JP2001127032A - 基板の洗浄・乾燥装置および洗浄・乾燥方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 その表面にウォーターマークや汚染等を発生
させないで清浄な状態に洗浄・乾燥させることができる
洗浄・乾燥装置と洗浄・乾燥方法を提供する。 【解決手段】 基板を洗浄液で洗浄した後、乾燥する基
板の洗浄・乾燥装置であって、少なくとも、前記基板を
保持する保持手段と、基板に洗浄液を噴射する洗浄液噴
射手段と、基板にマイクロ波を照射するマイクロ波照射
手段を具備する基板の洗浄・乾燥装置。及び、この洗浄
装置を用いて、基板を洗浄する方法。並びに、基板を洗
浄工程において洗浄液で洗浄し、乾燥工程において乾燥
する基板の洗浄・乾燥方法において、前記基板を保持
し、少なくとも前記洗浄工程または乾燥工程のいずれか
の工程において、基板にマイクロ波を照射する基板の洗
浄・乾燥方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体基板
や半導体デバイスを製造する工程において、基板を洗浄
し、乾燥する洗浄・乾燥装置および洗浄・乾燥方法に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】例えばシリコンウエーハ等の半導体基板
や半導体デバイスを製造する工程において、基板を洗浄
工程において洗浄し、その後の乾燥工程において乾燥さ
せる洗浄・乾燥が行われる。このような洗浄・乾燥にお
いては、洗浄工程における洗浄効果を向上することと、
特に乾燥工程において、しみ（ウォーターマーク）の発
生を防止して乾燥不具合を減少させることが重要とな
る。

【０００３】このような基板を洗浄・乾燥装置の乾燥工
程で乾燥させる方法として、種々の方法が提案されてい
る。例えば、被洗浄物を回転させることで遠心力を利用
し、水分を除去する方法がある。この方法では、乾燥時
のスピン回転数を多段階に制御することで、ウォーター
マークの発生を抑制することが試みられてきた。さらに
は、基板を回転させて不活性ガスを照射することにより
乾燥する方法も提案されている。

【０００４】また、ＩＰＡ（Ｉｓｏ−Ｐｒｏｐｙｌ Ａ
ｌｃｏｈｏｌ）を用い水分置換する乾燥方法も提案され
た。この方法は洗浄の終わった基板をＩＰＡの加熱蒸気
中に入れて、凝縮ＩＰＡで付着水を置換しながら、基板
を蒸気温度まで昇温させて乾燥する方法である。

【０００５】しかし上記方法を用いた場合でも、特に洗
浄液にフッ酸水溶液を用いて洗浄を行なった後の疎水性
面を持つシリコンウエーハを乾燥させる場合や、表面に
半導体処理を施したウエーハ、例えばコンマ数μｍ程度
の凹凸表面をもつデバイスウエーハを洗浄の対象とした
場合、ウォーターマーク残りによる乾燥不具合が発生し
やすかった。ウォーターマーク残りが発生した場合、洗
浄前と比較して逆にパーティクル数が増加する結果とな
ることもある。さらには、ウォーターマーク残りに起因
して半導体製造ラインの歩留りにも影響を及ぼすことに
なり問題であった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、こ
のような問題点に鑑みてなされたもので、基板の洗浄・
乾燥において、洗浄工程において洗浄効果を向上させる
ことができ、乾燥工程においてウォーターマークの発生
を防止して乾燥不具合を減少させることできる洗浄・乾
燥装置と洗浄・乾燥方法を提供することを主たる目的と
する。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の請求項１に記載した発明は、基板を洗浄液で洗
浄した後、乾燥する基板の洗浄・乾燥装置であって、少
なくとも、前記基板を保持する保持手段と、基板に洗浄
液を噴射する洗浄液噴射手段と、基板にマイクロ波を照
射するマイクロ波照射手段を具備することを特徴とする
基板の洗浄・乾燥装置である。

【０００８】このように、基板の洗浄・乾燥装置であっ
て、基板にマイクロ波を照射するマイクロ波照射手段を
具備する基板の洗浄・乾燥装置は、基板にマイクロ波を
照射することにより、基板の洗浄にあっては洗浄効果を
向上させ、基板の乾燥にあってはウォーターマーク残り
等の乾燥不具合を生じることがなく、基板の洗浄・乾燥
を行なうことができる。

