JPH10284379A

JPH10284379A - 基板処理装置及び方法

Info

Publication number: JPH10284379A
Application number: JP9088097A
Authority: JP
Inventors: Yasumasa Shima; 泰正志摩
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1997-04-07
Filing date: 1997-04-07
Publication date: 1998-10-23
Anticipated expiration: 2017-04-07
Also published as: KR100265104B1; KR19980079576A; JP3552187B2

Abstract

(57)【要約】【課題】処理時間を広い範囲で任意かつ簡単に変更す
ること。【解決手段】投入部１０では、搬送経路ＰＡの直下に
設けた複数の搬送ローラをモータＭ1によって回転駆動
し、基板を所定の速度で搬送する。プリウエット部３１
でも、搬送経路ＰＡの直下に設けた複数の搬送ローラを
モータＭ2によって回転駆動し、基板を所定の速度で搬
送する。ディップ部３３でも、搬送経路ＰＡの直下に設
けた複数の搬送ローラをモータＭ3、Ｍ4によって回転駆
動し、基板を所定の速度で搬送する。液切り部３５で
も、搬送経路ＰＡの直下に設けた複数の搬送ローラをモ
ータＭ5によって回転駆動し、基板を所定の速度で搬送
する。第１水洗部５１でも、搬送経路ＰＡの直下に設け
た複数の搬送ローラをモータＭ6によって回転駆動し、
基板を所定の速度で搬送する。モータＭ1〜Ｍ6の動作
は、制御部９０によって制御されている。これにより、
基板の位置に応じて基板の移動速度を制御することがで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示パネル用
あるいはプラズマ表示パネル用ガラス基板、半導体ウェ
ハ等の基板に現像等の処理を行うための基板処理装置及
び方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来存在する連続枚葉式のウエット処理
装置のうち、コロやコンベア等を用いて基板を一定速度
で搬送しつつこれに現像等の諸処理を施す装置では、最
終的仕上げのため、エアナイフ等で水切りして基板を乾
燥させる必要があるが、基板の搬送速度があまり速い
と、十分な水切りが達成できない。したがって、基板の
搬送速度の上限は、エアナイフ等による水切りが十分に
達成できる範囲に制限され、これ以上搬送速度を速くす
ることはできなかった。また、このような装置では、搬
送される前後の基板を相互に干渉させないため、処理す
べき基板のサイズと許容されるスループットとから、基
板の搬送速度の下限が定まる。したがって、このような
装置における基板の搬送速度は、上記の下限及び上限の
間で必要に応じて適宜設定されていた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の装置で
は、基板の搬送速度が上述のように制限されるので、処
理時間の設定も非常に限られた範囲でしか変更すること
ができなかった。つまり、ウエット処理における処理時
間は、処理槽の大きさと基板の搬送速度とによって決定
されるので、搬送速度の設定に自由度がない場合、これ
に対応して、処理時間の設定範囲の変更も大きく制限さ
れている。

【０００４】特に、近年この処理時間を広範囲に亘って
任意に変更することが望まれているが、当初予定されて
いる上記のような範囲を超えて処理時間の設定を変更し
ようとすると、処理槽の大きさを変更するなど、非常な
困難を伴っていた。

【０００５】また、現像やエッチングなどのウエット処
理を行う場合、従来の装置では、搬送されてくる基板に
対してスプレー状或いはカーテン状に処理液を供給して
処理を開始するとともに、処理中の基板に対してリンス
液を供給するかエアナイフを作用させることで処理液を
除去する液切りを行って処理の進行を終了していた。と
ころが、これら処理液の供給や処理液の除去は、基板全
面に対して同時に作用するものではなく、また処理時間
や処理特性が基板の面内において完全に均一になること
も期待できないため、処理ムラができる原因となってい
た。

