JPS6364327A - 有機物被膜の除去装置の洗浄方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は０機物被膜の乾燥状態での除去に用いる装置の
洗浄方法に関するもので、特に半導体装置の製造に用い
るレジスト膜の除去装置の洗浄方法に関するものである
。

（従来技術） 半導体装置を製造する場合には、写真処理技術あるいは
、Ｘ線照射、電子線照射等で処理されたレジスト膜を形
成したシリコン等の塁仮にエツチング等の！ａＪ里をｈ
坊した１変に該レジメ［〜Ｉｌ父を除ムリ゛ることか行
われている レジスト膜は酸化力のめる液体中へ浸漬すことによって
行う湿式処理により除去したり、酸素プラズマ、紫外線
、オゾンなどの乾式処理によって除去している。

溶液による湿式５！！ｉ浬は、廃液処理に問題かあり、
又液体中に含まれる微細な不純物が半導体装置に悪影響
を及ぼすと言う問題点から９２式辺埋への要望が高まっ
ている。

乾式処理の中心であった酸素プラズマによる方法は、プ
ラズマによって半う９体装置に１ｊル；が生じることが
あり、オゾンや紫外線による除去方法が注目されている
。

（発明が解決しようとする問題点） オゾンが供給されているハウジング内で半導（本基板を
加熱しつつ有機物被膜を除去することは、１９０えば、
特開昭５２−２０７６６号として知られている。

この出願に開示されているように、供給されるオゾンか
加熱手段をはじめとする高温となった装置内部と接触し
、オゾンのだ）ヅバ〆が起こり、供給されるオゾンか込
埋づぺざ（ｉ別：ｉ’７１＋Ｊ贋ハこイ８ＵすＪに作用
しないことか生じる。この様な問題点を一解決するため
にオゾンのＩｌ？１Ｑ’Ｊノズル簀を冷り同ることか１
了われる。

ところか、この（５ρ４メ除ムＸ１．装置においては、
オゾンの分解を防ぎ、除去速度を上（ΣるためにＧＪ　
ｊ？７　Ｎ’８れた供給口を除去すべき有機吻被１摸に
近接して設（プるために、イ１）戊物被１１桑から生じ
た右）幾溶剤、低分子物質ヤ】各種の分解生成物か該供
給ロト」近等にイく１右することか起こる。

イ・Ｊ右した物ｒｉ１０）Ｉｉｒか多くなると悟Ｊｌｌ
−，ｊぺさ基板上に落下し、ｙτμ仮の汚染か起こる危
険か生じる。

（問題点８解決するための手「受） 本発明名は、オゾンによる！−ｊ’４幾物戒脱の除去装
置こｊの処理室内Ａ！−＜、−７ｖら特別な装置や））
壇ＡをイｉＪ’／Ｊｆ巨ｊることなくＲ１″団′Ｌな方
ｉＡによって洗浄がｉＪ能イｉことを見出だした。

処理室内にＪ３１ノるイ１）宸１力等の（□Ｊ−７ｔこ
１）（ユ、１ん；１ガによつＣかなりむらか（りり、多
ぞｉ）（こイ・」ン１する８１（シン（ま阜１反からの
距薗とと−しに比較的１１℃い）：副食にあるためと考
えられる。そこで、この（工な部分の３ｈ１１磨をＩ高
めオゾンによって込ＪｊＩ！することによりｆ’Ｊ’ｉ
しだ何）成力被膜の除去を（”ｒにうとするムのでおる
。

オゾンの供給口等の温度を高めるためには、ノズルの冷
却をドア止１−ることによっても実現−Ｃきるか、ノズ
ルの温度か高くなると有機物の除去゛ＫｊＣイの処理室
内に高濃度のＡ−シンか導入される前に分解が起こり好
ましくない。

そこで、供給口の冷ム［１は通常通り行い、基板の７Ｊ
ｆｌ熱装置を供給口等に近接させ（＝Ｊ行した右）成力
等の）へ１１度を高めるようにするのか洗浄速度の点か
ら兄で適当と認められる。

