KR102278079B1 - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예는 기판을 액 처리하는 장치 및 방법을 제공한다.
기판을 처리하는 장치는 기판을 처리하는 처리 공간을 제공하는 공정 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 그리고 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판에 액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되, 상기 액 공급 유닛은 액을 토출하는 노즐, 상기 노즐에 제1액을 공급하는 제1액 공급 부재, 상기 노즐에 제2액을 공급하는 제2액 공급 부재, 상기 처리 공간에서 처리된 액을 회수하는 회수 부재, 그리고 상기 회수 부재를 세정하는 세정 부재를 포함하되, 상기 회수 부재는 상기 공정 챔버에 연결되는 메인 라인과 상기 메인 라인으로부터 제1지점에서 분기되어 제1액 공급 부재에 연결되는 제1분기 라인을 포함하고, 상기 메인 라인으로부터 제2지점에서 분기되어 제2액 공급 부재에 연결되는 제2분기 라인을 포함하고, 상기 세정 부재는 상기 제1분기 라인과 상기 제2분기 라인을 세정한다.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and Method for treating substrate}
본 발명은 기판을 액 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
액정 디스플레이(LCD)와 같은 평판 표시 패널을 제조하기 위해 베이크, 도포, 현상, 식각, 그리고 세정 등 다양한 공정들이 요구된다. 특히 도포, 현상, 식각 그리고 세정 공정은 기판을 액 처리하는 대표적 공정들로서, 각 공정에 맞는 케미칼이 기판으로 공급된다.
이러한 액 처리 공정은 같은 공정이라 할지라도, 다양한 종류의 케미칼이 사용된다. 예컨대, 현상 처리 장치는 제1액막이 도포된 제1기판에 제1현상액을 공급하고, 제2액막이 도포된 제2기판에 제2현상액을 공급할 수 있다.
최근에는 장치가 소형화 및 단순화가 이루어지며, 케미칼들을 공급하는 라인들의 개수가 줄어든다. 이에 따라 제1액이 공급되고, 제2액이 공급되기 전에는 제1액과 제2액의 혼합을 방지하기 위한 라인 세정 공정이 진행된다.
그러나 도 1과 같이 "T" 자 형상의 배관에는 잔류된 케미칼(L1)의 와류가 발생되며, 세척액(Lc)에 의한 세정이 용이하지 않다. 이에 따라 제2액은 잔류된 제1액과 혼합되어 기판으로 공급될 수 있으며, 이는 공정 불량을 야기한다.
본 발명은 2 이상의 케미칼을 공급하는 배관에 있어서, 케미칼들이 혼합되는 것을 방지할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 실시예는 기판을 액 처리하는 장치 및 방법을 제공한다.
기판을 처리하는 장치는 기판을 처리하는 처리 공간을 제공하는 공정 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 그리고 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판에 액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되, 상기 액 공급 유닛은 액을 토출하는 노즐, 상기 노즐에 제1액을 공급하는 제1액 공급 부재, 상기 노즐에 제2액을 공급하는 제2액 공급 부재, 상기 처리 공간에서 처리된 액을 회수하는 회수 부재, 그리고 상기 회수 부재를 세정하는 세정 부재를 포함하되, 상기 회수 부재는 상기 공정 챔버에 연결되는 메인 라인과 상기 메인 라인으로부터 제1지점에서 분기되어 제1액 공급 부재에 연결되는 제1분기 라인을 포함하고, 상기 메인 라인으로부터 제2지점에서 분기되어 제2액 공급 부재에 연결되는 제2분기 라인을 포함하고, 상기 세정 부재는 상기 제1분기 라인과 상기 제2분기 라인을 세정한다.
상기 세정 부재는 기 제1지점에 설치되어 상기 제1분기 라인을 세정하는 제1부재와 상기 제2지점에 설치되어 상기 제2분기 라인을 세정하는 제2부재를 포함할 수 있다. 상기 제1부재는, 상기 제1지점에 설치되며, 세정액 또는 세정 가스를 공급하는 제1세정 라인을 포함하고, 상기 제2부재는, 상기 제2지점에 설치되며, 세정액 또는 세정 가스를 공급하는 제1세정 라인을 포함할 수 있다.
