JPH0845831A - ポジレジスト膜の残存ガス除去方法 - Google Patents
ポジレジスト膜の残存ガス除去方法Info
- Publication number
- JPH0845831A JPH0845831A JP6197423A JP19742394A JPH0845831A JP H0845831 A JPH0845831 A JP H0845831A JP 6197423 A JP6197423 A JP 6197423A JP 19742394 A JP19742394 A JP 19742394A JP H0845831 A JPH0845831 A JP H0845831A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- positive resist
- resist film
- residual gas
- ion implantation
- dry etching
- Prior art date
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- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、ドライエッチング，イオン打ち込み
等の処理前に、ポジレジスト膜に含まれる残存ガスを放
出させておくようにした、ポジレジスト膜の残存ガス除
去方法を提供することを目的とする。 【構成】半導体基板１０の表面に、パターン転写したポ
ジレジスト膜１１を形成した後、ドライエッチング，イ
オン打ち込み等の処理を行なう、半導体製造工程におい
て、上記処理前に、ポジレジスト膜に紫外線を照射し
て、ポジレジスト膜１１のＵＶ硬化を行なうことによ
り、該ポジレジスト膜中の残存ガス１３を放出させるよ
うに、構成する。
等の処理前に、ポジレジスト膜に含まれる残存ガスを放
出させておくようにした、ポジレジスト膜の残存ガス除
去方法を提供することを目的とする。 【構成】半導体基板１０の表面に、パターン転写したポ
ジレジスト膜１１を形成した後、ドライエッチング，イ
オン打ち込み等の処理を行なう、半導体製造工程におい
て、上記処理前に、ポジレジスト膜に紫外線を照射し
て、ポジレジスト膜１１のＵＶ硬化を行なうことによ
り、該ポジレジスト膜中の残存ガス１３を放出させるよ
うに、構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ドライエッチング，イ
オン打ち込み等の処理のために、半導体基板上にパター
ン転写したポジレジスト膜の残存ガス除去方法、に関す
るものである。
オン打ち込み等の処理のために、半導体基板上にパター
ン転写したポジレジスト膜の残存ガス除去方法、に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば半導体装置の製造工程にお
いては、ドライエッチングまたはイオン打ち込み等の処
理を行なう場合、図２に示すように、作業が行なわれ
る。即ち、図２において、先づ半導体基板１上に、ポジ
レジスト膜２をパターン転写する（図２（Ａ）参照）。
続いて、該ポジレジスト膜２の上から、図２（Ｂ）に示
すように、ドライエッチング用プラズマガスまたはイオ
ン打ち込み用のイオンを当てることにより、ポジレジス
ト膜２が形成されていないパターン部分２ａを介して、
半導体基板１の表面に対して、ドライエッチングまたは
イオン打ち込みが行なわれ得るようになっている。
いては、ドライエッチングまたはイオン打ち込み等の処
理を行なう場合、図２に示すように、作業が行なわれ
る。即ち、図２において、先づ半導体基板１上に、ポジ
レジスト膜２をパターン転写する（図２（Ａ）参照）。
続いて、該ポジレジスト膜２の上から、図２（Ｂ）に示
すように、ドライエッチング用プラズマガスまたはイオ
ン打ち込み用のイオンを当てることにより、ポジレジス
ト膜２が形成されていないパターン部分２ａを介して、
半導体基板１の表面に対して、ドライエッチングまたは
イオン打ち込みが行なわれ得るようになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなドライエッチング，イオン打ち込み等の処理におい
ては、ドライエッチング，イオン打ち込みは、通常減圧
下で行なわれ、それにより、プラズマイオンがポジレジ
ストをたたくことになることから、ポジレジスト膜２中
の残存ガス、例えば溶媒，水等のガスが、該ポジレジス
ト膜２から放出されることになる。このため、処理室内
の真空度が悪化すると共に、放出された残存ガスが、ド
ライエッチング，イオン打ち込み等の処理におけるコン
タミネーションになるため、ドライエッチング，イオン
打ち込み等の処理の均一性が損なわれたり、上記処理が
正しく行なわれ得なくなり、半導体基板の歩留まりが低
下してしまうという問題があった。
うなドライエッチング，イオン打ち込み等の処理におい
