JPS61212375A - 洗浄装置 - Google Patents

洗浄装置

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Publication number
JPS61212375A
JPS61212375A JP5229785A JP5229785A JPS61212375A JP S61212375 A JPS61212375 A JP S61212375A JP 5229785 A JP5229785 A JP 5229785A JP 5229785 A JP5229785 A JP 5229785A JP S61212375 A JPS61212375 A JP S61212375A
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JP
Japan
Prior art keywords
cleaning device
cleaned
dust
wet
organic
Prior art date
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Pending
Application number
JP5229785A
Other languages
English (en)
Inventor
舟田 隆一
勇 秋葉
誠司 藤倉
大越 智義
小野瀬 章夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP5229785A priority Critical patent/JPS61212375A/ja
Publication of JPS61212375A publication Critical patent/JPS61212375A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【発明の利用分野〕 本発明は洗浄装置、例えば半導体部品等の表面に付着し
た有機物と無機物とが混在した塵埃を除去するのに好適
な洗浄装置に関する。
[発明の背景] 従来の洗浄装置としては、持分58−15939号公報
に示されているように被洗浄物に付着したホトレジスタ
(塵埃)をオゾンにて除去する乾式洗浄装置が公知であ
る。
しかし、この洗浄装置は、塵埃が有機物と無機物とが混
在する場合には無機物を除去する効果がほとんどなく、
しかも無機物の背面に入り込んだ有機物の除去が十分に
行えないという欠点があった。さらに、被洗浄物の雰囲
気による再汚染、及び被洗浄物の搬入出の際のオゾン、
汚染空気の流出等に対する配慮がなされていなかった。
一方、洗浄槽内の水中に被洗浄物を浸し、この洗浄槽に
超音波振動子を取付け、この振動子を振動させることに
よって水を振動させ、これによって被洗浄物表面の塵埃
を遊離して除去する湿式超音波洗浄装置も公知である。
しかし、この湿式超音波洗浄装置では、被洗浄物表面の
大きな塵埃、主として無機物の塵埃しか除去できないも
のであった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、有機物と無機物とが混在する塵埃でも
十分に除去できる洗浄装置を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明は、主として無機物の塵埃を除去するための湿式
洗浄装置と、主として有機物の塵埃を除去する乾式洗浄
装置とを結合し、被洗浄物が両者洗浄装置とすると共に
、前記湿式洗浄装置でまず無機物の塵埃を除去した後に
前記乾式洗浄装置で有機物の塵埃を除去するように前記
搬送手段を構成したものである。
かかる本発明の洗浄装置によれば、湿式洗浄装置と乾式
洗浄装置とが結合され、且つ搬送手段が組込まれている
ので、単一洗浄装置として有機物および無機物の双方の
塵埃を除去することができ、夫々別個の装置を使用者が
組合わせて使用する面倒がない。その上、湿式洗浄装置
でまず無機物の塵埃を除去するので、無機物の背面にか
くれてぃた有機物の塵埃が露出することになり、乾式洗
浄装置における有機物の塵埃を十分にオゾン奪雰囲気に
包むことができると共に加熱することができ。
これによって有機物と無機物とが混在する塵埃の除去性
能が飛躍的に向上する。しかも、湿式洗浄装置にて被洗
浄物が濡れるので、その乾燥手段を必要とするが、乾式
洗浄装置の加熱手段にて一部或いは全部が兼用できる。
従って、洗浄装置の小形化或いは簡易化を図ることがで
きる。
さらに、乾式洗浄装置においては、清浄空気が層状に上
方から下方へ移行するため、被洗浄物の再汚染もなく、
清洗空気吐出流量をシャッタ開閉と合わせて制御するこ
とにより、装置外へのオゾン及び有機物分解ガス等流出
を防止できる。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を第1図〜第9図により説明す
る。この洗浄装置1は、第1図および第2図から明らか
なように、ローダ2.湿式洗浄装置3.乾式洗浄装置4