상기 제1세정 라인으로부터 상기 제1지점에 세정액 또는 세정 가스를 토출하는 제1토출구는 상기 제1분기 라인을 향하도록 제공되고, 상기 제2세정 라인으로부터 상기 제2지점에 세정액 또는 세정 가스를 토출하는 제2토출구는 상기 제2분기 라인을 향하도록 제공될 수 있다. 상기 제1액 공급 부재는, 상기 제1분기 라인에 연결되며, 제1액이 수용되는 제1탱크를 더 포함하고, 상기 제2액 공급 부재는, 상기 제2분기 라인에 연결되며, 제2액이 수용되는 제2탱크를 더 포함하고, 상기 제1지점은 상기 제1탱크보다 높고, 상기 제2지점은 상기 제2탱크보다 높게 위치될 수 있다.
상기 액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 노즐에 제1액을 공급하고, 상기 메인 라인을 세정한 후에 제2액을 공급하도록 상기 액 공급 유닛을 제어할 수 있다. 상기 제어기는 상기 메인 라인을 세정할 때에 상기 제1분기 라인과 상기 제2분기 라인 각각을 차단한 상태에서 상기 제1부재 및 상기 제2부재로부터 세정액이 토출되도록 상기 액 공급 유닛을 제어할 수 있다. 상기 제어기는 상기 제1액 공급 부재와 상기 제2액 공급 부재 중 어느 하나로부터 상기 노즐에 액을 공급할 때에 다른 하나에 연결된 분기 라인을 차단한 상태에서 상기 다른 하나에 연결된 분기 라인에 세정 가스를 공급하도록 상기 액 공급 유닛을 제어할 수 있다.
상기 세정 부재는, 상기 메인 라인에 세척액을 공급하는 세척액 공급 라인을 더 포함하고, 상기 회수 부재는, 상기 메인 라인으로부터 분기되는 드레인 라인을 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 메인 라인을 세정할 때에 상기 메인 라인에 세척액을 공급하고, 상기 드레인 라인을 개방할 수 있다.
위 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법은 상기 제1기판에 상기 제1액을 공급하는 제1액 공급 단계, 상기 제1액의 공급을 중지하고, 상기 메인 라인에 잔류된 상기 제1액을 세정하는 세정 단계, 그리고 상기 제2기판에 상기 제2액을 공급하는 제2액 공급 단계를 포함하되, 상기 제1액 공급 단계에는 상기 제2분기 라인에 세정 가스를 공급하고, 상기 제2액 공급 단계에는 상기 제1분기 라인에 세정 가스를 공급한다.
상기 세정 단계에는 상기 제1분기 라인과 상기 제2분기 라인이 각각 차단된 상태에서 상기 제1분기 라인과 상기 제2분기 라인 각각에 세정액을 공급할 수 있다.
상기 세정 단계에는 상기 메인 라인으로 세척액을 공급하여 상기 메인 라인을 세정하고, 상기 세척액은 상기 메인 라인으로부터 분기되는 드레인 라인을 통해 드레인될 수 있다.
상기 제1액과 상기 제2액은 서로 다른 종류의 현상액으로 제공될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 분기 라인이 분기되는 지점에서 세정액을 공급한다. 이로 인해 잔류 액을 제거할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 제1액과 제2액 중 어느 하나의 액의 회수가 이루어지는 중에는 다른 하나의 액이 회수되어야 하는 분기 라인으로 세정 가스를 공급한다. 이로 인해 어느 하나의 액이 다른 하나의 액의 분기 라인에 유입되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 일반적인 배관에 잔류된 케미칼 및 세정액을 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 공정 유닛을 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2의 반송 유닛을 보여주는 사시도이다.
도 4는 도 2의 액 공급 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 4의 A 영역을 확대해 보여주는 단면도이다.
도 6은 도 2 및 도 4의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 플로우 차트이다.
도 7 내지 도 10은 도 6의 기판 처리 과정을 보여주는 도면들이다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
본 실시예에서 기판(G)은 평판 표시 패널 제조에 사용되는 기판(G)을 예로 들어 설명한다. 그러나 이와 달리 기판(G)은 반도체 칩 제조에 사용되는 웨이퍼일 수 있다. 또한 본 실시예에는 기판(G)을 액 처리하는 공정에 대해 설명한다. 이하, 본 발명은 도 2 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.