【０００６】そこで、この発明は、処理時間を広い範囲
で任意かつ簡単に変更することができる基板処理装置及
び方法を提供することを目的とする。

【０００７】また、この発明は、さらに基板面内での処
理ムラの発生を低減することができる基板処理装置及び
方法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の基板処理装置は、基板を第１の速度で搬
送する第１搬送手段を有するとともに、この第１搬送手
段によって搬送される基板に処理液による処理を施す処
理部と、処理部よりも基板の搬送に関し下流側に設けら
れ、この基板を第２の速度で搬送する第２搬送手段を有
するとともに、この第２搬送手段によって搬送される基
板に付着した処理液を除去して基板の仕上げ処理を行う
仕上げ部と、第１搬送手段の搬送速度である第１の速度
を、第２搬送手段の搬送速度である第２の速度と異なる
速度を含む所定範囲で設定する速度制御手段とを備え
る。

【０００９】また、請求項２の基板処理装置は、速度制
御手段が、第１の速度を第２の速度以上の所定範囲で設
定することを特徴とする。

【００１０】また、請求項３の基板処理装置は、処理部
に、第１搬送手段に基板を受け渡す前にこの基板を第１
の速度よりも大きい第３の速度で搬送する第３搬送手段
と、この第３搬送手段によって搬送されている基板に処
理液を供給する供給手段とを備え、処理部から仕上げ部
にかけての境界領域に、基板を第１の速度よりも大きい
第４の速度で搬送する第４搬送手段と、仕上げ部におけ
る仕上げ処理の前処理のため、第４搬送手段によって搬
送される基板に付着している処理液の液切りを行う液切
り手段とを備えることを特徴とする。

【００１１】また、請求項４の基板処理方法は、基板を
第１の搬送手段によって第１の速度で搬送しつつこの基
板に処理液による処理を施す工程と、この処理液による
処理を終了した基板を第２搬送手段によって第２の搬送
速度で搬送しつつ基板に付着した処理液を除去して基板
の仕上げ処理を行う工程とを備え、処理液を用いて基板
を処理する工程において、第１搬送手段の搬送速度であ
る第１の速度を、第２搬送手段の搬送速度である第２の
速度と異なる速度を含む所定範囲で設定することを特徴
とする。

【００１２】また、請求項５の基板処理方法は、第１搬
送手段に基板を受け渡す前に、この基板を第１の速度よ
りも大きい第３の速度で第３搬送手段によって搬送しつ
つ、この第３搬送手段によって搬送されている基板に処
理液を供給する工程と、処理液による処理を終了した基
板を第１の速度よりも大きい第４の速度で搬送しつつ、
仕上げ部における仕上げ処理の前処理として、基板に付
着している処理液の液切りを行う工程とをさらに備える
ことを特徴とする。

【００１３】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の一実施形態であ
る基板洗浄装置を説明する図である。この装置は、洗浄
前の基板が投入される投入部１０と、投入された基板に
現像処理を施す処理部である現像部３０と、現像後の基
板に付着した現像液を純水で置換して洗浄する水洗部５
０と、純水による洗浄後の基板の表面から純水を除去し
て乾燥させる仕上げ乾燥部７０とを備える。なお、投入
部１０側からこの装置内に投入された基板は、直線状の
搬送経路ＰＡに沿ってローラＲ上を搬送され、仕上げ乾
燥部７０側まで移動し、ここから装置外に取り出され
る。

【００１４】現像部３０は、投入部１０から搬送されて
きた基板ＷＦの表面に前処理として現像液を供給するプ
リウエット部３１と、前処理後の基板ＷＦを現像液に浸
漬してディップ現像するディップ部３３と、浸漬後の基
板ＷＦの表面から現像液の簡易な液切りを行う液切り部
３５とを備える。

【００１５】水洗部５０には、現像後の基板ＷＦを段階
的に水洗するため、第１段階の循環水洗を行う第１水洗
部５１と、第２段階の循環水洗を行う第２水洗部５３
と、最終の直液水洗を行う第３水洗部５５とを備える。

【００１６】プリウエット部３１には、基板の上側表面
側に位置して後述するノズル４２から吐出される現像液
を基板表面へ分散させるローラ４１と、このローラ４１
に現像液を吐出するノズル４２とが設けられている。ノ
ズル４２には、下部タンク４３からの現像液がポンプＰ
1を介して供給されている。

