WO2018216612A1 - 基板処理装置 - Google Patents

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WO2018216612A1
WO2018216612A1 PCT/JP2018/019284 JP2018019284W WO2018216612A1 WO 2018216612 A1 WO2018216612 A1 WO 2018216612A1 JP 2018019284 W JP2018019284 W JP 2018019284W WO 2018216612 A1 WO2018216612 A1 WO 2018216612A1
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WO
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tank
replacement
substrate
liquid
processing
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PCT/JP2018/019284
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Inventor
晶 井谷
Original Assignee
シャープ株式会社
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus.
  • a conductive film or an insulating film is formed on the surface of a glass substrate by a photolithography method and patterned.
  • a substrate processing apparatus described in Patent Document 1 below is used. This substrate processing apparatus includes an etching unit and a rinsing unit, and a large amount of etching solution remains on the surface of the substrate immediately after being taken out from a dip tank that performs immersion etching processing in the etching unit. The etching solution is collected by a suction collection head, and the remaining etching solution is removed by an air knife.
  • a replacement water washing is performed in which the etching liquid is replaced with pure water by discharging a mixed fluid containing pure water droplets from the two-fluid slit nozzle onto the surface of the substrate from which the etching liquid has been substantially removed. Mist scattered by the discharge of the mixed fluid is discharged out of the apparatus from the exhaust nozzle.
  • the rinsing unit performs replacement water washing in which the etching solution is replaced with pure water.
  • the replacement of the etchant with pure water is difficult to proceed evenly within the surface of the substrate to be processed, and the portion where the etchant is removed in a short time and the portion where the etchant remains for a long time As a result, a difference in the etching rate may occur, which may cause uneven etching.
  • the present invention has been completed based on the above circumstances, and an object thereof is to suppress the occurrence of processing unevenness.
  • the substrate processing apparatus of the present invention includes a processing tank that supplies a processing liquid to a surface to be processed of a substrate, a cleaning tank that is disposed downstream of the processing tank and supplies a cleaning liquid to the surface to be processed of the substrate, A replacement tank that is disposed between the processing tank and the cleaning tank and supplies a replacement liquid for replacing the processing liquid on the surface to be processed of the substrate; the processing tank; the replacement tank; A substrate transport unit that transports the substrates in the order of the cleaning tank, and the replacement tank includes a substrate transport unit that transports the substrate faster than the processing tank and the cleaning tank.
  • the substrate transferred to the processing tank by the substrate transfer unit is processed by the processing liquid supplied to the surface to be processed.
  • the processing liquid is replaced with the replacement liquid supplied to the surface to be processed.
  • the substrate transported by the substrate transport unit to the cleaning tank disposed on the downstream side of the replacement tank is cleaned with the cleaning liquid supplied to the surface to be processed.
  • the substrate is transported faster than the processing tank and the cleaning tank by the substrate transport section, so that the diffusion rate of the replacement liquid on the surface to be processed of the substrate is increased.
  • the time required for replacing the processing liquid remaining on the surface to be processed of the substrate with the replacement liquid is shortened, so that it is difficult for the processing liquid to partially remain in the surface of the surface to be processed.
  • the occurrence of processing unevenness on the surface to be processed is suppressed.
  • the replacement tank is provided separately from the cleaning tank, it is possible to take measures such as measures for preventing droplets from falling from the walls in the tank and measures for high-efficiency exhaust. It is suitable for suppressing the occurrence of processing unevenness on the surface.
  • FIGS. 1 and 2 An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
  • a wet etching apparatus (substrate processing apparatus) 20 used for manufacturing the respective substrates 11a and 11b in the liquid crystal panel (display panel) 11 constituting the liquid crystal display apparatus is illustrated.
  • the liquid crystal panel 11 is formed by enclosing a liquid crystal layer 11c containing a liquid crystal material, which is a substance whose optical characteristics change with application of an electric field, between a pair of substrates 11a and 11b.
  • a liquid crystal material which is a substance whose optical characteristics change with application of an electric field
  • the two substrates 11a and 11b constituting the liquid crystal panel 11 the one arranged on the front side (light emitting side) is the CF substrate (counter substrate) 11a, and the one arranged on the back side (backlight device side) is the array.
  • a substrate (active matrix substrate, TFT substrate) 11b is used.
  • Each of the CF substrate 11a and the array substrate 11b is formed by sequentially laminating a predetermined film (structure) on the inner surface side of a glass substrate GS that is almost transparent and has excellent translucency by a known photolithography method. It is said.
  • a pair of front and back polarizing plates 11d and 11e are attached to the outer surface sides of both substrates 11a and 11b, respectively.
  • TFTs Thin Film Transistors
  • pixel electrodes 11g which are switching elements. They are provided one by one in a matrix.
  • a gate wiring and a source wiring are arranged around the TFT 11f and the pixel electrode 11g.
  • the pixel electrode 11g is made of a transparent electrode material such as ITO (Indium Tin Oxide).
  • ITO Indium Tin Oxide
  • the pixel electrode 11g is charged with a predetermined potential by the TFT 11f.
  • Various insulating films are provided on the inner surface side of the array substrate 11b.
  • three colors of red (R), green (G), and blue (B) are provided on the inner surface side of the CF substrate 11a (the liquid crystal layer 11c side and the surface facing the array substrate 11b).
  • a color filter (colored portion) 11h and a light blocking portion (black matrix) 11i that blocks light are provided.
  • the color filter 11h is arranged so as to overlap with each pixel electrode 11g on the array substrate 11b in a plan view, and constitutes a pixel portion of three colors of R, G, and B together with each pixel electrode 11g.
  • the light-shielding portion 11i is arranged so as to overlap with the gate wiring and source wiring on the array substrate 11b side in a plan view, and partitions between adjacent pixel portions (pixel electrodes 11g).
  • An overcoat film (insulating film) 11j made of an insulating material is provided on the upper layer side of the color filter 11h.
  • a counter electrode 11k is provided so as to overlap the inside.
  • the counter electrode 11k is formed in a solid shape over almost the entire area of the inner surface of the CF substrate 11a.
  • the counter electrode 11k is made of the same transparent electrode material as the pixel electrode 11g, and is always kept at a constant reference potential. Accordingly, when each pixel electrode 11g connected to each TFT 11f is charged as each TFT 11f is driven, a potential difference may be generated between each pixel electrode 11g.
  • the alignment state of the liquid crystal molecules contained in the liquid crystal layer 11c changes based on the potential difference generated between the counter electrode 11k and each pixel electrode 11g, and the polarization state of the transmitted light changes accordingly.
  • the amount of transmitted light is individually controlled for each pixel and a predetermined color image is displayed.
  • the innermost surfaces of both the substrates 11a and 11b are respectively provided with alignment films 11l and 11m that are arranged so as to face the liquid crystal layer 11c and align liquid crystal molecules.
  • Each of the substrates 11a and 11b having the above-described configuration includes each conductive film (including a metal film and a transparent electrode film) forming various electrodes and various wirings on the plate surface of the glass substrate GS using a known photolithography method. ) And each insulating film are repeatedly formed and patterned.
  • a film forming process in which each film is formed on the glass substrate GS a resist forming process in which a photoresist made of a photosensitive material is applied on each film to form a resist film, and a resist film Are exposed through a photomask according to the pattern of each film, a developing process for developing the exposed resist film, an etching process for removing a portion of each film that is not covered by the resist film, Each film is formed and patterned through a resist stripping process for stripping the resist film.
  • a wet etching apparatus 20 described below is used.
  • a mother glass substrate (substrate, glass substrate base material) MG in which a plurality of glass substrates (unit substrates) GS are arranged side by side in the plate surface is processed by the wet etching apparatus 20. .
  • the wet etching apparatus 20 includes a wet etching processing tank (processing tank) 21 that performs wet etching processing on the mother glass substrate MG, and a mother that has been processed by being disposed downstream of the wet etching processing tank 21.
  • a cleaning tank 22 for cleaning the glass substrate MG a replacement tank 23 disposed between the wet etching process tank 21 and the cleaning tank 22, a wet etching process tank 21, a replacement tank 23, and a cleaning tank 22.
  • a substrate transport unit 24 that transports the mother glass substrate MG in order.
  • the wet etching treatment tank 21, the replacement tank 23, and the cleaning tank 22 are arranged adjacent to each other in order from the upstream side, and carry-in for carrying in and carrying out the mother glass substrate MG carried by the substrate carrying unit 24. It has ports 21a, 22a, 23a and carry-out ports 21b, 22b, 23b, respectively.
  • the carry-out port 21b of the wet etching treatment tank 21 and the carry-in port 23a of the replacement tank 23 communicate with each other, and the carry-out port 23b of the substitution tank 23 and the carry-in port 22a of the cleaning tank 22 communicate with each other. Yes.
  • the surface to be processed MGa on which a film to be etched or a resist film is formed is above the vertical direction (normal direction of the surface to be processed MGa) (in FIG. 2).
  • the posture is facing upward.
