた雰囲気中に窒化シリコン膜表面を
曝露し、その表面をオゾン酸化する工程を含んでもよ
い。
【００１２】本発明のレジストパターン形成方法は、窒
化シリコン表面を有する基板を準備する工程と、前記窒
化シリコン表面に酸化シリコン膜または酸化窒化シリコ
ン膜を形成する工程と、前記酸化シリコン膜または酸化
窒化シリコン膜表面上に、光酸発生剤を含む化学増幅型
レジスト膜を塗布する工程と、前記光酸発生剤を活性化
して酸を発生させる照射線を、前記化学増幅型レジスト
膜に選択的に照射する工程と、前記化学増幅型レジスト
膜を現像し、レジストパターンを得る工程とを含む。
化シリコン表面を有する基板を準備する工程と、前記窒
化シリコン表面に酸化シリコン膜または酸化窒化シリコ
ン膜を形成する工程と、前記酸化シリコン膜または酸化
窒化シリコン膜表面上に、光酸発生剤を含む化学増幅型
レジスト膜を塗布する工程と、前記光酸発生剤を活性化
して酸を発生させる照射線を、前記化学増幅型レジスト
膜に選択的に照射する工程と、前記化学増幅型レジスト
膜を現像し、レジストパターンを得る工程とを含む。
【００１３】
【作用】本発明者らは、窒化シリコン膜表面を酸素プラ
ズマで処理すると、裾引き現象や食い込み現象を防止で
きることを発見した。酸素プラズマで処理した窒化シリ
コン膜表面を観察すると、処理前と較べ、窒素が減少
し、酸素が増加していることが判った。すなわち、窒化
膜表面は酸化されたものと考えられる。このように、窒
化シリコン膜表面に酸化シリコン膜または酸化窒化シリ
コン膜を形成すると、裾引き現象や食い込み現象を防止
できるものと考えられる。
ズマで処理すると、裾引き現象や食い込み現象を防止で
きることを発見した。酸素プラズマで処理した窒化シリ
コン膜表面を観察すると、処理前と較べ、窒素が減少
し、酸素が増加していることが判った。すなわち、窒化
膜表面は酸化されたものと考えられる。このように、窒
化シリコン膜表面に酸化シリコン膜または酸化窒化シリ
コン膜を形成すると、裾引き現象や食い込み現象を防止
できるものと考えられる。
【００１４】酸素プラズマの処理を酸素プラズマのダウ
ンフロー中で行なえば、シリコン基板に与える影響を減
少させることができる。また、窒化シリコン膜表面を酸
化する反応は、遠紫外線を照射してオゾンを発生させた
雰囲気中においても行なうことができるであろう。
ンフロー中で行なえば、シリコン基板に与える影響を減
少させることができる。また、窒化シリコン膜表面を酸
化する反応は、遠紫外線を照射してオゾンを発生させた
雰囲気中においても行なうことができるであろう。
【００１５】また、窒化シリコン膜表面を酸化する代わ
りに、表面に酸化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜
を形成しても同様の作用が得られるであろう。
りに、表面に酸化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜
を形成しても同様の作用が得られるであろう。
【００１６】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図１（Ａ）に示すように、Ｓｉ基板１の表面上に
厚さ約５ｎｍの酸化シリコン膜２を形成する。たとえ
ば、Ｏ2 ＋ＨＣｌ雰囲気中で基板を約１０００℃に加熱
し、塩酸酸化の熱酸化膜を成長させる。この酸化シリコ
ン膜２は、その上に形成する窒化シリコン膜がＳｉ基板
１に与える応力を緩和させるためのバッファ層となる。
する。図１（Ａ）に示すように、Ｓｉ基板１の表面上に
厚さ約５ｎｍの酸化シリコン膜２を形成する。たとえ
ば、Ｏ2 ＋ＨＣｌ雰囲気中で基板を約１０００℃に加熱
し、塩酸酸化の熱酸化膜を成長させる。この酸化シリコ
ン膜２は、その上に形成する窒化シリコン膜がＳｉ基板
１に与える応力を緩和させるためのバッファ層となる。
【００１７】図１（Ｂ）に示すように、酸化シリコン膜
２の全面上に、窒化シリコン膜３を厚さ約１１５ｎｍ堆
積する。たとえば、ＮＨ4 ＯＨ＋ＳｉＣｌ2 Ｈ2 をソー
スガスとし、基板温度を約７００℃とした減圧化学気相
堆積（ＣＶＤ）により、窒化シリコン膜３を堆積する。
２の全面上に、窒化シリコン膜３を厚さ約１１５ｎｍ堆
積する。たとえば、ＮＨ4 ＯＨ＋ＳｉＣｌ2 Ｈ2 をソー
スガスとし、基板温度を約７００℃とした減圧化学気相
堆積（ＣＶＤ）により、窒化シリコン膜３を堆積する。
【００１８】次に、図１（Ｃ）に示すように、窒化シリ
コン膜３表面にごく薄い酸化シリコン膜ないし酸化窒化
シリコン膜４を形成する。たとえば、図２（Ａ）に示す
ダウンフロー型アッシャー装置を用い、窒化シリコン膜
３を形成したウエハ１０を温度調整装置を備えたサセプ
タ２８上に載置する。
コン膜３表面にごく薄い酸化シリコン膜ないし酸化窒化
シリコン膜４を形成する。たとえば、図２（Ａ）に示す
ダウンフロー型アッシャー装置を用い、窒化シリコン膜
３を形成したウエハ１０を温度調整装置を備えたサセプ
タ２８上に載置する。
【００１９】図２（Ａ）に示すアッシャー装置におい
て、２．４５ＧＨｚのμ波がμ波導波管２５からμ波導
入室２４に導かれる。μ波導入室２４は、μ波を透過す
るμ波透過窓２３によって気密を保たれたままプラズマ
発生室２６と結合している。プラズマ発生室２６には、
ガス導入口２７からＯ2 ガスが導入される。プラズマ発
生室２６は、パンチングボード２２によって下側を画定
され、発生するプラズマをプラズマ発生室２６内に閉じ
込める。チャンバ２１は、プラズマ発生室とその下の処
理室を取り囲み、その内部にサセプタ２８を収容する。
