TWI424517B - Substrate processing device - Google Patents

Description

基板處理裝置

本發明係有關於一種向LCD、PDP用玻璃基板以及半導體基板等基板供給處理液以實施各種處理之基板處理裝置。

先前以來，係藉由一邊搬送基板一邊對其表面供給各種處理液而對基板實施特定之製程處理，例如專利文獻1中揭示有一種裝置，其係於處理槽內一邊搬送藥液處理後之基板，一邊藉由液體刀以及噴淋噴嘴依次向基板供給沖洗液進行清洗處理者。在該裝置中，針對搬入之基板，首先藉由液體刀自搬送方向上游側朝向下游側沿傾斜方向噴出帶狀(沿與基板搬送方向正交之方向具有寬度之狀態)之沖洗液，藉此自基板之前端側依次使藥液反應迅速且在基板之寬度方向上均勻地完成，隨後藉由自噴淋噴嘴噴出之沖洗液對基板進行最終清洗。

又，於專利文獻2中揭示有一種與上述裝置類似之裝置，其首先藉由液體刀噴出帶狀之沖洗液，自基板之前端側起依次且在基板之寬度方向上均勻地形成沖洗液之薄膜(保護膜)，隨後藉由自高壓噴嘴噴出之沖洗液對基板進行清洗處理。該裝置之構成為，液體刀之設置區域由遮蔽物所被覆，使得高壓噴嘴之噴射壓力不會對上述薄膜之形成造成影響。

專利文獻1：日本專利特開2004-273984號公報

專利文獻2：日本專利特開2004-273743號公報

在如專利文獻1之先前裝置中，通常自液體噴嘴噴出沖洗液，並於該狀態下將基板搬入處理槽內而對基板實施清洗處理。然而，當使沖洗液自液體噴嘴噴出時，會因沖洗液與搬送輥或處理槽內底部之碰撞而產生霧(霧狀之沖洗液)，從而會導致以下問題。

即，霧亦向基板之搬入口側擴散，從而於液體刀之沖洗液供給位置之上游側，霧附著到基板上。於此情形時，在原定之處理開始位置(沖洗液供給位置)之上游側，藥液之一部分被提前置換，因此有可能會破壞基板面內之藥液反應時間之均勻性。因此，需要事先避免此種問題之發生。另外，在專利文獻2之構成中，在遮蔽體之內側產生之霧亦會向沖洗液供給位置之上游側擴散並附著於基板，因此其情形與上述相同。

本發明係鑒於上述問題而作者，其目的在於抑制在基板到達特定之液體供給位置以前霧狀之處理液附著至基板上，籍此提高基板之品質。

為解決上述問題，本發明提供一種基板處理裝置，其具備處理槽，該處理槽具有將搬入之基板向搬出口搬送之搬送路徑，在該處理槽內一邊搬送基板一邊向該基板供給處理液實施特定之處理，其特徵在於包含：噴嘴構件，其設置在上述處理槽之搬入側，遍及所搬入之基板之上表面之整個寬度，自搬送方向上游側朝向下游側沿相對於垂直方向傾斜之方向噴出處理液；以及遮蔽板，其配置在自上述噴嘴構件噴出之處理液的軌跡之搬送方向上游側之位置且配置在上述搬送路徑之下方，防止霧狀處理液向搬送方向上游側擴散。更具體而言，上述遮蔽板直立設置在上述處理槽之內底部，且設置成其前端位於上述搬送路徑上之處理液供給位置附近。

根據此種構成，即使因液體噴嘴噴出之處理液與處理槽內底部碰撞等而產生霧(霧狀之處理液)，亦可藉由遮蔽板有效地防止霧向基板搬送方向上游側擴散。因此，能夠抑制霧在基板之搬送路徑上向處理液供給位置之上游側部分擴散，從而可減少在基板到達上述供給位置之前霧附著於基板上之現象。

