JP2000031112A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理後の基板の処理ムラを抑える。 【解決手段】 基板処理装置１は、エッチング処理チャ
ンバー３と、搬送ローラ６と、基板搬送方向と交差する
方向に延びる入口カーテン３１と、基板搬送方向に沿っ
た方向に延びるスリットカーテン３２とを備える。搬送
ローラ６は、基板Ｗをエッチング処理チャンバー３に対
して搬出入する。入口液カーテン３１及びスリットカー
テン３２は、ともにエッチング処理チャンバー３に搬入
されてくる基板に対して薬液を層状に供給する。入口液
カーテン３１から供給される薬液の流れとスリットカー
テン３２から供給される薬液の流れとは、エッチング処
理チャンバー３に搬入されてくる基板Ｗ上において交わ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示器用ガラ
ス基板、カラーフィルタ用ガラス基板、フォトマスク用
基板、サーマルヘッド用セラミック基板、プリント基
板、半導体ウエハなどの基板の処理を行う基板処理装
置、特に、内部に基板を収容して処理液によって基板に
処理を施す処理チャンバーを有する基板処理装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】エッチング液や現像液などの処理液によ
って基板に処理を施す装置として、基板を処理チャンバ
ー内に収容し、停止しているあるいは搬送されている基
板に対してスプレーノズルから処理液を噴射して基板を
処理する装置がある。この装置においては、基板を処理
チャンバー内に収容して所定の間基板に処理液を供給し
て基板処理を行った後、スプレーノズルからの処理液噴
射を停止させて処理チャンバーから処理済みの基板を搬
出し次の新たな基板を搬入する。スプレーノズルから処
理液が噴射されているときには、処理チャンバー内で処
理液のミストが散乱している状態となるため、処理チャ
ンバーの基板搬出入用開口が閉められた状態で基板処理
が行われる。

【０００３】上記のような処理液による基板処理におい
ては、処理の開始のタイミングが極めて重要であり、こ
れが不均一となると基板表面に処理ムラが発生する。し
かしながら、上記のような装置では、バルブを閉めるこ
とでスプレーノズルからの処理液噴射を停止させて次の
新たな基板を搬入しているときに、スプレーノズルとバ
ルブとの間の配管内に残っている処理液が液滴となって
搬入中の基板に落下する。このようにスプレーノズルか
らの処理液噴射の前に基板上に処理液の液滴が落下する
と、処理後の基板に大きな処理ムラが発生する。

【０００４】この基板の処理ムラを抑えるために、処理
チャンバーへの基板搬入時において、スプレーノズルか
らの処理液の噴射の前に、基板搬送方向と直交する方向
に延びるスリットから予め基板に対して処理液を層状に
吹き出す入口液カーテンを設けている装置がある。この
ように、基板搬入時において予め均一に処理液を基板上
に盛っておけば、スプレーノズルから処理液の液滴が落
下しても基板に大きな処理ムラが発生しない。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、入口液カーテ
ンによって予め基板上に処理液を盛った場合、スプレー
ノズルから処理液の液滴の落下による大きな処理ムラは
抑えることができるが、搬入完了までの長い時間基板上
に新鮮な処理液が供給されない状態で同じ処理液が滞る
ことになるため、これによる処理ムラが発生する。この
原因としては、基板の表面状態の不均一性や処理液の挙
動の不確実性が考えられるが、いずれにしても長い時間
基板上に同じ処理液が滞らせることは処理ムラにつなが
ってしまう。

【０００６】これを解消する方法として、基板搬入時に
おいて入口液カーテンによる処理液の吹き出しに加えて
スプレーノズルから処理液を噴射させることが考えられ
るが、この場合には処理チャンバーの搬入用開口を開け
た状態でスプレーノズルから処理液を噴射させることに
なるため、処理液のミストが処理チャンバー外に飛散す
る恐れがある。処理液のミストが処理チャンバー外に飛
散すると、装置が設置されるクリーンルーム内が汚染さ
れたり、他の装置に悪影響を及ぼすことになる。