【００１７】ディップ部３３には、基板を浸漬させつつ
これに現像処理を施すディップ槽４５が設けられてい
る。なお、ディップ現像に代えてシャワー現像を行うこ
ともできる。この場合、ディップ槽４５に代えて、搬送
経路ＰＡの上方に、下部タンク４３からの現像液をポン
プＰ2を介して基板に噴射するシャワーノズル４６を配
置する。

【００１８】液切り部３５には、搬送経路ＰＡの上下に
一対の液切りローラ４７が配置されている。これらの液
切りローラ４７に挟まれて搬送経路ＰＡを通過した基板
の上下表面からは、現像液が概ね除去される。

【００１９】第１及び第２水洗部５１、５３には、それ
ぞれ水洗水噴射ノズル６３が設けられている。各水洗水
噴射ノズル６３には、循環水タンク６１とポンプＰ3と
がそれぞれ付設されており、ポンプＰ3を介して循環水
タンク６１の洗浄水が供給される。

【００２０】第３水洗部５５には、基板に対し仕上げの
洗浄を行うため純水源からの直純水を噴射する直液ノズ
ル６４が設けられている。この直液ノズル６４は、流量
計６５とエアー弁６７とを介して純水源に接続されてい
る。

【００２１】仕上げ乾燥部７０には、高圧の窒素ガスを
基板の上下表面に噴射して基板の上下表面の純水を吹き
飛ばすことによって基板の水切りを行うための、エアナ
イフ７１が設けられている。

【００２２】図２は、図１の基板洗浄装置の要部を説明
するための図である。投入部１０は、搬送経路ＰＡの直
下に複数の搬送ローラ（図示省略）を備えており、これ
らの搬送ローラは、モータＭ1によって同期して回転駆
動され、搬送手段として、投入部１０にある基板を所定
の速度で搬送する。なお、投入部１０の入り口には、基
板の有無を検出するため、機械的機構である振り子型素
子の変位を電磁的に検出する第１振り子センサＳ1が配
置されている。

【００２３】プリウエット部３１も、搬送経路ＰＡの直
下に複数の搬送ローラ（図示省略）を備えており、これ
らの搬送ローラは、モータＭ2によって同期して回転駆
動され、搬送手段として、プリウエット部３１にある基
板を所定の速度で搬送する。なお、プリウエット部３１
の出口には、基板の有無を検出するため、第１振り子セ
ンサＳ1と同一構造の第２振り子センサＳ2が配置されて
いる。

【００２４】ディップ部３３も、搬送経路ＰＡの直下に
複数の搬送ローラ（図示省略）を備えており、これらの
搬送ローラは、モータＭ3、Ｍ4によって同期して回転駆
動され、搬送手段として、ディップ部３３にある基板を
所定の速度で搬送する。

【００２５】液切り部３５も、搬送経路ＰＡの直下に複
数の搬送ローラ（図示省略）を備えており、これらの搬
送ローラは、モータＭ5によって同期して回転駆動さ
れ、搬送手段として、液切り部３５にある基板を所定の
速度で搬送する。なお、液切り部３５の入り口には、基
板の有無を検出するため、第３振り子センサＳ3が配置
されている。

【００２６】第１水洗部５１は、搬送経路ＰＡの直下に
複数の搬送ローラ（図示省略）を備えており、これらの
搬送ローラは、モータＭ6によって同期して回転駆動さ
れ、搬送手段として、第１水洗部５１にある基板を所定
の速度で搬送する。なお、第１水洗部５１の出口には、
基板の有無を検出するため、第４振り子センサＳ4が配
置されている。

【００２７】第１〜第４振り子センサＳ1〜Ｓ4は、それ
ぞれの設置位置に基板があるときＯＮ，ないときＯＦＦ
の信号を出力する。そしてその検出信号は、速度制御部
９０でモニタされている。また、モータＭ1〜Ｍ6の回転
速度は、速度制御部９０によって制御されている。これ
により、基板の位置に応じて搬送手段であるモータＭ1
〜Ｍ6すなわち搬送ローラの動作を制御することがで
き、結果的に、基板の位置に応じて基板の移動速度を制
御することができる。