  • the wet etching treatment tank 21 performs a wet etching process on the mother glass substrate MG by supplying an etching liquid (treatment liquid, etchant) EL to the surface MGa to be processed of the mother glass substrate MG. Since the etchant EL used in the wet etching process has corrosiveness to the film to be etched, it is possible to corrode and remove the exposed part of the film that is not covered by the resist film. Is done.
  • the wet etching processing tank 21 has an etching liquid discharge part (processing liquid discharge part) 25 for discharging the etching liquid EL onto the surface MGa to be processed of the mother glass substrate MG.
  • the etchant discharge unit 25 is positioned away from the surface MGa to be processed (upper side in FIG. 2, opposite to the substrate transfer unit 24 side) in the vertical direction with respect to the mother glass substrate MG, and is a wet etching processing tank.
  • a plurality (six in this embodiment) are arranged side by side at an interval from the vicinity of the carry-in port 21a to the downstream side (the carry-out port 21b side).
  • An air knife (processing liquid removing device) 29 for removing the etching liquid EL on the surface MGa to be processed of the mother glass substrate MG is provided near the carry-out port 21b in the wet etching processing tank 21.
  • the air knife 29 blows off most of the etching liquid EL existing there and blows it away by blowing high-pressure air (compressed air) onto the surface to be processed MGa of the mother glass substrate MG.
  • the air knife 29 is positioned away from the surface to be processed MGa in the vertical direction with respect to the mother glass substrate MG, and is inclined to form an acute angle with respect to the traveling direction of the mother glass substrate MG.
  • the replacement tank 23 supplies a replacement liquid DL for replacing the etching liquid EL remaining on the processing surface MGa of the mother glass substrate MG that has passed through the wet etching processing tank 21, and the etching liquid EL.
  • a replacement process is performed in which is replaced with the replacement liquid DL.
  • the substitution liquid DL is made of pure water or ultrapure water, for example.
  • the replacement tank 23 has at least a replacement liquid discharge section 27 that discharges the replacement liquid DL onto the surface to be processed MGa of the mother glass substrate MG.
  • the replacement liquid discharge unit 27 is arranged to be separated from the mother glass substrate MG on the processing surface MGa side. The replacement tank 23 and the replacement liquid discharge unit 27 will be described in detail later.
  • the cleaning tank 22 supplies a cleaning liquid CL to the surface to be processed MGa of the mother glass substrate MG that has passed through the replacement tank 23 and performs a cleaning process for cleaning the surface to be processed MGa.
  • the cleaning liquid CL is made of pure water or ultrapure water, for example.
  • the cleaning tank 22 includes a cleaning liquid discharge unit 26 that discharges the cleaning liquid CL onto the surface to be processed MGa of the mother glass substrate MG.
  • the cleaning liquid discharge unit 26 is positioned away from the processing surface MGa side in the vertical direction with respect to the mother glass substrate MG, and is spaced from the vicinity of the carry-in port 22a to the downstream side (the carry-out port 22b side) in the cleaning tank 22.
  • a plurality (four in this embodiment) are arranged side by side.
  • the substrate transport unit 24 transports the mother glass substrate MG while keeping the plate surfaces (the processed surface MGa and the processed opposite surface MGb) parallel to the horizontal direction.
  • the conveyance roller 24a is positioned on the opposite surface MGb to be processed in the vertical direction with respect to the mother glass substrate MG (on the opposite side to the surface to be processed MGa) and rotates while being in contact with the opposite surface MGb to be processed.
  • the mother glass substrate MG is transported while being kept almost horizontal.
  • the transport roller 24a is disposed in all of the wet etching processing tank 21, the replacement tank 23, and the cleaning tank 22, and along the transport direction of the mother glass substrate MG (the left-right direction in FIG. 2) in each of the tanks 21-23.
  • a motor as a power source is connected to the transport roller 24a, and the number of rotations per unit time of the transport roller 24a, that is, by controlling the driving of the motor by a motor controller (not shown with the motor), that is, The rotation speed is adjusted appropriately.
  • substrate conveyance part 24 can change the conveyance speed of the mother glass substrate MG based on the position of the conveyance direction in the mother glass substrate MG.
  • the mother glass substrate MG is transported faster than the wet etching treatment tank 21 and the cleaning tank 22.
  • the substrate transport unit 24 is configured so that the mother glass substrate MG is disposed in the replacement tank 23 at the rotational speed of the transport roller 24a in a state where at least a part of the mother glass substrate MG is disposed in the replacement tank 23.
  • it is faster than the rotation speed of the transport roller 24a in the state of being placed in the wet etching treatment tank 21 or the cleaning tank 22, and specifically, it is preferably set to a speed of about 5 to 10 times.
  • the traveling direction of the mother glass substrate MG is illustrated by arrows, and the length of the arrow represents the conveyance speed of the mother glass substrate MG (rotation speed of the conveyance roller 24a).
  • the longer the arrow line the faster the conveyance speed of the mother glass substrate MG.
  • the mother glass substrate MG is supplied onto the surface MGa to be processed of the mother glass substrate MG by being transferred faster than the wet etching process tank 21 and the cleaning tank 22 by the substrate transfer unit 24.
  • the diffusion rate of the substitution liquid DL is increased.
  • the time required for the etching liquid EL remaining on the surface to be processed MGa of the mother glass substrate MG to be replaced with the replacement liquid DL is shortened, so that the etching liquid EL is partially formed in the surface of the surface to be processed MGa. It is difficult for the situation to remain. Therefore, the etching liquid EL is evenly replaced with the replacement liquid DL in the surface of the surface to be processed MGa, and the etching rate is made uniform in the surface of the surface to be processed MGa. Occurrence of (processing unevenness) is suppressed.
  • the replacement tank 23 is provided separately from the cleaning tank 22, for example, a structure such as a bowl for preventing droplets from dropping from the wall surface in the tank, a high-efficiency exhaust fan for high-efficiency exhaust, etc. It is possible to easily install a dedicated facility for the replacement tank 23, which is suitable for suppressing the occurrence of processing unevenness on the surface to be processed MGa.
  • the replacement liquid discharge unit 27 provided in the replacement tank 23 discharges the replacement liquid DL onto the processing surface MGa of the mother glass substrate MG at a higher pressure than the etching liquid discharge unit 25 and the cleaning liquid discharge unit 26. is doing. Specifically, the pressure at which the replacement liquid discharge part 27 discharges the replacement liquid DL is set higher than the pressure at which the etching liquid discharge part 25 discharges the etching liquid EL and the pressure at which the cleaning liquid discharge part 26 discharges the cleaning liquid CL. .
  • the replacement liquid DL from the replacement liquid discharge section 27 is applied to the etching liquid discharge section 25 and the cleaning liquid on the target surface MGa of the mother glass substrate MG that is transferred at high speed by the substrate transfer section 24 in the replacement tank 23. Since discharge is performed at a high pressure from the discharge unit 26, the replacement of the etching liquid EL with the replacement liquid DL efficiently proceeds on the processing surface MGa of the mother glass substrate MG, and the etching liquid EL is surely replaced with the replacement liquid DL. It becomes a thing with high property. As a result, a situation in which the etching liquid EL partially remains in the surface of the surface to be processed MGa is less likely to occur, and thus occurrence of processing unevenness on the surface to be processed MGa is more preferably suppressed.
  • the replacement liquid discharge unit 27 provided in the replacement tank 23 discharges a two-fluid BF formed by mixing air with the replacement liquid DL.
  • an air supply section for supplying air and a replacement liquid supply section for supplying the replacement liquid DL are connected to the replacement liquid discharge section 27 . Air supplied from the liquid supply unit and the replacement liquid DL are mixed inside the replacement liquid discharge unit 27 to generate a two-fluid BF, and discharged from the discharge port of the replacement liquid discharge unit 27.
  • production of the process nonuniformity in the to-be-processed surface MGa is suppressed more suitably.
  • two of the replacement liquid discharge units 27 are arranged side by side with an interval between the upstream side (loading port 23 a side) and the downstream side (loading port 23 b side) in the transfer direction of the mother glass substrate MG.
  • the two replacement liquid discharge portions 27 are inclined to form an obtuse angle with respect to the traveling direction of the mother glass substrate MG. If it does in this way, in the substitution tank 23, it will be distribute
  • Each of the two fluids BF is discharged onto the surface to be processed MGa of the mother glass substrate MG conveyed at high speed by the substrate conveying unit 24, so that the etching liquid EL is more reliably replaced with the replacement liquid DL. Become. Thereby, generation
  • the replacement tank 23 is arranged on the opposite side (substrate transport unit 24 side) to the surface to be processed MGa side in the vertical direction with respect to the mother glass substrate MG, and the mother glass substrate MG.
  • the opposite-side replacement liquid discharge unit 28 that discharges the two-fluid BF to the surface MGb to be processed opposite to the surface to be processed MGa in FIG. Similar to the replacement liquid discharge section 27, the opposite-side replacement liquid discharge section 28 discharges a two-fluid BF obtained by mixing air with the replacement liquid DL, and the arrangement in the vertical direction sandwiches the mother glass substrate MG.
