JP3629386B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示パネルやプラズマ表示パネルなどの製造に用いるガラス基板、半導体ウエハ、半導体製造装置用のマスク基板、プリント基板などの各種基板の表面に対して、純水、洗浄薬液、現像液、剥離液などの各種処理液を供給して各種のウエット処理を施すための基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えばフォトリソグラフィのプロセスにおいては、処理すべき基板の表面を洗浄し、フォトレジストの被膜を形成し、露光し、現像し、エッチングし、剥離する等の各種プロセス処理を施す。かかる基板処理を行なうための装置の一例が、特開平4−303934号公報に開示されている。この装置は、基板を所定のボックス内を通過させ、ボックス内に設けたパイプから洗浄液を基板に供給するとともに、基板がボックスを通過するための開口を基板に近接させることでボックスからの処理液の流出を抑制し、ボックス内を処理液で満たそうとするものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
上記公報に記載の装置では、ボックスの開口を基板に近接させてボックスからの処理液の流出を抑制しようとしているが、開口と基板との間隔を基板の全幅にわたって十分に狭くかつ一定の間隔に保つことは困難であり、特に基板が大型のものである場合には著しく困難であった。また、この間隔が十分に狭くできない場合にはその隙間を液で満たすことができず、その隙間からミスト状になった処理液がボックス外に飛散してしまって再利用できなくなり、処理液が無用に消費されてしまったり、またミスト状の処理液が基板に再付着して基板を汚染したりする不都合がある。本発明は簡単な構造でかつミスト状の処理液の飛散を防止できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明は、基板を基板進行方向に向かって左右の一端が水平に対して低くなる傾斜姿勢に支持してその傾斜姿勢を保った状態で搬送する搬送機構と、搬送機構により搬送される基板の一方の表面に対して処理液を供給する処理液ノズルと、前記基板の前記一方の表面のうち前記処理液ノズルからの処理液が供給される領域を覆う覆い部材と、前記覆い部材の前記基板に近い位置に当接されて、当該基板の表面に沿うように設けられたつば部と、前記基板と前記つば部との間に、前記基板の傾斜方向上側から液を供給する副ノズルとを備えたことを特徴とする基板処理装置である。
【0005】
請求項1において、前記副ノズルは、前記処理液ノズルから供給する処理液と同じ処理液を供給するものであってもよい。
【0006】
請求項1または2において、前記搬送機構により搬送される基板の位置をはさんで前記処理液ノズルと対向するように設けられ前記基板の他方の表面を覆う第2の覆い部材をさらに備えていてもよい。
【0007】
請求項3において、前記第2の覆い部材の前記基板に近い位置に当接されて、当該基板の他方の表面に沿うように設けられたつば部を更に備えていてもよい。
【0008】
請求項1ないし4のいずれかにおいて、前記つば部は、前記覆い部材に対して移動自在に設けられていてもよい。
【0009】
請求項5において、前記つば部は、前記覆い部材に対して開閉移動自在に設けられていてもよい。
【0010】
請求項1ないし4のいずれかにおいて、前記つば部は、前記覆い部材に対して着脱自在に設けられていてもよい。
【0011】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を図面を用いて詳細に説明する。図1は本発明に係る基板処理装置の第1実施形態の要部の概略構成を示す模式的断面図である。この基板処理装置は、角型のガラス基板W(以下、単に基板Wと称する)を若干の傾斜姿勢として図中左から右へ向って水平方向にローラコンベア1で搬送しつつ、処理液として剥離液を供給して基板Wに対して剥離処理を施し、かつ当該処理後に純水を供給して洗浄処理する剥離装置である。この基板Wは、フォトレジストの被膜形成、露光、現像、エッチング等のプロセス処理を経て、その表面に剥離すべきフォトレジストの被膜が付着しているものである。なお、図示は省略しているが、さらにその後に基板Wに乾燥空気を供給するかまたは基板Wを回転させるなどして乾燥処理する乾燥処理部が、図1の右方に設けられる。この基板処理装置は、剥離液により処理を施す剥離処理部と、洗浄処理を施す洗浄処理部と、乾燥処理を施す乾燥処理部とからなるが、図1では剥離処理部Cと洗浄処理部Dのみを示す。
【0012】
基板Wに対して剥離処理を施すための剥離処理室2および基板Wに対して洗浄処理を施すための洗浄処理室4は、室構成体3により区画形成される。また、室構成体3には、基板Wを剥離処理室2および洗浄処理室4へ搬入搬出するための開口5が形成され、その開口5を介して基板Wを剥離処理室2へ搬入し、さらに洗浄処理室4へ搬入し、洗浄処理室4から搬出するためのローラコンベア1が設けられている。ローラコンベア1は、基板Wを進行方向(図1中で右向き)に向って水平に対して右下がりになるように若干傾斜させた姿勢で支持し、その傾斜姿勢を保った状態で基板Wをその板面に沿って水平方向に搬送して、処理室外から剥離処理室2および洗浄処理室4を通過させて再度処理室外へ搬出する。
【0013】
剥離処理室2内には、ローラコンベア1によって支持され搬送される剥離処理室2内の基板Wに対して処理液を低圧又は高圧で供給して処理を行なう処理ツール10が2つ、基板搬送方向に縦列に設けられている。この処理ツール10の詳細な構造については後述する。剥離処理室2において、剥離液タンク18は剥離処理室2の下方の開口15と配管接続され、開口15から排出される剥離液は剥離液タンク18に受け入れられて貯溜される。剥離液タンク18には、貯溜している剥離液を所定温度に保つための温度調節機構14が付設されている。また、剥離液タンク18は、ポンプ19、流量調整可能な開閉弁22及びフィルタ23を介して処理ツール10に設けられているノズル56に配管接続されている。ポンプ19はインバータ20の出力によって駆動され、インバータ20の出力は制御装置21によって制御される。ポンプ19は、制御装置21によってインバータ20の周波数を制御することにより、ノズル11側に向けた吐出圧力を低圧と高圧とに任意に切り替えて駆動制御可能となっている。これにより、処理ツール10に設けられる上記ノズルは、ローラコンベア1上に支持された基板Wに対して剥離液を低圧又は高圧で供給可能となっている。
【0014】
また、剥離処理室2内のローラコンベア1の両端近く、すなわち両方の開口5近くの位置にはローラコンベア1上の基板Wの有無を検出して信号を出力するセンサ16、17が設けられている。センサ16、17は制御装置21に接続されており、基板Wがローラコンベア1上をセンサ16、17のところまで搬送されてくると、制御装置21は当該センサ16、17からの出力信号によりそれを検知する。また、ローラコンベア1は後述のように制御装置21によってその動作が制御されるが、ローラコンベア1のうち、特に剥離処理室2内に位置する部分には他の部分とは独立した駆動源として可逆転モータ(図示せず)が使用され、ローラコンベア1に乗せられて運ばれてきた基板Wを剥離処理室2内でセンサ16とセンサ17との間に設けられている2つの処理ツール10内を周期的に往復移動させることができる。
【0015】
洗浄処理室4には、剥離処理室2からローラコンベア1により運ばれてきた基板Wの上下両面に対して純水をスプレー状で供給して洗浄するためのノズル24が、ローラコンベア1の上下に設けられている。純水供給源29からの純水はポンプ30によって加圧され、流量調整可能な開閉弁31及びフィルタ32を介してノズル24に配管26にて接続されている。なお、洗浄処理室4の上部には、周囲の下降気流を清浄にして取り入れるためのフィルタ33が設けられている。また、洗浄処理室4の下部には、取り入れた下降気流を排出するとともに使用後の純水を排出するための開口34が形成されている。
【0016】