【０００７】本発明の課題は、処理チャンバー内におい
て基板に処理液を供給して基板処理を行う基板処理装置
であって、処理した基板の処理ムラが少ない装置を提供
することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る基板処理
装置は、処理チャンバーと、搬送手段と、第１処理液供
給手段と、第２処理液供給手段とを備えている。処理チ
ャンバーは、内部に基板を収容するチャンバーであっ
て、この中で処理液による基板の処理が行われる。搬送
手段は、処理チャンバーに基板を搬出入する。第１処理
液供給手段は、処理チャンバー内に設けられており、基
板搬送方向と交差する方向に延びている。第２処理液供
給手段は、処理チャンバー内に設けられており、基板搬
送方向に沿った方向に延びている。これらの第１及び第
２処理液供給手段は、ともに処理チャンバーに搬入され
てくる基板に対して処理液を供給する。そして、この基
板処理装置においては、第１処理液供給手段から供給さ
れる処理液の流れ（以下、第１処理液流という。）と第
２処理液供給手段から供給される処理液の流れ（以下、
第２処理液流という。）とが処理チャンバーに搬入され
てくる基板上において交わるようにされている。

【０００９】ここでは、従来から設置されている第１処
理液供給手段に加えて第２処理液供給手段を設けて、搬
入されてくる基板の上面において第１処理液流と第２処
理液流とを交わらせている。したがって、搬入されてく
る基板上において、第１処理液流により基板上に盛られ
た処理液が第２処理液流によって流動し、基板上におい
て同じ処理液が滞る現象が少なくなる。これにより、処
理後の基板に処理ムラができることが抑えられる。

【００１０】なお、第１及び第２処理液供給手段は、搬
入されてくる基板に対して予め処理液を供給するもので
あって、基板搬入中であっても、すなわち搬入口が開い
ている状態であっても処理チャンバー外に処理液が飛び
出さない程度に処理液を供給することが望ましい。請求
項２に係る基板処理装置は、請求項１に記載の装置であ
って、搬送手段は、基板を傾斜させた状態で、処理チャ
ンバーに基板を搬入する。この基板の傾斜は、基板搬送
方向と直交する面と基板との交線が水平面に対して傾斜
するような傾斜である。また、第２処理液供給手段は、
傾斜状態で搬入されてくる基板の最上部から処理液を供
給する。

【００１１】基板を上記のように傾斜させた状態で処理
チャンバーに搬入する場合、もし第１処理液供給手段だ
けから搬入中の基板に処理液を供給していると、一旦基
板上に盛られた処理液が搬入中の基板から流れ落ちてし
まう。これでは、基板搬入時において予め処理液を基板
上全体に盛って処理液の液滴の落下による大きな処理ム
ラの発生を防止するという目的が達成されない。

【００１２】ここでは、第１処理液供給手段に加えて、
傾斜状態で搬入されてくる基板の最上部から処理液を供
給する第２処理液供給手段を設けている。このため、搬
入されてくる基板上には常に処理液が存在することにな
り、処理液の液滴の落下による処理ムラを防ぐことがで
きる。また、搬入されてくる基板上において常に処理液
の流れが存在するため、基板上において同じ処理液が滞
る現象がより少なくなり、処理後の基板に処理ムラがで
きることを効果的に抑えることができる。

【００１３】請求項３に係る基板処理装置は、請求項１
又は２に記載の装置であって、第１及び第２処理液供給
手段は、処理チャンバーに搬入されてくる基板に対し
て、スリットから処理液を斜め方向に流出する。ここで
は、両処理液供給手段が処理液を斜め方向に流出するた
め、単に処理液を基板に流下させる場合に較べて、基板
上での処理液の流れが速くなる。これにより、搬入され
てくる基板上における処理液の流動が多くなって、処理
後の基板の処理ムラがより少なくなる。

【００１４】また、第１処理液供給手段からの第１処理
液流が基板搬送方向上流側に流れて、処理液が処理チャ
ンバー外に流出するという不具合をより確実に抑えるこ
とができる。なお、両処理液供給手段はスリットから処
理液を流出するので、処理液は層状に流出されて基板に
当たる。したがって、基板に概ね均一に処理液が供給さ
れるとともに、基板との衝突による処理液のミスト化が
抑えられる。

【００１５】請求項４に係る基板処理装置は、請求項１
又は２に記載の装置であって、第１処理液供給手段は、
処理チャンバーに搬入されてくる基板に対して、スリッ
トから処理液を斜め方向に流出する。また、第２処理液
供給手段は、複数の孔が形成された筒状部材を有してお
り、処理チャンバーに搬入されてくる基板に対して、孔
から処理液を流出する。

【００１６】ここでは、第１処理液供給手段が処理液を
斜め方向に流出するため、単に処理液を基板に流下させ
る場合に較べて、基板上での処理液の流れが速くなる。
これにより、搬入されてくる基板上における処理液の流
動が多くなって、処理後の基板の処理ムラがより少なく
なる。また、第１処理液供給手段からの第１処理液流が
基板搬送方向上流側に流れて、処理液が処理チャンバー
外に流出するという不具合をより確実に抑えることがで
きる。