【０００９】この場合、請求項２に記載したように、前
記マイクロ波照射手段は、基板を洗浄する時および基板
を乾燥する時のいずれの場合もマイクロ波を照射可能と
されていることが好ましい。このように、基板を洗浄す
る時および基板を乾燥する時のいずれの場合もマイクロ
波を照射可能とされていれば、洗浄工程においては基板
にマイクロ波を照射することにより洗浄工程の効率を高
め、乾燥工程においてはウォーターマーク残りを生じさ
せないという両方の効果を奏するものとなる。

【００１０】この場合、請求項３に記載したように、前
記マイクロ波の周波数を変更するマイクロ波周波数可変
手段を具備していることが好ましい。このように、マイ
クロ波の周波数を変更するマイクロ波周波数可変手段を
具備していれば、例えば被洗浄物や洗浄液の組成によっ
てマイクロ波の周波数を変化させ、洗浄工程あるいは乾
燥工程の効率を向上させることができる。

【００１１】この場合、請求項４に記載したように、前
記マイクロ波の装置外部への漏洩を遮断するマイクロ波
遮蔽板を具備していることが好ましい。このように、マ
イクロ波の装置外部への漏洩を遮断するマイクロ波遮蔽
板を具備していれば、作業中にマイクロ波が装置外に放
射されることがなく、洗浄・乾燥作業の安全性を確保す
ることができる。

【００１２】この場合、請求項５に記載したように、前
記マイクロ波遮蔽板は耐発塵性および耐薬品性を有する
物質でコーティングされていることが好ましい。このよ
うに、マイクロ波遮蔽板が耐発塵性および耐薬品性を有
する物質でコーティングされていれば、マイクロ波遮蔽
板からの基板への汚染を防止することができる。

【００１３】そして、請求項６に記載したように、前記
保持手段は基板を回転させつつ保持するものであること
が好ましい。このように、保持手段が基板を回転させつ
つ保持するものであれば、マイクロ波は基板全体にムラ
なく均一に照射されるようになり、洗浄工程および乾燥
工程の効率を向上させることができる。

【００１４】この場合、請求項７に記載したように、前
記基板に不活性ガスを噴射する不活性ガス噴射手段を具
備していることが好ましい。このように、基板に不活性
ガスを噴射する不活性ガス噴射手段を具備していれば、
洗浄・乾燥工程をより効果的に行なうことができ、基板
へのパーティクルの再付着等も防止することができる。

【００１５】この場合、請求項８に記載したように、前
記洗浄液噴射手段が噴射する洗浄液はフッ酸水溶液とす
ることができる。このように、本発明の洗浄・乾燥装置
は洗浄液がフッ酸水溶液であり、洗浄工程後の基板が疎
水性面を有するものであっても、ウォーターマーク残り
等の乾燥不具合のないものにすることができる。

【００１６】そして、本発明の洗浄・乾燥装置を用いて
基板を洗浄・乾燥する方法は（請求項９）、例えば請求
項１０に記載したように、基板を洗浄工程において洗浄
液で洗浄し、乾燥工程において乾燥する基板の洗浄・乾
燥方法において、前記基板を保持し、少なくとも前記洗
浄工程または乾燥工程のいずれかの工程において、基板
にマイクロ波を照射することを特徴とする基板の洗浄・
乾燥方法である。

【００１７】このように、少なくとも洗浄工程または乾
燥工程のいずれかの工程において基板にマイクロ波を照
射するようにすれば、洗浄工程においては洗浄の効率を
向上させ、乾燥工程においてはウォーターマーク等の乾
燥不具合を生ぜずに基板を洗浄・乾燥することができ
る。

【００１８】この場合、請求項１１に記載したように、
前記洗浄工程および乾燥工程のいずれの工程でも基板に
マイクロ波を照射することが好ましい。このように、洗
浄工程および乾燥工程のいずれの工程でも基板にマイク
ロ波を照射することにより、洗浄工程および乾燥工程の
両方においてマイクロ波照射の効果を得ることができ、
洗浄・乾燥の効率をさらに向上させることができる。