ては、ドライエッチング，イオン打ち込みは、通常減圧
下で行なわれ、それにより、プラズマイオンがポジレジ
ストをたたくことになることから、ポジレジスト膜２中
の残存ガス、例えば溶媒，水等のガスが、該ポジレジス
ト膜２から放出されることになる。このため、処理室内
の真空度が悪化すると共に、放出された残存ガスが、ド
ライエッチング，イオン打ち込み等の処理におけるコン
タミネーションになるため、ドライエッチング，イオン
打ち込み等の処理の均一性が損なわれたり、上記処理が
正しく行なわれ得なくなり、半導体基板の歩留まりが低
下してしまうという問題があった。
【０００４】本発明は、以上の点に鑑み、ドライエッチ
ング，イオン打ち込み等の処理前に、ポジレジスト膜に
含まれる残存ガスを放出させておくようにした、ポジレ
ジスト膜の残存ガス除去方法を提供することを目的とし
ている。
ング，イオン打ち込み等の処理前に、ポジレジスト膜に
含まれる残存ガスを放出させておくようにした、ポジレ
ジスト膜の残存ガス除去方法を提供することを目的とし
ている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明によ
れば、半導体基板の表面に、パターン転写したポジレジ
スト膜を形成した後、ドライエッチング，イオン打ち込
み等の処理を行なう、半導体製造工程において、上記処
理前に、ポジレジスト膜に紫外線を照射して、ポジレジ
スト膜のＵＶ硬化を行なうことにより、該ポジレジスト
膜中の残存ガスを放出させるようにしたことを特徴とす
る、ポジレジスト膜の残存ガス除去方法により、達成さ
れる。
れば、半導体基板の表面に、パターン転写したポジレジ
スト膜を形成した後、ドライエッチング，イオン打ち込
み等の処理を行なう、半導体製造工程において、上記処
理前に、ポジレジスト膜に紫外線を照射して、ポジレジ
スト膜のＵＶ硬化を行なうことにより、該ポジレジスト
膜中の残存ガスを放出させるようにしたことを特徴とす
る、ポジレジスト膜の残存ガス除去方法により、達成さ
れる。
【０００６】本発明による方法は、好ましくは、上記Ｕ
Ｖ硬化が常圧下で行なわれる。
Ｖ硬化が常圧下で行なわれる。
【０００７】本発明による方法は、好ましくは、上記Ｕ
Ｖ硬化が減圧下で行なわれる。
Ｖ硬化が減圧下で行なわれる。
【０００８】
【作用】上記構成によれば、ドライエッチング，イオン
打ち込み等の処理の前に、ポジレジスト膜のＵＶ硬化を
行なうことによって、該ポジレジスト膜中に含まれる
水，溶媒等の残存ガスが、該ポジレジスト膜から放出さ
れるので、その後の減圧下での処理の際に、ポジレジス
ト膜から上記残存ガスが放出されるようなことはない。
打ち込み等の処理の前に、ポジレジスト膜のＵＶ硬化を
行なうことによって、該ポジレジスト膜中に含まれる
水，溶媒等の残存ガスが、該ポジレジスト膜から放出さ
れるので、その後の減圧下での処理の際に、ポジレジス
ト膜から上記残存ガスが放出されるようなことはない。
【０００９】従って、上記ドライエッチング，イオン打
ち込み等の処理の際に、ポジレジスト膜から残存ガスが
放出されることにより、真空度が悪化したり、コンタミ
ネーションが発生することがなく、上記処理が適正に行
なわれ得ることになる。
ち込み等の処理の際に、ポジレジスト膜から残存ガスが
放出されることにより、真空度が悪化したり、コンタミ
ネーションが発生することがなく、上記処理が適正に行
なわれ得ることになる。
【００１０】上記ＵＶ硬化が常圧下で行なわれる場合に
は、特別な装置が必要ではなく、従って、容易に且つ低
コストで、残存ガス放出が行なわれ得ることになる。
は、特別な装置が必要ではなく、従って、容易に且つ低
コストで、残存ガス放出が行なわれ得ることになる。
【００１１】上記ＵＶ硬化が減圧下で行なわれる場合に
は、ポジレジスト膜中に含まれる溶媒，水等の残存ガス
が、効率よく放出され得ることになり、残存ガス除去の
ためのＵＶ硬化が短時間で済むことになる。
は、ポジレジスト膜中に含まれる溶媒，水等の残存ガス
が、効率よく放出され得ることになり、残存ガス除去の
ためのＵＶ硬化が短時間で済むことになる。
【００１２】
【実施例】以下、図面に示した実施例に基づいて、本発
明を詳細に説明する。図１は、本発明によるポジレジス
ト膜の残存ガス除去方法の一実施例を適用した半導体基
板のドライエッチング，イオン打ち込み等の処理工程を
示している。図１において、先づ半導体基板１０上に、
ポジレジスト膜１１をパターン転写する（図１（Ａ）参
照）。
明を詳細に説明する。図１は、本発明によるポジレジス
ト膜の残存ガス除去方法の一実施例を適用した半導体基
板のドライエッチング，イオン打ち込み等の処理工程を
示している。図１において、先づ半導体基板１０上に、
ポジレジスト膜１１をパターン転写する（図１（Ａ）参
照）。
【００１３】続いて、この半導体基板１０を、ステージ
１２上に載置して、場合によっては該ステージ１２を図
示しないヒータ等によって加熱しながら、上方からＵＶ