プラズマ発生室２６に発生した酸素プラズマから、中性
粒子のみがパンチングボード２２を通過して処理室内に
流れる。このプラズマのダウンフローを用いてウエハ１
０を処理すると、高エネルギ粒子のない状態でウエハ１
０を気相処理することができる。したがって、ウエハ１
０内に与えるダメージ等を防止することができる。
て、２．４５ＧＨｚのμ波がμ波導波管２５からμ波導
入室２４に導かれる。μ波導入室２４は、μ波を透過す
るμ波透過窓２３によって気密を保たれたままプラズマ
発生室２６と結合している。プラズマ発生室２６には、
ガス導入口２７からＯ2 ガスが導入される。プラズマ発
生室２６は、パンチングボード２２によって下側を画定
され、発生するプラズマをプラズマ発生室２６内に閉じ
込める。チャンバ２１は、プラズマ発生室とその下の処
理室を取り囲み、その内部にサセプタ２８を収容する。
プラズマ発生室２６に発生した酸素プラズマから、中性
粒子のみがパンチングボード２２を通過して処理室内に
流れる。このプラズマのダウンフローを用いてウエハ１
０を処理すると、高エネルギ粒子のない状態でウエハ１
０を気相処理することができる。したがって、ウエハ１
０内に与えるダメージ等を防止することができる。
【００２０】本実施例においては、Ｏ2 ガス流量４００
ｓｃｃｍ、μ波パワー３００Ｗ、圧力０．４Ｔｏｒｒ、
サセプタ温度１６０℃、処理時間１２０秒の条件でＯ2
プラズマダウンフロー処理を行なった。この処理によ
り、後に述べるように、窒化膜３表面におよそ２ｎｍの
厚さの酸化シリコン膜ないし酸化窒化シリコン膜４が形
成される。以下、この酸化シリコンないし酸化窒化シリ
コンの膜を酸化膜４と呼ぶ。
ｓｃｃｍ、μ波パワー３００Ｗ、圧力０．４Ｔｏｒｒ、
サセプタ温度１６０℃、処理時間１２０秒の条件でＯ2
プラズマダウンフロー処理を行なった。この処理によ
り、後に述べるように、窒化膜３表面におよそ２ｎｍの
厚さの酸化シリコン膜ないし酸化窒化シリコン膜４が形
成される。以下、この酸化シリコンないし酸化窒化シリ
コンの膜を酸化膜４と呼ぶ。
【００２１】このようにして、窒化シリコン膜３の表面
に薄い酸化膜４を形成する。図１（Ｄ）に示すように、
酸化膜４を形成した基板上に、化学増幅型レジストのレ
ジスト膜６をスピン塗布し、予備加熱、露光、現像を行
なうことにより、レジストパターン６ａを形成する。
に薄い酸化膜４を形成する。図１（Ｄ）に示すように、
酸化膜４を形成した基板上に、化学増幅型レジストのレ
ジスト膜６をスピン塗布し、予備加熱、露光、現像を行
なうことにより、レジストパターン６ａを形成する。
【００２２】より詳細に説明すると、まず酸化膜４を形
成した基板を、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）雰
囲気に１１０℃の加熱状態で６０秒間曝露した。その
後、ポリビニルフェノールの水酸基の４０％をｔ−ブト
キシカルボニロキシ化した化合物トリフェニルスルホニ
ウムトリフレート、乳酸エチルからなるポジ型化学増幅
レジストを約０．７μｍの厚さでスピン塗布し、ホット
プレート上で１１０℃のベーキングを約９０秒間行なっ
た。その後、波長２４８ｎｍのＫｒＦレーザ光で露光し
た。露光後、再び基板をホットプレート上で９０℃の温
度で約９０秒間加熱処理を行ない、２．３８％のＴＭＡ
Ｈ水溶液で６０秒のパドル現像を行なった。
成した基板を、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）雰
囲気に１１０℃の加熱状態で６０秒間曝露した。その
後、ポリビニルフェノールの水酸基の４０％をｔ−ブト
キシカルボニロキシ化した化合物トリフェニルスルホニ
ウムトリフレート、乳酸エチルからなるポジ型化学増幅
レジストを約０．７μｍの厚さでスピン塗布し、ホット
プレート上で１１０℃のベーキングを約９０秒間行なっ
た。その後、波長２４８ｎｍのＫｒＦレーザ光で露光し
た。露光後、再び基板をホットプレート上で９０℃の温
度で約９０秒間加熱処理を行ない、２．３８％のＴＭＡ
Ｈ水溶液で６０秒のパドル現像を行なった。
【００２３】なお、比較のため、窒化シリコン膜３表面
上に酸化膜４を形成しないサンプルを作成し、同様の手
順でレジスト膜を塗布し、レジストパターンを形成し
た。図３（Ａ）、（Ｂ）は、上述の実施例、比較例に従
い形成したレジストパターンの断面写真を示す。図３
（Ａ）は、実施例に従い、０．８μｍピッチでラインア
ンドスペースのストライプパターンを形成したレジスト
パターンの断面写真である。
上に酸化膜４を形成しないサンプルを作成し、同様の手
順でレジスト膜を塗布し、レジストパターンを形成し
た。図３（Ａ）、（Ｂ）は、上述の実施例、比較例に従
い形成したレジストパターンの断面写真を示す。図３
（Ａ）は、実施例に従い、０．８μｍピッチでラインア
ンドスペースのストライプパターンを形成したレジスト
パターンの断面写真である。
【００２４】図３（Ｂ）は、窒化シリコン膜表面に酸化
膜を形成しないウエハ上に、同様に０．８μｍピッチで
ラインアンドスペースのストライプパターンを形成した
レジストパターンの断面写真である。
膜を形成しないウエハ上に、同様に０．８μｍピッチで
ラインアンドスペースのストライプパターンを形成した
レジストパターンの断面写真である。
【００２５】図３（Ａ）においては、レジストパターン
の裾がほぼ垂直に切れており、正確に転写が成されてい
ることが判る。これに対し、図３（Ｂ）の比較例におい
ては、下地表面近傍において、レジストパターンの形状
は顕著な裾引きを示している。したがって、レジストパ