較好的是，上述裝置更包含擴散防止機構，其防止霧狀處理液經由上述噴嘴構件與上述遮蔽板前端之間隙部分向上述搬送方向上游側擴散。

根據該構成，能夠可靠地防止霧向上游側擴散，從而能夠更有效地減少霧附著於基板上之現象。

更具體而言，上述擴散防止機構係於上述噴嘴構件與上述遮蔽板前端之間隙部分形成自上述搬送方向上游側流朝向下游側之氣流的氣流形成機構。

根據該構成，能夠藉由噴嘴構件與遮蔽板前端之間形成的氣流來阻止霧向上游側擴散。

另外，氣流形成機構只要可生成上述氣流則可使用各種構成，例如可包括氣體之噴射機構，在上述遮蔽板之上述搬送方向上游側使氣體自上述噴射機構噴出，籍此形成上述氣流，或者亦可包括在上述遮蔽板之上述搬送方向下游側對上述處理槽內之環境氣體進行抽吸之抽吸機構，藉由上述抽吸機構對由自上述噴嘴構件噴出之處理液及上述遮蔽板圍成之空間內之環境氣體進行抽吸，籍此形成上述氣流。

又，作為其他構成，上述擴散防止機構亦可包含可升降地設置於上述遮蔽板之升降板以及驅動控制該升降板之控制機構，上述升降板遍及上升位置與下降位置之間可升降地構成，上述上升位置係其前端位於自上述噴嘴構件噴出之處理液之軌跡之下方且位於沿上述搬送路徑搬送之基板之上表面的上方之位置，上述下降位置係上述前端位於搬送路徑之下方之位置，上述控制機構對上述升降板進行驅動控制，以使在未向上述處理槽搬入基板時，使上述升降板配置在上升位置，而在向上述處理槽搬入基板時，使上述升降板配置在下降位置。

該構成係構成為藉由升降板來開閉噴嘴構件與上述遮蔽板前端之間隙部分。根據該構成，在未搬入基板時，若在自噴嘴構件噴出沖洗液之狀態下升降板配置於上升位置，則沖洗液與升降板聯動而堵塞上述間隙部分，從而與設置上述氣流形成機構之情形同樣，阻止霧自上述間隙部分向上游側擴散。

另外，較好的是，上述基板處理裝置包含罩構件，其在上述搬送方向上的自上述噴嘴構件起之上游側部分，自其上方被覆上述搬送路徑。

根據該構成，在霧繞至噴嘴構件之上方而擴散至基板搬送方向上游側之情形時，可防止該霧附著於基板。因此，能夠更有效地減少霧附著於基板之現象。

根據請求項1~8之之基板處理裝置，能夠有效地減少如下之現象：因自噴嘴構件噴出之處理液與處理槽內底部碰撞而產生之霧(霧狀之處理液)附著於到達特定之處理液供給位置以前之基板。因此，藉由減少此種霧附著於基板之現象，可提高基板之品質。特別是，根據請求項3~7之基板處理裝置之構成，能夠有效地阻止霧經由自噴嘴構件噴出之處理液與遮蔽板前端部之間向上游側擴散，因此，能夠更有效地減少如上所述之霧附著於基板之現象。又，根據請求項8之基板處理裝置之構成，在霧繞至噴嘴構件之上方而向基板搬送方向上游側擴散之情形時，能夠防止該霧附著於基板。因此，能夠更有效地減少霧附著於基板之現象。

參照附圖對本發明之較佳實施方式進行說明。

<第一實施方式>

圖1係概略表示本發明之基板處理裝置之剖面圖。該圖所示之基板處理裝置1一邊將基板S以水平姿態沿圖中箭頭方向搬送，一邊對在前步驟中實施過藥液處理(例如蝕刻處理)之該基板S進行清洗處理。

如圖1所示，基板處理裝置1具有大致密閉之處理室10(相當於本發明之處理槽)。在該處理室10內，以特定間隔配備有多個搬送輥14，沿由該等搬送輥14構成之搬送路徑以水平姿態搬送基板S。

另外，圖中之符號12a表示在處理室10之側壁上形成之基板S之搬入口，符號12b表示該基板S之搬出口。又，符號13a表示用於開閉搬入口12a之搬入口側閘門(shutter)，符號13b表示用於開閉搬出口12b之搬出口側閘門。該等閘門13a、13b係沿處理室10之側壁可升降地設置，且構成為藉由馬達進行開閉驅動。

在處理室10之內部，配備有用於對基板S供給沖洗液(在本例中為純水，相當於本發明之處理液)之2種液體噴嘴。具體而言，在緊靠搬入口12a之附近配備有液體刀16(相當於本發明之噴嘴構件)，在該液體刀16之下游側(在該圖中為右側)配備有噴淋噴嘴18a、18b。

上述液體刀16係固定於安裝板15上，該安裝板15突出設置在處理室10之搬入口側壁面。液體刀16由所謂之狹縫噴嘴構成，該狹縫噴嘴具有在基板S之搬送路徑之寬度方向(與基板S之搬送方向正交之方向，在該圖中為與紙面正交之方向)上細長且在其長度方向上連續延伸之細長之噴出口，該液體刀16係以使噴出口朝向斜下方之狀態配置在搬送輥14之上部。籍此，自液體刀16，自該搬送方向上游側朝向下游側相對於垂直方向傾斜朝下地呈帶狀(沿與搬送方向正交之方向具有寬度之狀態)對基板S噴出沖洗液。

另外，固定有液體刀16之上述安裝板15兼用作防止霧狀之沖洗液(以下稱為霧)飛散至基板S之罩構件，在基板S之搬送方向上的自液體刀16之位置至上述搬入口側之壁面為止之部分，自上方被覆基板S之搬送路徑。安裝板15之上游側端部以及寬度方向之端部分別與處理室10之側壁無間隙地接合。

另一方面，上述噴淋噴嘴18a、18b夾著搬送輥14而配置於上下兩側，例如自呈矩陣狀配置之噴嘴口分別呈液滴狀對基板S噴出沖洗液。

另外，如該圖所示，沖洗液係儲存在配置於處理室10下方之儲液箱20內，藉由泵22之作動自儲液箱20經由導出管24導出，並經由自該導出管24分岔之供給管26~28分別供給至液體刀16以及各噴淋噴嘴18a、18b。於各供給管26~28中分別介設有開閉閥V1~V3，藉由該等開閉閥V1~V3之操作，控制液體刀16等對沖洗液之供給、停止或者供給量。

在處理室10之內底部設有漏斗狀之回收缽(未圖示)，使用過之沖洗液一邊被該回收缽收集一邊經由回收管30返回至上述儲液箱20內。亦即，該基板處理裝置1中構成有沖洗液之供排系統，能夠使沖洗液一邊在儲液箱20與液體刀16等之間循環一邊反覆使用。

在上述處理室10之內底部，進而設有用於阻止霧向上游側擴散之遮蔽板17，並且在該遮蔽板17之上游側配置有空氣噴嘴32(相當於本發明之噴射機構)。

如圖2(a)所示，將遮蔽板17設置在未搬送基板S之狀態下自液體刀16噴出之沖洗液之軌跡之上游側之位置，且設置在基板S之搬送路徑(以下簡稱為搬送路徑)上之對基板S供給沖洗液之供給位置P(參照圖2(b))之下方。該遮蔽板17係形成為，自處理室10之內底面沿垂直方向筆直地延伸，且其前端(上端)與沿搬送路徑搬送之基板S之下方接近。

遮蔽板17之寬度方向之兩端分別與處理室10之側壁接合，籍此，處理室10內之空間被劃分為上游側端之空間Sp與其下游側之空間，該上游側端之空間Sp由上述安裝板15、液體刀16、遮蔽板17以及處理室10之側壁圍成且包括上述搬入口12a，經由液體刀16與上述遮蔽板17之前端(上端)之間搬送基板S。

上述空氣噴嘴32係配置於遮蔽板17之附近且配置於處理室10之內底面附近。該空氣噴嘴32由在寬度方向上延伸之細長之噴霧噴嘴或者狹縫噴嘴構成，該噴霧噴嘴在其長度方向上排列有多個圓形之噴出口，該狹縫噴嘴具有在長度方向上連續地(或者斷續地)延伸之細長之噴出口，且該空氣噴嘴32係構成為，自遮蔽板17側朝向處理室10之搬入口12a側之壁面朝斜上方噴射特定壓力之空氣。

如圖1所示，該空氣噴嘴32經由空氣供給管34與空氣供給源36連接，藉由介設於空氣供給管34中之開閉閥V4之操作，控制空氣之噴射或停止。

另外，於該基板處理裝置1中設有以CPU等為構成要素之控制器(相當於本發明之控制機構)，且構成為，藉由該控制器統一地控制搬送輥14之驅動、閘門13a、13b之開閉切換以及開閉閥V1~V4之切換等。並且，於該裝置1中，如圖1所示，在處理室10外之上述搬入口12a之大致上游側以及處理室10內之上述搬出口12b附近分別配置有用於檢測基板S之感測器(稱為第一感測器42、第二感測器44)，控制器根據該等感測器42、44對基板S之檢測而控制閘門13a、13b以及開閉閥V1~V4等之開閉。

其次，對基板處理裝置1對基板S之清洗處理及其作用效果進行說明。

在該基板處理裝置中，在第一感測器42檢測出基板S之前，各開閉閥V1~V3關閉(OFF)，因此液體刀16以及噴淋噴嘴18a、18b停止供給沖洗液。與此相反，開閉閥V4打開(ON)。因此，自空氣噴嘴32噴射特定壓力之空氣，藉此，如圖2(a)所示，在處理室10內，在被遮蔽板17等劃分而成之上述空間Sp內空氣對流，並且該空氣經由在液體刀16和遮蔽板17之前端之間形成的間隙部分Os朝下游側流動。亦即，形成自上述空間SP經由上述間隙部分Os朝向下游側之空氣流(稱為氣流A)。

繼而，當搬送基板S，而其前端被第一感測器42檢測出時，開閉閥V1~V3自關閉(OFF)狀態切換至打開(ON)狀態，藉此，液體刀16以及噴淋噴嘴18a、18b開始噴出沖洗液。

如上所述，當自各噴嘴16、18a、18b噴出沖洗液時，會在處理室10內產生霧，因此在基板S到達沖洗液供給位置P之前有可能會在基板S上附著霧，但該裝置1中能夠有效地避免此種問題。

即，在該裝置1中，在基板S之搬送路徑上方中位於供給位置P之上游側之部分之大半部分被安裝板15等被覆，進而，當自液體刀16噴出沖洗液時，如圖2(a)所示，在該液體刀16與供給位置P之間形成液幕。因此，如該圖中符號M1所示，能夠有效地防止來自搬送路徑上方之霧向沖洗液供給位置P之上游側擴散。

又，在搬送路徑之下方，由於如上所述在供給位置P之下方設置有遮蔽板17，因此能夠防止在處理室內底面產生之霧向供給位置P之上游側擴散。而且，自空氣噴嘴32噴射空氣，從而在液體刀16與遮蔽板17之間隙部分Os中形成有自上述空間Sp朝向下游側之氣流A，其結果，能夠阻止霧經由該間隙部分Os向上游側擴散。具體而言，如該圖中符號M2所示，能夠有效地防止自處理室內底面沿遮蔽板17上升之霧或者與搬送輥14碰撞而在供給位置P附近產生之霧經由上述間隙部分Os向上游側擴散。因此，能夠防止在基板S到達供給位置P之前在該基板S上附著霧之問題。

繼而，當搬入口側閘門13a打開，基板S被搬入至處理室10內並到達供給位置P時，液體刀16噴出之沖洗液伴隨著基板S之搬送，自基板S之前端側依次遍及整個寬度方向而供給，藉此使藥液反應迅速且在基板S之寬度方向上均勻地完成。

另外，在如上所述基板S通過供給位置P之過程中，基板S上之該供給位置P之上游側之部分被安裝板15等自其上方被覆，且在液體刀16和基板S之間形成有液幕。又，在基板S之下方，如圖2(b)所示，藉由自空氣噴嘴32噴射之空氣形成沿基板S之下表面自上游側朝向下游側之氣流A，其結果，能夠防止霧向供給位置P之上游側擴散。因此能夠有效地防止霧附著到基板S上之供給位置P之上游側部分。

並且，當基板S通過液體刀16之位置後，繼而對基板S之上表面以及下表面供給自噴淋噴嘴18a、18b噴出之大量沖洗液，藉此對基板S進行最終清洗。繼而，當進一步搬送基板S，而第二感測器44檢測出基板S之前端時，開閉閥1自打開(ON)狀態切換至關閉(OFF)狀態，籍此，停止自液體刀16噴出沖洗液，進而，當第二感測器44檢測出基板S之後端時，使開閉閥V2、V3分別自打開(ON)狀態切換至關閉(OFF)狀態，藉此，停止自噴淋噴嘴18a、18b噴出沖洗液。藉此，對基板S之一系列清洗處理結束。

如上所述，在上述基板處理裝置1中，能夠有效地防止在基板S到達液體刀16之沖洗液供給位置P之前在該基板S上附著霧之情況。因此，能夠有效地防止此種因霧之附著造成之問題，即，能夠有效地防止下述事態之產生：在基板S到達供給位置P以前，在其上游側位置霧附著至基板S上，從而藥液反應局部提前結束，其結果，藥液處理之均勻性受到影響。因此，由於能夠避免上述事態之產生，從而相應地能夠對基板S更均勻地實施藥液處理，進而能夠提高基板之品質。

另外，在上述實施方式中係構成為，在處理室10之內底面附近配置有空氣噴嘴32，自遮蔽板17側朝向處理室10之搬入口側之壁面朝斜上方噴射空氣，但如圖3所示，亦可構成為，將空氣噴嘴32配置於搬入口12a之上方，使空氣噴嘴32直接朝向液體刀16與遮蔽板17之間噴射特定壓力之空氣，從而形成上述氣流A。根據該構成，具有如下之優點：能夠抑制空氣之壓力損失，從而能夠效地防止霧侵入至上述空間Sp內。

<第二實施方式>

圖4是概略表示第二實施方式之基板處理裝置1之主要部分之剖面圖。

第二實施方式之基板處理裝置1與第一實施方式之不同之處在於，取代上述空氣噴嘴32而設置了抽吸嘴40(相當於本發明之抽吸機構)。即，如該圖所示，在遮蔽板17之下游側且自液體刀16噴出之沖洗液之軌跡之上游側之位置配置有抽吸嘴40。

抽吸嘴40係在寬度方向上延伸之細長狀且在其長度方向上排列有多個圓形抽吸口之吸嘴。該抽吸嘴40經由未圖示之抽吸用配管以及開閉閥與負壓發生器連接，且構成為，對應於上述控制器對開閉閥之控制而在抽吸狀態與抽吸停止狀態之間切換。

在第二實施方式之基板處理裝置1中，抽吸嘴40與自液體刀16等開始噴出沖洗液同步地開始對處理室10進行抽吸。亦即，藉由對在自液體刀16噴出之沖洗液與遮蔽板17之間形成的空間內之環境氣體進行抽吸，排出該空間內之霧，並伴隨著該抽吸而在液體刀16與遮蔽板17之上述間隙部分Os內形成自上述空間Sp內朝向下游側之氣流A，從而防止霧經由間隙部分Os向上游側擴散。

於如此之第二構成中，亦可防止霧向上述供給位置P之上游側擴散，從而能夠獲得與第一實施方式相同之如下效果，即：能夠防止在基板S到達供給位置P之前霧附著至基板S上。

亦即，第一實施方式與第二實施方式之共同點在於，均具有作為本發明之擴散防止機構之氣流形成機構，該氣流形成機構用於在上述間隙部分Os內形成自上游側流朝向下游側之氣流A，但在第一實施方式中，氣流形成機構係藉由自空氣噴嘴32噴射空氣來形成氣流A，而在第二實施方式中，氣流形成機構係藉由抽吸嘴40對環境氣體之抽吸來形成氣流A。

