JP2692124B2 - レジスト処理方法 - Google Patents
レジスト処理方法Info
- Publication number
- JP2692124B2 JP2692124B2 JP63089851A JP8985188A JP2692124B2 JP 2692124 B2 JP2692124 B2 JP 2692124B2 JP 63089851 A JP63089851 A JP 63089851A JP 8985188 A JP8985188 A JP 8985188A JP 2692124 B2 JP2692124 B2 JP 2692124B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- etching
- etched
- treatment
- particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体製造プロセスの、レジストパターン
形成工程での、レジスト処理方法に関するものである。
形成工程での、レジスト処理方法に関するものである。
従来の技術 近年、半導体デバイスは集積化が進み、暗室工程にお
いて、より微細なパターン形成が要求されている。以下
に図面を参照しながら、従来のレジストパターン形成方
法の一例について説明する。第３図においてａの１は被
エッチング物である。同図ｃで所望のマスク３のパター
ンにレジスト２を露光，現像する。ここでマスク３のパ
ターン寸法が小さくなるにしたがい露光での解像度の問
題により現像の際、未現像の部分４が生じる。そこで同
図ｄでこの未現像部分４を一般に使用されているドライ
エッチング装置でO2プラズマを用いて異方性エッチング
を行って除去していた。このようなO2プラズマによる露
光現像後のレジストのエッチング処理を以降デスカム処
理と呼ぶ。前記デスカム処理後、ホットプレート，べー
ク炉，紫外線照射等の後処理によりレジストの硬化を行
っている。
いて、より微細なパターン形成が要求されている。以下
に図面を参照しながら、従来のレジストパターン形成方
法の一例について説明する。第３図においてａの１は被
エッチング物である。同図ｃで所望のマスク３のパター
ンにレジスト２を露光，現像する。ここでマスク３のパ
ターン寸法が小さくなるにしたがい露光での解像度の問
題により現像の際、未現像の部分４が生じる。そこで同
図ｄでこの未現像部分４を一般に使用されているドライ
エッチング装置でO2プラズマを用いて異方性エッチング
を行って除去していた。このようなO2プラズマによる露
光現像後のレジストのエッチング処理を以降デスカム処
理と呼ぶ。前記デスカム処理後、ホットプレート，べー
ク炉，紫外線照射等の後処理によりレジストの硬化を行
っている。
発明が解決しようとする課題 しかしながら上記のような方法では、デスカム処理後
数時間から数日放置すると、熱処理の有無に関係なく第
３図ｆに示すようにレジスト２のぬけた部分の被エッチ
ング物上１に、円盤状の微粒子６（以降パーティクルと
記す）が成長する問題があった。このパーティクル６は
デスカム処理直後は発生せず、時間が経つとともに増加
する傾向をしめす。さらにこのパーティクル６は被エッ
チング物１の加工の際、エッチングマスクとなってしま
いエッチング残りを生じるために問題となっている。
数時間から数日放置すると、熱処理の有無に関係なく第
３図ｆに示すようにレジスト２のぬけた部分の被エッチ
ング物上１に、円盤状の微粒子６（以降パーティクルと
記す）が成長する問題があった。このパーティクル６は
デスカム処理直後は発生せず、時間が経つとともに増加
する傾向をしめす。さらにこのパーティクル６は被エッ
チング物１の加工の際、エッチングマスクとなってしま
いエッチング残りを生じるために問題となっている。
課題を解決するための手段 上記問題点を解決するために本発明のレジスト処理方
法は、被エッチング物上に塗布したフォトレジストを所
望のマスクパターンに露光現像した後、未現像の一部の
みをO2プラズマでエッチングする際に真空チャンバーの
チャンバー側壁を、好ましくは60℃以上に加熱して行う
ことを特徴とする。
法は、被エッチング物上に塗布したフォトレジストを所
望のマスクパターンに露光現像した後、未現像の一部の
みをO2プラズマでエッチングする際に真空チャンバーの
チャンバー側壁を、好ましくは60℃以上に加熱して行う
ことを特徴とする。
作用 本発明は上記した方法を用いることにより被エッチン
グ物上にパーティクルが成長するのを防止できる。その
詳細なメカニズムはよくわからないが、フォトレジスト
のデスカム処理の際、チャンバー側壁を加熱することに
よりレジストの未分解物のチャンバー側壁への付着を極
めて少なくし、チャンバー側壁から被エッチング物上へ
再付着するのを防止し、パーティクルの極となる物質の
付着を防止するものと考えられる。
グ物上にパーティクルが成長するのを防止できる。その
詳細なメカニズムはよくわからないが、フォトレジスト
のデスカム処理の際、チャンバー側壁を加熱することに
よりレジストの未分解物のチャンバー側壁への付着を極
めて少なくし、チャンバー側壁から被エッチング物上へ
再付着するのを防止し、パーティクルの極となる物質の
付着を防止するものと考えられる。
実 施 例 以下本発明の一実施例のレジスト処理方法について図
面を参照しながら説明する。
面を参照しながら説明する。
第１図において、工程ａで被エッチング物を用意し、
工程ｂでレジスト膜を塗布形成し、工程ｃで露光現像
し、工程ｄでデスカム処理し、工程ｅでレジスト硬化処
理を行うという各工程を経てレジスト処理を行う。
工程ｂでレジスト膜を塗布形成し、工程ｃで露光現像
し、工程ｄでデスカム処理し、工程ｅでレジスト硬化処
理を行うという各工程を経てレジスト処理を行う。
詳細に説明すると、第１図の工程ａにおいて、被エッ
チング物７は、例えば６インチのシリコン基板である。