【００２８】なお、第２水洗部５３，第３水洗部５５，
仕上げ乾燥部７０にも同様の搬送ローラ（図示省略）が
モータＭ7〜Ｍ9によって回転駆動される（図３参照）。

【００２９】図３は、図１及び図２に示す装置の内部に
おける基板の速度移動を説明する図であり、横軸は基板
洗浄装置内の位置を示し、縦軸は時間の経過を示す。な
お、実線Ｌ1は、最初に投入される基板の先端の移動を
示し、実線Ｌ2は、次に投入される基板の先端の移動を
示す。

【００３０】投入部１０に先端が入った基板は、モータ
Ｍ1の速度に対応して当初搬送速度Ｖ1で移動する。

【００３１】次に、第１振り子センサＳ1の検出出力が
ＯＦＦに切り替わって基板全体が投入部１０中に取り込
まれたと判断した段階で、モータＭ1を加速し、モータ
Ｍ1、Ｍ2を同時に高速回転させる。これにより、基板は
比較的高速の搬送速度Ｖ2で移動し、これにプリウェッ
ト現像が施されることになる。

【００３２】次に、第２振り子センサＳ2の検出出力が
ＯＮに切り替わって基板の先端部がプリウエット部３１
を出てディップ部３３に入ったと判断した段階で、モー
タＭ2〜Ｍ5を低速回転させる。これにより、基板は上記
の搬送速度Ｖ2に比較して低速の搬送速度Ｖ3（処理速
度）で移動し、これにディップ現像が施されることにな
る。なお搬送速度Ｖ3は、図示の実線Ｌ1に示す場合、当
初の搬送速度Ｖ1と等しくなっている。

【００３３】次に、第３振り子センサＳ3の検出出力が
ＯＦＦに切り替わって基板の後端部がディップ部３３を
出たと判断した段階で、モータＭ5、Ｍ6を同時に高速回
転させる。これにより、基板は比較的高速の搬送速度Ｖ
4で移動し、これに対し現像液の液切りと純水置換が行
われることになる。なお搬送速度Ｖ4は、この場合、プ
リウエット現像時の搬送速度Ｖ2と等しくなっている。

【００３４】次に、第４振り子センサＳ4の検出出力が
ＯＮに切り替わって基板全体が第１水洗部５１に取り込
まれたと判断した段階で、モータＭ6を減速し、モータ
Ｍ6〜Ｍ9を同時に低速回転させる。これにより、基板は
比較的低速の搬送速度Ｖ5で移動し、第２水洗部５３，
第３水洗部５５を通って仕上げ乾燥部７０まで運ばれて
水洗及び乾燥が行われることになる。なお搬送速度Ｖ5
は、当初の搬送速度Ｖ1と等しくなっている。

【００３５】以上のような動作により、先端がプリウエ
ット部３１に達してモータＭ1、Ｍ2によって高速で移動
する状態の基板に対し、現像液の供給を実行することが
できるとともに、後端がディップ部３３を脱してモータ
Ｍ5、Ｍ6によって高速で移動する状態の基板に対し、現
像液の液切りと純水置換を実行することができる。した
がって、基板全体に対する現像液の供給と基板全体から
の現像液の液切り、純水置換とが迅速なものとなり、基
板先端部に現像液が供給されてから基板後端部に現像液
が供給されるまでの時間差、基板先端部に液切りと純水
置換がなされてから基板後端部に液切りと純水置換がな
されるまでの時間差がともに短くできて、現像処理の開
始と終了のタイミングを基板の各部でほぼ一致させるこ
とができ、基板の表面に発生する現像ムラを低減でき
る。さらに、搬送速度Ｖ２とＶ４とをほぼ一致させるこ
とにより、基板先端部に現像液が供給されてから液切り
と純水置換がなされるまでの時間と基板後端部に現像液
が供給されてから液切りと純水置換がなされるまでの時
間とをほぼ一致させることができ、基板先端部に現像液
が作用する時間と基板後端部に現像液が作用する時間と
をほぼ一致させることができ、より効果的に現像ムラを
低減できる。また、仕上げ乾燥部７０ではエアナイフ７
１による乾燥処理がなされるが、このときの基板の移動
速度はＶ５であり、十分に遅くでき、確実に乾燥処理が
なされる。