ターンの上部が正確な寸法に加工されても、裾引き部で
パターン精度を大幅に悪化させてしまう可能性が強い。
の裾がほぼ垂直に切れており、正確に転写が成されてい
ることが判る。これに対し、図３（Ｂ）の比較例におい
ては、下地表面近傍において、レジストパターンの形状
は顕著な裾引きを示している。したがって、レジストパ
ターンの上部が正確な寸法に加工されても、裾引き部で
パターン精度を大幅に悪化させてしまう可能性が強い。
【００２６】図３（Ａ）、（Ｂ）から判るように、窒化
シリコン膜の表面を酸素プラズマのダウンフローで処理
することにより、レジストパターンのパターン精度が大
幅に改善された。この効果を確認するため、ダウンフロ
ー処理前後の窒化膜（酸化膜）表面をＥＳＣＡ分析で解
析した。
シリコン膜の表面を酸素プラズマのダウンフローで処理
することにより、レジストパターンのパターン精度が大
幅に改善された。この効果を確認するため、ダウンフロ
ー処理前後の窒化膜（酸化膜）表面をＥＳＣＡ分析で解
析した。
【００２７】図４（Ａ）、（Ｂ）は、ダウンフロー酸化
処理前のＥＳＣＡスペクトルとダウンフロー酸化処理後
のＥＳＣＡスペクトルを示す。図において、横軸は結合
エネルギをｅＶで示し、縦軸は信号強度を任意単位で示
す。両グラフを比較すると、ダウンフロー酸化処理によ
りＯ（１ｓ）のピークが著しく増大し、逆にＮ（１ｓ）
のピークが著しく減少していることが判る。なお、これ
らのピークの他、図に示したグラフにおいては、Ｃ（１
ｓ）、Ｆ（１ｓ）、Ｓｉ（２ｐ）等のピークが観察され
る。
処理前のＥＳＣＡスペクトルとダウンフロー酸化処理後
のＥＳＣＡスペクトルを示す。図において、横軸は結合
エネルギをｅＶで示し、縦軸は信号強度を任意単位で示
す。両グラフを比較すると、ダウンフロー酸化処理によ
りＯ（１ｓ）のピークが著しく増大し、逆にＮ（１ｓ）
のピークが著しく減少していることが判る。なお、これ
らのピークの他、図に示したグラフにおいては、Ｃ（１
ｓ）、Ｆ（１ｓ）、Ｓｉ（２ｐ）等のピークが観察され
る。
【００２８】図４（Ｃ）は、これらのピークから表面組
成を分析した結果を示す図表である。Ｏ2 プラズマダウ
ンフロー処理前と処理後の各々について、Ｃ（１ｓ）、
Ｎ（１ｓ）、Ｏ（１ｓ）、Ｆ（１ｓ）、Ｓｉ（２ｐ）の
組成を比較して示す。Ｃ（１ｓ）、Ｆ（１ｓ）、Ｓｉ
（２ｐ）の各成分はあまり大きな変化を示していない。
Ｎ（１ｓ）は４２．８原子％から１６．６原子％に大幅
に減少し、逆にＯ（１ｓ）ピークは１８．４原子％から
４８．３原子％に大幅に増大している。
成を分析した結果を示す図表である。Ｏ2 プラズマダウ
ンフロー処理前と処理後の各々について、Ｃ（１ｓ）、
Ｎ（１ｓ）、Ｏ（１ｓ）、Ｆ（１ｓ）、Ｓｉ（２ｐ）の
組成を比較して示す。Ｃ（１ｓ）、Ｆ（１ｓ）、Ｓｉ
（２ｐ）の各成分はあまり大きな変化を示していない。
Ｎ（１ｓ）は４２．８原子％から１６．６原子％に大幅
に減少し、逆にＯ（１ｓ）ピークは１８．４原子％から
４８．３原子％に大幅に増大している。
【００２９】これらの結果から、処理前においては表面
はほぼ窒化シリコンであり、処理後には窒化シリコン成
分が著しく減少し、酸化シリコン成分が著しく増大して
いることが判る。なお、処理後の表面は完全な酸化シリ
コンではなく、窒素成分を含むようである。
はほぼ窒化シリコンであり、処理後には窒化シリコン成
分が著しく減少し、酸化シリコン成分が著しく増大して
いることが判る。なお、処理後の表面は完全な酸化シリ
コンではなく、窒素成分を含むようである。
【００３０】表面組成をさらに詳しく調べるため、Ｓｉ
（２ｐ）のピーク形状を分離してＳｉ−Ｎの成分とＳｉ
−Ｏの成分とを得た。図５（Ａ）、（Ｂ）は、Ｓｉ（２
ｐ）のスペクトルをピーク分離した波形を示すグラフで
ある。図中横軸に結合エネルギをｅＶで示し、縦軸に信
号強度を規格化して示す。
（２ｐ）のピーク形状を分離してＳｉ−Ｎの成分とＳｉ
−Ｏの成分とを得た。図５（Ａ）、（Ｂ）は、Ｓｉ（２
ｐ）のスペクトルをピーク分離した波形を示すグラフで
ある。図中横軸に結合エネルギをｅＶで示し、縦軸に信
号強度を規格化して示す。
【００３１】図５（Ａ）において、曲線ａは測定したま
まの信号強度を示す。この信号強度のピークは、ＳｉＮ
成分にほぼ合致しているが、若干形が崩れている。そこ
で、ＳｉＯ2 成分を仮定し、ＳｉＮ成分とＳｉＯ2 成分
とに分離した。分離したＳｉＮ成分をａ２で示し、分離
したＳｉＯ2 成分をａ１で示す。この図から判るよう
に、処理前においてはＳｉＯ2 成分は存在するが、その
量はごく僅かである。
まの信号強度を示す。この信号強度のピークは、ＳｉＮ
成分にほぼ合致しているが、若干形が崩れている。そこ
で、ＳｉＯ2 成分を仮定し、ＳｉＮ成分とＳｉＯ2 成分
とに分離した。分離したＳｉＮ成分をａ２で示し、分離
したＳｉＯ2 成分をａ１で示す。この図から判るよう
に、処理前においてはＳｉＯ2 成分は存在するが、その
量はごく僅かである。
【００３２】図５（Ｂ）は、Ｏ2 プラズマダウンフロー
処理後の表面Ｓｉ（２ｐ）のスペクトルを示す。曲線ｂ
が測定したままのスペクトルのピーク波形であり、曲線
ｂ１、ｂ２はＳｉＯ2 成分とＳｉＮ成分に分離した各成
分を示す。この図から明らかなように、ＳｉＯ2 成分が
ＳｉＮ成分よりもかなり大きくなっている。すなわち、
図５（Ａ）におけるＳｉＮ成分の半分以上はＳｉＯ2 成
分に変換されたと考えることができる。
処理後の表面Ｓｉ（２ｐ）のスペクトルを示す。曲線ｂ
が測定したままのスペクトルのピーク波形であり、曲線
ｂ１、ｂ２はＳｉＯ2 成分とＳｉＮ成分に分離した各成