このシリコン基板７の上に工程ｂでフォトレジスト８
（シプレ社MPS）を１μｍ塗布し、工程ｃで所望のマス
ク９のパターンに露光，現像する。この工程ｃにおいて
発生した未露光部10を除去するため、工程ｄでO2プラズ
マ11を用いてレジスト全体を約1000Åエッチングする。
チング物７は、例えば６インチのシリコン基板である。
このシリコン基板７の上に工程ｂでフォトレジスト８
（シプレ社MPS）を１μｍ塗布し、工程ｃで所望のマス
ク９のパターンに露光，現像する。この工程ｃにおいて
発生した未露光部10を除去するため、工程ｄでO2プラズ
マ11を用いてレジスト全体を約1000Åエッチングする。
第２図により、使用したエッチング装置を説明する
と、13は真空チャンバー、14はガス導入口、15は排気
口、16は上部電極、17は下部電極、18は第１図の工程ｃ
の露光，現像後のシリコン基板、19は13.56MHzのRF電
源、20はヒーターを内蔵したインナーチャンバー、21は
ヒーター温調器である。このエッチング装置を用い、ヒ
ーター温調器21でインナーチャンバー20の表面を120℃
に保ち、ガス導入口14よりO2ガスを30sccm真空チャンバ
ー13内に導入し、真空チャンバー13内圧力を350mTorrと
して、高周波電源19より高周波出力100Wでレジストパタ
ーンのついているシリコン基板18をデスカム処理する。
このとき、上下電極16,17はともに40℃の一定となるよ
うに調整する。エッチング中の反応生成物は排気口15よ
り除去される。
と、13は真空チャンバー、14はガス導入口、15は排気
口、16は上部電極、17は下部電極、18は第１図の工程ｃ
の露光，現像後のシリコン基板、19は13.56MHzのRF電
源、20はヒーターを内蔵したインナーチャンバー、21は
ヒーター温調器である。このエッチング装置を用い、ヒ
ーター温調器21でインナーチャンバー20の表面を120℃
に保ち、ガス導入口14よりO2ガスを30sccm真空チャンバ
ー13内に導入し、真空チャンバー13内圧力を350mTorrと
して、高周波電源19より高周波出力100Wでレジストパタ
ーンのついているシリコン基板18をデスカム処理する。
このとき、上下電極16,17はともに40℃の一定となるよ
うに調整する。エッチング中の反応生成物は排気口15よ
り除去される。
このディスカム処理後、工程ｅでシリコン基板７をホ
ットプレートで160℃に上昇させながら遠紫外線12を全
面に照射してレジストを硬化させる。
ットプレートで160℃に上昇させながら遠紫外線12を全
面に照射してレジストを硬化させる。
以上の一連のレジスト処理工程ののち上記処理を施し
たシリコン基板７を約120時間大気にさらした状態で放
置し、放置後のシリコン基板７表面を、光学顕微鏡を用
いて調べたところパーティクルの成長は無かった。
たシリコン基板７を約120時間大気にさらした状態で放
置し、放置後のシリコン基板７表面を、光学顕微鏡を用
いて調べたところパーティクルの成長は無かった。
次に、比較のために第２図のインナーチャンバー20の
表面温度を約20℃でディスカム処理を行ない。レジスト
を約1000Åエッチングした後、工程ｅのレジスト硬化処
理を施したシリコン基板７を約24時間大気にさらして放
置し、光学顕微鏡を用いてシリコン基板７の表面に調べ
たところパーティクルがシリコン基板７の表面に無数に
発生していた。
表面温度を約20℃でディスカム処理を行ない。レジスト
を約1000Åエッチングした後、工程ｅのレジスト硬化処
理を施したシリコン基板７を約24時間大気にさらして放
置し、光学顕微鏡を用いてシリコン基板７の表面に調べ
たところパーティクルがシリコン基板７の表面に無数に
発生していた。
次に下表にデスカム処理の際のインナーチャンバー20
表面温度とレジスト硬化処理後のパーティクルの発生状
況を示す。結果はデスカム処理後約120時間後のもので
ある。
表面温度とレジスト硬化処理後のパーティクルの発生状
況を示す。結果はデスカム処理後約120時間後のもので
ある。
以上のように、インナーチャンバー20の側壁温度が60
℃以上ではパーティクルの発生は無いが、40℃以下のも
のではパーティクルが発生する。
℃以上ではパーティクルの発生は無いが、40℃以下のも
のではパーティクルが発生する。
なお本実施例ではデスカム処理に使用するドライエッ
チング装置のチャンバー13,インナーチャンバー20およ
び上下電極16,17はアルミニウム製であり、表面は酸化
処理を行なったものを用いたが、ステンレス製及びアル
ミニウムやステンレスの表面を石英等でコーティングし
たものを使用しても同様の結果が得られた。
チング装置のチャンバー13,インナーチャンバー20およ
び上下電極16,17はアルミニウム製であり、表面は酸化
処理を行なったものを用いたが、ステンレス製及びアル
ミニウムやステンレスの表面を石英等でコーティングし
たものを使用しても同様の結果が得られた。
発明の効果 以上のように本発明は、被エッチング物上に塗布した
フォトレジストを所望のマスクパターンに露光現像した
後、未現像の一部のみをエッチングする際、真空チャン
バーのチャンバー側壁を、好ましくは60℃以上に加熱し
て行なうことにより、エッチング後に発生してくるパー
ティクルをおさえることができ、後工程でのパーティク
ルによるトラブルを防止できる。
フォトレジストを所望のマスクパターンに露光現像した
後、未現像の一部のみをエッチングする際、真空チャン
バーのチャンバー側壁を、好ましくは60℃以上に加熱し
て行なうことにより、エッチング後に発生してくるパー
ティクルをおさえることができ、後工程でのパーティク
ルによるトラブルを防止できる。
第１図は本発明の一実施例のレジスト処理方法の工程
図、第２図は同デスカム処理に用いるエッチング装置の
断面図、第３図は従来のレジスト処理方法の工程図であ
る。 ７……シリコン基板、８……フォトレジスト、９……マ
スク、10……未露光部、11……O2プラズマ。