光（紫外線）を照射する（図１（Ｂ）参照）。これによ
り、該ポジレジスト膜１１は、ＵＶ硬化によって緻密化
されると共に、該ポジレジスト膜１１内に含まれる溶
媒，水等の残存ガス１３が、放出される。
１２上に載置して、場合によっては該ステージ１２を図
示しないヒータ等によって加熱しながら、上方からＵＶ
光（紫外線）を照射する（図１（Ｂ）参照）。これによ
り、該ポジレジスト膜１１は、ＵＶ硬化によって緻密化
されると共に、該ポジレジスト膜１１内に含まれる溶
媒，水等の残存ガス１３が、放出される。
【００１４】このＵＶ硬化は、常圧下または減圧下で行
なわれる。常圧の場合には、減圧のための装置が不要で
あることから、簡単な構成により、ＵＶ硬化が行なわれ
得る。他方、減圧の場合には、減圧によってポジレジス
ト膜１１内に含まれに残存ガスの放出効率が向上せしめ
られ、残存ガスの除去が短時間で完了することになる。
なわれる。常圧の場合には、減圧のための装置が不要で
あることから、簡単な構成により、ＵＶ硬化が行なわれ
得る。他方、減圧の場合には、減圧によってポジレジス
ト膜１１内に含まれに残存ガスの放出効率が向上せしめ
られ、残存ガスの除去が短時間で完了することになる。
【００１５】その後、減圧下で、該ポジレジスト膜１１
の上から、図１（Ｃ）に示すように、ドライエッチング
用プラズマガスまたはイオン打ち込み用のイオン１４を
当てることにより、ポジレジスト膜１１が形成されてい
ないパターン部分１１ａを介して、半導体基板１０の表
面に対して、ドライエッチングまたはイオン打ち込み等
の処理が行なわれ得る。
の上から、図１（Ｃ）に示すように、ドライエッチング
用プラズマガスまたはイオン打ち込み用のイオン１４を
当てることにより、ポジレジスト膜１１が形成されてい
ないパターン部分１１ａを介して、半導体基板１０の表
面に対して、ドライエッチングまたはイオン打ち込み等
の処理が行なわれ得る。
【００１６】この場合、ポジレジスト膜１１内の残存ガ
スは、既にＵＶ光照射によるＵＶ硬化によって除去され
ているので、ドライエッチングまたはイオン打ち込み等
の処理に、ポジレジスト膜１１中から残存ガスが放出さ
れるようなことはなく、従って、真空度が悪化するよう
なことはない。
スは、既にＵＶ光照射によるＵＶ硬化によって除去され
ているので、ドライエッチングまたはイオン打ち込み等
の処理に、ポジレジスト膜１１中から残存ガスが放出さ
れるようなことはなく、従って、真空度が悪化するよう
なことはない。
【００１７】このＵＶ硬化処理はレジスト現像直後（ポ
ストベーク前）に行ってもよく、この場合はポストベー
クの時間短縮、省略も行える。
ストベーク前）に行ってもよく、この場合はポストベー
クの時間短縮、省略も行える。
【００１８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、ド
ライエッチング，イオン打ち込み等の処理の前に、ポジ
レジスト膜のＵＶ硬化を行なうことによって、該ポジレ
ジスト膜中に含まれる水，溶媒等の残存ガスが、該ポジ
レジスト膜から放出されるので、その後の減圧下での処
理の際に、ポジレジスト膜から上記残存ガスが放出され
るようなことはない。
ライエッチング，イオン打ち込み等の処理の前に、ポジ
レジスト膜のＵＶ硬化を行なうことによって、該ポジレ
ジスト膜中に含まれる水，溶媒等の残存ガスが、該ポジ
レジスト膜から放出されるので、その後の減圧下での処
理の際に、ポジレジスト膜から上記残存ガスが放出され
るようなことはない。
【００１９】従って、上記ドライエッチング，イオン打
ち込み等の処理の際に、ポジレジスト膜から残存ガスが
放出されることにより、真空度が悪化したり、コンタミ
ネーションが発生することがなく、上記処理が適正に行
なわれ得ることになる。
ち込み等の処理の際に、ポジレジスト膜から残存ガスが
放出されることにより、真空度が悪化したり、コンタミ
ネーションが発生することがなく、上記処理が適正に行
なわれ得ることになる。
【００２０】上記ＵＶ硬化が常圧下で行なわれる場合に
は、特別な装置が必要ではなく、従って、容易に且つ低
コストで、残存ガス放出が行なわれ得ることになる。
は、特別な装置が必要ではなく、従って、容易に且つ低
コストで、残存ガス放出が行なわれ得ることになる。
【００２１】上記ＵＶ硬化が減圧下で行なわれる場合に
は、ポジレジスト膜中に含まれる溶媒，水等の残存ガス
が、効率よく放出され得ることになり、残存ガス除去の
ためのＵＶ硬化が短時間で済むことになる。
は、ポジレジスト膜中に含まれる溶媒，水等の残存ガス
が、効率よく放出され得ることになり、残存ガス除去の
ためのＵＶ硬化が短時間で済むことになる。
【００２２】かくして、本発明によれば、ドライエッチ
ング，イオン打ち込み等の処理前に、ポジレジスト膜に
含まれる残存ガスを放出させておくようにした、極めて
優れたポジレジスト膜の残存ガス除去方法が提供され得
ることになる。
