JP2623672B2 - エッチング加工方法 - Google Patents
エッチング加工方法Info
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- JP2623672B2 JP2623672B2 JP9703088A JP9703088A JP2623672B2 JP 2623672 B2 JP2623672 B2 JP 2623672B2 JP 9703088 A JP9703088 A JP 9703088A JP 9703088 A JP9703088 A JP 9703088A JP 2623672 B2 JP2623672 B2 JP 2623672B2
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- Japan
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- etching
- photoresist
- etched
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- resist
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体製造過程の中で実施されるエッチング
加工方法に関するものである。
加工方法に関するものである。
従来の技術 近年、半導体デバイスは集積化が進み、エッチング加
工工程においても、より微細な加工が要求されている。
このような微細なエッチング加工を行うには、前工程に
おいてレジストパターンを微細に形成する必要がある。
そのため、従来は第３図に示すような工程によってエッ
チング加工を実施していた。
工工程においても、より微細な加工が要求されている。
このような微細なエッチング加工を行うには、前工程に
おいてレジストパターンを微細に形成する必要がある。
そのため、従来は第３図に示すような工程によってエッ
チング加工を実施していた。
まず、同図（ａ）の如く被エッチング物21の表面にフ
ォトレジスト22を塗布し、次に同図（ｂ）の如くマスク
23を用いてフォトレジスト22を所望のパターンに露光、
現像する。ここで、マスク23のパターン寸法が小さくな
るに従い、露光時の解像度によって現像の際に未現像部
分24を生じる。
ォトレジスト22を塗布し、次に同図（ｂ）の如くマスク
23を用いてフォトレジスト22を所望のパターンに露光、
現像する。ここで、マスク23のパターン寸法が小さくな
るに従い、露光時の解像度によって現像の際に未現像部
分24を生じる。
そこで、同図（ｃ）の如く、一般に用いられているド
ライエッチング装置を用いてO2プラズマ25によって異方
性エッチングを行い、未現像部分24を除去し、同図
（ｄ）の如く、適正なレジストパターンを形成する。こ
の露光、現像後のフォトレジスト22のドライエッチング
処理を以降ディスカム処理と呼ぶ。
ライエッチング装置を用いてO2プラズマ25によって異方
性エッチングを行い、未現像部分24を除去し、同図
（ｄ）の如く、適正なレジストパターンを形成する。こ
の露光、現像後のフォトレジスト22のドライエッチング
処理を以降ディスカム処理と呼ぶ。
このディスカム処理後、ホットプレート、ベーク炉に
よる加熱や、紫外線照射等の後処理によってフォトレジ
スト22を硬化させた後、エッチングを行い、その後フォ
トレジスト22を除去している。
よる加熱や、紫外線照射等の後処理によってフォトレジ
スト22を硬化させた後、エッチングを行い、その後フォ
トレジスト22を除去している。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記のような方法では、ディスカム処
理を行った後エッチングを行うまでに、被エッチング物
21を数時間から数日放置すると、熱処理の有無に関係な
く、第３図（ｅ）に示すように、フォトレジスト22の抜
けた部分の被エッチング物21上に円盤状の微粒子26（以
下、パーティクルと称す）が成長するという現象が生ず
る。このパーティクル26は、ディスカム処理直後には存
在せず、時間が経つとともに成長する傾向を示す。
理を行った後エッチングを行うまでに、被エッチング物
21を数時間から数日放置すると、熱処理の有無に関係な
く、第３図（ｅ）に示すように、フォトレジスト22の抜
けた部分の被エッチング物21上に円盤状の微粒子26（以
下、パーティクルと称す）が成長するという現象が生ず
る。このパーティクル26は、ディスカム処理直後には存
在せず、時間が経つとともに成長する傾向を示す。
そのため、次のエッチング工程において、このパーテ
ィクル26がエッチングマスクとして作用し、第３図
（ｆ）に示すように、エッチング残り28を生ずるという
問題があった。
ィクル26がエッチングマスクとして作用し、第３図
（ｆ）に示すように、エッチング残り28を生ずるという
問題があった。
本発明は上記問題点に鑑み、ディスカム処理後のパー
ティクルの成長を防止して適正なエッチングが可能なエ
ッチング加工方法を提供することを目的とする。
ティクルの成長を防止して適正なエッチングが可能なエ