  • the side is the opposite side to the replacement liquid discharge part 27 side.
  • the opposite-side replacement liquid discharge section 28 has an inclined posture that forms an obtuse angle with respect to the traveling direction of the mother glass substrate MG, and the arrangement in the transport direction has two replacement liquid discharge sections. 27.
  • the two-fluid BF is discharged to the processing surface MGa of the mother glass substrate MG from the replacement liquid discharge unit 27 disposed on the processing surface MGa side with respect to the mother glass substrate MG.
  • the two-fluid BF from the opposite-side substitution liquid discharge unit 28 disposed on the opposite side of the mother glass substrate MG from the treated surface MGa side is treated on the opposite side of the mother glass substrate MG from the treated surface MGa.
  • the two-fluid BF from the replacement liquid discharge section 27 and the two-fluid BF from the opposite-side replacement liquid discharge section 28 are discharged from the opposite sides to the mother glass substrate MG.
  • the balance relating to the pressure acting on the mother glass substrate MG with the discharge of BF becomes good. Thereby, since the flatness of the surface to be processed MGa of the mother glass substrate MG is ensured, the occurrence of processing unevenness on the surface to be processed MGa is further suitably suppressed.
  • the replacement tank 23 is made smaller than the wet etching treatment tank 21 and the cleaning tank 22 as shown in FIG. Specifically, in the replacement tank 23, the size of the mother glass substrate MG in the transport direction is smaller than the same dimensions of the wet etching treatment tank 21 and the cleaning tank 22, and the volume of the internal space is also relatively small. Yes. In this way, the replacement tank 23 has better exhaust efficiency than the wet etching treatment tank 21 and the cleaning tank 22, so that the etching liquid EL and the replacement liquid DL remain in the replacement tank 23 as mist.
  • the mother glass substrate MG is carried into the inside from the carry-in port 21 a of the wet etching tank 21 by the substrate carrying unit 24.
  • the etching solution EL discharged from the etching solution discharge unit 25 is supplied to the processing surface MGa of the mother glass substrate MG carried into the wet etching processing tank 21.
  • the portion not covered with the resist film is corroded and removed by the etching liquid EL.
  • the substrate transport unit 24 As shown in FIG. 3, the conveying speed of the mother glass substrate MG is made faster than before.
  • a two-fluid BF formed by mixing air with the replacement liquid DL discharged from the replacement liquid discharge section 27 is supplied to the processing surface MGa of the mother glass substrate MG that is transferred at high speed by the substrate transfer section 24.
  • the substitution liquid DL contained in the two-fluid BF supplied to the surface to be processed MGa of the mother glass substrate MG is diffused at high speed on the surface to be processed MGa as the mother glass substrate MG is conveyed at high speed.
  • the etching liquid EL remaining on the surface to be processed MGa is replaced with the replacement liquid DL in a short time, so that the etching liquid EL continues to remain in a part of the surface of the surface to be processed MGa for a long time. Things are hard to happen.
  • the replacement liquid is discharged from the etching liquid EL on the processing surface MGa of the mother glass substrate MG.
  • the replacement with the DL proceeds efficiently and faster, and the reliability with which the etching liquid EL is replaced with the replacement liquid DL is high despite the high-speed conveyance.
  • the two fluids BF are respectively supplied from the two replacement liquid discharge portions 27 arranged in the transfer direction to the processing surface MGa of the mother glass substrate MG, the etching liquid EL is replaced despite the high-speed transfer. The certainty of being replaced with the liquid DL is higher.
  • the etching rate in the surface of the surface to be processed MGa is satisfactorily uniformized in the surface of the surface to be processed MGa, and the occurrence of etching unevenness in the surface to be processed MGa is suitably suppressed.
  • the two-fluid BF discharged from the opposite-side replacement liquid discharge unit 28 is supplied to the opposite surface MGb of the mother glass substrate MG, the opposite sides of the mother glass substrate MG in the vertical direction. Since the pressure of the two-fluid BF acts, the balance concerning the pressure becomes good. Thereby, since the flatness of the processing surface MGa of the mother glass substrate MG is ensured, the occurrence of etching unevenness on the processing surface MGa is more preferably suppressed.
  • the mother glass substrate MG passes through the outlet 23b of the replacement tank 23 and then passes into the cleaning tank 22 through the inlet 22a of the cleaning tank 22, as shown in FIG.
  • the cleaning liquid CL discharged from the cleaning liquid discharge unit 26 is supplied to the processing surface MGa.
  • the replacement tank 23 most of the etching liquid EL existing on the surface to be processed MGa of the mother glass substrate MG is replaced with the replacement liquid DL.
  • the etching liquid EL of the mother glass substrate MG is replaced.
  • the cleaning liquid CL By further cleaning the surface to be processed MGa with the cleaning liquid CL, it is possible to completely remove the components of the etching liquid EL that may be slightly contained in the substitution liquid DL.
  • the substrate transport section 24 is As shown in FIG. 6, the conveyance speed of the mother glass substrate MG is made slower than before.
  • the wet etching apparatus (substrate processing apparatus) 20 of this embodiment is a wet etching processing tank (processing tank) that supplies the etching liquid (processing liquid) EL to the processing surface MGa of the mother glass substrate (substrate) MG. ) 21, a cleaning tank 22 that is disposed downstream of the wet etching processing tank 21 and supplies the cleaning liquid CL to the target surface MGa of the mother glass substrate MG, and is interposed between the wet etching processing tank 21 and the cleaning tank 22.
  • processing tank that supplies the etching liquid (processing liquid) EL to the processing surface MGa of the mother glass substrate (substrate) MG. )
  • a cleaning tank 22 that is disposed downstream of the wet etching processing tank 21 and supplies the cleaning liquid CL to the target surface MGa of the mother glass substrate MG, and is interposed between the wet etching processing tank 21 and the cleaning tank 22.
  • a replacement tank 23 for supplying a replacement liquid DL for replacing the etching liquid EL on the surface to be processed MGa of the mother glass substrate MG, a wet etching processing tank 21, a replacement tank 23, and a cleaning tank 22 in this order.
  • the substrate transport unit 24 transports the mother glass substrate MG in the replacement tank 23 from the wet etching processing tank 21 and the cleaning tank 22. It includes a substrate conveying portion 24 for conveying fast Zagarasu substrate MG, a.
  • the mother glass substrate MG transported to the wet etching processing tank 21 by the substrate transport unit 24 is processed by the etching liquid EL supplied to the processing surface MGa.
  • the mother glass substrate MG transferred to the replacement tank 23 disposed between the wet etching processing tank 21 and the cleaning tank 22 by the substrate transfer unit 24 is etched into the replacement liquid DL supplied to the processing surface MGa. Liquid EL is replaced.
  • the mother glass substrate MG transferred to the cleaning tank 22 disposed on the downstream side of the replacement tank 23 by the substrate transfer unit 24 is cleaned with the cleaning liquid CL supplied to the processing target MGa.
  • the mother glass substrate MG is transported faster than the wet etching processing tank 21 and the cleaning tank 22 by the substrate transport section 24, and therefore, the diffusion of the replacement liquid DL on the surface to be processed MGa of the mother glass substrate MG. Increases speed.
  • the time required for the etching liquid EL remaining on the surface to be processed MGa of the mother glass substrate MG to be replaced with the replacement liquid DL is shortened, so that the etching liquid EL is partially formed in the surface of the surface to be processed MGa. Therefore, it is difficult for the remaining situation to occur, and the occurrence of processing unevenness on the processing surface MGa is suppressed.
  • the replacement tank 23 is provided separately from the cleaning tank 22, for example, it is possible to take measures for preventing droplets from dropping from the wall surface in the tank or measures for high-efficiency exhaust, It is suitable for suppressing the occurrence of processing unevenness on the surface to be processed MGa.
  • the wet etching treatment tank 21 is an etching liquid discharge part (treatment liquid discharge part) 25 for discharging the etching liquid EL onto the surface to be processed MGa of the mother glass substrate MG
  • the cleaning tank 22 is a treatment target of the mother glass substrate MG.
  • Each of the replacement tanks 23 has a cleaning liquid discharge unit 26 that discharges the cleaning liquid CL onto the surface MGa, and the replacement tank 23 supplies the replacement liquid DL onto the surface MGa to be processed of the mother glass substrate MG, and the etching liquid discharge unit 25 and the cleaning liquid discharge unit 26. It has a replacement liquid discharge section 27 that discharges at a higher pressure.
  • the replacement liquid DL from the replacement liquid discharge section 27 is applied to the etching liquid discharge section 25 and the cleaning liquid on the target surface MGa of the mother glass substrate MG that is transferred at high speed by the substrate transfer section 24 in the replacement tank 23. Since discharge is performed at a high pressure from the discharge unit 26, the replacement of the etching liquid EL with the replacement liquid DL efficiently proceeds on the processing surface MGa of the mother glass substrate MG, and the etching liquid EL is surely replaced with the replacement liquid DL. It becomes a thing with high property. As a result, a situation in which the etching liquid EL partially remains in the surface of the surface to be processed MGa is less likely to occur, and thus occurrence of processing unevenness on the surface to be processed MGa is more preferably suppressed.
