JPH02116130A - 基板の洗浄方法 - Google Patents
基板の洗浄方法Info
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- JPH02116130A JPH02116130A JP26808888A JP26808888A JPH02116130A JP H02116130 A JPH02116130 A JP H02116130A JP 26808888 A JP26808888 A JP 26808888A JP 26808888 A JP26808888 A JP 26808888A JP H02116130 A JPH02116130 A JP H02116130A
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- Japan
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- substrate
- cleaning
- pressure water
- hydrophobic
- oxygen plasma
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- Pending
Links
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Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置製造分野における基板の洗浄方法
に関するものである。
に関するものである。
（従来の技術）
基板の洗浄では、一般にスピンナ上で回転する基板に高
圧水をかける方式の洗浄方法がよく用いられている。
圧水をかける方式の洗浄方法がよく用いられている。
以下、従来の洗浄方法について説明する。第２図は、洗
浄装置の概略図である。同図において、１は高圧水噴出
ノズル、２は基板、３は試料を回転させる回転台、４は
洗浄室であり、回転している基板上にノズル１より高圧
水が噴出し、基板２の洗浄が行なわれる。
浄装置の概略図である。同図において、１は高圧水噴出
ノズル、２は基板、３は試料を回転させる回転台、４は
洗浄室であり、回転している基板上にノズル１より高圧
水が噴出し、基板２の洗浄が行なわれる。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記のごとき洗浄方法では、疎水性の基
板を洗浄する場合に、は効果的な洗浄が行なわれないと
いう問題点があった６本発明は上記問題を解決するため
のもので、疎水性の基板も親水性の基板と同様に効果的
な洗浄を行なう方法を提供することを目的とする。
板を洗浄する場合に、は効果的な洗浄が行なわれないと
いう問題点があった６本発明は上記問題を解決するため
のもので、疎水性の基板も親水性の基板と同様に効果的
な洗浄を行なう方法を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
この目的を達成するために、本発明の洗浄方法は、高圧
水による洗浄を行なう前に基板に酸素プラズマを照射す
る工程を持つことを特徴とする。
水による洗浄を行なう前に基板に酸素プラズマを照射す
る工程を持つことを特徴とする。
（作 用）
酸素プラズマが疎水性基板に照射されると、疎水性基板
表面は親水化され、高圧水とのなじみがよくなり、効果
的な洗浄が行なわれる。
表面は親水化され、高圧水とのなじみがよくなり、効果
的な洗浄が行なわれる。
（実施例）
以下１本発明の一実施例について説明する０本実施例で
は、疎水性基板としてシリコン基板を用いた、まず、シ
リコン基板への酸素プラズマの照射は、ＲＦパワー４０
０Ｗ、真空度２００ｍＴｏｒｒ、酸素ガス流量１１００
５ＣＣ，ステージ温度２０℃、プラズマ照射時間３０秒
の条件で、アノードカップリング平行平板型プラズマ発
生装置を用いて行なった。
は、疎水性基板としてシリコン基板を用いた、まず、シ
リコン基板への酸素プラズマの照射は、ＲＦパワー４０
０Ｗ、真空度２００ｍＴｏｒｒ、酸素ガス流量１１００
５ＣＣ，ステージ温度２０℃、プラズマ照射時間３０秒
の条件で、アノードカップリング平行平板型プラズマ発
生装置を用いて行なった。
次に、洗浄では８００ｒｐ鵬で回転しているシリコン基
板上に高圧水を３６５ｇｒ／ ａＪ （５０ｐｓｉ）の
圧力で６０秒噴出し、２０ＧＯｒｐｍの回転速度で６０
秒、スピン乾燥を行なった。第１図は、洗浄前後でのシ
リコン基板上のパーティクル数をパーティクルカウンタ
ーにて測定した結果である。第１図では、パーティクル
の大きさをＡ （０，３〜０．５μｍ） 、 Ｂ （０
，５〜１．５μ謙）。
板上に高圧水を３６５ｇｒ／ ａＪ （５０ｐｓｉ）の
圧力で６０秒噴出し、２０ＧＯｒｐｍの回転速度で６０
秒、スピン乾燥を行なった。第１図は、洗浄前後でのシ
リコン基板上のパーティクル数をパーティクルカウンタ
ーにて測定した結果である。第１図では、パーティクル
の大きさをＡ （０，３〜０．５μｍ） 、 Ｂ （０
，５〜１．５μ謙）。
Ｃ（１，５〜２．５ｐｍ） 、 Ｄ Ｃ２，５μｍ以上
）の４つの規格に分類し、それぞれの個数をそれらの総
和とともに示した。第１図（ａ）は本実施例による場合
、第１図（ｂ）は従来例による場合である。第１図（ａ
）。
）の４つの規格に分類し、それぞれの個数をそれらの総
和とともに示した。第１図（ａ）は本実施例による場合
、第１図（ｂ）は従来例による場合である。第１図（ａ
）。
（ｂ）の洗浄前後の基板上パーティクル数を比較すると
、第１図（ａ）ではＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄすべての大きさのパ
ーティクルが洗浄後減少しているのに対し、第１図（ｂ
）ではＤのような比較的大きいパーティクルが減少して