図2は処理ツール10を示す斜視図、図3は処理ツール10を示す図2中のX矢視図、図4は処理ツール10を示す断面図である。処理ツール10は、ローラコンベア1により搬送される基板Wの一方の表面すなわち上面を覆う第1の覆い部材51と、その第1の覆い部材51に対して基板Wの搬送位置をはさんで対向して基板Wの他方の表面すなわち下面を覆う第2の覆い部材52とを備える。第2の覆い部材52は後述するノズル56と対向するように配置されており、各覆い部材51、52は、ローラコンベア1の幅方向に長く、搬送される基板Wの幅全体を覆う大きさとなっており、また各覆い部材51、52の基板Wと対向する面51A、52Aは、搬送される基板Wとほぼ平行になるよう形成されている。そして、第1の覆い部材51と第2の覆い部材52とは、その側面60も閉塞されて、基板Wの入口61と出口62の部分および後述する排出口53を除いてほぼ閉塞した容器50を構成しており、ローラコンベア1によって搬送される基板Wはその容器50を通過するように搬送される。
【0017】
第1の覆い部材51の上部に位置する前記面51Aの外側には、その幅方向略全体にわたって処理液供給パイプ54が取り付けられている。処理液供給パイプ54には、第1の覆い部材51に覆われた状態となる基板Wの上面に対して処理液を供給するノズル56が、基板Wの上面にそって複数設けられている。ノズル56は前記面51Aに形成された開口58を介して第1の覆い部材51の内側に突出して基板Wの上面側にのぞんでいる。また、ノズル56は、剥離液が高圧で供給されたときには基板Wに対しても高圧スプレー状で剥離液を供給する高圧スプレーノズルであるが、剥離液が低圧で供給されたときには、基板Wに対しても低圧スプレー状で供給するものである。容器50内にはローラコンベア1を構成するローラが2つ設けられているが、ノズル56はその吐出された処理液のスプレーの中心が、その2つのローラの間をほぼ通過するように設けられている。なお、図中1Aはローラコンベア1のローラの軸である。また、ノズル56としては、基板W幅方向の処理ムラが発生しないように、このように同じノズル56を基板W幅方向に複数設けるか、あるいは基板W幅方向に長いものを使用することが好ましい。
【0018】
前記容器50の入口61と出口62の部分には、第1の覆い部材51の基板W側端部すなわち下側端部に、搬送される基板Wの上面に沿うようにその基板Wと平行に張り出したつば部64が取り付け固定されて設けられている。また、前記容器50の入口60と出口61の部分には、第2の覆い部材52の基板W側端部すなわち上側端部に、搬送される基板Wの下面に沿うようにその基板Wと平行に張り出したつば部66が取り付け固定されて設けられている。さらに、前記容器50の入口60と出口61の部分には、前述した搬送中の基板Wの傾斜方向の上側に、前記基板Wの上面とつば部64との間に処理液を供給する副ノズル68が設けられている。副ノズル68は、つば部64の張り出し長さ全体とほぼ同じ長さの吐出口を有してその張り出し長さ全体に渡って処理液を供給するスリットノズルよりなる。なお、剥離液タンク18からノズル56への処理液供給は、ポンプ19や開閉弁22、フィルタ23を備えた液供給機構で行なっているが、剥離液タンク18から副ノズル68への処理液供給も、これと同様の液供給機構(図示省略)を別途独立して設けて行なっている。処理液供給パイプ54には処理液供給用の供給口55が、副ノズル68には供給口69がそれぞれ設けられる。また基板Wの傾斜方向下側の側面60には、容器50内を基板Wの傾斜に沿って流れてきた処理液を排出するための排出口53が形成されている。
【0019】
さて、制御装置21は、上述したインバータ20のほか、ポンプ30や開閉弁22、31、ローラコンベア1等にも接続(図示省略)され、それらを制御することによって剥離液や純水の供給や基板の搬送などこの剥離装置全体の動作をつかさどる。特に、剥離処理室2内で剥離液を基板Wに供給する際において、制御装置21は、基板Wが図中左から右方向に搬送されてセンサ17の位置まで到達したことを検知するとその剥離処理室2内のローラコンベア1の駆動源を逆回転させ、こんどは基板Wを図中右から左方向に搬送する。そして、次に基板がセンサ16の位置まで到達すると、今度は前記駆動源を正回転させることにより、基板Wを図中左から右方向に搬送する。制御装置21がかかる制御動作を繰り返すことにより、基板Wを剥離処理室2内の所定の範囲で周期的に往復移動させることができ、その間に基板Wが処理ツール10内を数回通過することにより処理が行われる。そして、かかる往復移動によって基板Wへの剥離処理室2での処理が終了すると、ローラコンベア1の前記駆動源を正回転させて基板Wをセンサ17の位置を越えて図中右方向へ搬送し、洗浄処理室4へ送り込むことができる。
【0020】
つぎにこの第1の実施形態の剥離装置の動作を説明する。まず第1工程として、剥離処理すべき基板Wがローラコンベア1によって搬送されてきて剥離処理室2へ搬入されたことがセンサ16により検出されると、制御装置21はポンプ19を吐出圧力が低圧となるように駆動し、処理ツール10の容器50内にて搬送されつつある基板Wの上面に対してノズル56から処理液すなわち剥離液を低圧でスプレー状に供給する。この第1工程においては、低圧で基板W上に供給された剥離液は、高圧で供給されたときのように基板W表面に衝突して跳ね返って周囲に飛散したりすることは比較的少なく、基板Wの表面に液の膜を形成し、基板Wの表面に付着している剥離されるべき被膜、すなわちフォトレジストの被膜と十分に接触し、当該被膜を膨潤させる。この第1工程は、かかる膨潤が十分に進行する所定時間の間継続され、その間、剥離液の低圧状態での供給は継続される。この間、基板Wに対しては温度調節された剥離液が継続して供給されるので、工程の途中で基板Wに触れる剥離液の温度が低下するといった不都合は生じない。
【0021】
この第1工程の際、容器50内で基板Wの上面にスプレー状に供給された処理液の多くは、基板Wの傾斜に沿って下側に向って流れて基板Wの下側端縁から容器50の下側に落ち、容器50の側面60に形成された図示しない排出口から容器50外へ排出され、剥離処理室2内に落下して開口15から排出される。このとき、入口61、出口62は開いたままであるが、第1の覆い部材51にはつば部64が形成されているため、容器50内の基板Wより上側の空間と容器50外とは基板Wの上面とつば部64との間の狭く長い隙間70を通じて連通している。もし仮に処理液のスプレー状の供給によって処理液ミストが容器50内にて発生しても、ミストが上記の狭く長い隙間70を通過しようとする際にミスト同士がぶつかって再水滴化しやすく、またその隙間70近傍にある処理液の流れに引き寄せられてぶつかって液化しやすくなっている。また、容器50内の基板Wの上面側の空間と下面側の空間とは、基板Wの側方端縁(上側端縁と下側端縁)の外側で連通しており、基板Wの上面側で発生したミストが下面側空間に回り込んで入口61または出口62から出てくるおそれがあるが、本実施形態では、基板Wよりも下側の第2の覆い部材52にも、つば部66を設けて、基板W下面との隙間をも狭くしているので、同様にミストが外に出にくくなっている。しかも、基板Wが処理ツール10を通過して容器50内に位置しない際には、ノズル56から供給される処理液は直接に容器50の下側の空間へ入ることになるが、この場合においても、ノズル56からの処理液は第2の覆い部材52で受けられ、かつ、つば部64、66で隙間が狭く長くなっているので、発生する処理液ミストが容器50外へ出にくくなっている。したがって、これらによって、容器50内で処理液ミストが発生しても、容器50外に出にくくなっている。
【0022】
さらにこの実施形態では、この第1工程実行時に、制御装置21は2つの副ノズル68からも処理液を吐出するようにその液供給機構を駆動させる。副ノズル68から吐出された処理液すなわち剥離液は、基板Wがその処理ツール10を通過する際に、つば部64と対向している基板Wの表面を流れてその隙間70をより狭くするか、またはその隙間70を完全に満たして閉塞するように流れる。これにより、容器50内で処理液ミストが発生しても、そのミストが容器50外へ出て飛散するのを効果的に防止している。また、副ノズル68から吐出する処理液はノズル56から吐出している処理液と同じ剥離液であるので、処理に悪影響を与えることはない。なお、この副ノズル68から吐出する液は、処理に不都合を与えないようにノズル56と同じ種類のものとすることが望ましい。また、この副ノズル68からの液の吐出は、処理の全期間吐出し続けるものでもよいし、基板Wが当該処理ツール10の部分に位置しない場合には吐出を停止させてもよい。
【0023】
そして、この第1工程が終了しないうちに基板Wがローラコンベア1によって剥離処理室2の図中右側端部まで搬送されてしまったときには、センサ17により基板Wの位置が検出され、制御装置21はローラコンベア1の駆動源を逆回転駆動し、今度は基板Wを図中右から左方向へ搬送し、剥離処理室2内で第1工程を継続して実行する。第1工程が終了しないうちに基板Wがローラコンベア1によって剥離処理室2の図中左側端部まで搬送されてしまったときにも同様に、センサ16により基板Wの位置が検出され、制御装置21はローラコンベア1の駆動源を正回転駆動し、今度は基板Wを図中左から右方向へ搬送し、剥離処理室2内で第1工程を継続して実行する。このように基板Wが剥離処理室2内を周期的に往復移動し、その移動中に剥離液がスプレー供給されるので、ノズル56から基板Wへの剥離液の供給位置が時間的に変化し、基板Wの全面にむらなく剥離液が供給される。制御装置21は内蔵しているタイマにより第1工程の実行時間を監視し、設定された所定時間が経過すると第1工程を終了する。
【0024】
剥離処理室2内で第1工程が終了すると、引き続いて第2工程が実行される。第2工程においては、制御装置21はポンプ19を吐出圧力が高圧となるように駆動し、搬送されつつある基板Wに対してノズル56から剥離液を高圧でスプレー状に供給する。この第2工程においては、基板W面上に剥離液が高圧で供給され、第1工程の間に十分に膨潤しているフォトレジストの被膜に剥離液が高圧で衝突することによる物理的衝撃力が加わることになり、被膜が効果的に剥離除去される。この第2工程は、被膜の剥離除去が十分に行われる所定時間の間継続され、その間、剥離液の高圧状態での供給は継続される。この間、基板Wに対しては温度調節された剥離液が継続して供給されるので、工程の途中で基板Wに触れる剥離液の温度が低下するといった不都合は生じない。
【0025】
また、この第2工程の際においても、制御装置21は2つの副ノズル68からも処理液を吐出するようにその液供給機構を駆動させる。副ノズル68から吐出された処理液すなわち剥離液は、つば部64と対向している基板Wの表面を流れてその隙間70をより狭くするか、またはその隙間70を完全に満たして閉塞するように流れる。この第2工程では、第1工程よりも高い圧力でノズル56から処理液を供給するため、容器50内で処理液ミストがより発生しやすいが、上述の第1工程において説明したのと同様に、つば部64、66が設けられており、かつ副ノズル68からの処理液の吐出を行うことで、処理に悪影響を与えることなく処理液ミストの容器50外への流出を効果的に抑制することができる。
【0026】
また、この第2工程が終了しないうちに基板Wがローラコンベア1によって剥離処理室2のどちらかの端部まで搬送されてしまったときには、第1工程と同様に、センサ16、17により基板Wの位置が検出され、制御装置21がローラコンベア1の駆動源の回転方向を制御することにより基板Wを剥離処理室2内で周期的に往復移動させ、剥離処理室2内で第2工程を継続して実行する。このように基板Wが剥離処理室2内を移動中に剥離液がスプレー供給されるので、ノズル56から基板Wへの剥離液の供給位置が時間的に変化し、基板Wの全面にむらなく剥離液が供給される。制御装置21は内蔵しているタイマにより第2工程の実行時間を監視し、設定された所定時間が経過すると第2工程を終了する。第2工程が終了すると、制御装置21はローラコンベア1を駆動して基板Wを洗浄処理室4へ送る。
【0027】
洗浄処理室4内においては第3工程が実行される。第3工程においては、制御装置21はポンプ30を駆動し、搬送されつつある基板Wに対してノズル24から純水スプレー状に供給して洗浄処理する。この第3工程においては、基板Wの上面、下面に付着して残留している剥離液や、剥離されたフォトレジスト被膜の破片などが純水スプレーにより洗い流される。この第3工程は、基板Wが洗浄処理室4の図中右側の開口5から搬出されるまで行われる。
【0028】
第3工程が終了して洗浄処理室4の図中右側の開口5から搬出された基板Wは、図示しない搬送装置により前記乾燥装置へ搬送され、第4工程が実行される。この第4工程においては、基板Wは周知の乾燥装置、例えば基板を回転させることによる回転式乾燥装置やエアを吹き付けることによるエアナイフ式乾燥装置によって乾燥処理される。乾燥処理後の基板Wは直ちに次工程に送られるか、あるいは所定の容器に格納される。
【0029】
この第1実施形態の剥離装置では、傾斜姿勢の基板に対して覆い部材を設け、覆い部材につば部を形成するとともに、基板をつば部との間に基板の傾斜方向上側から液を供給する副ノズルを設けているので、簡単な構成で処理液ミストが飛散してしまうのを顕著に抑制でき、処理液がミストとして排気に混じって廃棄されてしまって消費されるのを有効に抑制でき、また処理液ミストが基板に対して悪影響を与えることもなくなる。
【0030】
また、第1の覆い部材と第2の覆い部材とを設けるとともに、第1の覆い部材にはつば部を設けているので、処理ユニット内での基板の処理中でも、処理ユニット内に基板が位置しない際でも、処理液ミストが飛散するのを顕著に抑制できる。
【0031】
またこの実施形態では、基板Wは剥離処理室内で処理に必要な時間だけ周期的に往復移動してその間に処理が行なわれるので、処理室の大きさや搬送速度にかかわらず、被膜の状態などに応じて処理時間を容易に変更することができる。特にこの実施形態の装置では、剥離液を低圧で吐出する処理工程と、剥離液を高圧で吐出する処理工程のそれぞれの時間を自由に変更して設定することができる。また、この実施形態の装置では、剥離液を低圧で吐出する処理と高圧で吐出する処理とを一つの剥離処理室2で行なっており、装置が小型化できる。特にこの実施形態の装置では、ノズル56やポンプ19などの液供給機構10を高圧吐出と低圧吐出の両方に共用しており、装置の小型化、低コスト化の効果が大きい。
【0032】
図5はこの発明の第2の実施形態の基板処理装置である剥離装置の要部斜視図である。この第2の実施形態が第1の実施形態と異なるところは、基板Wを搬送するローラコンベア1が、基板Wを傾斜姿勢ではなく水平姿勢で搬送するものであることと、それに伴って、第1の実施形態における副ノズル68を設けていないことである。その他の構成は第1の実施形態と同一であるので説明は省略する。
【0033】
この第2実施形態においても、第1の覆い部材51にはつば部64が形成されているため、第1の実施形態と同様に、もし仮に処理液のスプレー状の供給によって処理液ミストが容器50内にて発生しても、ミストがつば部64と基板Wとの間の狭く長い隙間70を通過しようとする際にミスト同士がぶつかって再水滴化しやすく、またその隙間70近傍にある処理液の流れに引き寄せられてぶつかって液化しやすくなっている。また、本実施形態でも、基板Wよりも下側の第2の覆い部材52にも、つば部66を設けて、基板W下面との隙間をも狭くしているので、同様にミストが外に出にくくなっている。しかも、基板Wが処理ツール10を通過してしまっていて容器50内に位置しない際には、ノズル56から供給される処理液は直接に容器50の下側の空間へ入ることになるが、この場合においても、ノズル56からの処理液は第2の覆い部材52で受けられ、かつ、つば部64、66で隙間が狭く長くなっているので、発生する処理液ミストが容器50外へ出にくくなっている。したがって、これらによって、容器50内で処理液ミストが発生しても、容器50外に出にくくなっている。
【0034】
次に、上述した実施形態の装置の変形例について説明する。この変形例の説明においては、変形部分のみについて説明する。第1の変形例は、上述した第1および第2実施形態に共通するものである。図6は、第1の覆い部材51に設けられるつば部64と、第2の覆い部材52に設けられるつば部66とを、移動自在に取り付けた変形例を示す要部断面図である。ここではつば部64、66を覆い部材51、52に開閉移動自在に取り付けるために蝶番80を使用している。そして、装置の使用時においては各つば部64、66を開いて基板Wの表面に沿うように位置させる。そして、装置のメンテナンス時や、装置の非常停止時に処理中であった基板Wを取り出すなどの作業を行なう場合などには、蝶番80によって必要なつば部64、66を回動させて閉じた位置とすることで、ローラコンベア1上にある基板W等に容易に手が届き、処理ツール10を装置から取り外すことなく容易に作業を行なうことができる。なお、この変形例では蝶番80を使用して開閉するように移動自在に構成したが、これに限らず、例えばリニアガイド等を用いてつば部64、66を基板Wと平行なままで基板Wに対して近接または離間させるように移動させるなど、つば部64、66を覆い部材51、52に対して移動自在に取り付けることができるものであればどのような構造を用いてもよく、またすべてのつば部64、66を移動させる必要はなく、メンテナンスなどの作業で必要なものだけを移動させる構成でもよい。この変形例のように閉じた状態でつば部64、66が容器50の外形に沿うように回動させる構成であれば、メンテナンスなどの作業のための空間を得やすい利点がある。