【００１７】また、第２処理液供給手段は、スリットで
はなく複数の孔が形成された筒状部材を構成要素として
いるため、スリットを有する構造とする場合に較べて製
作コストが安くなる。請求項５に係る基板処理装置は、
請求項１から４のいずれかに記載の装置であって、第３
処理液供給手段をさらに備えている。第３処理液供給手
段は、処理チャンバーに搬入されてきて処理チャンバー
内の所定位置に収容された基板に対して、その所定位置
にある基板の上方から処理液を供給する。

【００１８】ここでは、搬入が完了して処理チャンバー
内の所定位置に収容された基板に対して、第３処理液供
給手段からの処理液供給により基板処理が行われる。こ
の第３処理液供給手段は基板の上方から処理液を供給す
る、すなわち基板上方に処理液の供給口を有しているた
め、処理液を供給していない基板搬入時においても基板
上面に処理液の液滴が落ちる恐れがあるが、このような
処理液の液滴の落下があった場合でも、第１及び第２処
理液供給手段により基板上に処理液が盛られているので
処理ムラが殆ど発生しない。

【００１９】請求項６に係る基板処理装置は、請求項５
に記載の装置であって、第１及び第２処理液供給手段
は、処理チャンバー内の所定位置に収容された基板の上
方空間の外部に配置されている。ここでは、第３処理液
供給手段による基板処理中に、第１及び第２処理液供給
手段から処理液の液滴が基板上に落下することが回避さ
れる。

【００２０】すなわち、搬入が完了すると第１及び第２
処理液供給手段からの処理液供給は必要なくなるが、処
理液供給を停止しても多少の液滴が落下することが考え
られる。この液滴が第３処理液供給手段による基板処理
中に基板上に落下するとその部分に処理ムラが生じるこ
とがあるが、ここでは第１及び第２処理液供給手段を基
板の上方空間の外部に配置しているため、これらからの
処理液の液滴が基板処理中に基板上に落下することはな
い。

【００２１】なお、所定の流速をつけて第２処理液供給
手段から処理液を斜めに流出させれば、搬入される基板
の上方空間から第２処理液供給手段が外れていても搬入
中の基板に処理液を供給することができる。請求項７に
係る基板処理装置は、請求項５又は６に記載の装置であ
って、第３処理液供給手段は、基板に対して処理液を噴
射するスプレーノズルを有している。また、処理チャン
バーは、基板を搬出入するための開口と、開口を開閉す
る開閉手段とを有している。そして、基板処理装置は、
さらに制御手段を備えている。制御手段は、搬送手段、
開閉手段、第１処理液供給手段、第２処理液供給手段、
及び第３処理液供給手段を制御するものである。この制
御手段は、開閉手段によって基板を搬入するための開口
を開けた状態において、第１及び第２処理液供給手段か
ら処理液を供給させながら、処理チャンバーに基板を搬
入させる制御を行う。また、制御手段は、基板が搬入さ
れ基板が処理チャンバー内の所定位置に収容された後
に、第１及び第２処理液供給手段からの処理液の供給を
停止して、開口を閉じた状態で第３処理液供給手段から
処理液を噴射させる制御を行う。

【００２２】ここでは、基板を処理チャンバーに搬入す
るときには、第１及び第２処理液供給手段により基板上
に処理液を盛って、スプレーノズルからの処理液の落下
による処理ムラを抑える。また、第３処理液供給手段に
よる基板への処理液噴射時には、開口を閉じた状態で処
理液を噴射するため、処理液がミスト状になって処理チ
ャンバー外に漏れ出ることが抑えられる。