기판 처리 장치는 공정 유닛, 액 공급 유닛(500), 그리고 제어기(700)를 포함한다. 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 공정 유닛을 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치의 공정 유닛은 기판(G)을 액 처리하는 공정을 수행한다. 공정 유닛은 복수 개의 공정 모듈을 포함한다. 각 공정 모듈은 제1방향을 따라 일렬로 배열된다. 각 공정 모듈은 내부 공간이 연통되게 제공되며, 동일 공정을 수행한다. 예컨대, 공정 모듈은 기판(G) 상에 형성된 액막을 현상 처리하는 현상 공정일 수 있다.
공정 모듈은 공정 챔버(110) 및 반송 유닛(300)을 포함한다. 공정 챔버(110)는 직육면체 형상을 가지도록 제공된다. 공정 챔버(110)는 내부에 처리 공간(112)을 제공한다. 공정 챔버(110)의 양단에는 개구가 형성된다. 공정 챔버(110)의 전단에 형성된 개구는 기판(G)이 반입되는 반입구(122)로 기능하고, 공정 챔버(110)의 후단에 형성된 개구는 기판(G)이 반입되는 q반출구(124)로 기능한다. 공정 챔버(110)의 반입구(122) 및 반출구(124)는 동일 높이에 형성된다. 각 공정 챔버(110)는 서로 밀착되게 위치된다. 따라서 공정 챔버(110)들의 처리 공간(112)은 제1방향을 따라 연장된 공간으로 제공된다. 공정 챔버(110)의 바닥면에는 처리 공간(112)에서 처리된 액이 회수되는 회수 포트(130)가 형성된다. 공정 챔버(110)의 바닥면은 회수 포트(130)에 갈수록 하향 경사지게 제공될 수 있다.
반송 유닛(300)은 기판(G)을 제1방향(12)으로 반송한다. 도 3은 도 2의 반송 유닛(300)을 보여주는 사시도이다. 도 3을 참조하면, 반송 유닛(300)은 처리 공간(112)에 배치된다. 반송 유닛(300)은 복수 개의 반송 부재(310)를 포함한다.
반송 부재(310)는 샤프트(311), 반송 롤러(313), 그리고 구동기(미도시)를 포함한다. 샤프트들(311)은 제1방향(12)을 따라 나란하게 배열된다. 처리 공간(112) 내에서 샤프트들(311)은 서로 이격되게 위치된다. 예컨대, 샤프트들(311)이 이격되는 거리는 기판(G)의 쳐짐이 발생되지 않는 범위 내일 수 있다. 각각의 샤프트(311)는 그 길이방향이 제1방향(12)에 수직한 제2방향(14)을 향하도록 제공된다. 샤프트(311)는 반입구(122) 및 반출구(124)에 대응되는 높이에 위치된다. 선택적으로, 샤프트(311)는 기판(G) 상에 잔류된 처리액이 용이하게 제거되도록, 기판(G)을 일정 각도 경사진 상태에서 반송할 수 있다. 샤프트(311)는 일단이 타단에 비해 상이한 높이를 가지도록 경사지게 제공될 수 있다. 샤프트들(311)의 양단은 베어링 등의 회전 지지 부재(미도시)에 의해 지지된다,
반송 롤러(313)는 각각의 샤프트(311)에 복수 개로 제공된다. 반송 롤러(313)는 샤프트(311)에 장착되어 기판(G)의 저면을 지지한다. 반송 롤러(313)는 중공을 가지는 원형 형상으로 제공된다. 샤프트(311)는 홀에 강제 끼움된다. 반송 롤러(313)는 샤프트(311)와 함께 회전된다. 예컨대, 반송 롤러는 기판(G)에 스크래치 발생을 최소화할 수 있는 재질로 제공될 수 있다. 각 샤프트들(311)은 구동기(미도시)에 의해 회전된다.
액 공급 유닛(500)은 반송 유닛(300)에 의해 반송되는 기판으로 처리액을 공급한다. 액 공급 유닛(500)은 다양한 종류의 액을 공급한다. 예컨대, 처리액은 현상액을 포함하며, 다양한 종류의 현상을 포함할 수 있다. 도 4는 도 2의 액 공급 유닛을 보여주는 단면도이고, 도 5는 도 4의 A 영역을 확대해 보여주는 단면도이다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 액 공급 유닛(500)은 노즐(510), 제1액 공급 부재(520), 제2액 공급 부재(530), 회수 부재(550), 그리고 세정 부재(600)를 포함한다. 노즐(510)은 각 처리 공간(112)에 위치된다. 노즐(510)은 샤프트의 상부에 위치된다. 상부에서 바라볼 때 노즐(510)은 길이 방향이 제2방향을 향하도록 제공된다. 토출구는 노즐(510)의 길이 방향과 평행하게 제공되는 슬릿 형상을 가진다. 예컨대, 토출구의 길이는 기판의 폭과 동일하거나 조금 클 수 있다.