.検査装置5.アンローダ6を順に結合して1つの装置
としたものである。
被洗浄物9は第2図矢印の順に搬送手段にて移動する。
第2図のように清浄空気Aは被洗浄物9の移動方向と逆
方向に流れるようになっている。清浄空気Aは各装置6
,5,3,2にお′ける被洗浄物9の上方から下方へ順
次・分岐して各装[f6゜5.3,2から発生する塵埃
が被洗浄物9に付着しないように配慮されている。又清
浄空気Aは洗浄装置1内を送られる際に徐々に汚染され
るが被あり、順方向に流す場合に比較して被洗浄物9の
洗浄を大幅に良好にできる。この洗浄空気Aは、乾式洗
浄装置4をバイパスするようになっている乾式洗浄装置
4には、別の清浄空気Bを送り込むようになっており、
被洗浄物9に付着した塵埃が分解除去され、炭酸ガスと
水蒸気に変化しそれを直ちに装置4外へ排出し、次工程
へ塵埃が送られないようになっている。清浄空気Bの代
りに酸素ガスを送り込んでも良く、酸素ガスを送り込め
ば装置4にてオゾンの発生を助ける作用をする。
被洗浄物9は例えば第3図に示すようにステンレス製の
搬送トレイ12上に加工片9aを載せた状態で洗浄装置
1内に送り込まれる。搬送トレイ12は真空引穴12a
と液抜穴12bと被洗浄物位置決め用ビン12cを有し
ている。被洗浄物9は内外周2列に等間隔で配置される
。第3図は加工片96aを2行分だけ取付けた状態を示
し、他は省略しであるが実際には全周にわたって取付け
である。加工片9aを載置した搬送トレイ12は。
第4図に示すようにラック13に多段に積載されてロー
ダ2の昇降テーブル2aを介して搬送コンベア2bに順
次載置され搬送コンベア2bで搬送回転テーブル7aと
の受渡し位置へ移送される。
搬送回転テーブル7aはトレイ12を受は取り、回転モ
ータ8にて180°回転し湿式洗浄装置3へ送り込む、
この搬送回転テーブル7aは回転モータ8の回転角度を
制御してやることにより360゜内のどの角度にでも設
定することができるため、搬送方向を自由に定めること
が可能である。したがって各装置2,3,4,5.6を
ユニット構造にしてやることで設置場所に応じた単一洗
浄装置を構成することが可能である。本実施例は一直線
状に構成された場合でありこの他、U字形、L字形など
自由なレイアウトが選べる。
第5図の湿式洗浄装置3は中央にテーブル5aを有して
おり、そのテーブル5a上に載置された被洗浄物9は、
液体を使用し、ブラシスクラバ′  − したのち、N2 ガスをブローノズル5dより被洗浄物
9に噴射することにより被洗浄物9を乾燥する。テーブ
ル5aには搬送用トレイ12の真空引穴12aに合致す
る真空引穴12aが設けられておりこの真空引穴12a
を介して真空を引いて加工片9aをトレイ12ごとテー
ブル5aに固定させている。
ここで、被洗浄物9が半導体ウェハのごとき場合は、テ
ーブル5a上に真空吸着すべき加工溝を別途施すことに
より本実施例の装置にて洗浄に供することができる。こ
の湿式洗浄装置3での洗浄が終了すると、真空引を止め
て被洗浄物9を次の搬送回転テーブル7bへ載置し、乾
式洗浄装置4へ移送する(搬送回転テーブル7a、7b
y 7c。
7dは同一機構を有している)。搬送回転テーブル7b
によって送られてきた被洗浄物9は、回転アーム11の
先端に載置され1回転アーム11が回転して被洗浄物9
はまず、前室6aに送る。前室6aの入口と出口にはシ
ャッタ6b、6cが設けられており被洗浄物9が通過す
る時のみ開く。
この前室6aは水室6dにて発生したオゾンおよび酸素
ラジカルが湿式洗浄装置3へ流出しないようにするため
である0回転アーム11は、さらに回転し被洗浄物9を
水室6d内へ送り込む、水室6d内には紫外線ランプ6
eと赤外線ランプ6fがあり、各ランプ端子部やコネク
ター等の劣化を防止する意味で洗浄室から分離されたエ
リア21a。
21bが設けられている。赤外線ランプ6fで被洗浄物
9表面の有機物塵埃を加熱しながら紫外線ランプ6eの
照射する紫外線で発生するオゾンで有機物塵埃を化学的
に除去する。この時に無機物の塵埃は前工程で除去され
ているので有機物の塵埃を効率よく確実に除去すること
ができる。有機物の除去が完了すると、被洗浄物9は回
転アーム18によってシャッタ6gを経て後室61に移
送され、水室6dより後室61に流れ出たオゾン。
酸素ラジカルを除去したのち、シャッタ6hを経て搬送
回転テーブル7cへ載置される。乾式洗浄装置4の構成
は第9図に示すが1本体は、前記し゛た−に前室6a、
木霊6d、後室6hに分割されており、清浄空気Bが通
る流路、例えば水室6dでは流路25.後室6hでは流
路24が設けられている。
清浄空気Bは各流路を通り、吐出壁22に開けられた小
孔23から層状に流出し1例えばC,D。
E、Fのごとく被洗浄物9の表面を流れる様に流出しな
がら、各洗浄室底面に設けられた排気孔26a、26b
、26cがら、オゾンや有機物分解ガス、例えば炭酸ガ
ス、水蒸気等を伴なったガスGHIとして排出される5 また、被洗浄物9が前室6aに搬入する際、及び後室6
hから次の工程へ搬出される際、シャッター6b、6h