いるだけで、Ａのような小さいパーティクルはほとんど
減少していない。すなわち、本発明により基板２の表面
に付着したパーティクルが大幅に減少し、洗浄が非常に
効果的に行なわれていることがわかる。
、第１図（ａ）ではＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄすべての大きさのパ
ーティクルが洗浄後減少しているのに対し、第１図（ｂ
）ではＤのような比較的大きいパーティクルが減少して
いるだけで、Ａのような小さいパーティクルはほとんど
減少していない。すなわち、本発明により基板２の表面
に付着したパーティクルが大幅に減少し、洗浄が非常に
効果的に行なわれていることがわかる。
（発明の効果）
本発明は、疎水性基板表面を酸素プラズマ照射により親
水性にすることで、基板上のパーティクルを大幅に減少
させることが可能な洗浄方法であり、工業的に非常に有
用である。
水性にすることで、基板上のパーティクルを大幅に減少
させることが可能な洗浄方法であり、工業的に非常に有
用である。
第１図は洗浄前後の基板上パーティクル数を示す図、第
２図は洗浄装置の概略図である。 ■・・・ノズル、 ２・・・基板、 ３・・・回転
台。 ４・・・洗浄室。 特許出願人 松下電子工業株式会社
２図は洗浄装置の概略図である。 ■・・・ノズル、 ２・・・基板、 ３・・・回転
台。 ４・・・洗浄室。 特許出願人 松下電子工業株式会社
Claims (1)
- 基板を酸素プラズマ中にさらす工程と、スピンナ上で前
記基板を回転させながらノズルより高圧水を前記基板に
向けて噴出させる工程とよりなる基板の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26808888A JPH02116130A (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | 基板の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26808888A JPH02116130A (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | 基板の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02116130A true JPH02116130A (ja) | 1990-04-27 |
Family
ID=17453720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26808888A Pending JPH02116130A (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | 基板の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02116130A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4995929A (en) * | 1986-03-19 | 1991-02-26 | Rib Loc Australia Pty. Ltd. | Method of protecting conduits including helically winding a strip |
| US5700348A (en) * | 1993-12-15 | 1997-12-23 | Nec Corporation | Method of polishing semiconductor substrate |
| JP2008510302A (ja) * | 2004-08-12 | 2008-04-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体基板処理装置 |
| CN103624032A (zh) * | 2012-08-23 | 2014-03-12 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种晶片的单片清洗方法 |
-
1988
- 1988-10-26 JP JP26808888A patent/JPH02116130A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4995929A (en) * | 1986-03-19 | 1991-02-26 | Rib Loc Australia Pty. Ltd. | Method of protecting conduits including helically winding a strip |
| US5700348A (en) * | 1993-12-15 | 1997-12-23 | Nec Corporation | Method of polishing semiconductor substrate |
| JP2008510302A (ja) * | 2004-08-12 | 2008-04-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体基板処理装置 |
| CN103624032A (zh) * | 2012-08-23 | 2014-03-12 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种晶片的单片清洗方法 |
| CN103624032B (zh) * | 2012-08-23 | 2015-11-25 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种晶片的单片清洗方法 |
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