図、第２図は同デスカム処理に用いるエッチング装置の
断面図、第３図は従来のレジスト処理方法の工程図であ
る。 ７……シリコン基板、８……フォトレジスト、９……マ
スク、10……未露光部、11……O2プラズマ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上野 厚 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 野村 登 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−64327（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】被エッチング物上にフォトレジストを塗布
する工程、上記塗布したフォトレジストを所望のマスク
パターンに露光現像する工程、上記所望のパターンに現
像したフォトレジストの未現像の一部のみをチャンバー
側壁を60℃以上に加熱した真空チャンバー内においてO2
ガスプラズマでエッチングする工程を有するレジスト処
理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63089851A JP2692124B2 (ja) | 1988-04-12 | 1988-04-12 | レジスト処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63089851A JP2692124B2 (ja) | 1988-04-12 | 1988-04-12 | レジスト処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01261824A JPH01261824A (ja) | 1989-10-18 |
| JP2692124B2 true JP2692124B2 (ja) | 1997-12-17 |
Family
ID=13982282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63089851A Expired - Fee Related JP2692124B2 (ja) | 1988-04-12 | 1988-04-12 | レジスト処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2692124B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6364327A (ja) * | 1986-09-04 | 1988-03-22 | Chlorine Eng Corp Ltd | 有機物被膜の除去装置の洗浄方法 |
-
1988
- 1988-04-12 JP JP63089851A patent/JP2692124B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01261824A (ja) | 1989-10-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4187331A (en) | Fluorine plasma resist image hardening | |
| US4698238A (en) | Pattern-forming method | |
| EP0161256B1 (en) | Graft polymerized sio 2? lithographic masks | |
| JPS63253356A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0342492B2 (ja) | ||
| JP2692124B2 (ja) | レジスト処理方法 | |
| JPH07209864A (ja) | パターン形成方法およびパターン形成装置 | |
| JPS5936257B2 (ja) | レジスト材料の剥離方法 | |
| JP2722491B2 (ja) | レジスト処理方法 | |
| EP0393799A2 (en) | Vapor deposited photoresists of anionically polymerizable monomers | |
| JP2623672B2 (ja) | エッチング加工方法 | |
| US4588675A (en) | Method for fine pattern formation on a photoresist | |
| JPS6049630A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5886726A (ja) | パタ−ン形成法 | |
| JPH05304084A (ja) | 紫外線照射装置 | |
| JPH07307274A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JPS6360898B2 (ja) | ||
| JPH0130138B2 (ja) | ||
| JPH02183524A (ja) | プラズマアッシング方法 | |
| JPH0219852A (ja) | レジスト処理方法 | |
| JP2892049B2 (ja) | レジストアッシング方法 | |
| JPS5941835A (ja) | レジスト剥離方法 | |
| JP4202962B2 (ja) | 基板処理方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2604573B2 (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JPS58123727A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |