JPH02315A - 基板のレジスト除去洗浄方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、半導体ウェハ、ガラス基板、セラミック基板
等（本明細書ではこれらを総称して「基板」と表現する
）の表面に付着しているレジスト膜を分解除去し、かつ
レジスト膜に付着および混入している無機物をも除去す
る基板のレジスト除去洗浄方法に係り、特に基板を回転
させながら洗浄する方法に関する。

〈従来の技術〉 従来、例えば、特開昭６１−２２４３２０号公報に記載
されているように、基板を回転するとともに上下方向に
揺動させ（必要に応じて基板を加熱し）ながら、基板表
面に紫外線を照射することにより、基板表面に付着して
いる有機質汚染物￥ｔ（以下、単に有機物ともいう）を
除去する乾式の洗浄方法が知られている。

この乾式の洗浄方法においては、照射した紫外線によっ
て付着有機物の分子結合を解離するとともに、照射経路
中の酸素を紫外線により２次的にオゾンに変換し、前記
の解離した分子をオゾンによって酸化しＣＯよ、Ｈ８０
等に変化させて基板から分離する。

また、特開昭６１−６７９２１号公報に記載されている
ように、基板を超音波洗浄槽に浸漬し、次に基板を回転
させながらブラシスクラビングして基板表面に付着して
いる無機質汚染物質（以下、単に無機物ともいう）を除
去する湿式洗浄方法を実行した後、基板を回転させなが
ら紫外線を照射することにより有機物を除去する乾式洗
浄方法を実行するという方法が知られている。

この場合、無機物の背後に隠れている有機物の塵埃を除
去するために、まず、湿式洗浄方法によって無機物を除
去することにより無機物の背後の有機物を露出させ、そ
の後、乾式洗浄方法により前記の露出した有機物をも除
去するものである。

〈発明が解決しようとするＬ１題〉 しかしながら、上記いずれの従来例の場合も、有機物の
塵埃と、その有機物表面に付着した浮遊粉塵等の無機物
の塵埃の除去には有効ではあっても、レジスト除去洗浄
に適用すると、レジスト膜内にめり込んでいた無機物や
、もともとレジスト中に分散混入していてレジスト膜内
に広く分散した状態で含まれている金属粒子等の無Ｉａ
物を充分に除去することができず、洗浄完了後において
、基板表面に金属粒子等の無機物が残留し基板の品質が
低下するという問題があつた。

すなわち、第１０図に示すように、基板Ａの表面に塗布
されたレジスト膜Ｂの表面に付着している金属粒子Ｃ１
を除去することはできるが、レジスト膜厚内にめり込ん
だ金属粒子Ｃ１やレジスト膜Ｂ内に広く分散混入してい
る微細な金属粒子Ｃｓ等の無機物を除去することがきわ
めて困難である。

本発明の目的は、レジスト膜やレジスト膜に付着した無
機物の除去はもとより、レジスト膜内にめり込んだり、
レジスト材にもともと分散混入していてレジスト膜内に
分散している金属粒子等の無機物をも除去できるように
することにある。

く課題を解決するための手段〉 本発明は、このような目的を達成するために、次のよう
な構成をとる。

すなわち、本発明の第１の基板のレジスト除去洗浄方法
は、 基板を回転させながら加熱した状態で基板の表面に対し
オゾン供給または紫外線照射の少なくともいずれか一方
を行うことにより基板表面のレジスト膜を分解除去する
第１過程と、 第１過程の後に、基板を回転させながら基板表面に洗浄
液を供給することにより基板表面の無機物を洗浄除去す
る第２過程と、 基板の高速回転により基板上の洗浄液を液切り乾燥する
第３過程 とを含むことを特徴とするものである。

また、本発明の第２の基板のレジスト除去洗浄方法は、 基板を回転させながら加熱した状態で基板の表面に対し
オゾン供給または紫外線照射の少な（ともいずれか一方
を行うことにより基板表面のレジスト膜を分解除去する
第一過程と、 第一過程の後に、基板を回転させながら基板表面にレジ
スト剥離液を供給することにより、湿式で、基板表面の
残留レジスト膜を剥離除去する第二過程と、 第二過程の後に、基板を回転させながら基板表面に洗浄
液を供給することにより基板表面の無機物を洗浄除去す
る第三過程と、 基板の高速回転により基板上の洗浄液を液切り乾燥する
第四過程 とを含むことを特徴とするものである。

すなわち、第２の基板のレジスト除去洗浄方法は、第１
の基板のレジスト除去洗浄方法における第１過程と第２
過程との間に上記の第二過程を実行するものである。

〈作用〉 第１の基板のレジスト除去洗浄方法の作用は、次のとお
りである。

第１過程において、基板表面に対してオゾン供給または
紫外線照射を行うに当たり、基板を加熱するから基板表
面のレジスＨＩＳＩの分解除去が促進される。また、基
板を回転させながらオゾン供給または紫外線照射を行う
ので、レジスト膜の分解除去が基板表面の全面にわたっ
て均一に、しかもレジスト膜に無機物が付着していたと
してもきわめて効率良く行われる。

この第１過程の終了後においては、基板表面に、それま
でレジスト膜の表面に付着していたりその膜内にめり込
んでいた無機物、およびレジスト膜内に分散混入してい
た金属粒子等の無機物が残留している。

しかし、第２過程において、基板を回転させながら基板
表面に洗浄液を供給するため、前記の残留している無機
物も確実に洗浄除去されることとなる。

そして、第３過程において、基板を高速回転させ遠心力
によって基板上の洗浄液を吹き飛ばすので基板が速やか
に乾燥される（液切り乾燥）。

また、第２の基板のレジスト除去洗浄方法によれば、第
一過程（上記第１過程と同じ）の実行において基板表面
に残留した、または残留させたレジスト膜をレジスト剥
離液の供給によって湿式で剥離除去する過程（第二過程
）を含むため、レジスト膜の分解除去が実質的に完璧に
近いものとなる。

〈実施例〉 以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。

の　　のレジス 第１図は第１の基板のレジスト除去洗浄方法（以下、単
に第１方法という）のプロセスを示すフローチャートで
ある。

ステップＳｌで基板を乾式洗浄装置に搬入し、レジスト
等の分解除去の処理を開始する。ステップＳ２で基板に
対する加熱を開始し、ステップＳ３で基板を回転させな
がら基板表面にオゾンを供給する。ステップＳ４でオゾ
ン供給を継続するとともに紫外線を基板表面に照射する
。ステップＳ５でオゾンの供給を停止するが、紫外線照
射は所定時間にわたって継続する。所定時間の経過後、
ステップＳ６で紫外線照射を停止する。

この第１方法に係る実施例では、第１過程が、基板表面
にオゾンを供給する過程と、その次に基板表面にオゾン
を供給しながら紫外線を照射する過程とを含んでいる。

以上により、基板表面のレジスト膜が分解除去される。

ただし、基板表面には無機物が残留している。

レジスト膜の分解除去によってＣｏ、、Ｈ，０等のガス
が発生するが、ステップＳ７で不活性ガスを導入するこ
とにより、不活性ガスとともにそれらのガスを排出除去
する。ステップＳ８で基板の回転を停止し、ステップＳ
９で乾式洗浄装置から基板を搬出する。

以上のステップ３１〜Ｓ９が第１方法での構成にいう第
１過程（乾式洗浄過程）に相当する。

続いてステップＳＩＯで基板を湿式洗浄装置に搬入する
。

そして、第１方法ではステップＳＩＯからステップＳｌ
ｌに移行し、基板を回転させながら基板表面に洗浄液を
供給する。ステップＳ１２で洗浄液の供給を停止し、あ
るいは、ステップＳ１２を実行せずに、洗浄液の供給を
続行したままでステップＳ１３に進み、ステップＳ１３
で基板を回転させながら基板表面に紫外線を照射する。

この場合、洗浄液として、アンモニアと過酸化水素と純
水の混合液を使用し、周波数が８００　ｋ　Ｈｚ以上の
超音波振動を与えながら洗浄すると、微細粒子の除去に
大きな効果がある。

なお、ステップ、Ｓ１３は、紫外線を照射することによ
り、基板表面に残留している無機物を活性化して基板表
面から分離しやすくするので、行う方が望ましいが、必
ずしも行うことを要しない。

ステップＳ１４で紫外線照射を停止し、あるいは、ステ
ップ３１４を実行せずに紫外線照射を続行したままでス
テップＳ１５に進み、ステップＳ１５で純水を基板表面
に供給することにより活性化した無機物を洗浄除去する
。

このステップ５１５では、純水に８００　ｋ　Ｈｚ以上
の同波数の超音波振動を与えることで洗浄除去の効果を
高めるのが好ましい。

なお、ステップ５１４の紫外線照射の停止をなくし、ス
テップ３１５で紫外線照射を継続する場合には、水が分
解した水酸化イオンと無機質イオン（例えば、ナトリウ
ムイオン）とが結合して水酸化化合物（例えば、水酸化
ナトリウム）となって純水により洗浄除去されるため、
洗浄除去の効果を一層高めることができる。また、この
ステップＳ１５で基板の回転を継続すると、さらに洗浄
除去の効果が高められる。

以上のステップ３１１−５１５が第１方法での構成にい
う第２過程（湿式洗浄過程）に相当する。

以上により、基板表面に残留している無機物が洗浄除去
される。ただし、基板には洗浄液、純水が付着している
。

次いで、ステップＳ１６で基板を高速回転させ遠心力に
より基板表面に付着している洗浄液、純水を吹き飛ばし
て基板を乾燥させる（スピンドライ）、このステップＳ
１６では、赤外線を照射することにより乾燥速度を速め
ることが好ましい、また、減圧によって水分の蒸発を促
進するのもよい。

このステップ５１６が第１方法での構成にいう第３過程
（回転乾燥過程）に相当し、無ａ質汚染物質はもとより
レジスト膜内に広く分散混入していた金属粒子等の無機
物をも洗浄除去することができる。

の　　　レジス 第２図は第２の基板のレジスト除去洗浄方法（以下、単
に第２方法という）のプロセスを示すフローチャートで
ある。。

ステップＳｌからステップＳｌＯまでは第１方法の実施
例”と同じである。ステップ３１〜Ｓ９が第２方法での
構成にいう第一過程（乾式剥離過程）に相当する。

第１方法の場合にはステップ５１０の後、直ちにステッ
プ３１１に移行したが（第１図参照）、第２方法ではス
テップ３１１に移行する前に、ステップ３１Ｇ−１，５
１０−２を実行する。

すなわち、・第２方法においては、ステップ３１０−１
で基板を回転させながら、基板表面にレジスト剥離液を
供給することにより、第一過程（乾式゛剥離過程）で基
板表面上に残留した、または残留させたレジスト膜を湿
式で剥離除去する。レジスト剥離液としては、例えば、
硫酸と過酸化水素等の混合液などを使用する。

この湿式剥離によって、基板表面上のレジスト膜を実質
的に完璧に近い状態で分解除去することができる。

次のステップ５ＩＯ−２でレジスト剥離液の供給を停止
し、次のステップＳｌｌに移行する。

以上のステップ３１０−１．３ＩＯ−２が第２方法での
構成にいう第二過程（湿式剥離過程）に相当する。第１
方法では、この湿式剥離過程は行わない。

そして、第２方法ではステップ５１０からステップ５Ｉ
Ｇ−１，３ＩＯ−２を経てステップＳｌｌに移行する。

ステップ５ｌｌＮＳ１６は、第１方法と第２方法とで共
通である。ステップ３１１〜３１５が第２方法での構成
にいう第三過程（湿式洗浄過程）に相当し、ステップ３
１６が第２方法での構成にいう第四過程（回転乾燥過程
）に相当する。

次に、上記の第１方法、第２方法を実施する洗浄装置に
ついて説明する。

まず、第１過程（第一過程）を実行する乾式洗浄装置Ｘ
の構造について説明する。

第・３図は基板の乾式洗浄装置Ｘの全体的な概略構成図
、第４図は要部の拡大断面図、第５図は第４図における
ｖ−ｖ線矢視の平面図、第６図は第４図におけるＶＩ−
ＶＩ線矢視の断面図である。

乾式洗浄装置Ｘ、の全体的な構造を主として第３図に基
づいて説明する。

周壁部１ａと底板部１ｂとからなる処理室１の内部にス
ピンチャック２とリフター３とが設けられている、以下
、この乾式洗浄袋２ｘにおける処理室１を第１処理室ｌ
と、また、スピンチャック２を第１スピンチヤツク２と
記載する。

第１スピンチヤツク２の回転軸４は、鉛直方向に延び、
第１処理室１の底板部１ｂに固定された軸受部５に回転
のみ自在に支持されている。

回転軸４に固定されたプーリー６とモータ７の出力軸に
固定されたプーリー８との間に伝動ベルト９が掛張され
ており、モータ７の駆動によって第１スピンチヤツク２
が水平回転するように構成されている。第１スピンチヤ
ツク２および軸受部５の具体構造については後述する。

軸受部５に上下動自在に外嵌された昇降プレー）１０に
周方向等配の状態で立設された複数本（この実施例の場
合は６本：第６図参照）のりフタ−ロッド３ａが基＠Ａ
のりフタ−３を構成している。

リフター３の昇贅機構については後述する。

第１処理室１を構成する周壁部１ａの上端外周にバッキ
ング１１のホルダー１２が固着されている。

第１スピンチヤツク２の上方には、上下動自在で下降に
よってバッキング１１に圧着することにより第１処理室
１の上方開口部ＩＣを閉じる蓋体１３が配置されている
。

第１処理室１９Ｍ体１３および蓋体１３の上方空間が、
周壁部１４ａ、底板部１４ｂおよび円錐状の天板部１４
ｃからなるハウジング１４によって覆われている。天板
部１４ｃには透明材料製の窓１４ｄが取り付けられ、外
部からハウジング１４の内部を観察できるようにしてい
る。第１処理室ｌの底板部１ｂは、ハウジング１４の底
板部１４ｂに嵌入し、かつ、気密的に連結されている。

ハウジング１４の底板部１４ｂの下面に取り付けられた
複数の蓋体昇降用エアシリンダ１５のピストンロッド１
５ａの上端が蓋体１３に連結されており、エアシリンダ
１５の伸縮によって蓋体１３が上下動するように構成さ
れている。第３図では、蓋体１３が上昇し第１処理室１
．の上方開口部１ｃが開放された状態を示している。

蓋体１３は、天板１３ａと、透明板１３ｂと、上下に対
向して流路１３ｃを形成する２枚の石英製の薄板１３ｄ
、１３ｅ等から構成され、下側の石英製の薄板１３ｅに
は流路１３ｃに連通する多数のオゾン拡散孔１３ｆが均
一分布の状態で形成されている。

流路１３ｃの一側端部にはオゾン導入口１６が形成され
、他側端部にはパージ用の不活性ガス導入口１７が形成
されている。蓋体１３の下面には、蓋体１３が下降した
ときに第１処理室ｌを密封するためにバッキング１１に
圧着する閉止用筒体１８が取り付けられている。

透明板１３ｂと上側の石英製の薄板１３ｄとの間の空間
には第１紫外線照射ランプ１９が配置されており、この
空間には図示しないランプ冷却手段（水冷式）が設けら
れている。

レジスト膜の分解除去効率を上げるためには、第１スピ
ンチヤツク２上の基板Ａと第１紫外線照射ランプ１９と
の距離をできるだけ短くするのがよ（、そうなるように
閉止用筒体１Ｂの高さを定めである。

蓋体１３の天板１３ａには、基板Ａからのレジスト膜の
分解除去の完了を検出するための表面処理終点検出手段
２０が取り付けられている。

この表面処理終点検出手段２０は、基板Ａに光を照射し
、レジスト膜表面からの反射光と基板Ａ表面からの反射
光との干渉（位相のずれ）をもってレジスト膜の分解除
去の状態を検知し、干渉がなくなったときに分解除去完
了を検出するものである。

第１スピンチヤツク２の高さ位置に相当する箇所におい
て、直径方向で対向する状態で基板搬入口２１ａと、基
板搬出口２１ｂとがハウジング１４の周壁部１４ａに形
成され、上下スライドにより搬入口２１ａ、搬出口２１
ｂを開閉するラック付きのシャッタ２２ａ、２２ｂと、
各シャッタ２２ａ、２２ｂのラックに噛合するピニオン
ギヤ２３ａ、２３ｂと、各ピニオンギヤ２３ａ、２３ｂ
を駆動する図示しないモータとが設けられている。なお
、シャッタ２２ａ、２２ｂのラックもピニオン、ギヤ２
３ａ、２３ｂの歯部も図示を省略しである。

ハウジング１４の周壁部１４ａの外側において、基板搬
入口２１ａを通して基板Ａをハウジング１４内に搬入す
る基板搬入機構２４ａと、基板搬出口２１ｂを通してハ
ウジング１４から外部に基板Ａを搬出する基板搬出機構
２４ｂとが設けられている。

これら基板搬入機構２４ａと基板搬出機構２４ｂとは同
じ構造をもつもので、例えば、実開昭６０−１７６５４
８号公報に開示され、また、第７図にも示すように、モ
ータ２５と、モータ２５の回転軸に取り付けられた第１
アーム２６と、第１アーム２６の遊端部に回転自在に取
り付けられた第２アーム２７と、第１アーム２６の回転
運動を伝達して第２アーム２７を回転させる伝動機構２
８と、第２アーム２７の遊端部に形成され、ｉｎ置した
基板Ａを吸着保持する真空チャフクロ２９等から構成さ
れている。

３０は酸素ボンベ、３１はパルプ、３２は流量計、３３
はフィルタ、３４はパルプ、３５はオゾン発生器で、オ
ゾン発生器３５から導出されたオゾン導入管３６の先端
が上下の石英製の薄板１３ｄ、１３ｅ間に臨み、前述の
オゾン導入口１６を形成している。

なお、例えば流量計３２をオゾン発生器３５のオゾン出
口側へ配設する等のように、オゾン導入口１６ヘオゾン
を供給するための前記各機器の配置順は変更してもよ（
、第３図に示した配置順に限定しない。

３７は窒素等の不活性ガスのボンベ、３８はパルプ、３
９は不活性ガス導入管で、不活性ガス導入管３９の先端
が上下の石英製の薄板１３ｄ、１３ｅ間に臨み、前述の
不活性ガス導入口１７を形成している。

第１処理室ｌの周壁部１ａとハウジング１４の周壁部１
４４との間にオゾンの排気チャンバ４０が形成され、こ
の排気チャンバ４０に連通ずる排気ダクト４１がハウジ
ング１４の外部に導出され、図示しないプロワに接続さ
れている。

また、第１処理室１の下部に有孔板４２が設けられ、こ
の有孔板４２と第１処理室ｌの底板部１ｂとの間の空間
部からレジスト膜の分解除去の際に発生したＣＯｇ　、
Ｈ霊０等のガスを排出する排気ダクト４３が第１処理窯
１の外部に導出され、排気パルプ４４を介して前記の図
示しないプロワに接続されている− ハウジング１４は、複数本の支柱４５を介してベース４
６に支持され、このベース４６に第１スピンチヤツク２
を回転する前述のモータ７が取り付けられている。ベー
ス４６に立設されたりフター昇降用エアシリンダ４７の
ピストンロッド４７ａは、第１理室ｌの底板部１ｂに貫
通固定されたガイド筒４８を貫通し、その上端が前述の
昇降プレート１０に固定されている。ピストンロフト４
７ａは有孔板４２を貫通している。

リフター３を構成する複数のりフタ−ロッド３ａは、第
１スピンチヤツク２を貫通して上下動し、上昇により第
１スピンチヤツク２の上面よりも上方に突出する一方、
下降により第１スピンチヤツク２の下面よりも下方に退
出するように構成されている。

リフターロッド３ａと第１スピンチヤツク２の貫通部分
との位置合わせをするために次のような機構が設けられ
ている。

すなわち、第１スピンチヤツク２の回転軸４の下端に円
板４９が固着され、第８図に示すように、この円板４９
の周縁の１箇所に凹部４９ａが形成され、この凹部４９
ａに係合するロックピン５１をピストンロッド５２ａの
先端に設けた位置決め用エアシリンダ５２がベース４６
に取り付けられている。

そして、凹部４９ａがロックビン５１に丁度対向する位
置にきたときにモータ７を停止するための光学式の回転
角センサ（図示せず）が設けられている。

次に、第４図および第５図に基づいて第１スピンチヤツ
ク２の具体的構造について説明する。

第１スピンチヤツク２は、ヒータ５３をサンドイッチ状
に挟んだ上板２ａと下板２ｂとが周縁近傍の円周上にお
いて複数のボルト５４で締め付は固定され、上板２ａと
下板２ｂとにわたってリフター３の各リフターロッド３
ａを貫通させるための貫通孔２Ｃが複数個（６個）形成
されている。

上板２ａに十字状に真空吸引路２ｄが形成され、その真
空吸引路２．ｄから上板２ａの表面に貫通する状態で基
板Ａを吸着保持するための複数（周方向９０度ごとの４
つと中心の１つの合計５つ）の基板吸着孔２ｅが形成さ
れ、下板２ｂに形成された真空吸引路２ｒと上板２ａの
真空吸引路２ｄとが縦方向の連通路２ｇを介して気密的
に連通接続されている。

２ｈ、２＋は真空吸引路２ｄ、２ｆが上板２ａ。

下板２ｂの周端面に開口する部分を気密閉塞する栓であ
る。

第１スピンチヤツク２の中心近傍において、上板２ａに
熱電対等の感温センサ５５が埋め込まれ、そのリードｌ
＄５５ａおよびヒータ５３のリード線５３ａが下板２ｈ
を貫通して下方に導出されている。

筒状の回転軸４の上端に外嵌固着された連結筒５６の上
端が第１スピンチヤツク２の下板２ｂに当接され、上板
２ａおよび下板２ｂを貫通する複数のボルト５７によっ
て第１スピンチヤツク２と連結筒５６とが固定されてい
る。

連結筒５６には下板２ｂの真空吸引路２ｆに連通ずる真
空吸引路５６ａが形成されている。５６ｂは栓である。

また、回転軸４の外側には真空吸引路５６ａに連通ずる
真空吸引路４ａを形成するための外筒５８が固着されて
いる。

前記のリード線５３ａ、５５ａは連結筒５６の内側を通
り、回転軸４の内部に通線されている。第１スピンチヤ
ツク２は、基板Ａの大きさによって交換するものであり
、ボルト５７の操作によって第１スピンチヤツク２を連
結筒５６に対して着脱自在に構成しである。

これに伴って、第１スピンチヤツク２から導出されたリ
ード線５３ａ、５５ａも回転軸４に通線されているリー
ド線５９に対して接続分離自在とする必要があり、リー
ド線５３ａ、５５ａとり一ド′Ｊａ５９とがコネクタ６
０によって接続されている。

また、第１スピンチヤツク２の交換に伴ってリフター３
のリフターロッド３ａの位置を調整する必要がある。こ
のため、リフターロッド３ａの下端のネジ部３ｂを昇降
プレート１０の孔１０ａに貫通させナツト６１で固定す
るように構成することによってリフターロッド３ａを着
脱自在なものとしている。

昇降プレート１０には、第６図に示すように、大きな径
の円周上に形成された前記の孔１０ａ以外に、その内側
の小さな円周上に孔ｔａｂを形成し、さらにその内側の
さらに小さな円周上に孔１０ｃを形成しである。これら
の孔１０ａ、１０ｂ、１０ｃは中心に向かって１列に並
んでおり、そのような孔列が６組等配されている。

基板Ａの大きさに応じて第１スピンチヤツク２を交換す
るときに、ナツト６１を外し各リフターロッド３ａの取
り付は位置（孔１０ａ、ＩＱｂ、１０ｃ）を変更するの
である。なお、１０ｄは昇降プレート１０を軽量化する
ための孔である。

次に、軸受部５の構造を第４図および第６図に基づいて
説明する。

軸受部５は、フランジ部６２ａがボルト６３によって第
１処理室１の底板部１ｂに固定された筒状体６２と、筒
状体６２の上部に内嵌されボルト６４によって固定され
た蓋部６５と、筒状体６２の上下２箇所に装着され回転
軸４を軸支するベアリング６６、６７等から構成されて
いる。

蓋部６５には、回転軸４と外筒５８との間の真空吸引路
４ａに連通ずる真空吸引路６５ａが形成され、この真空
吸引路６５ａは図示しない経路を介して図示しない真空
ポンプに接続されている。

次に、第１方法の第２．第３過程あるいは第２方法の第
二〜第四過程を実行する湿式洗浄装置Ｙの構造について
説明する。

第９図は基板の湿式洗浄装置Ｙの全体的な概略構成図で
ある。

第２スピンチヤツク６８を収納する第２処理室６９は、
周壁部６９ａと円錐状の底板部６９ｂと天板部６９Ｃと
から構成されている。天板部６９ｃには窓部６９ｄが形
成されている。

直径方向で対向する状態で基ｖｉ搬入ロア０ａと、基板
搬出ロア０ｂとが第２処理室６９の周壁部６９ａに形成
され、上下スライドにより搬入口１０ａ、ｗＬ出ロアＱ
ｂを開閉するシャッタ７１ａ、７１ｂが設けられている
。シャッタ７１ａ、７１ｂの駆動機構（図示せず）は乾
式洗浄装置Ｘの場合と同様である。

第２処理室６９の周壁部６９ａの外側において、基板搬
入ロア０ａを通して基板Ａを第２処理室６９内に搬入す
る基板搬入機構（図示せず）と、基板搬出ロアＱｂを通
して第２処理室６９から外部に基板Ａを搬出する基板搬
出機構（図示せず）とが、乾式洗浄袋ｆｆＸの場合と同
様に設けられている。これら基板搬入機構と基板搬出機
構の構造は第７図に示したものと同じである。

第２スピンチヤツク６８も水平回転するもので、その回
転軸７２は、鉛直方向に延び、第２処理室６９の円錐状
の底板部６９ｂの中央部を回転自在、かつ、昇降自在な
状態で貫通している。この回転軸７２は図示しないモー
タにより回転され、かつ図示しないエアシリンダによっ
て昇降されるように構成されている。

第２スピンチヤツク６８には直径方向に対向した位置に
高いピン７３ａと低いピン７３ｂとが立設され、その内
側に基板保持用の突起７４が取り付けられている。

第２スピンチヤツク６８について一点鎖線で示した下方
の位置は原点位置である。実線で示した位置は搬入ロア
０ａから搬入されてきた基板Ａを受は取り、また、その
位置から搬出ロア０ｂを通して基板Ａを外部に搬出する
受は渡し位置であるとともに、第２スピンチヤツク６８
の回転を許容する位置でもある。

第２スピンチヤツク６８に対して搬入されてきた基板Ａ
は高いピン７３ａと低いピン７３ｂとの間に落とされ、
突起７４によって載置支持される。第２スピンチヤツク
６８について二点鎖線で示した上方の位置は基板Ａに対
する紫外線照射位置である。

第２処理室６９の窓部６９ｄの上方近傍に第２紫外線照
射ランプ７５が配置され、このランプ７５と窓部６９ｄ
との間にコンデンサレンズ７６が介在されている。

第２スピンチヤツク６８を二点鎖線で示す位置まで上昇
させるのは、基ＦｉＡをできるだけ第２紫外線照射ラン
プ７５に接近させて紫外線エネルギーを有効に基板Ａの
表面に照射するためである。また、コンデンサレンズ７
６を設けて紫外線を集光するのも同じ理由による。

第２処理室６９の周壁部６９ａの上端近傍には、実線位
置にある基板Ａの表面に対して、硫酸と過酸化水素の混
合液等のレジスト剥離液ＲＷを噴射供給するレジスト剥
離液噴射ノズルフッと、同じ実線位置にある基板Ａの表
面に対して純水等の洗浄液ＣＷを噴射供給する洗浄液噴
射ノズル７８とが取り付けられている。底板部６９ｂの
斜面下端には、レジスト剥離液ＲＷ、洗浄液ＣＷを排出
するドレイン７９が設けられている。

また、第２処理室６９の周壁部６９ａの上端には窒素ガ
ス等の不活性ガス導入口８０が配置され、直径方向で対
向した位置に排気口８１が設けられている。

次に、この実施例の基板の乾式洗浄装置Ｘの動作を順を
追って説明する。

初期状態において、既に、位置決控用エアシリンダ５２
が伸長してロックピン５１が円＠４９の凹部４９ａに係
合され、回転軸４．第１スピンチヤツク２の回転が規制
されている。この状態では、各リフターロッド３ａが、
第１スピンチヤツク２の各貫通孔２ｃと位置合わせされ
ている。

また、初期状態において、リード線５９．５３ａを介し
てヒータ５３に通電され、第１スピンチヤツク２が加熱
された状態にある。加熱温度は感温センサ５５による温
度検出に基づいて所定の温度に維持される。その温度は
通常２００℃以上、３００℃以下である。

ピニオンギヤ２３ａを駆動してシャッタ２２ａを下降さ
せ基板搬入口２１ａを開く、他方の基板搬出口２１ｂは
シャッタ２２ｂによって閉塞されている。

蓋体昇降用エアシリンダ１５を伸長させて蓋体１３を上
昇させ、蓋体１３の下面と第１スピンチヤツク２の上面
との間に基板搬入機構２４ａの第２アーム２７が進入し
得る空間を確保する。

基板搬入機構２４ａにおける第２アーム２７に基板Ａを
ｍａｌｌ真空チャックロ２９からの真空吸引によって基
板Ａを保持させる。モータ２５を駆動することにより、
・第１アーム２６．第２アーム２７を変位させて第２ア
ーム２７上の基板Ａを基板搬入口２１ａからハウジング
１′４内に搬入し、第１スピンチヤツク２の真上に基板
Ａがきたタイミングでモータ２５を停止する。

リフター昇降用エアシリンダ４７を伸長させると、リフ
ター３を構成する複数本のリフターロッド３ａが第１ス
ピンチヤツク２の貫通孔２Ｃを通り、その上端部が第１
スピンチヤツク２の上面よりも上方に突出して基板搬入
機ｔＪｉ２４ａの第２アーム２７の高さ位置に達する。

このタイミングで真空チャック口２９からの真空吸引を
解除する。

リフターロッド３ａは引き続き上昇し、第２アーム２７
上の基板Ａを複数本のりフタ−ロッド３ａの上端で受は
取る。

モータ２５を逆方向に駆動して第２アーム２７を基板搬
入口２１ａから退避させ、次いで、ピニオンギヤ２３ａ
を逆転駆動してシャッタ２２ａを上昇させ基板搬入口２
１ａを閉塞する（以上、ステップＳｔに相当）。

リフター昇降用エアシリンダ４７を収縮してリフター３
のりフタ−ロッド３ａをその上端部が第１スピンチヤツ
ク２の下面よりも下方にくるまで退出させる。これは、
後工程での第１スピンチヤツク２の回転の妨げにならな
いようにするためである。

リフターロッド３ａの上端部が第１スピンチヤツク２の
上面位置を通過したときにリフターロッド３ａ上の基板
Ａが第１スピンチヤツク２の上面に移載される。

第１スピンチヤツク２は既にヒータ５３によって所定温
度に加熱されているため、基板Ａは第１スピンチヤツク
２の上面への移載直後から加熱され始める。これによっ
て、基板への表面のレジスト膜が熱分解し始める。この
レジスト膜の熱分解は、次工程でのレジスト膜の分解除
去を促進する（以上、ステップＳ２に相当）。

蓋体昇降用エアシリンダ１５を収縮させて蓋体１３を下
降させ、蓋体１３の閉止用筒体１８の下面を第１処理室
１の上端のバッキング１１に圧着して第１処理室１を密
閉する。

次いで、図外の真空ポンプを駆動して真空吸引路６５ａ
、４ａ、５６ａ、２ｆ、連通路２ｇ、真空吸引路２ｄを
介して基板吸着孔２ｅに負圧をかけ、基板Ａを第１スピ
ンチヤツク２上に吸着保持する。

位置決め用エアシリンダ５２を収縮してロックビン５１
を円板４９の凹部４９ａから離脱し回転軸４をフリーの
状態にする。

次いで、モータ７を回転することにより、ブー１７−８
　、伝動ベルト９．ブー１７−６を介して回転軸４．第
１スピンチヤツク２を回転し、第１スピンチヤツク２に
吸着保持されている基板Ａを回転する。

また、バルブ３１．３４を開き、酸素ボンベ３０からオ
ゾン発生器３５に酸素を供給するとともに、オゾン発生
器３５の電源を投入して供給されてきた酸素をオゾンに
変換し、オゾン導入管３６を介してオゾン導入口１６か
ら蓋体１３の上下の石英製の薄板１３ｄ。

１３ａ間に所要流量のオゾンを供給する。

なお、バルブ３１．３４は常時開けておいて、オゾン導
入口１６ヘオゾンを供給しない間、オゾン排出用の排気
ダクトを設けておいて、そこへオゾンを排出するように
しておいてもよい。

オゾンは、下側の薄板１３ｅに形成されたオゾン拡散孔
１３ｆを介して第１スピンチヤツク２に吸着保持され回
転している基板Ａの表面に供給される。

このオゾン供給と同時に図外のブロワを駆動し排気ダク
ト４１を介して排気チャンバ４０を負圧にし、第１処理
室！内から不測にオゾンが室内に漏れ出すのを防止する
。また、バルブ４４も開けておく（以上、ステップＳ３
に相当）。

次に、第１紫外線照射ランプ１９を点灯して回転中の基
板Ａの表面に対して前記のオゾン供給とともに紫外線の
照射を行う。

照射した紫外線によってオゾンＯ３は活性化された酸素
原子０に分解され、この酸素原子０により基板Ａの表面
のレジスト膜を形成している有機物を酸化し、ＣＯ□、
Ｈ２Ｏ等に変化させて基板Ａから分離除去する。生成し
たＣｏｗ、Ｈ□０等のガスは排気ダクト４３を介して室
外に排出される。

なお、前記酸化反応において、紫外線および熱は有機物
の分解および有機物と活性化された酸素原子Ｏとの結合
を促進する作用がある。

基板Ａを回転しながら紫外線を照射するので、レジスト
膜全面に対する均一な照射が可能である（以上、ステッ
プＳ４に相当）。

また、従来例のように紫外線によって空気中の酸素から
オゾンを発生させるのではなく、最初からオゾンのかた
ちでレジスト膜に対して直接的に供給するから、供給オ
ゾン量が充分でレジスト膜とオゾンとの接触頻度が高く
、レジスト膜の分解除去速度が速くなる。

また、従来例のように第１スピンチヤツク２を上下方向
に揺動させるための機構は不要であり、構造の筒素化に
役立うている。

回転する基板Ａに対してオゾン供給と紫外線照射とを同
時的に行う過程（ステップ３４）で前述のようにレジス
ト膜が次第に分解除去されていく。

その分解除去の程度（レジスト膜の膜厚の減少量）は表
面処理終点検出手段２０からの信号によって監視されて
おり、分解除去が完了したとき（膜厚がほぼゼロになっ
たとき）の表面処理終点検出手段２０からの完了信号に
よってオゾンの供給を停止する。すなわち、オゾン発生
器３５の電源をオフするとともにパルプ３１．３４を閉
止する。

なお、オゾン発生器３５の電源をオフせず、かつパルプ
３１．３４を閉止せず、オゾンの生成を続行して、オゾ
ンを排気するためのオゾン排気ダクトを設け、そこべ排
気するようにしてもよい。

オゾン供給停止の後も紫外線の照射を所要時間にわたり
て継続することにより、基板Ａの表面の界面に残留して
いるレジスト膜を引き続き分解除去する（以上、ステッ
プＳ５に相当）。

前記所要時間の経過後、第１紫外線照射ランプ１９を消
灯する。ただし、ヒータ５３に対する通電は継続してお
く（以上、ステップＳ６に相当）。

次いで、パルプ３８を開けて不活性ガスボンベ３７から
不活性ガス導入管３９を介して不活性ガス導入口１７か
ら蓋体１３の上下の石英製の薄板１３ｄ、　１３ｅ間に
所要流量の不活性ガス（例えば、窒素ガス）を供給する
。

この不活性ガスは、下側の薄板１３ｅに形成されたオゾ
ン拡散孔１３Ｊを介して第１処理室ｌ内に流入し、第１
処理室ｌ内に残留しているオゾンや第１処理室！内で生
成されたｃｏｔ　、Ｈ＊　Ｏ等のガスを排気ダクト４３
を介して室外にパージする（以上、ステップＳ７に相当
）。

次に、蓋体昇降用エアシリンダ１５を伸長させて蓋体１
３を上昇させ、第１処理室１を開放する。そして、モー
タ７の回転を低速に切り換える４図示しない光学式の回
転角センサが回転軸４の下端の円板４９の所定回転位相
を検出したときにモータ７が停止される。これによって
、円板４９の凹部４９ａがロックピン５１に丁度対向す
る位置で停止する（以上、ステップＳ８に相当）。

次いで、基板吸着孔２ｅにかけていた負圧を解除し、基
板Ａに対する吸着保持を解除する。

そして、位置決め用エアシリンダ５２を伸長してロック
ビン５１を円板４９の凹部４９ａに係合して回転軸４．
第１スピンチヤツク２の回転を規制する。

これによって、リフター３を構成する各リフターロッド
３ａが、第１スピンチヤツク２の各貫通孔２ｃと位置合
わせされる。

リフター昇降用エアシリンダ４７を伸長させてリフター
３の複数本のりフタ−ロッド３ａを第１スピンチヤツク
２の貫通孔２ｃを通してその上端部を第１スピンチヤツ
ク２の上面よりも上方に突出させる。すると、第１スピ
ンチヤツク２上の基板Ａが複数本のりフタ−ロッド３ａ
に移載される。

リフターロッド３ａはさらに上昇し、所定の位置で停止
する。

ピニオンギヤ２３ｂを駆動してシャッタ２２ｂを下降さ
せ基板搬出口２１ｂを開（、基＠搬出機構２４ｂにおけ
るモータ２５を駆動することにより、第１アーム２６．
第２アーム２７を変位さセて第２アーム２７、の先端を
リフターロッド３ａに支持されている基板Ａの下方に進
入させ、モータ２５を停止する。

次いで、真空チャック口２９からの真空吸引によって基
板Ａを第２アーム２７に吸着保持させる。

リフター昇降用エアシリンダ４７を収縮してリフターロ
ッド３ａをその上端部が第１スピンチヤツク２の下面よ
りも下方にくるまで退出させる。リフターロッド３ａ、
の下降によっても基板Ａは第２アーム２７に吸着保持さ
れた状態を保つ。

基板搬出機構２４ｂにおけるモータ２５を逆方向に駆動
して第２アーム２７を基板搬出口２１ｂから退避させる
ことにより、基板Ａを乾式洗浄装置Ｘにおけるハウジン
グ１４の外部に搬出する。

次いで、ピニオンギヤ２３ｂを逆転駆動してシャッタ２
２ｂを上昇させ基板搬出口２１ｂを閉塞する（以上、ス
テップＳ９に相当）。

以上の乾式洗浄装置Ｘにおける乾式洗浄過程に引き続い
て、湿式洗浄装置Ｙにおける湿式洗浄過程に移行する。

すなわち、湿式洗浄装置Ｙにおける第２処理室６９内の
第２スピンチヤツク６８は、予め一点鎖線で示す原点位
置で待機している。

図示しないモータを駆動してシャッタ７１ａを下降させ
基板搬入ロア０ａを開く、他方の基板搬出ロア０ｂはシ
ャッタ７１ｂによって閉塞されている。

乾式洗浄装置Ｘから搬出され図示しない基板搬入機構の
第２アーム２７に吸着保持された基板Ａを基板搬入ロア
０ａから第２処理室６９内に搬入し、第２スピンチヤツ
ク６８の真上に基板Ａがきたタイミングでモータ２５を
停止する。

図示しないエアシリンダの駆動によって回転軸７２を上
昇させて第２スピンチヤツク６８を実線位置まで上昇さ
せることにより、高いピン７３ａと低いピン７３ｂとが
基板Ａの外側に位置する状態とする。

そして、真空チャック口２９からの真空吸引を解除し、
基板Ａを突起７４で受は取る。

モータ２５を逆方向に駆動して第２アーム２７を基板搬
入ロア０ａから退避させ、次いで、シャッタ７１ａを上
昇させ基板搬入ロア０ａを閉塞する（以上、ステップＳ
ＩＯに相当）。

ここで、第２方法においては、第２スピンチヤツク６８
の回転によって基板Ａを回転させながらレジスト剥離液
噴射ノズル７７から基板Ａの表面に向けてレジスト剥離
液ＲＷを噴射供給することにより、前段の乾式洗浄装置
Ｘにおける活性化された酸素原子Ｏによるレジスト膜分
解除去では完全に除去されず基板Ａの表面に残留してい
るレジスト膜、あるいは、乾式洗浄過程出手段けるレジ
スト膜分解除去を意図的に途中段階までとして基板Ａの
表面に残留させたレジスト膜を、湿式方式によって実質
的に完璧に近い状態まで剥離除去する（以上、ステップ
５１０−１に相当）、所要時間が経過するとレジスト剥
離液ＲＷの供給を停止する（以上、ステップ５ＩＯ−２
に相当）。

この場合、レジスト剥離液ＲＷとしては、例えば、８０
℃以上の硫酸と過酸化水素との混合液を使用したり、硫
酸以外の物質（例えば、アンモニア）と過酸化水素との
混合液を使用したりする。

第１方法においては、このレジスト剥離液ＲＷの供給は
行わない。

そして、第１方法においては、基板搬入機構の第２アー
ム２７を第２処理室６９から退出させ、シャッタ７１ａ
で基板搬入ロア０ａを閉塞（ステップ５ＩＯ）した後、
また、第２方法においては、レジスト剥離液ＲＷの供給
を停止（ステップ５ＩＯ−２）した後、次の湿式洗浄過
程に進む。

すなわち、第２スピンチヤツク６８の回転続行によって
基板Ａを回転させながら洗浄液噴射ノズル７８から基板
Ａの表面に向けて洗浄液ＣＷを噴射供給することにより
、基板Ａを１次的に洗浄処理する（以上、ステップＳｌ
ｌに相当）、所要時間が経過すると洗浄液ＣＷの供給を
停止する（ステップＳＬ２に相当）。

なお、この湿式洗浄過程においては洗浄液ＣＷとして純
水を噴射供給するのが普通であるが、必要に応じて、純
水を噴射供給する前に、アンモニアと過酸化水素と純水
の混合液を基板Ａの表面に噴出供給し、洗浄液噴射ノズ
ル７８に周波数が８００ｋＨｚ以上の超音波振動を与え
ることにより、換言すれば、アンモニアと過酸化水素と
の混合水溶液によるいわゆるメガソニック洗浄を行うこ
とにより、基板Ａの表面に残留している微細粒子をも確
実に洗浄除去することができる。

次いで、回転軸７２を上昇することにより第２スピンチ
ヤツク６８とともに基板Ａを上方の二点鎖線で示す位置
まで上昇させる。そして、第２紫外線照射ランプ７５を
点灯して回転中の基板Ａの表面に対して紫外線の照、射
を行う、この紫外線はコンデンサレンズ７６によって集
光されエネルギー密度が高められた状態で基板Ａに照射
される。

紫外線の中心波長は、１８４．９μｍであり、金属粒子
等の無機物を活性化する。紫外線の波長が短いほどエネ
ルギーが大きくなるので、短い波長が好ましい、また、
均一照射のためには基板Ａを回転させるのが良い。

なお、不活性ガス導入口８０から窒素ガス等の不活性ガ
スを第２処理室６９内に導入することにより、紫外線で
活性化された酸素原子Ｏ等の気体を排気口８１より外部
に排出するのが好ましい（以上、ステップＳ１３に相当
）。

なお、上記（ステップ５１３）において、基板Ａの表面
に付着した無機質イオンの結合力以上のエネルギーを与
えることができる場合には、上昇によって基板Ａを第２
紫外線照射ランプ７５に近接させたり、コンデンサレン
ズ７６によって紫外線を集光したりする必要はない。

所要時間が経過すると紫外線の照射を停止する（ステッ
プＳ１４に相当）。

基板Ａの回転を継続したままで回転軸７２を下降させ、
第２スピンチヤツク６８とともに基板Ａを実線位置まで
下降させる。なお、−旦、基板Ａの回転を停止させてか
ら回転軸７２を下降させ、それから回転させてもよい。

そして、洗浄液噴射ノズル７８から純水を基板Ａの表面
に向けて噴射供給することにより、基板Ａの表面に残留
している金属粒子等の無機物を洗浄除去する。この洗浄
過程において、必要に応じて洗浄液噴射ノズル７８に超
音波振動子を付設しておき、８００　ｋ　）ｌｘ以上の
周波数の超音波振動を純水に付加して洗浄効率を高める
ようにしてもよい。

なお、この洗浄過程中においても紫外線を照射し続ける
と、水が分解した水酸化イオンと、基板Ａの表面の無機
質イオン、例えば、ナトリウムイオンとが結合して水酸
化ナトリウムとなるため、純水によって除去すること、
あるいは、第２スピンチヤツク６８の回転によって除去
することが一層効果的となる（以上、ステップＳ１５に
相当）。

次に、第２スピツチヤツク６８を高速回転させることに
より基板Ａに大きな遠心力を働かせ、基板Ａの表面に付
着している洗浄液、純水を吹き飛ばして基板Ａを乾燥さ
せる（スピンドライ）。

このスピンドライの過程では、乾燥用赤外線ランプ、特
にシリコンウェハが吸収しやすい１．２　ａｍの波長域
の赤外線を照射したり、第２処理室６９を減圧したりす
ることにより乾燥速度を速めることが好ましい０回転乾
燥過程によって、レジスト膜内にめり込んでいた無機物
はもとよりレジスト。

膜内に広く分散混入していた金属粒子等の無機物をも洗
浄除去することができる（以上、ステップ５１６に相当
）。

以上のように、乾式洗浄装置Ｘにおいて基板Ａの表面の
レジスト膜を分解除去し、湿式洗浄装置Ｙにおいて無機
物を洗浄除去することが効果的に行われる。

なお、第１図または第２図のフローチャートにおいて、
ステップＳ４とステップＳ５のいずれか一方を省略して
実施する場合も本発明に含まれる。

また、第２処理室６９の上方から基板Ａを吊り下げ、基
板Ａの下方から゛レジスト剥離液ＲＷ、洗浄液ＣＷを噴
射供給してもよい、第１．第２スピンチャック２．６８
のチャックの構造としては、真空吸着方式のほか、挟持
ピンによる挟持その他の構造であってもよい。

第２スピンチヤツク６８を第２紫外線照射ランプ７５に
近接させるために第２スピンチヤツク６８を昇降自在と
しであるが、乾式洗浄装置Ｘにおけるのと同様に第２紫
外線照射ランプ７５の方を昇降自在としてもよい。