ッチング加工方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段 本発明は上記目的を達成するため、被エッチング物上
にフォトレジストを塗布し、塗布したフォトレジストを
所望のパターンに露光現像し、現像したフォトレジスト
の未現像部分をO2ガスプラズマにてドライエッチングし
た後直ちに減圧下又はN2雰囲気中にて保持し、その後エ
ッチング加工を行った後フォトレジストを除去すること
を特徴とする。
にフォトレジストを塗布し、塗布したフォトレジストを
所望のパターンに露光現像し、現像したフォトレジスト
の未現像部分をO2ガスプラズマにてドライエッチングし
た後直ちに減圧下又はN2雰囲気中にて保持し、その後エ
ッチング加工を行った後フォトレジストを除去すること
を特徴とする。
作用 本発明は上記構成を有するので、O2ガスプラズマによ
るディスカム処理を施した後、直ちに減圧下又はN2ガス
雰囲気中に保持することによって、レジストの未分解物
の再付着等によって生じたエッチング面の活性点が大気
中の酸素及び水分の影響で酸化成長し、パーティクル発
生源となるのを防止でき、その結果エッチング加工時に
エッチング残りを生ずることなく、適正なエッチング加
工が可能となる。
るディスカム処理を施した後、直ちに減圧下又はN2ガス
雰囲気中に保持することによって、レジストの未分解物
の再付着等によって生じたエッチング面の活性点が大気
中の酸素及び水分の影響で酸化成長し、パーティクル発
生源となるのを防止でき、その結果エッチング加工時に
エッチング残りを生ずることなく、適正なエッチング加
工が可能となる。
実施例 以下、本発明の一実施例を第１図及び第２図を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
第１図にエッチング加工工程を示す。まず、同図
（ａ）に示すように、例えば６インチのシリコン基板か
ら成る被エッチング物１の上にフォトレジスト２（例え
ば、シプレ社、MPS）を１μｍの厚さに塗布する。次
に、同図（ｂ）に示すように、マスク３を用いて所望の
パターンを露光、現像する。その後、この露光、現像工
程で発生した未現像部分４を除去するため、次に同図
（ｃ）に示すように、O2ガスプラズマ５を用いてフォト
レジスト２の全体を約1000Aドライエッチングしてディ
スカム処理を施す。
（ａ）に示すように、例えば６インチのシリコン基板か
ら成る被エッチング物１の上にフォトレジスト２（例え
ば、シプレ社、MPS）を１μｍの厚さに塗布する。次
に、同図（ｂ）に示すように、マスク３を用いて所望の
パターンを露光、現像する。その後、この露光、現像工
程で発生した未現像部分４を除去するため、次に同図
（ｃ）に示すように、O2ガスプラズマ５を用いてフォト
レジスト２の全体を約1000Aドライエッチングしてディ
スカム処理を施す。
このディスカム処理に用いるドライエッチング装置の
概略構成を第２図に示す。第２図において、11は真空チ
ャンバ、12はガス導入口、13は排気口、14は上部電極、
15は下部電極である。上部電極14は接地され、下部電極
15には高周波電源16にて13.56MHzの高周波電圧が印加さ
れる。
概略構成を第２図に示す。第２図において、11は真空チ
ャンバ、12はガス導入口、13は排気口、14は上部電極、
15は下部電極である。上部電極14は接地され、下部電極
15には高周波電源16にて13.56MHzの高周波電圧が印加さ
れる。
そして、上記ディスカム処理は、下部電極15上に露
光、現像後の被エッチング物１を載置し、ガス導入口12
から真空チャンバ11内にO2ガスを30sccm導入し、真空チ
ャンバ11内の圧力を350mTorrにし、高周波電源16より10
0Wの高周波出力を印加することによって行う。尚、この
ディスカム処理中は上下の電極14,15はともに40℃の一
定温度になるように調整する。又、ディスカム処理中の
反応生成物は排気口13より除去する。
光、現像後の被エッチング物１を載置し、ガス導入口12
から真空チャンバ11内にO2ガスを30sccm導入し、真空チ
ャンバ11内の圧力を350mTorrにし、高周波電源16より10
0Wの高周波出力を印加することによって行う。尚、この
ディスカム処理中は上下の電極14,15はともに40℃の一
定温度になるように調整する。又、ディスカム処理中の
反応生成物は排気口13より除去する。
このディスカム処理が終了すると直ちに被エッチング
物１を減圧下又はN2ガス雰囲気中に保持する。その後、
被エッチング物１を減圧下又はN2ガス雰囲気中に保持し
ながら、第１図（ｄ）に示すように、ホットプレートで
160℃に上昇させるとともに遠紫外線６を全面に照射し
てレジスト２を硬化させる。
物１を減圧下又はN2ガス雰囲気中に保持する。その後、
被エッチング物１を減圧下又はN2ガス雰囲気中に保持し
ながら、第１図（ｄ）に示すように、ホットプレートで
160℃に上昇させるとともに遠紫外線６を全面に照射し
てレジスト２を硬化させる。
次に、第１図（ｅ）に示すように、被エッチング物１
に対してエッチング加工を施す。また、エッチング加工
後レジスト２をレジストアッシャー等で除去することに
よってエッチング加工が終了する。
に対してエッチング加工を施す。また、エッチング加工