【００３６】しかも、基板がディップ部３３にかかって
いる際、基板の搬送速度Ｖ3は、Ｖ1〜Ｖ2の広範囲に亘
って変更できる。よって、現像処理の時間も比較的広範
囲に亘って変更できる。

【００３７】以下、具体的な数値例を用いて搬送速度を
説明する。処理しようとする基板の搬送方向の長さを７
００ｍｍとすると、約１００ｍｍ程度の間隔をあけない
と、前後の基板が重なる搬送不良を起こしやすい。した
がって、３２ｓ／枚の能力で基板を処理するとすると、
基板の搬送速度は、８００／３２＝２５ｍｍ／ｓ以上と
しなければならない。一方、仕上げ乾燥部７０でエアナ
イフ７１によって基板の十分な水切りを行うためには、
基板の搬送速度は、３３．３ｍｍ／ｓ以下とする必要が
あるものとする。以上の条件を満たすため、搬送速度の
範囲は、２５ｍｍ／ｓ〜３３．３ｍｍ／ｓとする必要が
ある。

【００３８】この実施例では、投入時は搬送速度Ｖ1＝
２５ｍｍ／ｓとなるようにモータＭ1を制御し、搬送経
路ＰＡのうち現像に関係する領域で搬送速度Ｖ2、Ｖ3、
Ｖ4を上記Ｖ1＝２５ｍｍ／ｓ以上になるようにモータＭ
1〜Ｍ6を制御し、搬送経路ＰＡのうち洗浄に関係する搬
送速度Ｖ5を上記Ｖ1＝２５ｍｍ／ｓに等しくなるように
モータＭ7〜Ｍ9を制御する。

【００３９】搬送経路ＰＡのうち現像に関係する領域で
の搬送速度について具体的に説明すると、現像液の供給
及び液切り時の搬送速度をＶ2＝Ｖ4＝１６７ｍｍ／ｓと
し、水洗時の洗浄速度をＶ5＝２５ｍｍ／ｓとする。そ
して、ディップ現像時の搬送速度を可変として、Ｖ3＝
２５ｍｍ／ｓ〜１６７ｍｍ／ｓとする。基板処理装置の
寸法を図３に示すものとすると、最長の現像処理時間Ｔ
1は、図３の寸法を参考にして、Ｔ1＝１０００(ｍｍ)／
１６７(ｍｍ／ｓ)＋２５００(ｍｍ)／２５(ｍｍ／ｓ)＝
１０６ｓであり、最短の現像処理時間Ｔ2は、Ｔ2＝１０
００(ｍｍ)／１６７(ｍｍ／ｓ)＋２５００(ｍｍ)／１６
７(ｍｍ／ｓ)＝２１ｓである。よって、現像処理時間
は、２１ｓ〜１０６ｓの範囲で調節可能である。なお、
図中の点線Ｌ3は、ディップ現像時の搬送速度Ｖ3＝３３
ｍｍ／ｓの場合を示し、点線Ｌ4は、ディップ現像時の
搬送速度Ｖ3＝１６７ｍｍ／ｓの場合を示す。

【００４０】なお、上記説明では現像液の供給及び液切
り時の搬送速度Ｖ2、Ｖ4を一定値１６７ｍｍ／ｓとした
が、これらをディップ現像時の搬送速度と同様に可変と
して、Ｖ2＝Ｖ3＝Ｖ4＝２５ｍｍ／ｓ〜１６７ｍｍ／ｓ
の範囲で調節することも可能である。この場合、最長の
現像処理時間Ｔ1は、Ｔ1＝３５００(ｍｍ)／２５(ｍｍ
／ｓ)＝１４０ｓであり、最短の現像処理時間Ｔ2は、Ｔ
2＝３５００(ｍｍ)／１６７(ｍｍ／ｓ)＝２１ｓであ
る。よって、現像処理時間は、２１ｓ〜１４０ｓの範囲
で調節可能である。ただし、この場合、プリウエット部
３１における現像液の供給及び液切り部３５、第１水洗
部５１における液切り、純水置換時の搬送速度が比較的
遅くなる場合があり、基板の表面に発生する現像ムラを
低減するという観点で幾分不利である。