  • the replacement liquid discharge unit 27 discharges the two-fluid BF formed by mixing the replacement liquid DL with air.
  • production of the process nonuniformity in the to-be-processed surface MGa is suppressed more suitably.
  • a plurality of replacement liquid discharge sections 27 are arranged on the processing surface MGa side with respect to the mother glass substrate MG, and are arranged side by side with an interval between the upstream side and the downstream side. If it does in this way, in the substitution tank 23, it will be distribute
  • Each of the two fluids BF is discharged onto the surface to be processed MGa of the mother glass substrate MG conveyed at high speed by the substrate conveying unit 24, so that the etching liquid EL is more reliably replaced with the replacement liquid DL. Become. Thereby, generation
  • the replacement liquid discharge unit 27 is disposed on the processing surface MGa side with respect to the mother glass substrate MG, and is disposed on the side opposite to the processing surface MGa side with respect to the mother glass substrate MG.
  • the mother glass substrate MG has the opposite-side replacement liquid discharge section 28 that discharges the two-fluid BF to the opposite surface MGb to be processed opposite to the surface to be processed MGa. In this way, in the replacement tank 23, the two-fluid BF is discharged to the processing surface MGa of the mother glass substrate MG from the replacement liquid discharge unit 27 disposed on the processing surface MGa side with respect to the mother glass substrate MG.
  • the two-fluid BF from the opposite-side substitution liquid discharge unit 28 disposed on the opposite side of the mother glass substrate MG from the treated surface MGa side is treated on the opposite side of the mother glass substrate MG from the treated surface MGa. It is discharged onto the opposite surface MGb. Accordingly, the two-fluid BF from the replacement liquid discharge section 27 and the two-fluid BF from the opposite-side replacement liquid discharge section 28 are discharged from the opposite sides to the mother glass substrate MG.
  • the balance relating to the pressure acting on the mother glass substrate MG with the discharge of BF becomes good. Thereby, since the flatness of the surface to be processed MGa of the mother glass substrate MG is ensured, the occurrence of processing unevenness on the surface to be processed MGa is further suitably suppressed.
  • the replacement tank 23 is smaller than the wet etching treatment tank 21 and the cleaning tank 22. In this way, the replacement tank 23 has better exhaust efficiency than the wet etching treatment tank 21 and the cleaning tank 22, so that the etching liquid EL and the replacement liquid DL remain in the replacement tank 23 as mist. Since it is difficult for the droplets of the etching liquid EL and the substitution liquid DL to adhere to the wall surface in the substitution tank 23, such mist and droplets reattach to the surface to be processed MGa of the mother glass substrate MG. It becomes difficult to happen. Thereby, generation
  • the present invention is not limited to the embodiments described with reference to the above description and drawings.
  • the replacement tank may have three or more replacement liquid discharge units, and the replacement liquid discharge There may be only one part.
  • the replacement tank may have two or more opposite-side replacement liquid discharge sections, but it is also possible to remove the opposite-side replacement liquid discharge section.
  • the conveyance speed of the mother glass substrate by the substrate conveyance unit in the replacement tank is about 5 to 10 times the conveyance speed in the wet etching treatment tank or the cleaning tank is exemplified.
  • the transfer speed of the mother glass substrate by the substrate transfer section in the replacement tank may be 10 times or more or 5 times or less the transfer speed in the wet etching treatment tank or the cleaning tank.
  • the replacement tank is smaller than the wet etching processing tank or the cleaning tank has been shown, but the replacement tank may be the same size as the wet etching processing tank or the cleaning tank. .
  • the replacement liquid discharge part of the replacement tank discharges two fluids formed by mixing air with the replacement liquid has been shown. However, the replacement liquid discharge part discharges the replacement liquid that does not mix air. You may be the structure to do.
  • the replacement liquid or the cleaning liquid is pure water or ultrapure water is shown, but the replacement liquid or the cleaning liquid may be other than pure water or ultrapure water.