【００１９】この場合、請求項１２に記載したように、
前記マイクロ波の周波数を、洗浄工程では洗浄液の共振
周波数帯域の周波数とし、乾燥工程では基板の共振周波
数帯域の周波数とすることが好ましい。このように、マ
イクロ波の周波数を調整することにより、洗浄工程およ
び乾燥工程それぞれにおけるマイクロ波照射の効果はさ
らに高まる。

【００２０】この場合、請求項１３に記載したように、
前記マイクロ波の外部への漏洩をマイクロ波遮蔽板によ
り遮断しつつ、基板の洗浄・乾燥を行うことが好まし
い。このように、マイクロ波の外部への漏洩を遮断する
ことにより、作業の安全性が担保される。

【００２１】この場合、請求項１４に記載したように、
前記基板を回転させつつ洗浄・乾燥することが好まし
い。このように、基板を回転させつつ洗浄・乾燥するこ
とにより、マイクロ波が基板にムラなく均一に照射され
るようになり、洗浄・乾燥の効率は向上する。

【００２２】この場合、請求項１５に記載したように、
前記基板の表面に不活性ガスを噴出しつつ基板の洗浄・
乾燥を行なうことが好ましい。このように基板の表面に
不活性ガスを噴出しつつ洗浄・乾燥を行なうことによ
り、不純物による基板表面の汚染を防止することがで
き、洗浄・乾燥の効率はさらに向上する。

【００２３】この場合、請求項１６に記載したように、
前記基板がシリコンウエーハであり、前記洗浄液をフッ
酸水溶液とすることができる。本発明の洗浄・乾燥方法
は特に基板がシリコンウエーハであり、洗浄液をフッ酸
水溶液とし、洗浄工程終了後の基板が疎水性面を有する
場合に特に効力を発揮する。

【００２４】以下、本発明についてさらに詳述するが、
本発明はこれらに限定されるものではない。本発明者ら
は、シリコンウエーハ等の基板の洗浄・乾燥装置および
洗浄・乾燥方法について種々調査、検討を重ねた。その
結果、洗浄工程中あるいは乾燥工程中に基板にマイクロ
波を照射することにより、洗浄工程においては洗浄効果
を向上させることができ、乾燥工程においてはウォータ
ーマークの発生を防止して乾燥不具合を減少させること
ができることを知見し、諸条件を精査して本発明を完成
させたものである。

【００２５】すなわち本発明において、基板の洗浄中あ
るいは乾燥中にマイクロ波を照射すると、基板の表面分
子や洗浄液の水分子は振動し活性化され温度は上昇す
る。このため、洗浄時においては基板とその表面を汚染
している物質の結合力を低下させて洗浄効果を向上さ
せ、乾燥時においてはウォーターマークを残留させるこ
となく蒸発させ、ウォーターマークがない乾燥仕上がり
が可能となる。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て添付した図面に基づいて具体的に説明するが、本発明
はこれらに限定されるものではない。ここで、図１は本
発明の洗浄・乾燥装置の構成例を示す概要説明図であ
る。図１に示すように、本発明の洗浄・乾燥装置１は、
例えば基板２を密閉チャンバ３内に配置し、外気から遮
断して基板２の表面を洗浄・乾燥することができるよう
にした密閉型洗浄・乾燥装置である。この装置におい
て、密閉チャンバ３の下方ほぼ中央部には、基板２を保
持する回転保持手段４が配置されており、この回転保持
手段４はその下部で回転駆動部５と連結され、基板２を
垂直軸周りに回転させつつ保持することが可能なように
されている。

【００２７】洗浄・乾燥装置１の密閉チャンバ３の上部
には、洗浄液噴射手段６が配置されており、所定の液量
・液圧の洗浄液を基板２に噴射するようにされている。
この洗浄液にフッ酸水溶液を用い、基板２がシリコンウ
エーハの場合は、表面の酸化膜が除去されて疎水性とな
りウォーターマークが生じ易くなるので、ウォーターマ
ーク等の問題が生じ難い本発明の装置は特に有効であ
る。もちろん、洗浄液としては、他の酸、アルカリ、有
機溶剤、純水等いずれも用いることができ、基板の種
類、洗浄目的等から適切なものを選択すればよいし、単
一の洗浄液で洗浄する場合に限らず次々に洗浄液を変更
する複数段の洗浄を行なっても良い。また、洗浄液噴射
手段も複数設けられていてもよいし、基板に対し表面の
みならず裏面に洗浄液を噴射するようにしても良く、さ
らに基板に対し、平行移動してスキャンするようにされ
ていても良い。さらに密閉チャンバ３の下部には、洗浄
後の洗浄液廃液を排出するための洗浄液廃液口１２が配
置されている。