제1액 공급 부재(520)는 노즐(510)에 제1액을 공급하고, 제2액 공급 부재(530)는 노즐(510)에 제2액을 공급한다. 제1액 공급 부재(520)는 제1액 공급 라인(522) 및 제1탱크(524)를 포함한다. 제1액 공급 라인(522)은 제1탱크(524)와 각 처리 공간(112)에 위치된 노즐(510)을 연결한다. 제1액 공급 라인(522)은 제1탱크(524) 내에 수용된 제1액을 노즐(510)로 공급한다. 제1액 공급 라인(522)은 제1공급 밸브(526)에 의해 개폐되며, 제1액의 공급이 제어된다. 제2액 공급 부재(530)는 제2액 공급 라인(532) 및 제2탱크(534)를 포함한다. 제2액 공급 라인(532)은 제2탱크(534)와 각 처리 공간(112)에 위치된 노즐(510)에 연결된다. 제2액 공급 라인(532)은 제2탱크(534) 내에 수용된 제2액을 노즐(510)로 공급한다. 제2액 공급 라인(532)은 제2공급 밸브(536)에 의해 개폐 되며, 제2액의 공급이 제어된다. 일 예에 의하면, 제1액과 제2액은 각각 현상액으로 제공되며, 서로 다른 종류의 액으로 제공될 수 있다. 제1탱크(524)는 제1지점보다 낮게 위치되고, 제2탱크(534)는 제2지점보다 낮게 위치될 수 있다.
회수 부재(550)는 처리 공간(112)에서 기판 처리에 사용된 액을 회수한다. 회수 부재(550)는 회수 포트(130)를 통해 회수되는 액을 제1탱크(524), 제2탱크(534), 또는 드레인한다. 회수 부재(550)는 메인 라인(552), 제1분기 라인(554), 제2분기 라인(556), 그리고 드레인 라인(558)을 포함한다. 메인 라인(552)은 회수 포트(130)에 연결된다. 회수된 액은 메인 라인(552)을 통해 제1분기 라인(554), 제2분기 라인(556), 그리고 드레인 라인(558) 중 하나로 회수될 수 있다.
제1분기 라인(554), 제2분기 라인(556), 그리고 드레인 라인(558) 각각은 메인 라인(552)으로부터 분기된다. 제1분기 라인(554)은 제1지점에서 분기되어 제1탱크(524)에 연결된다. 제1분기 라인(554)에는 제1밸브(554a)가 설치되며, 제1밸브(554a)에 의해 제1탱크(524)에 액 회수를 제어할 수 있다. 제2분기 라인(556)은 제2지점에서 분기되어 제2탱크(534)에 연결된다. 제2분기 라인(556)에는 제2밸브(556a)가 설치되며, 제2밸브(556a)에 의해 제2탱크(534)에 액 회수를 제어할 수 있다. 드레인 라인(558)은 제1지점 및 제2지점과 다른 지점에서 분기되어 외부의 재생 시스템(미도시)에 연결된다. 드레인 라인(558)에는 제3밸브(558a)가 설치되며, 제3밸브(558a)에 의해 액 드레인을 제어할 수 있다. 일 예에 의하면, 제1분기 라인(554), 제2분기 라인(556), 그리고 드레인 라인(558)은 메인 라인(552)으로부터 꺽어진 형상을 가지도록 제공될 수 있다. 제1분기 라인(554), 제2분기 라인(556), 그리고 드레인 라인(558) 각각은 메인 라인(552)과 수직한 길이 방향을 가지도록 제공될 수 있다. 제1분기 라인(554), 제2분기 라인(556), 그리고 드레인 라인(558) 각각은 수직한 아래 방향을 향하도록 제공될 수 있다.
제1밸브(554a) 및 제2밸브(556a)는 볼 밸브로 제공될 수 있다. 예컨대, 볼 밸브는 유로가 형성된 볼 형상의 개폐 수단(555)이 회전되어 유로를 개방하거나 차단할 수 있다.