  • the wet etching apparatus for performing the wet etching process on the mother glass substrate of the glass substrate constituting the TN type or VA type liquid crystal panel has been described. It may be a wet etching apparatus for performing a wet etching process on the mother glass substrate of the glass substrate constituting the glass substrate.
  • the wet etching apparatus for performing the wet etching process on the mother glass substrate of the glass substrate constituting the liquid crystal panel has been shown. However, the wet etching process is performed on the substrate constituting the display panel other than the liquid crystal panel. It may be a wet etching apparatus.
  • the display panel other than the liquid crystal panel examples include an organic EL panel, PDP, EPD (electrophoretic display panel, MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) display panel, and the like.
  • the substrate processing apparatus is a substrate processing apparatus other than the wet etching apparatus (for example, a developing apparatus used in the developing process). It doesn't matter.

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Abstract

ウェットエッチング装置２０は、マザーガラス基板の被処理面にエッチング液を供給するウェットエッチング処理槽２１と、ウェットエッチング処理槽２１の下流側に配されてマザーガラス基板の被処理面に洗浄液を供給する洗浄槽２２と、ウェットエッチング処理槽２１と洗浄槽２２との間に介在する形で配されてマザーガラス基板の被処理面にエッチング液を置換するための置換液を供給する置換槽２３と、ウェットエッチング処理槽２１、置換槽２３及び洗浄槽２２の順でマザーガラス基板を搬送し、置換槽２３ではウェットエッチング処理槽２１及び洗浄槽２２よりマザーガラス基板を速く搬送する基板搬送部２４と、を備える。

Description

基板処理装置
　本発明は、基板処理装置に関する。
　従来、液晶表示装置の主要構成部品である液晶パネルを製造する際には、ガラス製の基板の表面にフォトリソグラフィ法により導電膜や絶縁膜を成膜してパターニングしている。基板上に導電膜や絶縁膜を成膜するに際しては、例えば下記特許文献１に記載された基板処理装置が用いられる。この基板処理装置は、エッチングユニットおよびリンスユニットを備えており、エッチングユニットにおいて浸漬エッチング処理を行うディップ槽から搬出された直後の基板の表面には多量のエッチング液が残留している。そのエッチング液を吸引回収ヘッドによって回収し、なお残留しているエッチング液をエアナイフによって液切り除去する。これによって概ねエッチング液が除去された基板の表面に二流体スリットノズルから純水液滴を含む混合流体を吐出することによりエッチング液を純水に置換する置換水洗を行う。混合流体の吐出によって飛散したミストは排気ノズルから装置外に排出する。
特開２００６－２７８６０６号公報
（発明が解決しようとする課題）
　上記した特許文献１に記載された基板処理装置では、エッチングユニットにてエッチング処理を行った後に、リンスユニットにてエッチング液を純水に置換する置換水洗を行うようにしている。しかしながら、リンスユニットでは、基板の被処理面の面内においてエッチング液から純水への置換が均等に進行し難く、エッチング液が短時間で除去された部分と、エッチング液が長時間残存した部分と、でエッチングレートに差が生じ、エッチングムラが生じるおそれがあった。
　本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、処理ムラの発生を抑制することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
　本発明の基板処理装置は、基板の被処理面に処理液を供給する処理槽と、前記処理槽の下流側に配されて前記基板の前記被処理面に洗浄液を供給する洗浄槽と、前記処理槽と前記洗浄槽との間に介在する形で配されて前記基板の前記被処理面に前記処理液を置換するための置換液を供給する置換槽と、前記処理槽、前記置換槽及び前記洗浄槽の順で前記基板を搬送する基板搬送部であって、前記置換槽では前記処理槽及び前記洗浄槽より前記基板を速く搬送する基板搬送部と、を備える。
　このようにすれば、基板搬送部によって処理槽に搬送された基板は、被処理面に供給される処理液によって処理がなされる。続いて、基板搬送部によって処理槽と洗浄槽との間に配される置換槽に搬送された基板は、被処理面に供給される置換液に処理液が置換される。その後、基板搬送部によって置換槽の下流側に配される洗浄槽に搬送された基板は、被処理面に供給される洗浄液によって洗浄される。このうち、置換槽では、基板は、基板搬送部によって処理槽及び洗浄槽より速く搬送されるので、基板の被処理面における置換液の拡散速度が速くなる。これにより、基板の被処理面に残存していた処理液が置換液に置換されるのに要する時間が短くなるので、被処理面の面内に処理液が部分的に残存する事態が生じ難くなり、もって被処理面での処理ムラの発生が抑制される。しかも、置換槽が洗浄槽とは別途に備えられているから、例えば槽内の壁面からの液滴落下防止のための施策や高効率排気のための施策などを採ることが可能となり、被処理面での処理ムラの発生を抑制する上で好適とされる。
（発明の効果）
　本発明によれば、処理ムラの発生を抑制することができる。
本発明の実施形態に係る液晶パネルの断面構成を示す概略断面図 マザーガラス基板がウェットエッチング処理槽に搬入された状態を示す基板処理装置の断面図 マザーガラス基板がウェットエッチング処理槽から置換槽へと移動される途中の状態を示す基板処理装置の断面図 図３の基板処理装置における置換槽を中心に拡大した断面図 マザーガラス基板が置換槽から洗浄槽へと移動される途中の状態を示す基板処理装置の断面図 マザーガラス基板が洗浄槽から搬出される途中の状態を示す基板処理装置の断面図
　＜実施形態＞
　本発明の実施形態を図１から図６によって説明する。本実施形態では、液晶表示装置を構成する液晶パネル（表示パネル）１１における各基板１１ａ，１１ｂの製造に用いられるウェットエッチング装置（基板処理装置）２０について例示する。
　まず、液晶パネル１１の構成について説明する。液晶パネル１１は、図１に示すように、一対の基板１１ａ，１１ｂ間に、電界印加に伴って光学特性が変化する物質である液晶材料を含む液晶層１１ｃを封入してなる。液晶パネル１１を構成する両基板１１ａ，１１ｂのうち、表側（光出射側）に配されるものがＣＦ基板（対向基板）１１ａとされ、裏側（バックライト装置側）に配されるものがアレイ基板（アクティブマトリクス基板、ＴＦＴ基板）１１ｂとされる。ＣＦ基板１１ａ及びアレイ基板１１ｂは、いずれもほぼ透明で優れた透光性を有するガラス基板ＧＳの内面側に所定の膜（構造物）を既知のフォトリソグラフィ法により順次に積層形成してなるものとされる。なお、両基板１１ａ，１１ｂの外面側には、表裏一対の偏光板１１ｄ，１１ｅがそれぞれ貼り付けられている。
　アレイ基板１１ｂの内面側（液晶層１１ｃ側、ＣＦ基板１１ａとの対向面側）には、図１に示すように、スイッチング素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）１１ｆ及び画素電極１１ｇが多数個ずつマトリクス状に並んで設けられている。これらＴＦＴ１１ｆ及び画素電極１１ｇの周りには、格子状をなしていて金属膜からなるゲート配線及びソース配線（いずれも図示せず）が配設されている。画素電極１１ｇは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明電極材料からなる。この画素電極１１ｇには、ＴＦＴ１１ｆによって所定の電位が充電されるようになっている。また、アレイ基板１１ｂの内面側には、各種絶縁膜が設けられている。
　ＣＦ基板１１ａの内面側（液晶層１１ｃ側、アレイ基板１１ｂとの対向面側）には、図１に示すように、赤色（Ｒ），緑色（Ｇ），青色（Ｂ）を呈する３色のカラーフィルタ（着色部）１１ｈと、光を遮る遮光部（ブラックマトリクス）１１ｉと、が設けられている。このカラーフィルタ１１ｈは、アレイ基板１１ｂ側の各画素電極１１ｇと平面に視て重畳する配置とされ、各画素電極１１ｇと共にＲ，Ｇ，Ｂの３色の画素部を構成している。遮光部１１ｉは、アレイ基板１１ｂ側のゲート配線及びソース配線と平面に視て重畳する配置とされ、隣り合う画素部（画素電極１１ｇ）の間を仕切っている。カラーフィルタ１１ｈの上層側には、絶縁性材料からなるオーバーコート膜（絶縁膜）１１ｊが設けられている。オーバーコート膜１１ｊの表面には、対向電極１１ｋが内側に重なって設けられている。対向電極１１ｋは、ＣＦ基板１１ａの内面におけるほぼ全域にわたってベタ状に形成されている。対向電極１１ｋは、画素電極１１ｇと同様の透明電極材料からなり、常に一定の基準電位に保たれている。従って、各ＴＦＴ１１ｆが駆動されるのに伴って各ＴＦＴ１１ｆに接続された各画素電極１１ｇが充電されると、各画素電極１１ｇとの間には電位差が生じ得る。そして、対向電極１１ｋと各画素電極１１ｇとの間に生じる電位差に基づいて液晶層１１ｃに含まれる液晶分子の配向状態が変化し、それに伴って透過光の偏光状態が変化し、もって液晶パネル１１の透過光量が各画素毎に個別に制御されるとともに所定のカラー画像が表示されるようになっている。なお、両基板１１ａ，１１ｂにおける最内面には、液晶層１１ｃに臨む形で配されて液晶分子を配向させる配向膜１１ｌ，１１ｍがそれぞれ設けられている。