【００２８】さらに密閉チャンバ３の上部には、不活性
ガス噴射手段１０が設けられ、洗浄・乾燥工程時には、
基板２に不活性ガスを噴射して基板２が不純物に汚染さ
れることを防止し、乾燥の効率を向上させるようにされ
ている。この噴射する不活性ガスとしては、アルゴン、
ヘリウム等が挙げられ、パーティクルをチャンバ内に導
入しないよう、例えばＨＥＰＡ、ＵＬＰＡ等のフィルタ
を介して導入される。また、ガス排気のためにガス排気
口１１が設けられている。

【００２９】ここで、密閉チャンバ３の側面に、基板２
にマイクロ波を照射するマイクロ波照射手段７が配置さ
れているのが、本発明の洗浄・乾燥装置１の特徴であ
る。このマイクロ波照射手段７にはマイクロ波電源８が
接続され、基板２を洗浄液で洗浄する洗浄工程と、その
後に基板２を乾燥させる乾燥工程のいずれの工程におい
ても、基板２にマイクロ波を照射することができるよう
にされている。また、マイクロ波照射手段７は不図示の
マイクロ波周波数可変手段を具備し、洗浄工程や乾燥工
程等の工程の違いや、洗浄液や基板２の組成の違いに応
じて、マイクロ波の周波数を変更することが可能とされ
ている。

【００３０】このマイクロ波照射手段７には、例えばマ
グネトロン等をマイクロ波の発生源とし、その出力アン
テナからマイクロ波が放射されるものとすることができ
る。また、マグネトロン出力アンテナより、銅、アルミ
ニウム等から構成された導波管を通して、被洗浄物表
面、あるいは洗浄液に対して集中的に照射可能な構造で
あっても良い。

【００３１】さらに、密閉チャンバ３の壁面には、マイ
クロ波の洗浄装置外部への漏洩を遮断するマイクロ波遮
蔽板９が設置され、これにより作業中の安全性が確保さ
れる。このマイクロ波遮蔽板９としては例えば鉄、アル
ミニウム、ステンレス等の金属が使用される。この場
合、マイクロ波遮蔽板９を完全な板材としてしまうと、
密閉チャンバ３内が外部から見ることができなくなり、
洗浄作業の観察・管理が難しくなる場合がある。このよ
うな場合には、マイクロ波遮蔽板９に直径１〜２ｍｍ程
度のパンチング穴を設けたり、網状とすることによっ
て、密閉チャンバ３内を観察することができるようにす
ることができる。マイクロ波遮蔽板９にこのような径の
パンチング穴あるいは網状としても、十分にマイクロ波
を遮蔽することができることが確認されている。

【００３２】また、この洗浄・乾燥装置１には、前記洗
浄液噴出手段６、洗浄液廃液口１２、不活性ガス噴出手
段１０、ガス排気口１１があり、マイクロ波がそれらを
通る洗浄液、あるいは空間を伝播し外部へ漏洩する場合
がある。そのため、これらにも不図示の上記マイクロ波
遮蔽板９が配置されており、マイクロ波の装置外部への
漏洩を防止するようにされている。

【００３３】また、マイクロ波遮蔽板９に鉄等の金属を
用いた場合、金属、パーティクル汚染や、あるいは洗浄
液による腐食が発生する場合がある。その場合には、マ
イクロ波遮蔽板を耐発塵性および耐薬品性を有する物質
でコーティングすれば良い。具体的には、例えば金属遮
蔽板にポリテトラフルオロエチレンによるコーティング
や石英ガラスコーティングを施せば良い。これらのコー
ティング以外にもパーティクル、金属あるいは有機物等
の被洗浄物に対して汚染対象物として考えられる汚染を
発生しないようにし、また洗浄液に対して耐腐食性のあ
る材質ならば使用可能である。