分を示す。この図から明らかなように、ＳｉＯ2 成分が
ＳｉＮ成分よりもかなり大きくなっている。すなわち、
図５（Ａ）におけるＳｉＮ成分の半分以上はＳｉＯ2 成
分に変換されたと考えることができる。
【００３３】これらの分析結果から、Ｏ2 プラズマダウ
ンフロー処理により、窒化シリコン膜表面が酸化されて
いることが判る。なお、表面の組成が完全に酸化シリコ
ンか酸化窒化シリコンかは確認することはできないが、
酸化シリコンとした場合、その厚さは約２ｎｍ程度であ
ろう。
ンフロー処理により、窒化シリコン膜表面が酸化されて
いることが判る。なお、表面の組成が完全に酸化シリコ
ンか酸化窒化シリコンかは確認することはできないが、
酸化シリコンとした場合、その厚さは約２ｎｍ程度であ
ろう。
【００３４】上述のように、窒化シリコン膜表面をＯ2
プラズマダウンフロー処理で酸化することにより、レジ
ストパターンの形状を大幅に改善することができた。そ
の原因は以下のように考えることができるであろう。
プラズマダウンフロー処理で酸化することにより、レジ
ストパターンの形状を大幅に改善することができた。そ
の原因は以下のように考えることができるであろう。
【００３５】まず、Ｏ2 プラズマダウンフロー処理前の
窒化シリコン膜上に直接ＨＭＤＳ膜を形成し、レジスト
膜を塗布した場合にレジストパターンのパターン形状が
悪い原因は、下地表面近傍では発生した酸を消滅させる
機構が存在するためであろう。より具体的には、窒化シ
リコン膜表面にアルカリ成分が吸着ないしは含まれてい
るためであろうと考えられる。
窒化シリコン膜上に直接ＨＭＤＳ膜を形成し、レジスト
膜を塗布した場合にレジストパターンのパターン形状が
悪い原因は、下地表面近傍では発生した酸を消滅させる
機構が存在するためであろう。より具体的には、窒化シ
リコン膜表面にアルカリ成分が吸着ないしは含まれてい
るためであろうと考えられる。
【００３６】アルカリ成分の原因としては、窒化シリコ
ン膜堆積の原料ガスとして用いたＮＨ4 ＯＨが窒化シリ
コン膜中に残存ないしは表面に吸着していることが考え
られる。この他、クリーンルーム内に浮揚するアミン、
アンモニア等の塩基性不純物が窒化シリコン膜表面に付
着することも考えられる。
ン膜堆積の原料ガスとして用いたＮＨ4 ＯＨが窒化シリ
コン膜中に残存ないしは表面に吸着していることが考え
られる。この他、クリーンルーム内に浮揚するアミン、
アンモニア等の塩基性不純物が窒化シリコン膜表面に付
着することも考えられる。
【００３７】窒化シリコン膜表面に塩基性不純物が残っ
ていると、レジスト膜塗布後、レジスト膜下部にこれら
塩基性不純物が拡散し、露光によって発生した酸を中和
してしまい、露光の効果を減少させてしまうものと考え
られる。
ていると、レジスト膜塗布後、レジスト膜下部にこれら
塩基性不純物が拡散し、露光によって発生した酸を中和
してしまい、露光の効果を減少させてしまうものと考え
られる。
【００３８】Ｏ2 プラズマダウンフロー処理により、裾
引き現象がほとんど完全に消滅した原因は、まず窒化シ
リコン膜表面を酸化することにより、窒化シリコン膜表
面部分に残存しているアルカリ性不純物を除去ないし変
換してしまうものと考えられる。また、窒化シリコン膜
表面が酸化されることにより、窒化シリコン膜中に残存
する塩基性不純物は、酸化膜によって封じ込められてし
まうことも考えられる。
引き現象がほとんど完全に消滅した原因は、まず窒化シ
リコン膜表面を酸化することにより、窒化シリコン膜表
面部分に残存しているアルカリ性不純物を除去ないし変
換してしまうものと考えられる。また、窒化シリコン膜
表面が酸化されることにより、窒化シリコン膜中に残存
する塩基性不純物は、酸化膜によって封じ込められてし
まうことも考えられる。
【００３９】このような作用は、Ｏ2 プラズマダウンフ
ロー処理に限らず、窒化シリコン膜表面を酸化すること
により生じるものと考えられる。たとえば、窒化シリコ
ン膜表面をオゾン酸化すれば、同様の現象が生じるであ
ろう。基板のダメージを問題としない場合は、基板を酸
素プラズマ中に直接配置してもよいであろう。また、窒
化シリコン膜の表面自体を酸化する代わりに、窒化シリ
コン膜表面に酸化シリコン膜を堆積しても、窒化シリコ
ン膜表面のアルカリ性不純物を除去、変換し、窒化シリ
コン膜に残存するアルカリ性不純物を封じ込めることが
できるであろう。同様に、酸化シリコン膜の代わりに酸
化窒化シリコン膜を堆積しても同様の効果が期待され
る。
ロー処理に限らず、窒化シリコン膜表面を酸化すること
により生じるものと考えられる。たとえば、窒化シリコ
ン膜表面をオゾン酸化すれば、同様の現象が生じるであ
ろう。基板のダメージを問題としない場合は、基板を酸
素プラズマ中に直接配置してもよいであろう。また、窒
化シリコン膜の表面自体を酸化する代わりに、窒化シリ
コン膜表面に酸化シリコン膜を堆積しても、窒化シリコ
ン膜表面のアルカリ性不純物を除去、変換し、窒化シリ
コン膜に残存するアルカリ性不純物を封じ込めることが
できるであろう。同様に、酸化シリコン膜の代わりに酸
化窒化シリコン膜を堆積しても同様の効果が期待され
る。
【００４０】なお、上述の実施例においては、ＣＶＤ装
置内で形成した窒化シリコン膜表面を、ダウンフロー型
アッシャー装置内で表面酸化し、その後スピナー上でレ
ジスト膜を形成した。これらの工程は、なるべく連続し
て行なうことが好ましい。
置内で形成した窒化シリコン膜表面を、ダウンフロー型
アッシャー装置内で表面酸化し、その後スピナー上でレ
ジスト膜を形成した。これらの工程は、なるべく連続し
て行なうことが好ましい。