　上記のような構成の各基板１１ａ，１１ｂは、既知のフォトリソグラフィ法を用いてガラス基板ＧＳの板面上に各種電極や各種配線などを構成する各導電膜（金属膜及び透明電極膜を含む）や各絶縁膜などが繰り返し成膜及びパターニングされることで製造されている。具体的には、各膜がガラス基板ＧＳ上に成膜される成膜工程と、各膜上に感光性材料からなるフォトレジストが塗布されてレジスト膜が形成されるレジスト形成工程と、レジスト膜が各膜のパターンに応じたフォトマスクを介して露光される露光工程と、露光されたレジスト膜を現像する現像工程と、各膜のうちレジスト膜によって覆われない部分を除去するエッチング工程と、レジスト膜を剥離するレジスト剥離工程と、を経て各膜の成膜及びパターニングが行われる。このうちのエッチング工程では、続いて説明するウェットエッチング装置２０が用いられている。なお、本実施形態では、複数のガラス基板（単位基板）ＧＳが板面内に並んで配されてなるマザーガラス基板（基板、ガラス基板母材）ＭＧをウェットエッチング装置２０にて処理している。
　ウェットエッチング装置２０は、図２に示すように、マザーガラス基板ＭＧにウェットエッチング処理を行うウェットエッチング処理槽（処理槽）２１と、ウェットエッチング処理槽２１の下流側に配されて処理済みのマザーガラス基板ＭＧを洗浄する洗浄槽２２と、ウェットエッチング処理槽２１と洗浄槽２２との間に介在する形で配される置換槽２３と、ウェットエッチング処理槽２１、置換槽２３及び洗浄槽２２の順でマザーガラス基板ＭＧを搬送する基板搬送部２４と、を少なくとも備える。ウェットエッチング処理槽２１、置換槽２３及び洗浄槽２２は、上流側から順に互いに隣接する形で配されるとともに、基板搬送部２４によって搬送されるマザーガラス基板ＭＧの搬入及び搬出を行うための搬入口２１ａ，２２ａ，２３ａ及び搬出口２１ｂ，２２ｂ，２３ｂをそれぞれ有している。ウェットエッチング処理槽２１の搬出口２１ｂと置換槽２３の搬入口２３ａとが互いに隣り合って連通し、置換槽２３の搬出口２３ｂと洗浄槽２２の搬入口２２ａとが互いに隣り合って連通している。基板搬送部２４によって搬送されるマザーガラス基板ＭＧは、エッチングの対象となる膜やレジスト膜が形成された被処理面ＭＧａが鉛直方向（被処理面ＭＧａの法線方向）の上側（図２の上側）を向いた姿勢とされる。
　ウェットエッチング処理槽２１は、図２に示すように、マザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａにエッチング液（処理液、エッチャント）ＥＬを供給することで、マザーガラス基板ＭＧのウェットエッチング処理を行う。ウェットエッチング処理で用いられるエッチング液ＥＬは、エッチングの対象となる膜に対する腐食性を有しているので、膜のうちレジスト膜により覆われずに露出した部分を腐食させて除去することが可能とされる。ウェットエッチング処理槽２１は、マザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａにエッチング液ＥＬを吐出するエッチング液吐出部（処理液吐出部）２５を有する。エッチング液吐出部２５は、マザーガラス基板ＭＧに対して鉛直方向について被処理面ＭＧａ側（図２の上側、基板搬送部２４側とは反対側）に離間して位置するとともに、ウェットエッチング処理槽２１における搬入口２１ａ付近から下流側（搬出口２１ｂ側）に向けて間隔を空けて複数（本実施形態では６個）が並んで配されている。ウェットエッチング処理槽２１における搬出口２１ｂ付近には、マザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａ上のエッチング液ＥＬを除去するためのエアナイフ（処理液除去装置）２９が設けられている。エアナイフ２９は、マザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａに高圧の空気（圧縮空気）を吹き付けることで、そこに存在するエッチング液ＥＬの大部分を吹き飛ばして除去を図るものである。エアナイフ２９は、マザーガラス基板ＭＧに対して鉛直方向について被処理面ＭＧａ側に離間して位置しており、マザーガラス基板ＭＧの進行方向に対して鋭角をなす傾斜姿勢とされる。また、マザーガラス基板ＭＧに対してエアナイフ２９とは反対側には、マザーガラス基板ＭＧにおける被処理面ＭＧａとは反対側の被処理反対面ＭＧｂに対して高圧の空気を吹き付ける反対側エアナイフ３０が設けられている。
　置換槽２３は、図３に示すように、ウェットエッチング処理槽２１を経たマザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａ上に残存するエッチング液ＥＬを置換するための置換液ＤＬを供給し、エッチング液ＥＬを置換液ＤＬに置換する置換処理を行う。置換液ＤＬは、例えば純水または超純水からなる。置換槽２３は、マザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａに置換液ＤＬを吐出する置換液吐出部２７を少なくとも有する。置換液吐出部２７は、マザーガラス基板ＭＧに対して被処理面ＭＧａ側に離間して配されている。なお、置換槽２３及び置換液吐出部２７に関しては、後に詳しく説明する。
　洗浄槽２２は、図５に示すように、置換槽２３を経たマザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａに洗浄液ＣＬを供給し、被処理面ＭＧａを洗浄する洗浄処理を行う。洗浄液ＣＬは、例えば純水または超純水からなる。洗浄槽２２は、マザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａに洗浄液ＣＬを吐出する洗浄液吐出部２６を有する。洗浄液吐出部２６は、マザーガラス基板ＭＧに対して鉛直方向について被処理面ＭＧａ側に離間して位置するとともに、洗浄槽２２における搬入口２２ａ付近から下流側（搬出口２２ｂ側）に向けて間隔を空けて複数（本実施形態では４個）が並んで配されている。
　基板搬送部２４は、図２に示すように、マザーガラス基板ＭＧをその板面（被処理面ＭＧａ及び被処理反対面ＭＧｂ）が水平方向に並行する姿勢に保ちつつ搬送する複数の搬送ローラ２４ａを有する。搬送ローラ２４ａは、マザーガラス基板ＭＧに対して鉛直方向について被処理反対面ＭＧｂ側（被処理面ＭＧａ側とは反対側）に位置していて被処理反対面ＭＧｂに接しつつ自転することで、マザーガラス基板ＭＧをほぼ水平に保ちつつ搬送する。搬送ローラ２４ａは、ウェットエッチング処理槽２１、置換槽２３及び洗浄槽２２の全てに配されており、各槽２１～２３内においてマザーガラス基板ＭＧの搬送方向（図２の左右方向）に沿って複数ずつが間隔を空けて並んで配されている。なお、搬送ローラ２４ａには、動力源であるモータが接続されており、モータの駆動をモータコントローラ（モータ共々図示せず）により制御することで、搬送ローラ２４ａの単位時間当たりの回転数、つまり回転速度が適宜に調整される。
　そして、基板搬送部２４は、図３に示すように、マザーガラス基板ＭＧの搬送速度を、マザーガラス基板ＭＧにおける搬送方向の位置に基づいて変化させることが可能とされており、置換槽２３ではウェットエッチング処理槽２１及び洗浄槽２２よりマザーガラス基板ＭＧを速く搬送するようにしている。詳しくは、基板搬送部２４は、マザーガラス基板ＭＧの少なくとも一部が置換槽２３内に配された状態での搬送ローラ２４ａの回転速度を、マザーガラス基板ＭＧが置換槽２３内には配されずウェットエッチング処理槽２１内または洗浄槽２２内に配された状態での搬送ローラ２４ａの回転速度より速くしており、具体的には５倍～１０倍程度の速度とされるのが好ましい。なお、図２から図６には、マザーガラス基板ＭＧの進行方向を矢線により図示するとともに、その矢線の長さがマザーガラス基板ＭＧの搬送速度（搬送ローラ２４ａの回転速度）を表しており、矢線が長いほどマザーガラス基板ＭＧの搬送速度が速くなっている。このように、置換槽２３では、マザーガラス基板ＭＧは、基板搬送部２４によってウェットエッチング処理槽２１及び洗浄槽２２より速く搬送されることで、マザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａ上に供給された置換液ＤＬの拡散速度が速くなる。これにより、マザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａに残存していたエッチング液ＥＬが置換液ＤＬに置換されるのに要する時間が短くなるので、被処理面ＭＧａの面内にエッチング液ＥＬが部分的に残存する事態が生じ難くなる。従って、被処理面ＭＧａの面内においてエッチング液ＥＬが置換液ＤＬへと均等に置換されるとともに、被処理面ＭＧａの面内でエッチングレートが均一化され、もって被処理面ＭＧａでのエッチングムラ（処理ムラ）の発生が抑制される。しかも、置換槽２３が洗浄槽２２とは別途に備えられているから、例えば槽内の壁面からの液滴落下防止のための庇などの構造物や高効率排気のための高効率排気ファンといった置換槽２３の専用の設備を容易に設置することが可能となり、被処理面ＭＧａでの処理ムラの発生を抑制する上で好適とされる。
　しかも、置換槽２３に備わる置換液吐出部２７は、図４に示すように、マザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａに置換液ＤＬを、エッチング液吐出部２５及び洗浄液吐出部２６より高圧で吐出している。詳しくは、置換液吐出部２７が置換液ＤＬを吐出する圧力は、エッチング液吐出部２５がエッチング液ＥＬを吐出する圧力や洗浄液吐出部２６が洗浄液ＣＬを吐出する圧力よりも高く設定されている。このようにすれば、置換槽２３において基板搬送部２４によって高速搬送されるマザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａには、置換液吐出部２７からの置換液ＤＬが、エッチング液吐出部２５及び洗浄液吐出部２６より高圧で吐出されるから、マザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａにおいてエッチング液ＥＬから置換液ＤＬへの置換が効率的に進行し、エッチング液ＥＬが置換液ＤＬに置換される確実性が高いものとなる。これにより、被処理面ＭＧａの面内にエッチング液ＥＬが部分的に残存する事態がより生じ難くなり、もって被処理面ＭＧａでの処理ムラの発生がより好適に抑制される。