【００３４】次に、このような本発明に係る洗浄・乾燥
装置を用いて、半導体基板を洗浄・乾燥する方法の一例
について説明する。まず、密閉チャンバ３の側面の不図
示のゲートバルブを開き、基板ハンドリング装置によっ
て、基板２を回転保持手段４にセットする。不活性ガス
が不活性ガス噴射手段１０から基板２上に供給され、密
閉チャンバ３内が所望のガス雰囲気となったなら、基板
の洗浄を開始する。回転駆動部５の動力により回転保持
手段４は基板２を所定の回転数で回転させ、洗浄液噴射
手段６はフッ酸水溶液等から成る洗浄液を基板２に噴射
する。廃液となった洗浄液は洗浄液廃液口１２から排出
される。

【００３５】ここで、マイクロ波照射手段７から基板２
にマイクロ波が印加される。マイクロ波の周波数は不図
示のマイクロ波周波数可変手段により自在に変更するこ
とができる。このマイクロ波の周波数としては、洗浄液
の共振周波数帯域の周波数とすれば高い洗浄効果が期待
できる。この理由は明らかではないが、洗浄液の共振周
波数帯域のマイクロ波を照射することによって洗浄液の
クラスター構造が減少して洗浄液の表面張力が低下し、
浸透性が増すことにあると考えられる。また、基板２と
その表面を汚染している物質の結合力をより低下させる
ことも原因と考えられる。

【００３６】洗浄工程が終了すると、次に乾燥工程に入
る。洗浄液噴出手段６から洗浄液の供給を停止し、不活
性ガス噴出手段１０からのガス供給量およびガス排気口
からのガス排出量は増加される。洗浄工程と同様に回転
駆動部５の動力により回転保持手段４は基板２を所定の
回転数で回転させる。そしてマイクロ波照射手段７から
基板２にマイクロ波が照射される。このマイクロの周波
数としては、基板２の共振周波数帯域の周波数とすれば
高い乾燥効果が期待できる。これは基板の共振周波数帯
域のマイクロ波を照射することで基板表面を活性化し、
同時に乾燥不具合の要因である水残りをも活性化し、蒸
発除去することができるためであると考えられる。

【００３７】乾燥が終了したなら、不活性ガス噴出手段
１０からの不活性ガスの供給を停止し、ゲートバルブか
ら基板を取り出して、次の基板の洗浄に移行すれば良
い。

【００３８】尚、本発明は、上記実施形態および実施例
に限定されるものではない。上記実施形態等は、例示で
あり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術思想と
実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するも
のは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包
含される。

【００３９】例えば、上記実施形態では、マイクロ波を
照射しつつ洗浄を行なった後に、マイクロ波を同様に照
射して乾燥を行なう態様のみを示したが、本発明はそれ
に限定されるものではなく、洗浄時にのみマイクロ波を
照射しても良いし、乾燥時のみにマイクロ波を照射して
も良い。

【００４０】また、上記実施形態では、基板の表面のみ
を洗浄・乾燥するように洗浄液噴射手段やマイクロ波照
射手段を配置したが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、裏面洗浄・乾燥用に表面用とほぼ同様の洗浄液
噴射手段やマイクロ波照射手段を配置し、表裏面同時に
洗浄・乾燥するようにしてもよい。

【００４１】さらに、上記実施形態では、半導体基板の
洗浄・乾燥例を示したが、基板の種類は半導体基板に限
定されず、液晶ガラス基板、石英ガラス基板、磁気ディ
スク等の種々の精密基板に適用することができる。

【００４２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の基板の洗
浄・乾燥装置および洗浄・乾燥する方法は、従来に比べ
て洗浄効果を向上させ、ウォーターマークの発生を防止
して乾燥不具合を減少させることができる。そのため、
半導体基板等の製造歩留りを向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる洗浄・乾燥装置の一構成例図で
ある。

【符号の説明】

１ … 洗浄・乾燥装置、 ２ … 基板、 ３ …
密閉チャンバ、４ … 回転保持手段、 ５ … 回転
駆動部、 ６ … 洗浄液噴出手段、７ … マイクロ
波照射手段、 ８ … マイクロ波電源、９ … マイ
クロ波遮蔽板、 １０ … 不活性ガス噴射手段、１１
… ガス排気口、 １２ … 洗浄液廃液口。