세정 부재(600)는 회수 부재(550)에 세정한다. 세정 부재(600)는 회수 부재(550) 내에 잔류되는 액을 제거할 수 있다. 세정 부재(600)는 세척액 공급 라인(620), 제1부재(640), 그리고 제2부재(660)를 포함한다. 세척액 공급 라인(620), 제1부재(640), 그리고 제2부재(660)는 회수 부재(550)의 서로 다른 영역을 세정한다. 일 예에 의하면, 세척액 공급 라인(620)은 메인 라인(552)을 세정하고, 제1부재(640)는 제1분기 라인(554)을 세정하며, 제2부재(660)는 제2분기 라인(556)을 세정할 수 있다. 세척액 공급 라인(620)은 메인 라인(552)과 연장되게 제공된다. 세척액 공급 라인(620)은 메인 라인(552)의 일단에 연결된다. 세척액 공급 라인(620)은 메인 라인(552)에 세척액을 공급할 수 있다.
제1부재(640)는 제1분기 라인(554)으로 세정액 또는 세정 가스를 공급한다. 제1부재(640)는 메인 라인(552)의 제1지점에 설치된다. 제1부재(640)는 세정액 또는 세정 가스가 제1분기 라인(554)을 향해 토출되도록 설치된다. 제1부재(640)는 제1세정 라인(642)을 포함한다. 제1세정 라인(642)은 제1지점에 연결된다. 상부에서 바라볼 때 제1세정 라인(642)의 연결단과 제1분기 라인(554)의 분기단은 중첩되게 위치될 수 있다. 제1세정 라인(642)으로부터 토출되는 세정액는 제1분기 라인(554)에 잔류된 제1액을 제거할 수 있다. 또한 제1세정 라인으로부터 토출되는 세정 가스는 제1분기 라인(554)에 제2액의 유입을 방지할 수 있다.
제2부재(660)는 제2분기 라인(556)으로 세정액 또는 세정 가스를 공급한다. 제2부재(660)는 메인 라인(552)의 제2지점에 설치된다. 제2부재(660)는 세정액 또는 세정 가스가 제2분기 라인(556)을 향해 토출되도록 설치된다. 제2부재(660)는 제2세정 라인을 포함한다. 제2세정 라인은 제2지점에 연결된다. 상부에서 바라볼 때 제2세정 라인의 연결단과 제2분기 라인(556)의 분기단은 중첩되게 위치될 수 있다. 제2세정 라인으로부터 토출되는 세정액는 제2분기 라인(556)에 잔류된 제2액을 제거할 수 있다. 또한 제2세정 라인으로부터 토출되는 세정 가스는 제2분기 라인(556)에 제1액의 유입을 방지할 수 있다.
제어기(700)는 액 공급 유닛(500)을 제어한다. 제어기(700)는 노즐(510)에 제1액을 공급하고, 이후에 제2액을 공급하도록 제1공급 밸브(526) 및 제2공급 밸브(536)를 제어한다. 제어기(700)는 제1액의 공급 후에, 그리고 제2액의 공급 전에 회수 부재(550) 내에 잔류된 제1액을 제거하도록 세정 부재(600)를 제어한다. 또한 제어기(700)는 제1액이 공급 및 회수되는 중에 제2분기 라인(556)의 제1액이 유입되지 않도록 제2분기 라인(556)에 세정 가스가 공급되게 제2부재(660)를 제어할 수 있다. 이와 반대로, 제어기(700)는 제2액이 공급 및 회수되는 중에 제1분기 라인(554)의 제2액이 유입되지 않도록 제1분기 라인(554)에 세정 가스가 공급되게 제1부재(640)를 제어할 수 있다. 예컨대, 세정액은 세척액과 동일한 액일 수 있다. 세정액은 순수(DI)일 수 있다. 또한 세정 가스는 비활성 가스 또는 에어일 수 있다,
상술한 바와 같이, 기판 처리 장치는 액막의 종류에 따라 상이한 현상액을 공급할 수 있다. 본 실시예에는 제1막을 제1액으로 현상 처리하고, 제2막을 제2액으로 현상 처리하는 것으로 설명한다. 제1기판과 제2기판은 기판 처리 장치에 순차적으로 반입된다. 제1기판에는 제1막이 형성되고, 제2기판에는 제2막이 형성된다. 다음은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 제1기판 및 제2기판을 처리하는 방법을 설명한다. 도 6은 도 2 및 도 4의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 플로우 차트이고, 도 7 내지 도 10은 도 6의 기판 처리 과정을 보여주는 도면들이다. 도 6 내지 도 10을 참조하면, 기판 처리 방법은 제1기판을 처리하는 제1액 공급 단계, 회수 부재(550)를 세정하는 세정 단계, 그리고 제2기판을 처리하는 제2액 공급 단계를 포함한다.