以下、この発明を添イ」の図面に基づいて説明する。

第１図（、Ｊ、イｊ）成力の除去装置を示す図でおり、
処理全１内には、辺埋すべさ２１Ｇθ体基板３を４火首
する基板支持装置２かあり、基板支持装置の下部（こは
加熱装置４か；’）、　！−Ｊ　”Ｃおる。基板支持装
置（ま、辺埋のむらを無くし、また辺埋速度を上げるた
めに回転をさせる機構カリＨみ込まれている。

処理室内には高濃度のオゾン（Ｊ（給管５かあり。

該供給管は冷月１管６で包囲されている。オゾン供給管
は、半々体早板上ｌＸオゾン供拾する（ル拾口に結合さ
れている。そしてこの供給口として、冷却したノス゛ル
を用いた装置について説明リ−る。ｉＪ＜にわら、オ・
シンを噴ｒＪ４する複枚のノズル７どｊ史１占３れ−Ｃ
’　ｄｊす、ノズルに【３１細孔８が設けられ、冷／、
ｌｌｉ”’：：；４Ｂ通している。

退埋軍、オゾン供１・ａ筈、ノズル等を・ｔまじめとり
る１１１−成祠１１′Ｊｌは、スデンレスのようなオゾ
ンに耐蝕匪の必るイ本ｆｉｌであれば、各種の何科を使
用づることかてさる。又、１負１、［１媒体供給管の形
状も円（１−私、角型などの形状合とることかてさ、ノ
ズルの本数す型埋１べさ！、ｊ’１反の人ささに応じて
適宜にら２定することかでさる。

ノズルの径（ま適宜に定めることかてさ“るが、２ｒｎ
ｌ’ｌ以トにＪることかｌ、（よしい。

ン１シン（，１、ｙｖ、１声敢電によろオゾン弁牛装置
９にｆｌ（！酸素を供１′合シて弁士さぜるか、小グ、
１ｊてΔシン弁生効；（Ｃの高い？ｒ＞面コｒ−］す１
１７目を利用した副シン５ご１菰１ｔ“１を＋ｉｊ用す
るのが好ましい。フィシン（ま、処理室内で基板に作用
さけた後に、Δシン分醒装首１０て分解プる。

この様なｎ別物被膜の除去装置の処理室内のノズル等を
洗）子するためには、基板の載置装着おＪ、び加熱装置
をオゾンの噴Ｑ’Ｊノズルへ１と近させて（・１石した
イ１は物を所望の時間ＩＪ’Ｊ熱する。

（作用〉 オゾンの唱（ＪＪノズルを初めと−する処理室内に何る
したイ、′ｉ）成力などをオゾンを導入しつつ７Ｊｉｌ
熱−するという簡単な方法によって洗浄することかてさ
′る。

（実施例） 試料支持装置と１ｌｆｉ　Ｉ、）ｊノズルとの間隔’：
　１　ｒｎｔｎどし、１叫熱菰置により３００’Ｃに１
川り）シつつ４％のオゾンを内径０．！５ｍのノズルか
ら′ｌ　０１　、／分の流量で噴用した。２０分の経過
後には、付右狗（，１すべで除去でさた。

（発明の効果） ０ぼ物被膜を形成した基板から形波１つ；を除去−ｊる
装置の洗浄ブ）法において、１ｌｒｉ　ＩＪＪノズルな
どにｈ！ＪＩ＾（こ装置を接近させるなどの方γ）、に
よってＩＪｉｌ　、’：！！　シつつ高濃度のオゾンを
噴射するという恒めてｎ；１甲な方法によって付石物な
どを洗浄除去刃イ）ことか′Ｃさるのである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、ｔｊ機物の除去装置を示す図てあろ３゜１、
・・・逃埋室 ２、・・・基板支持装置 ３、・・・半導体基板 ４、・・・加熱装置 ５う、・・・オゾン供給管 ６、・・・冷却管 ７、・・・ノズル ８、・・・細孔 ９、・・・オゾン発生装置筒

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １　有機物被膜を形成した基板から該被膜を除去する装
   置において、処理室内を加熱装置によって加熱しつつ、
   高濃度オゾンを供給することを特徴とする有機物被膜の
   除去装置の洗浄方法。