【００２３】

【発明の実施の形態】＜装置の全体構成＞図１に本発明
の一実施形態である基板処理装置１を示す。基板処理装
置１は、液晶表示器用のガラスの基板Ｗ上に形成された
薄膜にエッチング処理を施す装置であって、主として、
入口コンベアチャンバー２、エッチング処理チャンバー
（処理チャンバー）３、水洗処理チャンバー４，及び乾
燥搬出チャンバー５と、各チャンバー２〜５に配備され
る搬送ローラ（搬送手段）６とから構成されている。各
チャンバー２〜５の下方の空間には、エッチング処理チ
ャンバー３に薬液を供給するための薬液槽や配管、水洗
処理チャンバー４に純水を供給するための純水槽や配
管、高圧空気・排気・排液・排水等の各種配管、制御装
置や電気配線等が配置される。 ＜装置の動作概略＞表面に薄膜が形成された基板Ｗが基
板処理装置１に運ばれてくると、まず基板Ｗは入口コン
ベアチャンバー２に搬入される。その後、基板Ｗは搬送
ローラ６によってエッチング処理チャンバー３に移動す
る。エッチング処理チャンバー３では、エッチング用の
薬液（処理液）が基板Ｗに噴射され、基板表面上の薄膜
が所定の厚さだけ食刻される。このようにエッチングさ
れた基板Ｗは、次に水洗処理チャンバー４に送られて、
基板Ｗに付着した薬液が洗い流される。そして、水洗処
理を終えた基板Ｗは、乾燥搬出チャンバー５でエアー吹
き付けによる乾燥処理が行われた後に搬出される。

【００２４】なおここでは、基板Ｗは各チャンバー２〜
５において所定の傾斜状態とされて処理・搬送される
（図２参照）。この基板Ｗの傾斜は、基板搬送方向（図
１の左から右へ向かう方向）と直交する面と基板Ｗとの
交線が水平面Ｈに対して角度θ１だけ傾斜するような傾
斜である（図２及び図８の角度θ１参照）。角度θ１
は、エッチング処理の効率等を考慮して、ここでは５゜
〜１０゜に設定されている。 ＜エッチング処理チャンバーの詳細＞エッチング処理チ
ャンバー３には、図１に示すように、主として、基板搬
入時に基板Ｗに薬液を層状に吹き付ける入口液カーテン
（第１処理液供給手段）３１／スリットカーテン（第２
処理液供給手段）３２、基板Ｗに薬液を噴射する上部ス
プレーノズル（第３処理液供給手段）３３ａ／下部スプ
レーノズル３３ｂ、基板Ｗを搬送ローラ６によって基板
搬送方向に沿って揺動させるときに使用する位置センサ
ー３４，３５、及びエッチングの終点を検出する光学反
射式のＥＰＳ（エンド・ポイント・センサー）３６が配
置されている。また、エッチング処理チャンバー３に
は、入口コンベアチャンバー２から基板Ｗを搬入するた
めの搬入口及びこの搬入口を開閉する搬入シャッター３
ａと、水洗処理チャンバー４へと基板Ｗを搬出するため
の搬出口及びこの搬出口を開閉する搬出シャッター３ｂ
とが設けられている。

【００２５】入口液カーテン３１は、エッチング処理チ
ャンバー３内の搬入口付近に設けられており、基板搬送
方向（図１の左から右へと向かう方向）と直交する方向
に延びている（図２参照）。但し、水平面に対しては、
搬送ローラ６や基板Ｗと同じく角度θ１だけ傾斜した状
態で固定されている。この入口液カーテン３１は、搬入
されてくる基板Ｗに対して薬液をスリットから斜めに層
状に吹き出すが、その吹き出しの角度θ２（図７参照）
は基板Ｗの表面に対して約２０゜に設定されている。な
お、この入口液カーテン３１のスリットの長さは、基板
Ｗの搬送方向に直交する方向に沿った長さ（基板Ｗの
幅）よりも長い（図５参照）。

【００２６】スリットカーテン３２は、エッチング処理
チャンバー３内の側面付近に設けられており、基板搬送
方向と同じ方向に延びている。このスリットカーテン３
２は、傾斜状態で搬入されてくる基板Ｗの最上部（図２
の基板Ｗの向こう側の側端部）に対して、スリットから
薬液を斜めに層状に吹き出す。この吹き出しの角度も、
基板Ｗの表面に対して約２０゜に設定されており、水平
面Ｈから見れば２５〜３０゜ぐらいの角度θ３に設定さ
れている。なお、このスリットカーテン３２のスリット
の長さは、基板Ｗの搬送方向に沿った長さよりも長い
（図５参照）。

【００２７】そして、図５に示すように、入口液カーテ
ン３１から供給される薬液の流れ（以下、第１薬液流Ｆ
１という。）とスリットカーテン３２から供給される薬
液の流れ（以下、第２薬液流Ｆ２という。）とがエッチ
ング処理チャンバー３に搬入されてくる基板Ｗの表面に
おいて交わるように、入口液カーテン３１とスリットカ
ーテン３２とは隣接して設けられている。