また、乾式洗浄装置Ｘと湿式洗浄装置Ｙとを並設するの
ではなく、乾式洗浄装置ｆｘ自体において、蓋□体１３
にレジスト剥離液噴射ノズル７７や洗浄液噴射ノズル７
自を設け、レジスト膜の分解除去後、蓋体１３が上昇し
た段階で基板Ａの表面にレジスト剥離ｆｉＲＷ、洗浄＠
ＣＷを噴射するように構成してもよい。

また、第１紫外線照射ランプ１９を充分に冷却すること
ができるのであれば、２枚の石英製の薄板１３ｄ、１３
ｅのうち上側の薄板１３ｄを省略し、オゾン導入口１６
．不活性゛ガス導入口１７を透明板１３ｂと下側の薄板
１３ｅとの間に配置してもよい。

さらに、下側のｌ板１３ｅも省略するとともに、紫外線
照射ランプ１９を複数本水平方向に列設し、かつそれら
の紫外線照射ランプ１９と透明板１３ｂとの間にオゾン
導入口１６および不活性ガス導入口１７を配置すること
によって、紫外線照射ランプ相互間のスリット状の隙間
から、オゾンや不活性ガスを供給するようにしてもよい
、こうすることにより、オゾン導入口１６から基板Ａま
での距離および紫外線照射ランプ１９と基板Ａとの距離
が短くなり、レジスト膜を分解除去する効率を高められ
る。

レジスト膜を分解除去する際のレジスト膜の膜厚の変化
を検出する他の手段として、レジスト膜を透過する波長
の光を基板に照射し、その反射光または透過光の強度を
検出し、その時間的変化の基準周期をもった成分の基準
周期に応じた時間差分値を求め、それを所定の闇値と比
較し、その結果に基づいてレジスト膜除去終了点を検知
する手段を挙げることができる。

レジスト膜の膜厚の大小に応じて、オゾン供給量を自動
的に調整するように構成すれば、レジスト膜の分解除去
時間を膜厚変化にかかわらず、常にほぼ一定にすること
ができる。

上記実施例では、リフターロッド３ａを第１スピンチヤ
ツク２の上下にわたって昇降するのに、第１スピンチヤ
ツク２に貫通孔２Ｃを形成したが、貫通孔２Ｃに代えて
切欠き溝を形成してもよい。

〈発明の効果〉 本発明の第１の基板のレジスト除去洗浄方法によれば、
次の（イ）〜（ハ）の効果が発揮される。

（イ）基板の表面に対しオゾン供給または紫外線照射の
少なくともいずれか一方を行うことにより基板表面のレ
ジスト膜を分解除去する第１過程の後に、基板表面の無
機物を洗浄除去する第２過程と、基板上の洗浄液を液切
り乾燥する第３過程を行うから、レジスト膜内にめり込
んでいた無機物やもともとレジスト中に分散混入してい
た金属粒子等の無機物は、第１過程においてレジスト膜
が分解されることにより基板表面に露出させておいてか
ら、それを洗浄除去する第２過程を行うので、きわめて
効果的に除去できる。

すなわち、レジスト膜やレジスト膜に付着していた無機
物の他に、レジスト膜内にめり込Ａ、でいた無機物や、
もともとレジスト中に分散混入していた金属粒子等の無
機物まで、きわめて効率良く除去することができる。

（ロ）前記第１過程は、基板を加熱するとともに基板を
回転させるから、レジスト膜の分解除去を短時間、かつ
、基板表面の全面にわたって均一に行うことができる。

（ハ）前記第３過程は、基板を高速回転させ遠心力によ
って基板上の洗浄液を吹き飛ばすので基板の乾燥を高速
度に行える。

また、本発明の第２の基板のレジスト除去洗浄方法によ
れば、上記（イ）〜（ハ）に加えて、次の（ニ）の効果
が発揮される。

（ニ）第一過程（上記の第１過程と同じ）の乾式のレジ
スト膜分解除去によってもなお基板表面に残留した、ま
たは残留させたレジスト膜を、レジスト剥離液の供給に
よって湿式で剥離除去する過程（第二過程）を含むこと
から、レジスト膜の分解除去を実質的に完璧に近いもの
とできるとともに、その結果として、レジスト膜に付着
していた無機物、レジスト膜内にめり込んでいた無機物
、もともとレジスト中に分散混入していた金属粒子等の
無機物の除去を一層効率良（行うことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第９図は本発明の実施例に係り、第１図は
第１の基板のレジスト除去洗浄方法のプロセスの一例を
示すフローチャート、第２図は第２の基板のレジスト除
去洗浄方法のプロセスの一例を示すフローチャート、第
３図は乾式洗浄装置の全体的な概略構成図、第４図は乾
式洗浄装置の要部の拡大断面図、第５図は第４図におけ
る■−Ｖ線矢視の平面図、第６図は第４図におけるＶ［
−■線矢視の断面図、第７図は基板搬入機構、基板搬出
機構の斜視図、第８図はスピンチャックのロック機構を
示す平３面図、〜第９図は湿式洗浄装置の概略構成図で
ある。 第１θ図は従来例について問題点を指定するための説明
図である。 Ａ・・・基板 ＣＷ・・・洗浄液 ＲＷ・・・レジスト剥離液 Ｘ・・・乾式洗浄装置 Ｙ・・・湿式洗浄装置 １・・・第１処理室 ２・・・第１スピンチヤツク １６・・・オゾン導入口 １９・・・第１紫外線照射ランプ ３５・・・オゾン発生器 ５３・・・ヒータ ６８・・・第２スピンチヤツク ６９・・・第２処理室 ７５・・・第２紫外線照射ランプ ７７・・・レジスト剥離液噴射ノズル ７Ｂ・・・洗浄液噴射ノズル 出願人　大日本スクリーン製造株式会社代理人　弁理士
　　　杉　谷　　　勉 第 図 ０ａ 第 図 第 図 ９ａ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板を回転させながら加熱した状態で基板の表面
   に対しオゾン供給または紫外線照射の少なくともいずれ
   か一方を行うことにより基板表面のレジスト膜を分解除
   去する第１過程と、 第１過程の後に、基板を回転させながら基板表面に洗浄
   液を供給することにより基板表面の無機物を洗浄除去す
   る第２過程と、 基板の高速回転により基板上の洗浄液を液切り乾燥する
   第３過程 とを含むことを特徴とする基板のレジスト除去洗浄方法
   。
2. （２）基板を回転させながら加熱した状態で基板の表面
   に対しオゾン供給または紫外線照射の少なくともいずれ
   か一方を行うことにより基板表面のレジスト膜を分解除
   去する第一過程と、 第一過程の後に、基板を回転させながら基板表面にレジ
   スト剥離液を供給することにより基板表面の残留レジス
   ト膜を剥離除去する第二過程と、第二過程の後に、基板
   を回転させながら基板表面に洗浄液を供給することによ
   り基板表面の無機物を洗浄除去する第三過程と、 基板の高速回転により基板上の洗浄液を液切り乾燥する
   第四過程 とを含むことを特徴とする基板のレジスト除去洗浄方法
   。