【0035】
次に、第2の変形例について説明する。第2の変形例も、上述した第1および第2実施形態に共通するものである。図7は、第1の覆い部材51に設けられるつば部64と、第2の覆い部材52に設けられるつば部66とを、着脱自在に取り付けた変形例を示す要部断面図である。ここではつば部64、66を覆い部材51、52に開閉移動自在に取り付けるためにネジ90を使用している。そして、装置の使用時においては各つば部64、66を基板Wの表面に沿うように位置させてネジ90により覆い部材51、52に取り付ける。そして、装置のメンテナンス時や、装置の非常停止時に処理中であった基板Wを取り出すなどの作業を行なう場合などには、ネジ90を取り外して必要なつば部64、66を取り外すことで、ローラコンベア1上にある基板W等に容易に手が届き、処理ツール10を装置から取り外すことなく容易に作業を行なうことができる。なお、この変形例ではネジ90を使用してつば部64、66を着脱自在に構成したが、これに限らず、例えば任意の嵌め合い構造をつば部64、66と覆い部材51、52に形成するなどにより、つば部64、66を覆い部材51、52に対して着脱自在に取り付けることができるものであればどのような構造を用いてもよく、またすべてのつば部64、66を着脱自在にする必要はなく、メンテナンスなどの作業で必要なものだけを着脱させる構成でもよい。
【0036】
次に、第3の変形例について説明する。第3の変形例は、上述した第1実施形態についてのものである。第1の実施形態では図2に示すように容器50の入口側と出口側のそれぞれに副ノズル68を設けたが、この変形例では図8に示すようにそれらを一体化して、入口側のつば部64の端部から容器50の側面を通り出口側のつば部64の端部にまで至る大きな副ノズルを設けている。この場合、つば部64の部分以外の容器50内の部分の基板W表面にも処理液の液膜が形成され、ノズル56から供給される処理液とあいまって処理をよりよく進行させるとともに、つば部64部分、特に基板Wの進行方向側のつば部64部分の液の量を補充する役割も果たし、処理液ミストの容器50外への飛散をより効果的に防止できる。
【0037】
なお、以上のすべての実施形態において、容器50を構成する第1の覆い部材51、第2の覆い部材52の基板搬送方向における幅L(図4)は、同じ方向における基板Wの幅よりも短い。また、入口61側のつば部64、66の端部から出口62側のつば部64、66の端部までの長さも、基板搬送方向における基板Wの幅よりも短い。これにより、基板Wの処理中にはつば部64、66と基板Wとが入口61側と出口62側の両方で有効に近接することになり、ミストの飛散防止に有効である。
【0038】
また、第1の実施形態の装置でのローラコンベア1は、剥離処理室2や洗浄処理室4内で基板Wを若干の傾斜姿勢として搬送して処理するものであるが、このように若干の傾斜姿勢、例えば水平面に対して基板面が5度〜10度程度の角度をなす傾斜姿勢で搬送するものとすることが、基板Wを水平姿勢で搬送して処理するものと比べ、以下の理由により望ましい。すなわち基板Wを例えば搬送方向にして対して左右いずれかに若干傾斜させて支持することにより、剥離されたフォトレジスト被膜の破片や汚れた剥離液、純水等がその傾斜にそって速やかに流れ落ちて基板W表面から除去されるので、基板Wをより清浄に保つことができるからである。
【0039】
なお、上記第1および第2実施形態において、低圧での剥離液の供給とは、供給された剥離液が基板W上で被膜を膨潤させるのに十分な液膜を形成できる状態を実現できる程度であればよい。つまり、例えば供給された液のかなりの部分が基板Wへの衝突で跳ね返ってしまうような液の供給状態では、被膜を十分に膨潤させることはできないためである。また、高圧での剥離液の供給とは、膨潤している被膜を剥離除去させるのに十分な衝撃力を与えることができる程度であればよい。具体的な圧力は剥離しようとする被膜と基板Wとの密着の強さなどによって異なるが、例えば上記実施形態において、低圧供給の場合はノズルへの配管内の圧力で例えば1〜2kg/cm2程度の圧力、高圧供給の場合は同じく10〜20kg/cm2程度の圧力で行なっている。低圧供給の場合であれば、例えば基板Wの幅と同等以上の長さのスリット状の開口を有するノズルを用いて、基板W表面に沿うようなカーテン状の液流でほとんど基板Wに圧力を加えずに剥離液を供給するようなものでもよく、スプレー状に供給するものであれば、基板表面での打力を例えば2g/cm2程度以下の圧力とすることが考えられる。また、高圧供給の場合は同じく基板表面での打力を50g/cm2程度以上の圧力とすることが考えられる。