【００４１】図２（Ｂ）は、窒化シリコン膜表面の酸化
と引き続くレジスト膜形成を連続して行なうことのでき
る処理システムを概略的に示す。レジスト膜塗布装置３
１は、搬送路３２で結合された酸化室３３、スピンコー
ト室３４、ホットプレート室３５、カセット室３８、３
９を含む。
と引き続くレジスト膜形成を連続して行なうことのでき
る処理システムを概略的に示す。レジスト膜塗布装置３
１は、搬送路３２で結合された酸化室３３、スピンコー
ト室３４、ホットプレート室３５、カセット室３８、３
９を含む。
【００４２】窒化シリコン膜を形成したウエハを収納し
たカセットを、まずカセット室３８に搬入し、カセット
から１枚ずつウエハを取出し、搬送路３２を介してまず
酸化室３３に搬入し、図２（Ａ）に示すようなダウンフ
ロープラズマ処理により、窒化シリコン膜表面を酸化す
る。その後、表面を酸化したウエハを酸化室３３からス
ピンコート室３４に移動し、レジスト膜をスピン塗布す
る。スピン塗布後ウエハはスピンコート室３４からホッ
トプレート室３５に移送され、予備加熱が行なわれる。
その後、ウエハはカセット室３９に移送され、露光装置
に運ばれる。
たカセットを、まずカセット室３８に搬入し、カセット
から１枚ずつウエハを取出し、搬送路３２を介してまず
酸化室３３に搬入し、図２（Ａ）に示すようなダウンフ
ロープラズマ処理により、窒化シリコン膜表面を酸化す
る。その後、表面を酸化したウエハを酸化室３３からス
ピンコート室３４に移動し、レジスト膜をスピン塗布す
る。スピン塗布後ウエハはスピンコート室３４からホッ
トプレート室３５に移送され、予備加熱が行なわれる。
その後、ウエハはカセット室３９に移送され、露光装置
に運ばれる。
【００４３】なお、窒化シリコン膜表面の酸化をオゾン
酸化で行なう場合は、酸化室３３とスピンコート室３４
を一体化することも可能である。すなわち、スピンコー
ト室３４内にウエハを搬入した後、雰囲気を酸素雰囲気
とし、紫外線ランプをウエハ上に照射し、Ｏ3 を発生さ
せて窒化シリコン膜表面をオゾン酸化することができ
る。
酸化で行なう場合は、酸化室３３とスピンコート室３４
を一体化することも可能である。すなわち、スピンコー
ト室３４内にウエハを搬入した後、雰囲気を酸素雰囲気
とし、紫外線ランプをウエハ上に照射し、Ｏ3 を発生さ
せて窒化シリコン膜表面をオゾン酸化することができ
る。
【００４４】また、上記実施例においては、レジスト膜
塗布直前にウエハをＨＭＤＳ雰囲気に曝露し、密着層を
形成している。レジスト膜と下地との密着が十分な場合
には、この密着層形成は省略してもよい。
塗布直前にウエハをＨＭＤＳ雰囲気に曝露し、密着層を
形成している。レジスト膜と下地との密着が十分な場合
には、この密着層形成は省略してもよい。
【００４５】図６（Ａ）−（Ｄ）は、図１（Ａ）−
（Ｄ）の工程に引き続く代表的な製造工程の例を示す。
図１（Ｄ）に示すように、レジストパターン６ａを形成
した後、図６（Ａ）に示すように、このレジストパター
ン６ａをエッチングマスクとし、下地の酸化膜４および
窒化シリコン膜３を選択的にエッチングする。
（Ｄ）の工程に引き続く代表的な製造工程の例を示す。
図１（Ｄ）に示すように、レジストパターン６ａを形成
した後、図６（Ａ）に示すように、このレジストパター
ン６ａをエッチングマスクとし、下地の酸化膜４および
窒化シリコン膜３を選択的にエッチングする。
【００４６】表面の酸化膜４は極めて薄いため、同一の
エッチングガスを用いて酸化膜４と窒化シリコン膜３を
連続的にエッチすることもできる。なお、酸化膜４エッ
チング用のエッチングガスと、窒化シリコン膜３エッチ
ング用のエッチングガスを代えることも当然可能であ
る。
エッチングガスを用いて酸化膜４と窒化シリコン膜３を
連続的にエッチすることもできる。なお、酸化膜４エッ
チング用のエッチングガスと、窒化シリコン膜３エッチ
ング用のエッチングガスを代えることも当然可能であ
る。
【００４７】このようにして、窒化シリコン膜３から窒
化シリコンパターン３ａを作成する。なお、窒化シリコ
ン膜３ａ表面に形成されている酸化膜４ａは、以後の工
程に必要なものではないが、障害となるものでもない。
化シリコンパターン３ａを作成する。なお、窒化シリコ
ン膜３ａ表面に形成されている酸化膜４ａは、以後の工
程に必要なものではないが、障害となるものでもない。
【００４８】図６（Ｂ）に示すように、レジストパター
ン６ａをアッシング等によって除去する。たとえば、図
２（Ａ）に示すアッシャー装置中に基板を搬入し、酸素
プラズマのダウンフローによりレジストパターン６ａを
除去することができる。
ン６ａをアッシング等によって除去する。たとえば、図
２（Ａ）に示すアッシャー装置中に基板を搬入し、酸素
プラズマのダウンフローによりレジストパターン６ａを
除去することができる。
【００４９】図６（Ｃ）に示すように、窒化シリコンパ
ターン３ａを酸化マスクとし、酸化シリコン膜２のみで
表面を覆われた部分のＳｉ基板１を選択酸化する。選択
酸化により、フィールド酸化膜５が形成される。たとえ
ば、フィールド酸化膜５は厚さ約３００ｎｍ、幅約３０
０ｎｍである。また、フィールド酸化膜５間に露出され
る活性領域は、幅約４００ｎｍである。
ターン３ａを酸化マスクとし、酸化シリコン膜２のみで
表面を覆われた部分のＳｉ基板１を選択酸化する。選択
酸化により、フィールド酸化膜５が形成される。たとえ
ば、フィールド酸化膜５は厚さ約３００ｎｍ、幅約３０
０ｎｍである。また、フィールド酸化膜５間に露出され
る活性領域は、幅約４００ｎｍである。
【００５０】図６（Ｄ）に示すように、フィールド酸化