【００４１】なお、装置内での搬送速度を一定とする従
来の基板洗浄装置の場合、上記と同じ条件では、搬送速
度の変更範囲を２５ｍｍ／ｓ〜３３．３ｍｍ／ｓとせざ
るを得ないので、現像中の基板の搬送経路ＰＡが３５０
０ｍｍとすると、処理時間は１０５ｓ〜１４０ｓの範囲
でのみ調節可能である。

【００４２】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１の基板処理装置によれば、第１搬送手段によって第１
の速度で搬送される基板に処理液による処理を施す処理
部と、処理部よりも基板の搬送に関し下流側に設けら
れ、この第２搬送手段によって第２の速度で搬送される
基板に付着した処理液を除去して基板の仕上げ処理を行
う仕上げ部と、第１搬送手段の搬送速度である第１の速
度を第２搬送手段の搬送速度である第２の速度と異なる
速度を含む所定範囲で設定する速度制御手段とを備える
ので、仕上げ処理における基板の搬送速度、すなわち第
２の速度に一定の制限がある場合であっても、この制限
を超えて第１の速度を設定することができる。よって、
基板の搬送行程の長さ等を変更することなく、処理液に
よる処理時間を比較的広い範囲に亘って簡易かつ任意に
設定することができる。

【００４３】また、請求項２の基板処理装置によれば、
速度制御手段が、第１の速度を第２の速度以上の所定範
囲で設定するので、仕上げ処理における基板の搬送速度
である第２の速度に上限がある場合であっても、仕上げ
処理における基板の搬送速度をその上限以下としたまま
で処理部における基板の搬送速度としてこの上限を超え
て第１の速度を設定することができ、処理液による処理
時間を短い側で比較的広い範囲に亘って簡易かつ任意に
設定することができる。

【００４４】また、請求項３の基板処理装置によれば、
処理部に、第１搬送手段に基板を受け渡す前にこの基板
を第１の速度よりも大きい第３の速度で搬送する第３搬
送手段と、この第３搬送手段によって搬送されている基
板に処理液を供給する供給手段とを備え、処理部から仕
上げ部にかけての境界領域に、基板を第１の速度よりも
大きい第４の速度で搬送する第４搬送手段と、仕上げ部
における仕上げ処理の前処理のため、第４搬送手段によ
って搬送される基板に付着している処理液の液切りを行
う液切り手段とを備えるので、この第３搬送手段によっ
て比較的高速で搬送されている際に基板に処理液を供給
することができ、この第４搬送手段によって比較的高速
で搬送されている際に基板に付着している処理液を液切
りすることができる。したがって、基板全体に対する処
理液の供給と基板全体からの処理液の液切りとが比較的
迅速なものとなり、第１の速度が小さくなった場合に基
板の各部で発生しやすい処理ムラの発生を防止すること
ができる。

【００４５】また、請求項４の基板処理方法によれば、
基板を第１の搬送手段によって第１の速度で搬送しつつ
この基板に処理液による処理を施す工程と、この処理液
による処理を終了した基板を第２搬送手段によって第２
の搬送速度で搬送しつつ基板に付着した処理液を除去し
て基板の仕上げ処理を行う工程とを備え、処理液を用い
て基板を処理する工程において、第１搬送手段の搬送速
度である第１の速度を、第２搬送手段の搬送速度である
第２の速度と異なる速度を含む所定範囲で設定するの
で、仕上げ処理における第２の速度に一定の制限がある
場合であっても、この制限を超えて第１の速度を設定す
ることができ、基板の搬送行程の長さ等を変更すること
なく、処理液による処理時間を比較的広い範囲に亘って
簡易かつ任意に設定することができる。