【００２８】また、図６に示すように、入口液カーテン
３１及びスリットカーテン３２は、エッチング処理チャ
ンバー３内の所定位置Ｓに収容された基板Ｗの上方空間
から外れた位置に配置されている。上部スプレーノズル
３３ａ及び下部スプレーノズル３３ｂは、図２に示すよ
うに、それぞれ基板Ｗの搬送方向に沿って延設され、基
板Ｗの幅方向に等間隔に複数のものが配置される。ま
た、各スプレーノズル３３ａ，３３ｂは、基板Ｗが所定
位置Ｓに搬入されてきた後に、長手方向を軸として所定
角度だけ往復回転運動しながら基板Ｗに概ね均一に薬液
を噴射する。このエッチング処理チャンバー３内ではＥ
ＰＳ３６によってエッチングの終了が自動的に検出され
るが、それまでの間、基板Ｗは、所定位置Ｓにおいて両
位置センサー３４，３５の間を往復動することによって
揺動しながら、両スプレーノズル３３ａ，３３ｂから薬
液の噴射を受ける。 ＜エッチング処理チャンバーの薬液配管系統＞図３にエ
ッチング処理チャンバー３で使用する薬液の配管図を示
す。エッチング処理チャンバー３の下方に配置される薬
液タンク６４には、図示しない薬液補充配管から適宜薬
液が補充され、また図示しないオーバーフロー配管が設
置されている。したがって、薬液タンク６４の液面は概
ね一定に保たれている。

【００２９】この薬液タンク６４からは、ポンプ６５及
びフィルター６６を介して入口液カーテン３１、スリッ
トカーテン３２、及びスプレーノズル３３ａ，３３ｂに
薬液供給配管が延びている。そして、これらの配管に
は、入口液カーテン３１への薬液供給を断続する自動弁
である入口液カーテン用バルブ６１、スリットカーテン
３２への薬液供給を断続する自動弁であるスリットカー
テン用バルブ６２、両スプレーノズル３３ａ，３３ｂへ
の薬液供給を断続する自動弁であるスプレーノズル用バ
ルブ６３がそれぞれ設置されている。

【００３０】入口液カーテン３１、スリットカーテン３
２、あるいはスプレーノズル３３ａ，３３ｂからエッチ
ング処理チャンバー３内に吹き出された薬液は、エッチ
ング処理チャンバー３の下部から戻り配管によって薬液
タンク６４に戻され、薬液はポンプ６５の作動によって
循環使用される。 ＜他のチャンバーの詳細＞水洗処理チャンバー４には、
主として、上部洗浄スプレー４１、下部洗浄スプレー４
２、位置センサー４３，４４が配置されている。上部及
び下部洗浄スプレー４１，４２は、基板Ｗに対して純水
を噴射する。位置センサー４３，４４は、水洗処理チャ
ンバー４内における基板Ｗの基板搬送方向の位置を検出
する光ファイバーのセンサーである。エッチング処理チ
ャンバー３において薬液によるエッチング処理が施され
薬液が付着した状態の基板Ｗが、搬送ローラ６によって
水洗処理チャンバー４に送られてくると、基板Ｗは所定
の時間だけ両位置センサー４３，４４の間を行ったり来
たりの揺動を繰り返すが、このときに上部及び下部洗浄
スプレー４１，４２から基板Ｗに対して純水が噴射され
る。この純水が基板Ｗに接触衝突して、基板Ｗに付着し
ている薬液を基板Ｗから洗い流す。基板Ｗを洗浄し薬液
と混じり合って汚染された純水は、水洗処理チャンバー
４の下部から排出される。

【００３１】乾燥搬出チャンバー５には、基板Ｗにドラ
イエアーを噴射する上下エアーナイフ５１，５２が設け
られている。この乾燥搬出チャンバー５内では、水洗処
理チャンバー４での水洗処理後に基板Ｗに残留した純水
を両エアーナイフ５１，５２から噴射されるドライエア
ーにより吹き飛ばし、基板Ｗを乾燥させる。搬送ローラ
６は、基板Ｗの搬送方向に直交するように配置され、各
チャンバー２〜５の側壁に回転自在に支持されるローラ
軸７０を有している（図２参照）。基板搬送方向におい
て搬送ローラ６の間にはサイドローラ９０が設けられて
いる。サイドローラ９０は搬送ローラ６のローラ軸７０
とは直交する方向に軸を有し、基板Ｗの側面と接する支
持部材９１を有する。基板Ｗは傾斜状態で搬送ローラ６
に保持されて搬送されが、このときに支持部材９１は基
板Ｗの基板搬送方向と交差する方向への移動を抑える。 ＜エッチング処理チャンバーの制御＞次に、エッチング
処理チャンバー３における基板処理の制御について説明
する。

【００３２】図４にエッチング処理チャンバー３の制御
系統を示す。エッチング処理チャンバー３における基板
Ｗの処理を制御する制御部３７には、位置センサ３４，
３５やＥＰＳ３６からの信号が入力される。また、基板
処理装置１全体を司るメイン制御部１ａからの信号も入
力される。これらの入力信号を基に、制御部３７は、エ
ッチング処理チャンバー３内の搬送ローラ６、搬入シャ
ッター３ａ、搬出シャッター３ｂ、入口液カーテン用バ
ルブ６１、スリットカーテン用バルブ６２、スプレーノ
ズル用バルブ６３等に指令を発する。この制御部３７
は、以下のように制御を行う。

【００３３】エッチング処理チャンバー３に基板Ｗを搬
入するときには、搬入シャッター３ａを開けるとともに
搬送ローラ６を駆動して基板Ｗを搬入させる。このとき
には、同時に入口液カーテン用バルブ６１及びスリット
カーテン用バルブ６２が開けられ、入口液カーテン３１
及びスリットカーテン３２から搬入されてくる基板Ｗに
対して層状の薬液が吹き付けられる。

【００３４】エッチング処理チャンバー３の所定位置Ｓ
への基板Ｗの搬入が完了すると、搬入及び搬出シャッタ
ー３ａ，３ｂが閉められる。そして、このようにエッチ
ング処理チャンバー３から他のチャンバーに内部の雰囲
気が流出しないようにした上で、入口液カーテン用バル
ブ６１及びスリットカーテン用バルブ６２が閉められ、
スプレーノズル用バルブ６３が開けられる。これによ
り、両スプレーノズル３３ａ，３３ｂから基板Ｗの両面
に薬液が噴射されて、基板Ｗのエッチング処理が開始さ
れる。このスプレーノズル３３ａ，３３ｂによるエッチ
ング処理中においては、上記のように、スプレーノズル
３３ａ，３３ｂが所定角度だけ往復回転運動するととも
に、基板Ｗが所定位置Ｓにおいて両位置センサー３４，
３５の間を往復動させられる。

【００３５】ＥＰＳ３６によってエッチングの終了が検
出されると、その信号を受けてスプレーノズル用バルブ
６３が閉められる。そして、処理を終えた基板Ｗは、搬
送ローラ６によって水洗処理チャンバー４へと搬出され
ていく。 ＜装置の特徴＞ ［１］本装置では、上記のように、基板Ｗをエッチング
処理チャンバー３に搬入するときに入口液カーテン３１
及びスリットカーテン３２により基板Ｗの上に薬液を盛
って、スプレーノズル３３ａ，３３ｂからの薬液の落下
による処理ムラを抑えている。また、スプレーノズル３
３ａ，３３ｂによる基板Ｗへの薬液噴射時には、シャッ
ター３ａ，３ｂを閉じた状態で薬液を噴射するため、ミ
スト状になった薬液がエッチング処理チャンバー３外に
漏れ出ることが抑えられている。 ［２］本装置では、従来から設置されている入口液カー
テン３１に加えてスリットカーテン３２を設けて、搬入
されてくる基板Ｗの上面において第１薬液流Ｆ１と第２
薬液流Ｆ２とを交わらせている。したがって、搬入され
てくる基板Ｗ上において、第１薬液流Ｆ１により基板Ｗ
上に盛られた薬液が第２薬液流Ｆ２によって流動し（図
５の基板Ｗ上の流れを表す矢印を参照）、基板Ｗ上にお
いて同じ薬液が滞る現象が少なくなっている。これによ
り、処理後の基板Ｗに処理ムラができることが抑えられ
ている。 ［３］本装置では、基板Ｗを傾斜させた状態でエッチン
グ処理チャンバー３に搬入しているため、もし入口液カ
ーテン３１だけから搬入中の基板Ｗに薬液を吹き付けて
いるとすると、一旦基板Ｗ上に盛られた薬液が搬入中の
基板Ｗから流れ落ちてしまう。これでは、基板Ｗの搬入
時において予め薬液を基板Ｗ上全体に盛ってスプレーノ
ズル３３ａからの薬液の液滴の落下による大きな処理ム
ラの発生を防止するという目的が達成されない。