後、表面に残存する酸化膜４ａおよび窒化シリコンパタ
ーン３ａを除去する。たとえば、表面のごく薄い酸化膜
４ａは、希釈弗酸でライトエッチングすることによって
除去し、窒化シリコンパターン３ａは熱燐酸によって除
去することができる。このようにして、フィールド酸化
膜５で画定された活性領域を有するＳｉ基板１を作成す
ることができる。
後、表面に残存する酸化膜４ａおよび窒化シリコンパタ
ーン３ａを除去する。たとえば、表面のごく薄い酸化膜
４ａは、希釈弗酸でライトエッチングすることによって
除去し、窒化シリコンパターン３ａは熱燐酸によって除
去することができる。このようにして、フィールド酸化
膜５で画定された活性領域を有するＳｉ基板１を作成す
ることができる。
【００５１】その後、フィールド酸化膜５で画定された
活性領域上に、たとえばＭＯＳトランジスタを作成し、
半導体集積回路装置を作成する。これらの工程は、従来
公知の製造プロセスを利用することができる。
活性領域上に、たとえばＭＯＳトランジスタを作成し、
半導体集積回路装置を作成する。これらの工程は、従来
公知の製造プロセスを利用することができる。
【００５２】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、Ｃ
ＭＯＳ集積回路装置のウェル形成のために作成する窒化
シリコン膜パターンを、図１（Ａ）−（Ｄ）の工程を用
いて実行することができる。また、レジストは、光酸発
生剤を含むものであれば、実施例中に説明したものに限
らないことは自明であろう。その他、種々の変更、改
良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろ
う。
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、Ｃ
ＭＯＳ集積回路装置のウェル形成のために作成する窒化
シリコン膜パターンを、図１（Ａ）−（Ｄ）の工程を用
いて実行することができる。また、レジストは、光酸発
生剤を含むものであれば、実施例中に説明したものに限
らないことは自明であろう。その他、種々の変更、改
良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろ
う。
【００５３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
窒化シリコン膜上に化学増幅型レジストのパターンを作
成する際、パターン精度を向上させることができる。
窒化シリコン膜上に化学増幅型レジストのパターンを作
成する際、パターン精度を向上させることができる。
【００５４】したがって、高集積度半導体装置を、歩留
りよく、安定に製造することができる。
りよく、安定に製造することができる。
【図１】本発明の実施例による半導体装置の製造方法を
説明するための概略断面図である。
説明するための概略断面図である。
【図２】図１に示す製造方法を実施する際に用いる処理
装置を示す概略断面図および概略平面図である。
装置を示す概略断面図および概略平面図である。
【図３】本発明の実施例および比較例により作成したレ
ジストパターンの「基板上に形成された微細なパターン
を表しているもの」の顕微鏡写真である。
ジストパターンの「基板上に形成された微細なパターン
を表しているもの」の顕微鏡写真である。
【図４】図１に示す実施例による基板表面の変化を示す
グラフおよび図表である。
グラフおよび図表である。
【図５】図１に示す実施例による基板表面の変化を示す
グラフである。
グラフである。
【図６】図１に示す実施例による半導体装置の製造方法
に引き続く製造工程を示す概略断面図である。
に引き続く製造工程を示す概略断面図である。
１ Ｓｉ基板 ２ 酸化シリコン膜 ３ 窒化シリコン膜 ４ 酸化膜（酸化シリコン膜ないし酸化窒化シリコン
膜） ６ レジスト膜
膜） ６ レジスト膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027
Claims (6)
- 【請求項１】 シリコン基板上に窒化シリコン膜を堆積
する工程と、 前記窒化シリコン膜表面に酸化シリコン膜または酸化窒
化シリコン膜を形成する工程と、 前記酸化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜表面上
に、光酸発生剤を含む化学増幅型レジスト膜を塗布する
工程と、 前記光酸発生剤を活性化して酸を発生させる照射線を、
前記化学増幅型レジスト膜に選択的に照射する工程と、 前記化学増幅型レジスト膜を現像し、レジストパターン
を得る工程と、 前記レジストパターンをマスクとして前記窒化シリコン
膜を選択的にエッチングして窒化シリコン膜パターンを
得る工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 さらに、前記窒化シリコン膜堆積工程の
前に、前記シリコン基板表面に酸化シリコン膜を形成す
る工程と、 前記窒化シリコン膜パターンを得る工程の後に、窒化シ
リコン膜パターンをマスクとして前記シリコン基板表面
を選択酸化する工程とを含む請求項１記載の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項３】 前記窒化シリコン膜表面に酸化シリコン
膜または酸化窒化シリコン膜を形成する工程が、酸素プ
ラズマを用いて前記窒化シリコン膜表面を酸化する工程
を含む請求項１ないし２記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記酸素プラズマを用いて酸化する工程