제1액 공급 단계에는 제1기판이 반송 유닛(300)에 의해 처리 공간(112)에 반입된다. 제1기판은 제1방향으로 반송되며, 제1기판 상으로는 제1액이 공급된다. 제1기판은 처리 공간(112)을 반출하면서 제1액 처리가 완료된다. 제1액 처리에 사용된 제1액은 회수 포트(130)를 통해 회수 부재(550)로 회수된다, 제1액은 메인 라인(552) 및 제1분기 라인(554)을 통해 제1탱크(524)로 회수된다. 제1탱크(524)에 회수된 제1액은 필터(미도시)에 의해 재사용된다. 제1액 공급 단계가 진행되는 중에 제2부재(660)는 제2분기 라인(556)에 세정 가스를 직접 공급한다. 이에 따라 제2분기 라인(556)은 세정 가스에 의해 가압되며, 제1액이 유입되는 것을 최소화할 수 있다. 제1기판의 제1액 처리 공정이 완료되면, 세정 단계가 수행된다.
세정 단계에는 메인 라인(552) 및 제2분기 라인(556)에 잔류된 제1액을 제거한다. 세정 단계에는 제1밸브(554a), 제2밸브(556a), 그리고 제3밸브(558a)를 닫고, 메인 라인(552)에 세척액을 공급한다. 세척액에 의해 메인 라인(552)에 채워지면 제3밸브(558a)를 개방하여 세척액을 드레인한다. 제3밸브(558a)를 개방한 채로 세척액을 공급할 경우에는 메인 라인(552)의 천장면에 부착된 잔류물이 제거되지 않을 수 있다. 세정 단계가 진행되는 중에는 제1분기 라인(554)과제2분기 라인(556) 각각으로 세정액을 공급한다. 세정액은 제1분기 라인(554)과 제2분기 라인(556) 각각으로 직접 공급되어 잔류 액을 직접 제거한다. 예컨대, 제1부재(640)로부터 공급된 세정액은 제1분기 라인(554)에 잔류된 제1액을 제거하고, 제2부재(660)로부터 공급된 세정액은 제2분기 라인(556)에 잔류된 제1액을 제거할 수 있다. 또한 세정 단계가 진행되는 중에는 제1밸브(554a) 및 제2밸브(556a)에 제공된 볼 형상의 개폐 수단이 유로를 차단한 상태에서 회전될 수 있다. 이에 따라 제1밸브(554a) 및 제2밸브(556a)에 부착된 잔류물을 제거할 수 있다. 세정 단계가 완료되면, 제2액 공급 단계를 수행한다.
제2액 공급 단계에는 제2기판이 반송 유닛(300)에 의해 처리 공간(112)에 반입된다. 제2기판은 제1방향으로 반송되며, 제2기판 상으로는 제2액이 공급된다. 제2기판은 처리 공간(112)을 반출하면서 제2액 처리가 완료된다. 제2액 처리에 사용된 제2액은 회수 포트(130)를 통해 회수 부재(550)로 회수된다, 제2액은 메인 라인(552) 및 제2분기 라인(556)을 통해 제2탱크(534)로 회수된다. 제2탱크(534)에 회수된 제2액은 필터(미도시)에 의해 재사용된다. 제2액 공급 단계가 진행되는 중에 제1부재(640)는 제1분기 라인(554)에 세정 가스를 직접 공급한다. 이에 따라 제1분기 라인(554)은 세정 가스에 의해 가압되며, 제2액이 유입되는 것을 최소화할 수 있다.
상술한 실시예에는 서로 다른 종류의 액을 공통된 배관으로 회수한다. 이로 인해 장치를 소형화 및 간편화함으로써, 비용 절감 및 공간 효율을 향상시킨다. 뿐만 아니라. 각 액이 혼합되는 것을 방지할 수 있으므로, 기판 처리에 사용된 액을 재사용할 수 있다.