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板を洗浄液で洗浄した後、乾燥する基
   板の洗浄・乾燥装置であって、少なくとも、 前記基板を保持する保持手段と、基板に洗浄液を噴射す
   る洗浄液噴射手段と、基板にマイクロ波を照射するマイ
   クロ波照射手段を具備することを特徴とする基板の洗浄
   ・乾燥装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板の洗浄・乾燥装置
   であって、前記マイクロ波照射手段は、基板を洗浄する
   時および基板を乾燥する時のいずれの場合もマイクロ波
   を照射可能とされていることを特徴とする基板の洗浄・
   乾燥装置。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の基板の
   洗浄・乾燥装置であって、前記マイクロ波の周波数を変
   更するマイクロ波周波数可変手段を具備することを特徴
   とする基板の洗浄・乾燥装置。
4. 【請求項４】 請求項１ないし請求項３のいずれか１項
   に記載の基板の洗浄・乾燥装置であって、前記マイクロ
   波の装置外部への漏洩を遮断するマイクロ波遮蔽板を具
   備していることを特徴とする基板の洗浄・乾燥装置。
5. 【請求項５】 請求項４に記載の基板の洗浄・乾燥装置
   であって、前記マイクロ波遮蔽板は耐発塵性および耐薬
   品性を有する物質でコーティングされていることを特徴
   とする基板の洗浄・乾燥装置。
6. 【請求項６】 請求項１ないし請求項５のいずれか１項
   に記載の基板の洗浄・乾燥装置であって、前記保持手段
   は基板を回転させつつ保持するものであることを特徴と
   する基板の洗浄・乾燥装置。
7. 【請求項７】 請求項１ないし請求項６のいずれか１項
   に記載の基板の洗浄乾燥装置であって、前記基板に不活
   性ガスを噴射する不活性ガス噴射手段を具備しているこ
   とを特徴とする基板の洗浄・乾燥装置。
8. 【請求項８】 請求項１ないし請求項７のいずれか１項
   に記載の基板の洗浄・乾燥装置であって、前記洗浄液噴
   射手段が噴射する洗浄液はフッ酸水溶液であることを特
   徴とする基板の洗浄・乾燥装置。
9. 【請求項９】 請求項１ないし請求項８のいずれか１項
   に記載の洗浄・乾燥装置を用いて、基板を洗浄・乾燥す
   る方法。
10. 【請求項１０】 基板を洗浄工程において洗浄液で洗浄
    し、乾燥工程において乾燥する基板の洗浄・乾燥方法に
    おいて、 前記基板を保持し、少なくとも前記洗浄工程または乾燥
    工程のいずれかの工程において、基板にマイクロ波を照
    射することを特徴とする基板の洗浄・乾燥方法。
11. 【請求項１１】 請求項１０に記載の基板の洗浄・乾燥
    方法であって、前記洗浄工程および乾燥工程のいずれの
    工程でも基板にマイクロ波を照射することを特徴とする
    基板の洗浄・乾燥方法。
12. 【請求項１２】 請求項１０または請求項１１に記載の
    基板の洗浄・乾燥方法であって、前記マイクロ波の周波
    数を、洗浄工程では洗浄液の共振周波数帯域の周波数と
    し、乾燥工程では基板の共振周波数帯域の周波数とする
    ことを特徴とする基板の洗浄・乾燥方法。
13. 【請求項１３】 請求項１０ないし請求項１２のいずれ
    か１項に記載の基板の洗浄・乾燥方法において、前記マ
    イクロ波の外部への漏洩をマイクロ波遮蔽板により遮断
    しつつ、基板の洗浄・乾燥を行うことを特徴とする基板
    の洗浄・乾燥方法。
14. 【請求項１４】 請求項１０ないし請求項１３のいずれ
    か１項に記載の基板の洗浄・乾燥方法において、基板を
    回転させつつ洗浄・乾燥することを特徴とする基板の洗
    浄・乾燥方法。
15. 【請求項１５】 請求項１０ないし請求項１４のいずれ
    か１項に記載の基板の洗浄・乾燥方法において、前記基
    板の表面に不活性ガスを噴出しつつ基板の洗浄・乾燥を
    行なうことを特徴とする基板の洗浄・乾燥方法。
16. 【請求項１６】 請求項１０ないし請求項１５のいずれ
    か１項に記載の洗浄・乾燥方法において、前記基板がシ
    リコンウエーハであり、前記洗浄液をフッ酸水溶液とす
    ることを特徴とする基板の洗浄・乾燥方法。