を開ける前に、清浄空気Bの前室6a、後室61内での
吐出流量を適宜ある時間だけ、増やすことにより、乾式
洗浄装置4の外部にオゾンや汚染空気を流出させないこ
とが可能となる。被洗浄物9は、搬送回転テーブル7c
により検査装置5へ載置される。検査装置5は、顕微鏡
5a、モニタカメラ5b、モニタ5cなどから成ってお
り、検査結果をモニタ5cに表示する。検査終了後、搬
送回転テーブル7dで搬送コンベア6aに載置しラック
10内の順次積重ねる。
このように各装置をユニット化し搬送用回転テブル7a
、7b、7c、7dで結合することにより自由な構成で
なおかつ設置場所に応じたレイアウトが可能となる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、乾式洗浄において、清浄空気を層状に
被洗浄物表面を通過させることができるので、被洗浄物
の再汚染を防止でき、また時間的に清浄空気流出量を制
御するので1発生したオゾン及び有機物分解ガスを乾式
洗浄装置外部へ流出させ洗浄装置の置かれた雰囲気を汚
すことなく。
かつ流出オゾンによる機械9人体への影響がない等の効
果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明洗浄装置の全体概略構成図、第2図は同
洗浄装置の搬送図、第3図はトレイ斜視1・・・洗浄装
置、2・・・ローダ、3・・・湿式洗浄装置。 4・・・乾式洗浄装置、5・・・検査装置、6・・・ア
ンローダ、9・・、被洗浄物、22・・・吐出壁、23
・・・吐出孔。 26 a 、 26 b 、 26 c −排気孔。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、被洗浄物に付着した塵埃を液体を介して除去する湿
    式洗浄装置と、被洗浄物に付着した塵埃を加熱およびオ
    ゾンにて除去する乾式洗浄装置とを結合し、前記湿式洗
    浄装置から前記乾式洗浄装置へ被洗浄物を搬送する搬送
    手段とを組込んでこれらを一つの装置に纒めてなる洗浄
    装置において、乾式洗浄装置内部に、清浄空気の吹出口
    及び排出口を設け、該装置内部を洗浄空気が層状に移動
    する様にしたことを特徴とする洗浄装置。 2、該洗浄装置の内、乾式洗浄装置において吐出する清
    浄空気量に時間的な差を設けることを特徴とした特許請
    求の範囲第1項記載の洗浄装置。
JP5229785A 1985-03-18 1985-03-18 洗浄装置 Pending JPS61212375A (ja)

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JP5229785A JPS61212375A (ja) 1985-03-18 1985-03-18 洗浄装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP5229785A JPS61212375A (ja) 1985-03-18 1985-03-18 洗浄装置

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JPS61212375A true JPS61212375A (ja) 1986-09-20

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ID=12910859

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JP5229785A Pending JPS61212375A (ja) 1985-03-18 1985-03-18 洗浄装置

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JP (1) JPS61212375A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01146330A (ja) * 1987-12-02 1989-06-08 Res Dev Corp Of Japan シリコン固体の表面清浄化方法
JPH02315A (ja) * 1987-11-28 1990-01-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板のレジスト除去洗浄方法
US5135608A (en) * 1989-07-11 1992-08-04 Hitachi, Ltd. Method of producing semiconductor devices

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JPH01146330A (ja) * 1987-12-02 1989-06-08 Res Dev Corp Of Japan シリコン固体の表面清浄化方法
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