500: 액 공급 유닛 510: 노즐
520: 제1액 공급 부재 530: 제2액 공급 부재
550; 회수 부재 600: 세정 부재
700: 제어기

Claims (13)

  1. 기판을 처리하는 처리 공간을 제공하는 공정 챔버와;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
    상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판에 액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되,
    상기 액 공급 유닛은,
    액을 토출하는 노즐과;
    상기 노즐에 제1액을 공급하는 제1액 공급 부재와;
    상기 노즐에 제2액을 공급하는 제2액 공급 부재와;
    상기 처리 공간에서 처리된 액을 회수하는 회수 부재와;
    상기 회수 부재를 세정하는 세정 부재를 포함하되,
    상기 회수 부재는,
    상기 공정 챔버에 연결되는 메인 라인과;
    상기 메인 라인으로부터 제1지점에서 분기되어 제1액 공급 부재에 연결되는 제1분기 라인을 포함하고,
    상기 메인 라인으로부터 제2지점에서 분기되어 제2액 공급 부재에 연결되는 제2분기 라인을 포함하고,
    상기 세정 부재는 상기 제1분기 라인과 상기 제2분기 라인을 세정하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 세정 부재는
    상기 제1지점에 설치되어 상기 제1분기 라인을 세정하는 제1부재와;
    상기 제2지점에 설치되어 상기 제2분기 라인을 세정하는 제2부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1부재는,
    상기 제1지점에 설치되며, 세정액 또는 세정 가스를 공급하는 제1세정 라인을 포함하고,
    상기 제2부재는,
    상기 제2지점에 설치되며, 세정액 또는 세정 가스를 공급하는 제2세정 라인을 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1세정 라인으로부터 상기 제1지점에 세정액 또는 세정 가스를 토출하는 제1토출구는 상기 제1분기 라인을 향하도록 제공되고,
    상기 제2세정 라인으로부터 상기 제2지점에 세정액 또는 세정 가스를 토출하는 제2토출구는 상기 제2분기 라인을 향하도록 제공되는 기판 처리 장치,
  5. 제3항 또는 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1액 공급 부재는,
    상기 제1분기 라인에 연결되며, 제1액이 수용되는 제1탱크를 더 포함하고,
    상기 제2액 공급 부재는,
    상기 제2분기 라인에 연결되며, 제2액이 수용되는 제2탱크를 더 포함하고,
    상기 제1지점은 상기 제1탱크보다 높고, 상기 제2지점은 상기 제2탱크보다 높게 위치되는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되,
    상기 제어기는 상기 노즐에 제1액을 공급하고, 상기 메인 라인을 세정한 후에 제2액을 공급하도록 상기 액 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 메인 라인을 세정할 때에 상기 제1분기 라인과 상기 제2분기 라인 각각을 차단한 상태에서 상기 제1부재 및 상기 제2부재로부터 세정액이 토출되도록 상기 액 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 제1액 공급 부재와 상기 제2액 공급 부재 중 어느 하나로부터 상기 노즐에 액을 공급할 때에 다른 하나에 연결된 분기 라인을 차단한 상태에서 상기 다른 하나에 연결된 분기 라인에 세정 가스를 공급하도록 상기 액 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 세정 부재는,
    상기 메인 라인에 세척액을 공급하는 세척액 공급 라인을 더 포함하고,
    상기 회수 부재는,
    상기 메인 라인으로부터 분기되는 드레인 라인을 더 포함하되,
    상기 제어기는 상기 메인 라인을 세정할 때에 상기 메인 라인에 세척액을 공급하고, 상기 드레인 라인을 개방하는 기판 처리 장치.
  10. 제1항의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    제1기판에 상기 제1액을 공급하는 제1액 공급 단계와;
    상기 제1액의 공급을 중지하고, 상기 메인 라인에 잔류된 상기 제1액을 세정하는 세정 단계와;
    제2기판에 상기 제2액을 공급하는 제2액 공급 단계를 포함하되,
    상기 제1액 공급 단계에는 상기 제2분기 라인에 세정 가스를 공급하고,
    상기 제2액 공급 단계에는 상기 제1분기 라인에 세정 가스를 공급하는 기판 처리 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 세정 단계에는 상기 제1분기 라인과 상기 제2분기 라인이 각각 차단된 상태에서 상기 제1분기 라인과 상기 제2분기 라인 각각에 세정액을 공급하는 기판 처리 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 세정 단계에는 상기 메인 라인으로 세척액을 공급하여 상기 메인 라인을 세정하고, 상기 세척액은 상기 메인 라인으로부터 분기되는 드레인 라인을 통해 드레인되는 기판 처리 방법.
  13. 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1액과 상기 제2액은 서로 다른 종류의 현상액으로 제공되는 기판 처리 방법.


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