　さらには、置換槽２３に備わる置換液吐出部２７は、図４に示すように、置換液ＤＬに空気を混合してなる二流体ＢＦを吐出している。置換液吐出部２７には、空気を供給する空気供給部と、置換液ＤＬを供給する置換液供給部（空気供給部共々図示せず）と、が接続されており、これら空気供給部及び置換液供給部から供給される空気と置換液ＤＬとを置換液吐出部２７の内部で混合して二流体ＢＦを生成し、置換液吐出部２７の吐出口から吐出している。このようにすれば、置換槽２３において基板搬送部２４によって高速搬送されるマザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａには、置換液吐出部２７から置換液ＤＬに空気を混合してなる二流体ＢＦがエッチング液吐出部２５及び洗浄液吐出部２６より高圧で吐出されるので、被処理面ＭＧａにおいてエッチング液ＥＬが置換液ＤＬにより速く置換される。これにより、被処理面ＭＧａでの処理ムラの発生が一層好適に抑制される。この置換液吐出部２７は、置換槽２３内において２つがマザーガラス基板ＭＧの搬送方向について上流側（搬入口２３ａ側）と下流側（搬出口２３ｂ側）とに間隔を開けて並んで配される。２つの置換液吐出部２７は、マザーガラス基板ＭＧの進行方向に対して鈍角をなす傾斜姿勢とされる。このようにすれば、置換槽２３では、マザーガラス基板ＭＧに対して被処理面ＭＧａ側に配され且つ上流側と下流側とに間隔を開けて並んで配される２つの置換液吐出部２７からそれぞれ二流体ＢＦが、基板搬送部２４によって高速搬送されるマザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａに吐出されることで、エッチング液ＥＬが置換液ＤＬに置換される確実性がより高いものとなる。これにより、被処理面ＭＧａでの処理ムラの発生がより一層好適に抑制される。
　その上で、置換槽２３は、図３に示すように、マザーガラス基板ＭＧに対して鉛直方向について被処理面ＭＧａ側とは反対側（基板搬送部２４側）に配されてマザーガラス基板ＭＧにおける被処理面ＭＧａとは反対側の被処理反対面ＭＧｂに二流体ＢＦを吐出する反対側置換液吐出部２８を有する。反対側置換液吐出部２８は、置換液吐出部２７と同様に、置換液ＤＬに空気を混合してなる二流体ＢＦを吐出するものであり、鉛直方向についての配置がマザーガラス基板ＭＧを挟んで置換液吐出部２７側とは反対側とされている。反対側置換液吐出部２８は、置換液吐出部２７と同様に、マザーガラス基板ＭＧの進行方向に対して鈍角をなす傾斜姿勢とされており、搬送方向についての配置が２つの置換液吐出部２７の間となる位置とされる。このようにすれば、置換槽２３では、マザーガラス基板ＭＧに対して被処理面ＭＧａ側に配される置換液吐出部２７から二流体ＢＦがマザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａに吐出されるとともに、マザーガラス基板ＭＧに対して被処理面ＭＧａ側とは反対側に配される反対側置換液吐出部２８から二流体ＢＦがマザーガラス基板ＭＧにおける被処理面ＭＧａとは反対側の被処理反対面ＭＧｂに吐出される。従って、マザーガラス基板ＭＧには、置換液吐出部２７からの二流体ＢＦと、反対側置換液吐出部２８からの二流体ＢＦと、が互いに反対側から吐出されることになるので、二流体ＢＦの吐出に伴ってマザーガラス基板ＭＧに作用する圧力に係るバランスが良好なものとなる。これにより、マザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａの平坦性が担保されるので、被処理面ＭＧａでの処理ムラの発生がより一層好適に抑制される。
　さらには、置換槽２３は、図２に示すように、ウェットエッチング処理槽２１及び洗浄槽２２より小型とされる。詳しくは、置換槽２３は、マザーガラス基板ＭＧの搬送方向についての寸法が、ウェットエッチング処理槽２１及び洗浄槽２２の同寸法よりも小さくされており、内部空間の容積も相対的に小さくされている。このようにすれば、置換槽２３では、ウェットエッチング処理槽２１及び洗浄槽２２より排気効率が良好になるので、置換槽２３内にエッチング液ＥＬや置換液ＤＬがミストとなって残存する事態や置換槽２３内の壁面にエッチング液ＥＬや置換液ＤＬの液滴が付着する事態などが生じ難くなるので、そのようなミストや液滴がマザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａに再付着するような事態が生じ難くなる。これにより、被処理面ＭＧａでの処理ムラの発生がより好適に抑制される。
　次に、上記のような構成のウェットエッチング装置２０を用いたマザーガラス基板ＭＧの処理手順を説明する。まず、図２に示すように、基板搬送部２４によってマザーガラス基板ＭＧをウェットエッチング処理槽２１の搬入口２１ａから内部に搬入する。ウェットエッチング処理槽２１内に搬入されたマザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａには、エッチング液吐出部２５から吐出されるエッチング液ＥＬが供給される。このエッチング液ＥＬによって被処理面ＭＧａにおいてエッチングの対象となる膜のうち、レジスト膜によって覆われていない部分が腐食されて除去される。マザーガラス基板ＭＧがウェットエッチング処理槽２１の搬出口２１ｂ近くに差し掛かると、そこに配されたエアナイフ２９から高圧の空気が被処理面ＭＧａに吹き付けられることで、被処理面ＭＧａ上のエッチング液ＥＬの大部分が吹き飛ばされて除去が図られる。また、マザーガラス基板ＭＧの被処理反対面ＭＧｂには、反対側エアナイフ３０から高圧の空気が吹き付けられることで、マザーガラス基板ＭＧに作用する圧力のバランスが良好なものとなり、被処理面ＭＧａの平坦性が担保される。
　マザーガラス基板ＭＧにおける搬送方向についての前端部がウェットエッチング処理槽２１の搬出口２１ｂを通ってから、置換槽２３の搬入口２３ａを通って置換槽２３内に搬入されると、基板搬送部２４は、図３に示すように、マザーガラス基板ＭＧの搬送速度をそれまでよりも速くする。基板搬送部２４によって高速搬送されるマザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａには、置換液吐出部２７から吐出される置換液ＤＬに空気を混合してなる二流体ＢＦが供給される。マザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａに供給された二流体ＢＦに含まれる置換液ＤＬは、マザーガラス基板ＭＧが高速搬送されることによって被処理面ＭＧａ上にて高速で拡散される。これにより、被処理面ＭＧａ上に残存していたエッチング液ＥＬが置換液ＤＬへと短時間で置換されるので、被処理面ＭＧａの面内の一部にエッチング液ＥＬが長時間残留し続ける事態が生じ難くなる。このとき、置換液吐出部２７からは二流体ＢＦが、エッチング液吐出部２５や洗浄液吐出部２６より高圧でもって吐出されるので、マザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａにおいてエッチング液ＥＬから置換液ＤＬへの置換が効率的に且つより速く進行し、高速搬送にも拘わらずエッチング液ＥＬが置換液ＤＬに置換される確実性が高いものとなっている。しかも、マザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａには、搬送方向について離間した配置の２つの置換液吐出部２７から二流体ＢＦがそれぞれ供給されるので、高速搬送にも拘わらずエッチング液ＥＬが置換液ＤＬに置換される確実性がより高いものとなっている。以上により、被処理面ＭＧａの面内におけるエッチングレートが被処理面ＭＧａの面内で良好に均一化され、もって被処理面ＭＧａでのエッチングムラの発生が好適に抑制される。さらには、マザーガラス基板ＭＧの被処理反対面ＭＧｂには、反対側置換液吐出部２８から吐出される二流体ＢＦが供給されているから、マザーガラス基板ＭＧに対して鉛直方向について互いに反対側から二流体ＢＦの圧力が作用することになるので、上記圧力に係るバランスが良好なものとなる。これにより、マザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａの平坦性が担保されるので、被処理面ＭＧａでのエッチングムラの発生がより好適に抑制される。
　マザーガラス基板ＭＧが置換槽２３の搬出口２３ｂを通ってから、洗浄槽２２の搬入口２２ａを通って洗浄槽２２内に搬入されると、図５に示すように、マザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａには、洗浄液吐出部２６から吐出される洗浄液ＣＬが供給される。置換槽２３を経ることで、マザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａに存在していたエッチング液ＥＬは、その殆どが置換液ＤＬに置換されているが、洗浄槽２２では、マザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａをさらに洗浄液ＣＬによって洗浄することで、置換液ＤＬに僅かに含まれ得るエッチング液ＥＬの成分の完全な除去を図ることが可能となる。マザーガラス基板ＭＧにおける搬送方向についての後端部が置換槽２３の搬出口２３ｂを通ってから、洗浄槽２２の搬入口２２ａを通って洗浄槽２２内に搬入されると、基板搬送部２４は、図６に示すように、マザーガラス基板ＭＧの搬送速度をそれまでよりも遅くする。
　以上説明したように本実施形態のウェットエッチング装置（基板処理装置）２０は、マザーガラス基板（基板）ＭＧの被処理面ＭＧａにエッチング液（処理液）ＥＬを供給するウェットエッチング処理槽（処理槽）２１と、ウェットエッチング処理槽２１の下流側に配されてマザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａに洗浄液ＣＬを供給する洗浄槽２２と、ウェットエッチング処理槽２１と洗浄槽２２との間に介在する形で配されてマザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａにエッチング液ＥＬを置換するための置換液ＤＬを供給する置換槽２３と、ウェットエッチング処理槽２１、置換槽２３及び洗浄槽２２の順でマザーガラス基板ＭＧを搬送する基板搬送部２４であって、置換槽２３ではウェットエッチング処理槽２１及び洗浄槽２２よりマザーガラス基板ＭＧを速く搬送する基板搬送部２４と、を備える。
　このようにすれば、基板搬送部２４によってウェットエッチング処理槽２１に搬送されたマザーガラス基板ＭＧは、被処理面ＭＧａに供給されるエッチング液ＥＬによって処理がなされる。続いて、基板搬送部２４によってウェットエッチング処理槽２１と洗浄槽２２との間に配される置換槽２３に搬送されたマザーガラス基板ＭＧは、被処理面ＭＧａに供給される置換液ＤＬにエッチング液ＥＬが置換される。その後、基板搬送部２４によって置換槽２３の下流側に配される洗浄槽２２に搬送されたマザーガラス基板ＭＧは、被処理面ＭＧａに供給される洗浄液ＣＬによって洗浄される。このうち、置換槽２３では、マザーガラス基板ＭＧは、基板搬送部２４によってウェットエッチング処理槽２１及び洗浄槽２２より速く搬送されるので、マザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａにおける置換液ＤＬの拡散速度が速くなる。これにより、マザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａに残存していたエッチング液ＥＬが置換液ＤＬに置換されるのに要する時間が短くなるので、被処理面ＭＧａの面内にエッチング液ＥＬが部分的に残存する事態が生じ難くなり、もって被処理面ＭＧａでの処理ムラの発生が抑制される。しかも、置換槽２３が洗浄槽２２とは別途に備えられているから、例えば槽内の壁面からの液滴落下防止のための施策や高効率排気のための施策などを採ることが可能となり、被処理面ＭＧａでの処理ムラの発生を抑制する上で好適とされる。