【００４６】また、請求項５の基板処理方法によれば、
第１搬送手段に基板を受け渡す前にこの基板を第１の速
度よりも大きい第３の速度で第３搬送手段によって搬送
しつつこの第３搬送手段によって搬送されている基板に
処理液を供給する工程と、処理液による処理を終了した
基板を第１の速度よりも大きい第４の速度で搬送しつつ
仕上げ部における仕上げ処理の前処理として基板に付着
している処理液の液切りを行う工程とをさらに備えるの
で、この第３搬送手段によって比較的高速で搬送されて
いる際に基板に処理液を供給することができ、この第４
搬送手段によって比較的高速で搬送されている際に基板
に付着している処理液を液切りすることができる。した
がって、基板全体に対する処理液の供給と基板全体から
の処理液の液切りとが迅速なものとなり、第１の速度が
小さくなった場合に基板の各部で発生しやすい処理ムラ
の発生を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施形態の基板洗浄装置を説明す
る図である。

【図２】図１の装置の要部を説明する図である。

【図３】図１の装置の動作を説明する図である。

【符号の説明】

１０投入部３０現像部３１プリウエット部３３ディップ部３５液切り部４１ローラ４２ノズル４５ディップ槽４７ローラ５０水洗部５１第１水洗部５３第２水洗部６１循環水タンク６３水洗水噴射ノズル６４直液ノズル７０仕上げ乾燥部７１エアーナイフ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板を第１の速度で搬送する第１搬送手
段を有するとともに、当該第１搬送手段によって搬送さ
れる前記基板に処理液による処理を施す処理部と、前記処理部よりも前記基板の搬送に関し下流側に設けら
れ、当該基板を第２の速度で搬送する第２搬送手段を有
するとともに、当該第２搬送手段によって搬送される前
記基板に付着した前記処理液を除去して前記基板の仕上
げ処理を行う仕上げ部と、前記第１搬送手段の搬送速度である前記第１の速度を、
前記第２搬送手段の搬送速度である前記第２の速度と異
なる速度を含む所定範囲で設定する速度制御手段とを備
える基板処理装置。
【請求項２】前記速度制御手段は、前記第１の速度を
前記第２の速度以上の所定範囲で設定することを特徴と
する請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】前記処理部に、第１搬送手段に前記基板
を受け渡す前に当該基板を前記第１の速度よりも大きい
第３の速度で搬送する第３搬送手段と、当該第３搬送手
段によって搬送されている前記基板に前記処理液を供給
する供給手段とを備え、前記処理部から前記仕上げ部に
かけての境界領域に、前記基板を前記第１の速度よりも
大きい第４の速度で搬送する第４搬送手段と、前記仕上
げ部における仕上げ処理の前処理のため、前記第４搬送
手段によって搬送される前記基板に付着している前記処
理液の液切りを行う液切り手段とを備えることを特徴と
する請求項１記載の基板処理装置。
【請求項４】基板を第１の搬送手段によって第１の速
度で搬送しつつ当該基板に処理液による処理を施す工程
と、当該処理液による処理を終了した前記基板を第２搬
送手段によって第２の搬送速度で搬送しつつ前記基板に
付着した前記処理液を除去して前記基板の仕上げ処理を
行う工程とを備え、前記処理液を用いて前記基板を処理する工程において、
前記第１搬送手段の搬送速度である前記第１の速度を、
前記第２搬送手段の搬送速度である前記第２の速度と異
なる速度を含む所定範囲で設定することを特徴とする基
板処理方法。
【請求項５】前記第１搬送手段に前記基板を受け渡す
前に、当該基板を前記第１の速度よりも大きい第３の速
度で第３搬送手段によって搬送しつつ、当該第３搬送手
段によって搬送されている前記基板に前記処理液を供給
する工程と、前記処理液による処理を終了した前記基板
を前記第１の速度よりも大きい第４の速度で搬送しつ
つ、前記仕上げ部における仕上げ処理の前処理として、
前記基板に付着している前記処理液の液切りを行う工程
とをさらに備えることを特徴とする請求項４記載の基板
処理方法。