<第三實施方式>

圖5係概略表示第三實施方式之基板處理裝置1之主要部分之剖面圖。

第三實施方式之基板處理裝置1與第一實施方式之在構成上之不同點在於，代替上述空氣噴嘴32而設有閘門41(相當於本發明之升降板)。

閘門41係簡單地對液體刀16與遮蔽板17之間的上述間隙部分Os進行開閉。該閘門41可升降地設置在上述遮蔽板17之上游側之面上，且構成為，藉由未圖示之馬達而受到升降驅動，並且藉由上述控制器而受到開閉控制。

閘門41係遍及上升位置與下降位置之間可升降地構成，上述上升位置係其上端(前端)位於自液體刀16噴出之處理液之軌跡下方且位於沿搬送路徑搬送之基板S之上表面之上方之位置(圖中之實線位置)，上述下降位置係其上端位於搬送路徑之下方之位置，具體而言，該閘門41之上端位於與遮蔽板17之上端大致相同高度之位置(圖中之虛線位置)。即，在自液體刀16噴出沖洗液之狀態下將閘門41配置於上升位置，籍此使自液體刀16噴出之沖洗液(液幕)與該閘門41聯動而將液體刀16與遮蔽板17之上述間隙部分Os封閉。亦即，在該實施方式中，由上述閘門41等構成本發明之擴散防止機構。

在該第三實施方式之基板處理裝置1中，在自液體刀16等開始噴出沖洗液後直至基板S被搬入為止之期間，閘門41係配置在上升位置，液體刀16與遮蔽板17之間隙部分Os如上所述般被閘門41封閉。籍此，能夠防止霧經由該間隙部分Os向上游側(空間Sp)擴散。

因此，在如此之第二構成中，亦可抑制霧向上述供給位置P之上游側擴散，從而能夠有效地防止在基板S到達供給位置P以前霧附著至基板S之問題。

另外，當基板S搬入至處理室10內時，閘門41配置在下降位置，從而能夠容易地搬送基板S。

然而，上述各基板處理裝置1僅係本發明之基板處理裝置之較佳實施方式之示例，在不脫離本發明宗旨之範圍內可適當變更其具體構成。

例如，關於遮蔽板17之具體構成，只要能夠防止霧向上游側擴散，則其具體形狀等並不僅限定於上述實施方式。例如，在實施方式中，遮蔽板17之寬度方向兩側係與處理室10之側壁無間隙地接合，但在對基板S之處理影響較小之情形下，亦可在遮蔽板17之寬度方向之兩側與處理室10之側壁之間形成稍許之間隙。此點對於安裝板15亦同樣。

又，在上述實施方式中，將遮蔽板17設置成其上端(前端)位於沖洗液供給位置P之下方，但無須嚴格地位於供給位置P之下方，只要是在供給位置P之附近，則亦可位於其上游側或下游側。但，若要在供給位置P之上游側可靠地防止霧之附著，則優先使遮蔽板17之上端在沖洗液軌跡之上游側位於上述供給位置P處或其下游側。

另外，在上述各實施方式中，說明了將本發明適用於對基板S進行清洗處理之基板處理裝置1之例子，但理所當然地，本發明並不僅限定於清洗處理，亦可適用於進行藥液處理之基板處理裝置。又，在實施方式中，說明了將本發明適用於一邊水平搬送基板S一邊進行處理之基板處理裝置1中之情形，但理所當然地，本發明亦可適用於一邊傾斜搬送基板S一邊對基板S進行處理之基板處理裝置。