【００３６】しかし、本装置では、入口液カーテン３１
に加えて、傾斜状態で搬入されてくる基板Ｗの最上部か
ら薬液を供給するスリットカーテン３２を設けている。
このため、搬入されてくる基板Ｗ上には常に薬液が存在
することになり（図５参照）、スプレーノズル３３ａか
らの薬液の液滴の落下による処理ムラを防ぐことができ
る。また、搬入されてくる基板Ｗ上において常に図５に
示すような薬液の流れが存在するため、基板Ｗ上におい
て同じ薬液が滞る現象が少なくなり、処理後の基板Ｗに
処理ムラができ難くなっている ［４］本装置では、入口液カーテン３１及びスリットカ
ーテン３２が薬液を斜め方向に吹き出しており（図７及
び図８参照）、単に薬液を基板Ｗに流下させる場合に較
べて、基板Ｗ上での薬液の流れが速くなる。これによ
り、搬入されてくる基板Ｗ上における薬液の流動が多く
なっており、処理後の基板Ｗの処理ムラがより少なくな
っている。また、入口液カーテン３１の薬液の吹き出し
の角度が基板Ｗの表面に対して約２０゜に設定されてい
ることから、通常の基板搬送速度であれば、入口液カー
テン３１からの第１薬液流Ｆ１が基板搬送方向上流側
（図１の左側）に流れ、薬液がエッチング処理チャンバ
ー３から基板Ｗを伝って入口コンベアチャンバー２に流
出するという現象が起こらない。 ［５］本装置では、スプレーノズル３３ａ，３３ｂによ
る基板Ｗの処理中に、入口液カーテン３１及びスリット
カーテン３２から薬液の液滴が基板Ｗ上に落下すること
がない。すなわち、図６に示すように入口液カーテン３
１及びスリットカーテン３２を基板Ｗが位置する所定位
置Ｓの上方空間の外部に配置しているため、これらのカ
ーテン３１，３２からの薬液の液滴がスプレーノズル３
３ａ，３３ｂによる基板Ｗの処理中に基板Ｗ上に落下す
ることはない。 ＜他の実施形態＞ ［Ａ］上記実施形態の層状に薬液を吹き出すスリットカ
ーテン３２に代えて、図９に示すような複数の小孔１３
２ａが形成されたパイプ（第２処理液供給手段）１３２
を用いることもできる。

【００３７】パイプ１３２は、円筒状の部材であり、長
手方向に複数の小孔１３２ａが形成されている。小孔１
３２ａは、これらから吹き出される薬液が傾斜状態で搬
入されてくる基板Ｗの最上部にかかるように形成されて
いる。ここでは、パイプ１３２の断面において基板Ｗ側
の斜め下部に開けられている。ここでは、パイプ１３２
に小孔１３２ａを形成したという簡易で安価な構造を採
用しているため、装置の製作コストを低く抑えることが
できる。 ［Ｂ］上記実施形態の層状に薬液を吹き出すスリットカ
ーテン３２に代えて、図１０に示すように、スプレーノ
ズル３３ａと同等なスプレーノズル（第２処理液供給手
段）２３２を用いることもできる。

【００３８】この場合には、スプレーノズル２３２のノ
ズル２３２ａから噴射される薬液がミストとなるのを回
避するために、スプレーノズル３３ａよりも基板Ｗに近
い高さ位置にスプレーノズル２３２を配置したり、スプ
レーノズル２３２からの薬液を噴射速度を遅くしたりす
る工夫をするのが望ましい。 ［Ｃ］上記実施形態のおいては、入口液カーテン用バル
ブ６１とスリットカーテン用バルブ６２とを別個に設け
ているが、１つの自動バルブによって入口液カーテン３
１及びスリットカーテン３２への薬液の供給を断続させ
ても良い。

【００３９】

【発明の効果】本発明では、従来から設置されている第
１処理液供給手段に加えて第２処理液供給手段を設け
て、搬入されてくる基板の上面において第１処理液流と
第２処理液流とを交わらせ、第１処理液流により基板上
に盛られた処理液を第２処理液流によって流動させてい
るため、処理後の基板の処理ムラが抑えられる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態における基板処理装置の概
略図。