　また、ウェットエッチング処理槽２１は、マザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａにエッチング液ＥＬを吐出するエッチング液吐出部（処理液吐出部）２５を、洗浄槽２２は、マザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａに洗浄液ＣＬを吐出する洗浄液吐出部２６を、それぞれ有しており、置換槽２３は、マザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａに置換液ＤＬを、エッチング液吐出部２５及び洗浄液吐出部２６より高圧で吐出する置換液吐出部２７を有する。このようにすれば、置換槽２３において基板搬送部２４によって高速搬送されるマザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａには、置換液吐出部２７からの置換液ＤＬが、エッチング液吐出部２５及び洗浄液吐出部２６より高圧で吐出されるから、マザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａにおいてエッチング液ＥＬから置換液ＤＬへの置換が効率的に進行し、エッチング液ＥＬが置換液ＤＬに置換される確実性が高いものとなる。これにより、被処理面ＭＧａの面内にエッチング液ＥＬが部分的に残存する事態がより生じ難くなり、もって被処理面ＭＧａでの処理ムラの発生がより好適に抑制される。
　また、置換槽２３は、置換液吐出部２７が、置換液ＤＬに空気を混合してなる二流体ＢＦを吐出する。このようにすれば、置換槽２３において基板搬送部２４によって高速搬送されるマザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａには、置換液吐出部２７から置換液ＤＬに空気を混合してなる二流体ＢＦがエッチング液吐出部２５及び洗浄液吐出部２６より高圧で吐出されるので、被処理面ＭＧａにおいてエッチング液ＥＬが置換液ＤＬにより速く置換される。これにより、被処理面ＭＧａでの処理ムラの発生が一層好適に抑制される。
　また、置換槽２３には、複数の置換液吐出部２７が、マザーガラス基板ＭＧに対して被処理面ＭＧａ側に配され且つ上流側と下流側とに間隔を開けて並んで配される。このようにすれば、置換槽２３では、マザーガラス基板ＭＧに対して被処理面ＭＧａ側に配され且つ上流側と下流側とに間隔を開けて並んで配される複数の置換液吐出部２７からそれぞれ二流体ＢＦが、基板搬送部２４によって高速搬送されるマザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａに吐出されることで、エッチング液ＥＬが置換液ＤＬに置換される確実性がより高いものとなる。これにより、被処理面ＭＧａでの処理ムラの発生がより一層好適に抑制される。
　また、置換槽２３は、置換液吐出部２７がマザーガラス基板ＭＧに対して被処理面ＭＧａ側に配される一方、マザーガラス基板ＭＧに対して被処理面ＭＧａ側とは反対側に配されてマザーガラス基板ＭＧにおける被処理面ＭＧａとは反対側の被処理反対面ＭＧｂに二流体ＢＦを吐出する反対側置換液吐出部２８を有する。このようにすれば、置換槽２３では、マザーガラス基板ＭＧに対して被処理面ＭＧａ側に配される置換液吐出部２７から二流体ＢＦがマザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａに吐出されるとともに、マザーガラス基板ＭＧに対して被処理面ＭＧａ側とは反対側に配される反対側置換液吐出部２８から二流体ＢＦがマザーガラス基板ＭＧにおける被処理面ＭＧａとは反対側の被処理反対面ＭＧｂに吐出される。従って、マザーガラス基板ＭＧには、置換液吐出部２７からの二流体ＢＦと、反対側置換液吐出部２８からの二流体ＢＦと、が互いに反対側から吐出されることになるので、二流体ＢＦの吐出に伴ってマザーガラス基板ＭＧに作用する圧力に係るバランスが良好なものとなる。これにより、マザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａの平坦性が担保されるので、被処理面ＭＧａでの処理ムラの発生がより一層好適に抑制される。
　また、置換槽２３は、ウェットエッチング処理槽２１及び洗浄槽２２より小型とされる。このようにすれば、置換槽２３では、ウェットエッチング処理槽２１及び洗浄槽２２より排気効率が良好になるので、置換槽２３内にエッチング液ＥＬや置換液ＤＬがミストとなって残存する事態や置換槽２３内の壁面にエッチング液ＥＬや置換液ＤＬの液滴が付着する事態などが生じ難くなるので、そのようなミストや液滴がマザーガラス基板ＭＧの被処理面ＭＧａに再付着するような事態が生じ難くなる。これにより、被処理面ＭＧａでの処理ムラの発生がより好適に抑制される。
　＜他の実施形態＞
　本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
　（１）上記した実施形態では、置換槽が２つの置換液吐出部を有する場合を示したが、置換槽が３つ以上の置換液吐出部を有していても構わず、また置換液吐出部が１つのみであっても構わない。また、置換槽が反対側置換液吐出部を２つ以上有していても構わないが、逆に反対側置換液吐出部を除去することも可能である。
　（２）上記した実施形態では、置換槽における基板搬送部によるマザーガラス基板の搬送速度が、ウェットエッチング処理槽や洗浄槽での搬送速度の５倍から１０倍程度とされる場合を例示したが、置換槽における基板搬送部によるマザーガラス基板の搬送速度は、ウェットエッチング処理槽や洗浄槽での搬送速度の１０倍以上であっても５倍以下であってもよい。
　（３）上記した実施形態では、置換槽の置換液吐出部がエッチング液吐出部や洗浄液吐出部より高圧で二流体を吐出する場合を示したが、置換槽の置換液吐出部がエッチング液吐出部や洗浄液吐出部と同等の圧力でもって二流体を吐出しても構わない。
　（４）上記した実施形態では、置換槽がウェットエッチング処理槽や洗浄槽より小型である場合を示したが、置換槽がウェットエッチング処理槽または洗浄槽と同等の大きさであっても構わない。
　（５）上記した実施形態では、置換槽の置換液吐出部が置換液に空気を混合してなる二流体を吐出する場合を示したが、置換液吐出部が空気を混合しない置換液を吐出する構成であっても構わない。
　（６）上記した実施形態では、置換液や洗浄液が純水または超純水とされる場合を示したが、置換液や洗浄液が純水や超純水以外であっても構わない。
　（７）上記した各実施形態では、ＴＮ型やＶＡ型の液晶パネルを構成するガラス基板のマザーガラス基板をウェットエッチング処理するためのウェットエッチング装置を示したが、ＩＰＳ型やＦＦＳ型の液晶パネルを構成するガラス基板のマザーガラス基板をウェットエッチング処理するためのウェットエッチング装置であっても構わない。
　（８）上記した各実施形態では、液晶パネルを構成するガラス基板のマザーガラス基板をウェットエッチング処理するためのウェットエッチング装置を示したが、液晶パネル以外の表示パネルを構成する基板をウェットエッチング処理するためのウェットエッチング装置であっても構わない。液晶パネル以外の表示パネルとしては、例えば有機ＥＬパネル、ＰＤＰ、ＥＰＤ（電気泳動ディスプレイパネル、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）表示パネルなどが挙げられる。
　（９）上記した実施形態では、基板処理装置としてマザーガラス基板をウェットエッチング処理するウェットエッチング装置を例示したが、ウェットエッチング装置以外の基板処理装置（例えば現像工程で用いられる現像装置など）であっても構わない。
　２０…ウェットエッチング装置（基板処理装置）、２１…ウェットエッチング処理槽（処理槽）、２２…洗浄槽、２３…置換槽、２４…基板搬送部、２５…エッチング液吐出部（処理液吐出部）、２６…洗浄液吐出部、２７…置換液吐出部、２８…反対側置換液吐出部、ＢＦ…二流体、ＣＬ…洗浄液、ＤＬ…置換液、ＥＬ…エッチング液（処理液）、ＭＧ…マザーガラス基板（基板）、ＭＧａ…被処理面、ＭＧｂ…被処理反対面

Claims (6)

  1. 　基板の被処理面に処理液を供給する処理槽と、
    　前記処理槽の下流側に配されて前記基板の前記被処理面に洗浄液を供給する洗浄槽と、
    　前記処理槽と前記洗浄槽との間に介在する形で配されて前記基板の前記被処理面に前記処理液を置換するための置換液を供給する置換槽と、
    　前記処理槽、前記置換槽及び前記洗浄槽の順で前記基板を搬送する基板搬送部であって、前記置換槽では前記処理槽及び前記洗浄槽より前記基板を速く搬送する基板搬送部と、を備える基板処理装置。
  2. 　前記処理槽は、前記基板の前記被処理面に前記処理液を吐出する処理液吐出部を、前記洗浄槽は、前記基板の前記被処理面に前記洗浄液を吐出する洗浄液吐出部を、それぞれ有しており、
    　前記置換槽は、前記基板の前記被処理面に前記置換液を、前記処理液吐出部及び前記洗浄液吐出部より高圧で吐出する置換液吐出部を有する請求項１記載の基板処理装置。
  3. 　前記置換槽は、前記置換液吐出部が、前記置換液に空気を混合してなる二流体を吐出する請求項２記載の基板処理装置。
  4. 　前記置換槽には、複数の前記置換液吐出部が、前記基板に対して前記被処理面側に配され且つ上流側と下流側とに間隔を開けて並んで配される請求項３記載の基板処理装置。
  5. 　前記置換槽は、前記置換液吐出部が前記基板に対して前記被処理面側に配される一方、前記基板に対して前記被処理面側とは反対側に配されて前記基板における前記被処理面とは反対側の被処理反対面に前記二流体を吐出する反対側置換液吐出部を有する請求項３または請求項４記載の基板処理装置。
  6. 　前記置換槽は、前記処理槽及び前記洗浄槽より小型とされる請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
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