ング，イオン打ち込み等の処理前に、ポジレジスト膜に
含まれる残存ガスを放出させておくようにした、極めて
優れたポジレジスト膜の残存ガス除去方法が提供され得
ることになる。
【図１】本発明によるポジレジスト膜の残存ガス除去方
法の一実施例を適用した処理工程を順次に示す、
（Ａ），（Ｂ）及び（Ｃ）は概略断面図である。
法の一実施例を適用した処理工程を順次に示す、
（Ａ），（Ｂ）及び（Ｃ）は概略断面図である。
【図２】従来のポジレジスト膜を使用した処理工程の一
例を順次に示す、（Ａ）及び（Ｂ）は概略断面図であ
る。
例を順次に示す、（Ａ）及び（Ｂ）は概略断面図であ
る。
１０ 半導体基板 １１ ポジレジスト膜 １２ ステージ １３ 放出ガス １４ プラズマガスまたは打ち込みイオン
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板の表面に、パターン転写した
ポジレジスト膜を形成した後、ドライエッチング，イオ
ン打ち込み等の処理を行なう、半導体製造工程におい
て、 上記処理前に、ポジレジスト膜に紫外線を照射して、ポ
ジレジスト膜のＵＶ硬化を行なうことにより、該ポジレ
ジスト膜中の残存ガスを放出させるようにしたことを特
徴とする、ポジレジスト膜の残存ガス除去方法。 - 【請求項２】 上記ＵＶ硬化が常圧下で行なわれること
を特徴とする、請求項１に記載のポジレジスト膜の残存
ガス除去方法。 - 【請求項３】 上記ＵＶ硬化が減圧下で行なわれること
を特徴とする、請求項１に記載のポジレジスト膜の残存
ガス除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6197423A JPH0845831A (ja) | 1994-07-30 | 1994-07-30 | ポジレジスト膜の残存ガス除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6197423A JPH0845831A (ja) | 1994-07-30 | 1994-07-30 | ポジレジスト膜の残存ガス除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0845831A true JPH0845831A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16374280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6197423A Pending JPH0845831A (ja) | 1994-07-30 | 1994-07-30 | ポジレジスト膜の残存ガス除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0845831A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003528464A (ja) * | 2000-03-21 | 2003-09-24 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 高温のディスカム処理を使用して高品質な複数の厚さの酸化物層を形成する方法 |
| US6900117B2 (en) | 2000-10-30 | 2005-05-31 | Seiko Epson Corporation | Method of fabricating bumps utilizing a resist layer having photosensitive agent and resin |
-
1994
- 1994-07-30 JP JP6197423A patent/JPH0845831A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003528464A (ja) * | 2000-03-21 | 2003-09-24 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 高温のディスカム処理を使用して高品質な複数の厚さの酸化物層を形成する方法 |
| JP4846162B2 (ja) * | 2000-03-21 | 2011-12-28 | スパンション エルエルシー | 高温のディスカム処理を使用して高品質な複数の厚さの酸化物層を形成する方法 |
| US6900117B2 (en) | 2000-10-30 | 2005-05-31 | Seiko Epson Corporation | Method of fabricating bumps utilizing a resist layer having photosensitive agent and resin |
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