【図２】エッチング処理チャンバーの斜視図。

【図３】エッチング処理チャンバーの薬液配管図。

【図４】エッチング処理チャンバーの制御系統図。

【図５】エッチング処理チャンバーへの基板搬入動作
図。

【図６】エッチング処理チャンバーの所定位置配置図。

【図７】図５のVII-VII 矢視断面図。

【図８】図５のVIII-VIII 矢視断面図。

【図９】他の実施形態のエッチング処理チャンバーへの
基板搬入動作図。

【図１０】他の実施形態のエッチング処理チャンバーへ
の基板搬入動作図。

【符号の説明】

１ 基板処理装置 ３ エッチング処理チャンバー（処理チャンバー） ３ａ 搬入シャッター（開閉手段） ６ 搬送ローラ（搬送手段） ３１ 入口液カーテン（第１処理液供給手段） ３２ スリットカーテン（第２処理液供給手段） ３３ａ スプレーノズル（第３処理液供給手段） １３２ パイプ（筒状部材） １３２ａ 小孔（孔） Ｆ１ 第１薬液流 Ｆ２ 第２薬液流 Ｈ 水平面 Ｓ 所定位置 Ｗ 基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４８ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４８Ａ Ｆターム(参考） 2H096 AA27 DA04 GA21 GA23 GA26 3B201 AA02 AB14 BB24 BB93 CC12 5F043 AA01 AA05 DD13 EE02 EE03 EE07 EE21 EE27 EE36 GG10

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】内部に基板を収容し、処理液によって基板
   に処理を施す処理チャンバーと、 前記処理チャンバーに基板を搬出入する搬送手段と、 前記処理チャンバー内に設けられ、基板搬送方向と交差
   する方向に延び、前記処理チャンバーに搬入されてくる
   基板に対して処理液を供給する第１処理液供給手段と、 前記処理チャンバー内に設けられ、基板搬送方向に沿っ
   た方向に延び、前記処理チャンバーに搬入されてくる基
   板に対して処理液を供給する第２処理液供給手段と、を
   備えた基板処理装置であって、 前記処理チャンバーに搬入されてくる基板上において、
   前記第１処理液供給手段から供給される処理液の流れと
   前記第２処理液供給手段から供給される処理液の流れと
   が交わる、基板処理装置。
2. 【請求項２】前記搬送手段は、基板搬送方向と直交する
   面と基板との交線が水平面に対して傾斜するように基板
   を傾斜させた状態で、前記処理チャンバーに基板を搬入
   し、 前記第２処理液供給手段は、傾斜状態で搬入されてくる
   基板の最上部から処理液を供給する、請求項１に記載の
   基板処理装置。
3. 【請求項３】前記第１及び第２処理液供給手段は、前記
   処理チャンバーに搬入されてくる基板に対して、スリッ
   トから処理液を斜め方向に流出する、請求項１又は２に
   記載の基板処理装置。
4. 【請求項４】前記第１処理液供給手段は、前記処理チャ
   ンバーに搬入されてくる基板に対して、スリットから処
   理液を斜め方向に流出し、 前記第２処理液供給手段は、複数の孔が形成された筒状
   部材を有しており、前記処理チャンバーに搬入されてく
   る基板に対して、前記孔から処理液を流出する、請求項
   １又は２に記載の基板処理装置。
5. 【請求項５】前記処理チャンバーに搬入されて前記処理
   チャンバー内の所定位置に収容された基板に対して、基
   板の上方から処理液を供給する第３処理液供給手段をさ
   らに備えた、請求項１から４のいずれかに記載の基板処
   理装置。
6. 【請求項６】前記第１及び第２処理液供給手段は、前記
   処理チャンバー内の所定位置に収容された基板の上方空
   間の外部に配置されている、請求項５に記載の基板処理
   装置。
7. 【請求項７】前記第３処理液供給手段は、基板に対して
   処理液を噴射するスプレーノズルを有し、 前記処理チャンバーは、基板を搬出入するための開口
   と、前記開口を開閉する開閉手段とを有しており、 前記搬送手段、前記開閉手段、前記第１処理液供給手
   段、前記第２処理液供給手段、及び前記第３処理液供給
   手段を制御する制御手段であって、前記開閉手段によっ
   て基板を搬入するための前記開口を開けた状態において
   前記第１及び第２処理液供給手段から処理液を供給させ
   ながら前記処理チャンバーに基板を搬入させ、基板が搬
   入され基板が前記処理チャンバー内の所定位置に収容さ
   れた後に前記第１及び第２処理液供給手段からの処理液
   の供給を停止して前記開口を閉じた状態で第３処理液供
   給手段から処理液を噴射させる制御手段をさらに備え
   た、請求項５又は６に記載の基板処理装置。