が、酸素プラズマのダウンフロー中に前記シリコン基板
を配置する工程を含む請求項３記載の半導体装置の製造
方法。 - 【請求項５】 前記窒化シリコン膜表面に酸化シリコン
膜または酸化窒化シリコン膜を形成する工程が、酸素を
含むガスに遠紫外線を照射してオゾンを発生させた雰囲
気中に前記窒化シリコン膜表面を曝露し、その表面をオ
ゾン酸化する工程を含む請求項１ないし２記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項６】 窒化シリコン表面を有する基板を準備す
る工程と、 前記窒化シリコン表面に酸化シリコン膜または酸化窒化
シリコン膜を形成する工程と、 前記酸化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜表面上
に、光酸発生剤を含む化学増幅型レジスト膜を塗布する
工程と、 前記光酸発生剤を活性化して酸を発生させる照射線を、
前記化学増幅型レジスト膜に選択的に照射する工程と、 前記化学増幅型レジスト膜を現像し、レジストパターン
を得る工程とを含むレジストパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6217555A JPH0883786A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6217555A JPH0883786A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0883786A true JPH0883786A (ja) | 1996-03-26 |
Family
ID=16706101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6217555A Withdrawn JPH0883786A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0883786A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6248669B1 (en) | 1998-05-01 | 2001-06-19 | Nec Corporation | Method for manufacturing a semiconductor device |
| EP1160847A2 (en) * | 2000-05-29 | 2001-12-05 | Tokyo Electron Limited | Method of forming oxynitride film and system for carrying out the same |
| US6992013B1 (en) | 1999-06-21 | 2006-01-31 | Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. | Method of forming a fine pattern using a silicon-oxide-based film, semiconductor device with a silicon-oxide-based film and method of manufacture thereof |
| JP2006339398A (ja) * | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2015032628A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN111128675A (zh) * | 2018-10-30 | 2020-05-08 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 半导体器件及其制造方法 |
| CN114023632A (zh) * | 2022-01-10 | 2022-02-08 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 半导体器件的制造方法 |
| CN114050106A (zh) * | 2022-01-12 | 2022-02-15 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 掩模层的重工方法及氮化硅蚀刻方法 |
-
1994
- 1994-09-12 JP JP6217555A patent/JPH0883786A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6248669B1 (en) | 1998-05-01 | 2001-06-19 | Nec Corporation | Method for manufacturing a semiconductor device |
| US6992013B1 (en) | 1999-06-21 | 2006-01-31 | Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. | Method of forming a fine pattern using a silicon-oxide-based film, semiconductor device with a silicon-oxide-based film and method of manufacture thereof |