【0040】
また上記各実施形態では、基板処理装置として、処理液として剥離液を使用する剥離装置について説明したが、本発明は、現像装置、エッチング装置、洗浄装置など、処理液を使用して処理を行なう各種装置に適用することができる。
【0041】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、請求項1の発明によれば、傾斜姿勢で搬送される基板に対してその表面を覆う覆い部材と基板の表面に沿うつば部を設け、つば部と基板との間に液を供給する副ノズルを設けたので、覆い部材から処理液ミストが飛散するのを簡単な構成にて防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態である剥離装置の要部の概略構成を示す模式的断面図である。
【図2】本発明の第1実施形態である剥離装置の要部を示す斜視図である。
【図3】図2における矢印X方向から見た矢視図である。
【図4】本発明の第1実施形態である剥離装置の要部を示す要部断面図である。
【図5】本発明の第2実施形態である剥離装置の要部を示す斜視図である。
【図6】本発明の第1の変形例を示す要部断面図である。
【図7】本発明の第2の変形例を示す要部断面図である。
【図8】本発明の第3の変形例を示す要部断面図である。
【符号の説明】
W・・・基板
1・・・ローラコンベア
2・・・剥離処理室
3・・・室構成体
10・・・処理ツール
51・・・第1の覆い部材
52・・・第2の覆い部材
56・・・ノズル
64、66・・・つば部
68・・・副ノズル
80・・・蝶番
90・・・ネジ
Claims (7)
- 基板を基板進行方向に向かって左右の一端が水平に対して低くなる傾斜姿勢に支持してその傾斜姿勢を保った状態で搬送する搬送機構と、
搬送機構により搬送される基板の一方の表面に対して処理液を供給する処理液ノズルと、
前記基板の前記一方の表面のうち前記処理液ノズルからの処理液が供給される領域を覆う第1の覆い部材と、
前記覆い部材の前記基板に近い位置に当接されて、当該基板の表面に沿うように設けられたつば部と、
前記基板と前記つば部との間に、前記基板の傾斜方向上側から液を供給する副ノズルと
を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記副ノズルは、前記処理液ノズルから供給する処理液と同じ処理液を供給するものであることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記搬送機構により搬送される基板の位置をはさんで前記処理液ノズルと対向するように設けられ前記基板の他方の表面を覆う第2の覆い部材をさらに備えたことを特徴とする請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 前記第2の覆い部材の前記基板に近い位置に当接されて、当該基板の他方の表面に沿うように設けられたつば部を更に備えたことを特徴とする請求項3に記載の基板処理装置。
- 前記つば部は、
前記覆い部材に対して移動自在に設けられていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記つば部は、
前記覆い部材に対して開閉移動自在に設けられていることを特徴とする請求項5記載の基板処理装置。 - 前記つば部は、
前記覆い部材に対して着脱自在に設けられていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置。
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