1．．．基板處理裝置

10．．．處理室

14．．．搬送輥

16．．．液體刀

17．．．遮蔽板

18a、18b．．．噴淋噴嘴

32．．．空氣噴嘴

S．．．基板

圖1係概略表示本發明之基板處理裝置(第一實施方式)之整體構成之剖面圖。

圖2(a)、圖2(b)係圖1中主要部分之放大圖，表示液體刀附近之具體構成，其中，圖2(a)表示開始噴出沖洗液之後且搬入基板前之狀態，圖2(b)表示開始搬入基板之後之狀態。

圖3係概略表示基板處理裝置(第一實施方式之變形例)之剖面圖。

圖4係表示本發明之基板處理裝置(第二實施方式)之液體刀附近之構成之主要部分之剖面圖。

圖5係表示本發明之基板處理裝置(第三實施方式)之液體刀附近之構成之主要部分之剖面圖。

1．．．基板處理裝置

10．．．處理室

12a．．．搬入口

12b．．．搬出口

13a．．．搬入口側閘門

13b．．．搬出口側閘門

14．．．搬送輥

15．．．安裝板

16．．．液體刀

17．．．遮蔽板

18a、18b．．．噴淋噴嘴

20．．．儲液箱

22．．．泵

24．．．導出管

26~28．．．供給管

30．．．回收管

32．．．空氣噴嘴

34．．．空氣供給管

36．．．空氣供給源

42．．．第一感測器

44．．．第二感測器

S．．．基板

V1～V4．．．開閉閥

Claims (7)

1. 一種基板處理裝置，其具備處理槽，該處理槽具有將搬入之基板向搬出口搬送之搬送路徑，在該處理槽內一邊搬送基板一邊向該基板供給處理液而實施特定之處理，其特徵在於包含：噴嘴構件，其設置在上述處理槽之搬入側，遍及所搬入之基板之上表面之整個寬度，自搬送方向上游側朝向下游側相對於垂直方向傾斜地噴出處理液；遮蔽板，其配置在較上述噴嘴構件噴出之處理液的軌跡更為搬送方向上游側且在上述搬送路徑之下方之位置，防止霧狀處理液向搬送方向上游側擴散；及罩構件，其在上述搬送方向上之自上述噴嘴構件起之上游側部分，自上方被覆上述搬送路徑。
2. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述遮蔽板直立設置在上述處理槽之內底部，且設置成其前端位於上述搬送路徑上之處理液供給位置附近。
3. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中更包含擴散防止機構，其防止霧狀處理液經由上述噴嘴構件與上述遮蔽板前端間的間隙部分向上述搬送方向上游側擴散。
4. 如請求項3之基板處理裝置，其中上述擴散防止機構係於上述噴嘴構件與上述遮蔽板前端間的間隙部分形成自上述搬送方向上游側流向下游側之氣流的氣流形成機構。
5. 如請求項4之基板處理裝置，其中上述氣流形成機構包括氣體之噴射機構，在較上述遮蔽板更為上述搬送方向上游側之處，藉由使上述噴射機構噴出氣體而形成上述氣流。
6. 如請求項4之基板處理裝置，其中上述氣流形成機構包括在較上述遮蔽板更為上述搬送方向下游側之處對上述處理槽內之環境氣體進行抽吸之抽吸機構，且其利用上述抽吸機構對由自上述噴嘴構件噴出之處理液與上述遮蔽板所包圍之空間內之環境氣體進行抽吸，藉此形成上述氣流。
7. 如請求項3之基板處理裝置，其中上述擴散防止機構包含可升降地設置於上述遮蔽板之升降板以及驅動控制該升降板之控制機構，上述升降板構成為可在上升位置與下降位置之間升降，上述上升位置係上述升降板前端位於自上述噴嘴構件噴出之處理液之軌跡之下方且較沿上述搬送路徑搬送之基板之上表面更為上方之位置，上述下降位置係上述前端位於較搬送路徑更為下方之位置，上述控制機構對上述升降板進行驅動控制，以使在未向上述處理槽搬入基板時，使上述升降板配置在上升位置，而在向上述處理槽搬入基板時，使上述升降板配置在下降位置。