| EP1160847A2 (en) * | 2000-05-29 | 2001-12-05 | Tokyo Electron Limited | Method of forming oxynitride film and system for carrying out the same |
| JP2006339398A (ja) * | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2015032628A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN111128675A (zh) * | 2018-10-30 | 2020-05-08 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 半导体器件及其制造方法 |
| CN111128675B (zh) * | 2018-10-30 | 2022-09-27 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 半导体器件及其制造方法 |
| CN114023632A (zh) * | 2022-01-10 | 2022-02-08 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 半导体器件的制造方法 |
| CN114050106A (zh) * | 2022-01-12 | 2022-02-15 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 掩模层的重工方法及氮化硅蚀刻方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6451512B1 (en) | UV-enhanced silylation process to increase etch resistance of ultra thin resists | |
| EP0599539B1 (en) | Method for forming a pattern by silylation | |
| US5460693A (en) | Dry microlithography process | |
| KR0170558B1 (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| JPH0883786A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0442231A (ja) | パターン形成方法 | |
| US5322764A (en) | Method for forming a patterned resist | |
| US6492278B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| US6900138B1 (en) | Oxygen plasma treatment for nitride surface to reduce photo footing | |
| JP3392231B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| US6319843B1 (en) | Nitride surface passivation for acid catalyzed chemically amplified resist processing | |
| JP4836363B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH0684787A (ja) | 多層レジストのパターン形成方法 | |
| JP3293803B2 (ja) | 微細パターンの形成方法および半導体装置の製造方法 | |
| JP3354901B2 (ja) | 微細パターンの形成方法、半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP3660280B2 (ja) | 微細レジストパターンの形成方法 | |
| KR19990045457A (ko) | 이온 충격 공정을 견디기 위해 화학 처리된포토레지스트 | |
| JPH0794477A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP2000347406A (ja) | レジストパターン形成方法及び半導体装置の製造方法 | |
| EP0860743A2 (en) | Pattern forming method and semiconductor processing method | |
| JPH08328258A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH01159641A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP3563138B2 (ja) | 感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法 | |
| JPH03226758A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH05142788A (ja) | レジストパターンの形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011120 |