後レジスト２をレジストアッシャー等で除去することに
よってエッチング加工が終了する。
以上の一連の処理工程の後、被エッチング物１の表面
を光学顕微鏡を用いて調べたところエッチング残りは存
在せず、適正なエッチングが行なわれていた。
を光学顕微鏡を用いて調べたところエッチング残りは存
在せず、適正なエッチングが行なわれていた。
また、ディスカム処理後レジストを硬化させることな
く、次のエッチング加工を行なった場合もエッチング残
りを生ずることはない。
く、次のエッチング加工を行なった場合もエッチング残
りを生ずることはない。
発明の効果 本発明のエッチング加工方法によれば、以上のように
O2ガスプラズマによるディスカム処理を施した後、直ち
に減圧下又はN2ガス雰囲気中に保持することによって、
エッチング面の活性点が大気中の酸素及び水分の影響で
酸化成長してパーティクルを発生するのを防止でき、そ
の結果エッチング加工時にエッチング残りを生ずること
なく、適正なエッチング加工が可能となる。
O2ガスプラズマによるディスカム処理を施した後、直ち
に減圧下又はN2ガス雰囲気中に保持することによって、
エッチング面の活性点が大気中の酸素及び水分の影響で
酸化成長してパーティクルを発生するのを防止でき、そ
の結果エッチング加工時にエッチング残りを生ずること
なく、適正なエッチング加工が可能となる。
第１図は本発明の一実施例のエッチング加工工程の説明
図、第２図はディスカム処理に用いるドライエッチング
装置の概略構成図、第３図は従来例のエッチング加工工
程の説明図である。 １……被エッチング物 ２……フォトレジスト ３……マスク ４……未現像部分 ５……O2ガスプラズマ。
図、第２図はディスカム処理に用いるドライエッチング
装置の概略構成図、第３図は従来例のエッチング加工工
程の説明図である。 １……被エッチング物 ２……フォトレジスト ３……マスク ４……未現像部分 ５……O2ガスプラズマ。
フロントページの続き (72)発明者 上野 厚 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 野村 登 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭56−169325（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】被エッチング物上にフォトレジストを塗布
し、塗布したフォトレジストを所望のパターンに露光現
像し、現像したフォトレジストの未現像部分をO2ガスプ
ラズマにてドライエッチングした後直ちに減圧下又はN2
雰囲気中にて保持し、その後エッチング加工を行った後
フォトレジストを除去することを特徴とするエッチング
加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9703088A JP2623672B2 (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | エッチング加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9703088A JP2623672B2 (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | エッチング加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01268130A JPH01268130A (ja) | 1989-10-25 |
| JP2623672B2 true JP2623672B2 (ja) | 1997-06-25 |
Family
ID=14181063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9703088A Expired - Fee Related JP2623672B2 (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | エッチング加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2623672B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6461973B1 (en) * | 2000-02-11 | 2002-10-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for forming high quality multiple thickness oxide layers by reducing descum induced defects |
-
1988
- 1988-04-20 JP JP9703088A patent/JP2623672B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01268130A (ja) | 1989-10-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |