JP2000252254A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】処理室外の雰囲気を吸い込んだり隣接する処理
室の気流を乱したりすることがなく、基板の処理品質の
低下が生じない基板処理装置を提供でする。 【解決手段】基板Ｗが乾燥処理室４内に搬入されると、
制御装置３３は乾燥気体供給機構３１を動作させて乾燥
気体をエアナイフ９へ供給し、エアナイフ９から基板Ｗ
に向けて乾燥気体が噴き出され、これによって基板Ｗの
両面に付着している純水が吹き飛ばされ除去される。制
御装置３３は乾燥気体供給機構３１を動作させるのと同
時に、ダンパー３５を全開状態とするよう制御する。こ
れにより、乾燥処理室４から排気される排気の量が増大
し、開口６や開口８からの乾燥処理室４への気流の出入
りがほとんどない状態が保たれる。また制御装置３３
は、乾燥気体供給機構３１の動作を停止させると同時
に、ダンパー３５を半開状態とするよう制御する。これ
により、乾燥処理室４から排気される排気の量が減少
し、開口６や開口８からの乾燥処理室４への気流の出入
りがほとんどない状態が保たれる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示パネルや
プラズマ表示パネルなどの製造に用いるガラス基板、半
導体ウエハ、半導体製造装置用のマスク基板などの基板
の表面に処理を施す基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種の基板処理装置としては、従来、
特開平７−１４８１９号公報に開示されているものが知
られている。この従来例は、エアナイフを基板に供給し
て基板の表面に付着した液体を吹き飛ばして除去して乾
燥処理する基板乾燥処理装置である。ここでは、処理室
の上部に設けたクリーンユニットにより、清浄な空気に
よるダウンフローを処理室内に形成するとともに、処理
室の下部に設けた排気口から排気を行っている。そし
て、搬入口から処理室内に搬入した基板に対してエアナ
イフから基板に対してエアーを吹き付けて基板表面に付
着した液体を除去し、乾燥させる処理を行なっている。

【０００３】また、特開平６−１５１４０５号公報に開
示されているものは、基板を回転させることにより基板
の表面に付着した液体を振り切って除去して乾燥処理す
る基板乾燥処理装置である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】前者の従来例のような
装置において、エアナイフを常時作動させると、エアー
の消費量が多くなり不経済となる。そこで、処理すべき
基板が搬送されてきたときのみにエアナイフを作動さ
せ、それ以外のときはエアナイフの作動を停止させるこ
とが考えられる。しかしながら、単にエアナイフをオン
オフするだけでは、以下のような問題が生じる。

【０００５】すなわち、クリーンユニット部からのダウ
ンフローと、エアナイフの作動時のエアー流量との合計
の気流量を排気口から排気するようにすると、エアナイ
フを停止させたときに処理室内の圧力が低下し、基板の
搬入口や搬出口あるいはその他の隙間などから処理室外
の雰囲気を吸い込んでしまう。なお、ここでいうところ
の処理室外の雰囲気とは、隣接する他の処理室内の雰囲
気をも含む。処理室外の空気は必ずしも清浄なものであ
るとは限らず、基板を汚染するなどの不都合のおそれが
ある。他方、エアナイフ停止時におけるクリーンユニッ
ト部からのダウンフローの気流量だけを排気口から排気
するようにすると、エアナイフを作動させたときに処理
室内の圧力が上昇し、基板の搬入口や搬出口あるいはそ
の他の隙間などから処理室内の気流が流出し、隣接する
処理室などの気流を乱すなどの悪影響が生じてしまう。

【０００６】後者の従来例の装置においても、基板を高
速回転させることによって、処理室内の基板の周辺に圧
力が上昇する部分が生じ、隣接する処理室の気流を乱し
たりする不都合がある。

【０００７】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであつて、処理室内での処理の状況などにかかわら
ず、処理室外の雰囲気を吸い込んだり隣接する処理室の
気流を乱したりすることがなく、基板の処理品質の低下
が生じない基板処理装置を提供するものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、基板
を処理する処理室を構成する室構成体と、処理室内に気
流を導入する気流導入機構と、処理室内の雰囲気を排出
する排出機構と、前記処理室内の圧力を前記処理室外の
圧力と略同一にするよう前記気流導入機構及び／又は前
記排出機構を制御する制御手段とを備えたことを特徴と
する基板処理装置である。

【０００９】この構成によれば、処理室内の圧力を処理
室が位の圧力と略同一に保つことができ、処理室に対す
るの気流の出入りがほとんどない状態を実現でき、処理
室外の雰囲気を吸い込んだり、隣接する処理室の気流を
乱したりすることがなく、それらによる基板の処理品質
の低下が生じることはない。

【００１０】請求項２の発明は、基板を処理する処理室
を構成する室構成体と、処理室内に気流を導入する気流
導入機構と、処理室内の基板に対して流体を供給する流
体供給機構と、処理室内の雰囲気を排出する排出機構
と、前記流体供給機構の動作に応じて前記排出機構及び
／又は前記気流導入機構を制御する制御手段とを備えた
ことを特徴とする基板処理装置である。

【００１１】この構成によれば、処理室内の基板に対し
て流体を供給する流体供給機構の動作に応じて、排出機
構及び／又は気流導入機構を制御でき、流体供給機構の
動作にかかわらず処理室に対する気流の出入りがほとん
どない状態を実現でき、処理室外の雰囲気を吸い込んだ
り、隣接する処理室の気流を乱したりすることがなく、
それらによる基板の処理品質の低下が生じることはな
い。

【００１２】請求項３の発明は、基板を処理する処理室
を構成する室構成体と、処理室内に気流を導入する気流
導入機構と、処理室内で基板を回転させる回転機構と、
処理室内の雰囲気を排出する排出機構と、前記回転機構
の動作に応じて前記排出機構及び／又は前記気流導入機
構を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする基板
処理装置である。

【００１３】この構成によれば、処理室内で基板を回転
させる回転機構の動作に応じて、排出機構及び／又は気
流導入機構を制御でき、回転機構の動作にかかわらず処
理室に対する気流の出入りがほとんどない状態を実現で
き、処理室外の雰囲気を吸い込んだり、隣接する処理室
の気流を乱したりすることがなく、それらによる基板の
処理品質の低下が生じることはない。

【００１４】請求項２または３に記載の基板処理装置に
おいて、前記制御手段は、前記処理室内の圧力を前記処
理室外の圧力と略同一にするよう前記気流導入機構及び
／又は前記排出機構を制御するように構成できる。

【００１５】この構成により、処理室に対する気流の出
入りがほとんどない状態を容易に実現できる。

【００１６】請求項５の発明は、基板を処理する処理室
を構成する室構成体と、前記処理室内に清浄な気流を導
入する清浄気流導入機構と、前記処理室内の基板に対し
て気体を吹き付けて付着している液体を除去するエアナ
イフと、前記処理室内の雰囲気を排出する排出機構と、
前記エアナイフの動作に応じて前記排出機構及び／又は
前記清浄気流導入機構を制御する制御手段とを備えたこ
とを特徴とする基板処理装置である。

【００１７】この構成により、エアナイフの動作に応じ
て排出機構及び／又は清浄気流導入機構を制御でき、エ
アナイフの動作にかかわらず処理室に対する気流の出入
りがほとんどない状態を実現でき、処理室外の雰囲気を
吸い込んだり、隣接する処理室の気流を乱したりするこ
とがなく、それらによる基板の処理品質の低下が生じる
ことはない。

【００１８】請求項５に記載の基板処理装置において、
前記制御手段は、前記エアナイフによる気体の供給時
に、その供給量に応じて、前記清浄気流導入機構による
気流導入量を減少させ及び／又は前記排出機構による雰
囲気の排出量を増大させるよう制御するよう構成でき
る。

【００１９】この構成により、処理室に対する気流の出
入りがほとんどない状態を容易に実現できる。

【００２０】請求項５または６に記載の基板処理装置に
おいて、前記制御手段は、前記処理室内の圧力を前記処
理室外の圧力と略同一にするよう前記清浄気流導入機構
及び／又は前記排出機構を制御するよう構成できる。

【００２１】この構成により、処理室に対する気流の出
入りがほとんどない状態を容易に実現できる。

【００２２】請求項８の発明は、基板を処理する処理室
を構成する室構成体と、前記処理室内に清浄な気流を導
入する清浄気流導入機構と、前記処理室内で基板を回転
させる回転機構と、前記処理室内の雰囲気を排出する排
出機構と、前記回転機構の動作に応じて前記排出機構及
び／又は前記清浄気流導入機構を制御する制御手段とを
備え、前記制御手段は、前記回転機構による基板の回転
時に、それによる処理室内の圧力上昇を打ち消すよう
に、前記清浄気流導入機構による気流導入量を減少させ
及び／又は前記排出機構による雰囲気の排出量を増大さ
せるよう制御するものであることを特徴とする基板処理
装置である。

【００２３】この構成により、回転機構の動作に応じて
排出機構及び／又は清浄気流導入機構を制御でき、回転
機構の動作にかかわらず処理室に対する気流の出入りが
ほとんどない状態を容易に実現でき、処理室外の雰囲気
を吸い込んだり、隣接する処理室の気流を乱したりする
ことがなく、それらによる基板の処理品質の低下が生じ
ることはない。

【００２４】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
を用いて詳細に説明する。図１は本発明に係る基板処理
装置の第１実施形態の要部の概略構成を示す模式的断面
図である。この基板処理装置は、角型のガラス基板Ｗ
（以下、単に基板Ｗと称する）を水平姿勢または若干の
傾斜姿勢として図中左から右へ向って第１の搬送機構で
あるローラコンベア１で搬送しつつ、エッチング液や剥
離液、現像液等の薬液を供給して基板Ｗに対して薬液処
理を施し、かつ当該処理後に純水を供給して洗浄処理
し、さらにその後基板Ｗに乾燥空気を供給して乾燥処理
するものである。この基板処理装置は、薬液処理を施す
薬液処理装置と、洗浄処理を施す洗浄処理装置と、乾燥
処理を施す乾燥処理装置とからなるが、図１では洗浄処
理装置Ｂと乾燥処理装置Ｃのみを示す。薬液処理装置は
洗浄処理装置Ｂに隣接して図中ではその洗浄処理装置Ｂ
の左方に配置されるが、図示は省略している。

【００２５】洗浄処理装置Ｂにおいて、洗浄処理室２内
には、後述する純水供給機構と接続されたノズルＮが設
けられ、流量調整可能な開閉弁２２およびフィルタ２３
を介して給水路２１から供給された純水が基板Ｗにスプ
レー状に供給される。

【００２６】乾燥処理装置Ｃにおいて、乾燥処理室４は
室構成体３によって区画形成され、室構成体３の洗浄処
理装置Ｂ側にあたる前壁５には基板搬入のための開口６
が、また前壁５と対向する後壁には基板搬出のための開
口８が、それぞれ開口形成されている。ローラコンベア
１は、図示しない薬液処理装置から洗浄処理装置Ｂと乾
燥処理装置Ｃまで、基板Ｗを水平または若干の傾斜をも
った姿勢で搬送すべく設けられ、開口６の洗浄処理装置
Ｂ側から開口６を経て開口８の外側まで連なるように配
置されている。このローラコンベア１は、基板Ｗの端部
のみを支えて搬送するものである。

【００２７】乾燥処理室４内のローラコンベア１の上方
及び下方にはそれぞれ、搬送される基板Ｗの上面及び下
面に乾燥気体を吹き付けて基板Ｗに付着している純水を
除去して乾燥させるエアナイフ９が配置されている。エ
アナイフ９はそれぞれが基板Ｗの搬送方向の上流側斜め
方向に気体を噴き出すように傾斜して、ローラコンベア
１の上側及び下側にそれぞれ２つずつ設けられる。

【００２８】室構成体３の上壁１１には吸気口１１が開
口形成され、この吸気口１１には乾燥処理室４内に清浄
な気流を導入する清浄気流導入機構１３が備えられる。
清浄気流導入機構１３は、図示はしていないが上方から
下方に向けて送風する送風機構と、その送風機構からの
気流を清浄にするフィルタとを含んでいる。室構成体３
の下壁１４には排水および排気が可能な排気口１５が開
口形成される。この排気口１５からの排気路３３には気
液分離器１６を介して排気ブロア１０が連通接続されて
いる。この排気ブロア１０によって乾燥処理室４の雰囲
気を排出可能である。また、排気路３４には、ダンパー
３５が設けられている。ダンパー３５は全開状態と半開
状態とを切り替え可能であり、半開時の開度は任意に設
定可能である。

【００２９】乾燥処理室４の前壁５の開口６より下側お
よび後壁７の開口８より下側には、散水管１７が設けら
れており、純水タンク１８とポンプ１９とからなる純水
供給機構から、給水路２０と流量調整可能な開閉弁２２
及びフィルタ２３を介して純水が供給される。散水管１
７は前壁５および後壁７に純水を散布してそれらを清浄
でかつ濡れた状態に保つ。

【００３０】エアナイフ９には、乾燥気体供給源２９と
流量調整可能な開閉弁３０とからなる乾燥気体供給機構
３１が、エアフィルタ３２を介して接続されている。ま
た、この乾燥気体供給機構３１と排気ブロア１０と清浄
気流導入機構１３とは、制御装置３３によって動作制御
される。制御装置３３による制御については後述する。

【００３１】この基板処理装置の動作を以下に説明す
る。薬液処理装置によって薬液処理された基板Ｗはロー
ラコンベア１によって洗浄処理装置Ｂへ搬送され、ノズ
ルＮから供給される純水によって洗浄処理される。洗浄
処理された基板Ｗは続いて乾燥処理装置Ｃへ搬送され
る。

【００３２】乾燥処理装置Ｃにおいて、清浄気流導入機
構１３は常時一定の風量の清浄気体を乾燥処理室４内へ
供給し、排気ブロア１０は一定の風量を排気するよう制
御装置３３によって制御されている。基板Ｗが乾燥処理
室４内にない間は、エアナイフ９からの気体の吹き出し
は行われず、このとき、ダンパー３５は半開状態となる
よう制御手段３３によって制御されている。このときの
ダンパー３５の半開状態は、排気路３４から排気される
風量が、清浄気流導入機構１３から供給される清浄気体
の風量とほぼ等しくなり、乾燥処理室４内の圧力が、開
口６を介して連通している洗浄処理室２の圧力や、開口
８を介して連通している乾燥処理室４外の圧力と略同一
になるように設定されており、乾燥処理室４内には清浄
な下向きの気流が形成され、開口６や開口８からの乾燥
処理室４への気流の出入りはほとんどない。

【００３３】乾燥処理室４の開口６近傍には基板Ｗを検
出するための図示しないセンサが設けられており、制御
装置３３はかかるセンサからの信号によって開口６から
基板Ｗが搬入されたことを検知する。基板Ｗが乾燥処理
室４内に搬入されると、制御装置３３は乾燥気体供給機
構３１を動作させて乾燥気体をエアナイフ９へ供給し、
エアナイフ９から基板Ｗに向けて乾燥気体が噴き出さ
れ、これによって基板Ｗの両面に付着している純水が吹
き飛ばされ除去されるとともに、基板Ｗが乾燥される。
また、制御装置３３は乾燥気体供給機構３１を動作させ
るのと同時に、ダンパー３５を全開状態とするよう制御
する。これにより、排気路３４を介して乾燥処理室４か
ら排出される排気の単位時間当たりの量が増大する。そ
の増大量は、エアナイフ９から乾燥処理室４内に供給さ
れる乾燥気体の量とほぼ等しくなり、乾燥処理室４内の
圧力が、開口６を介して連通している洗浄処理室２の圧
力や、開口８を介して連通している乾燥処理室４外の圧
力と略同一になるように設定されている。これにより、
エアナイフ９からの乾燥気体噴き出し時においても、開
口６や開口８からの乾燥処理室４への気流の出入りがほ
とんどない状態が保たれる。

【００３４】乾燥処理室４の開口８近傍にも、基板Ｗを
検出するための図示しないセンサが設けられており、制
御装置３３はかかるセンサからの信号によって開口８か
ら基板Ｗが搬出されたことを検知する。基板Ｗが乾燥処
理室４から搬出されると、制御装置３３は乾燥気体供給
機構３１の動作を停止させて乾燥気体のエアナイフ９へ
の供給を停止し、エアナイフ９から基板Ｗに向けた乾燥
気体の噴き出しが停止される。また、制御装置３３は乾
燥気体供給機構３１の動作を停止させるのと同時に、ダ
ンパー３５を半開状態とするよう制御する。これによ
り、排気路３４を介して乾燥処理室４から排出される排
気の単位時間当たりの量が減少し、基板Ｗ搬入前と同じ
状態となる。これにより、開口６や開口８からの乾燥処
理室４への気流の出入りがほとんどない状態が保たれ
る。

【００３５】このように、エアナイフ９から基板Ｗに気
体を供給する際には乾燥処理室４からの排気量を増大さ
せ、エアナイフ９の動作停止時においては乾燥処理室４
からの排気量を減少させることにより、乾燥処理室４に
おける給排気のバランスをとることができる。そのた
め、開口６や開口８からの気体の出入りをほとんどない
状態に保つことができる。ここでは、隣接している洗浄
処理室２内の雰囲気空気は、この洗浄処理室２内で使用
している処理液である純水のミストが混入しているが、
そのような空気を開口６から吸引することがなく、また
装置外のフィルタを通っていない空気を開口８から吸引
することがなく、また基板搬送方向上流側の洗浄処理室
２や下流側の図示しない装置側の気流を乱して処理に悪
影響を与えたりすることがない。

【００３６】なお、以上の実施形態において、清浄気流
導入機構１３が気流導入機構に相当し、エアナイフ９と
エアフィルタ３２と乾燥気体供給機構３１とにより流体
供給機構が構成され、排気路３４とダンパー３５と気液
分離器１６と排気ブロア１０とにより排出機構が構成さ
れる。流体供給機構が供給する流体としては、基板Ｗを
乾燥させるためには、乾燥空気、乾燥窒素などの乾燥し
た気体を使用することが望ましいが、付着している液体
の除去には必ずしも乾燥した気体である必要はない。ま
た基板Ｗに対して乾燥以外の処理を施す場合には、流体
供給機構は当該処理に適した気体または液体を供給する
ものとすればよい。

【００３７】また、上述の実施形態では、乾燥処理室４
から排気路３４を介して排出機構が排出する雰囲気の量
をエアナイフ９の動作に応じて制御していたが、これに
代えて、気流導入機構が乾燥処理室４内へ供給する清浄
気体の風量を、エアナイフ９の動作に応じて制御しても
よい。すなわち、清浄気流導入機構１３の送風量をイン
バータ等により強弱に変更できるように構成し、排気路
３４を介して排出機構が排気する風量を一定とする。そ
して、エアナイフ９動作時にはそのエアナイフ９からの
吐出風量だけ清浄気流導入機構１３による導入風量が小
さくなるような弱運転に制御し、エアナイフ９停止時に
は同じ風量だけ清浄気流導入機構１３による導入風量が
増大するような強運転に制御することで、同様の効果を
得られる。また、これらを組み合わせて、エアナイフ９
の動作に応じて排出機構と気流導入機構の両方を制御す
る構成としてもよく、いずれにしても乾燥処理室４にお
ける給排気のバランスをとることができて、開口６や開
口８からの気体の出入りをほとんどない状態に保つこと
ができればよい。

【００３８】なお、排出機構の排気の量をダンパー等で
制御する構成の方が、気流導入機構が導入する風量を制
御するよりも構成が簡単で済み、望ましい。

【００３９】図２は本発明に係る基板処理装置の第２実
施形態の要部の概略構成を示す模式的断面図である。こ
の基板処理装置も第１の実施形態と同様に薬液処理、洗
浄処理および乾燥処理を行なう装置であるが、乾燥処理
を施す乾燥処理装置Ｃにおいて、第１の実施形態におい
ては基板を乾燥させる機構としてエアナイフ９を用いて
いたのに対し、この第２の実施形態ではスピンドライ機
構４０を備えている点が異なっている。以下、この第２
の実施形態については、第１の実施形態の装置と異なる
部分についてのみ説明し、第１の実施形態と同一または
対応する部分については同一符号を付して個々の説明は
省略する。

【００４０】乾燥処理室４にはスピンドライ装置４０が
設けられている。スピンドライ装置４０において、基板
Ｗを保持するチャック４１は回転駆動源としてのモータ
４２により回転駆動される。チャック４１には基板Ｗの
端縁を支持して位置規制する端縁支持ピン４３と、基板
Ｗの下面を支持する下面支持ピン４４とがそれぞれ複数
設けられる。モータ４２の回転は制御装置３３により制
御される。乾燥処理室４には、開口６を出入りして乾燥
前の基板Ｗを洗浄処理室２内のローラコンベア１から取
り上げて乾燥処理室４へ搬入し、チャック４１の上に乗
せる第２搬送機構（図示せず）が設けられている。ま
た、開口８の近傍には、開口８を出入りして乾燥後の基
板Ｗを乾燥処理室４内のチャック４１から取り上げて開
口８から乾燥処理室４外へ搬出し、さらに後工程の装置
へ搬送するためのローラコンベア１上に乗せる第３搬送
機構（図示せず）が設けられている。なお、これら第２
搬送機構と第３搬送機構の動作も制御装置３３によって
制御されている。

【００４１】この基板処理装置の動作を以下に説明す
る。薬液処理装置によって薬液処理された基板Ｗはロー
ラコンベア１によって洗浄処理装置Ｂへ搬送され、ノズ
ルＮから供給される純水によって洗浄処理される。洗浄
処理された基板Ｗは続いて第２搬送機構によって乾燥処
理装置Ｃへ搬送される。

【００４２】乾燥処理装置Ｃにおいて、清浄気流導入機
構１３は常時一定の風量の清浄気体を乾燥処理室４内へ
供給し、排気ブロア１０は一定の風量を排気するよう制
御装置３３によって制御されている。基板Ｗがスピンド
ライ処理されていない間は、ダンパー３５は半開状態と
なるよう制御手段３３によって制御されている。このと
きのダンパー３５の半開状態は、排気路３４から排気さ
れる風量が、清浄気流導入機構１３から供給される清浄
気体の風量とほぼ等しくなり、乾燥処理室４内の圧力
が、開口６を介して連通している洗浄処理室２の圧力
や、開口８を介して連通している乾燥処理室４外の圧力
と略同一になるように設定されており、乾燥処理室４内
には清浄な下向きの気流が形成され、開口６や開口８か
らの乾燥処理室４への気流の出入りはほとんどない。

【００４３】洗浄済みの基板Ｗが第２搬送機構によって
洗浄処理室２から乾燥処理室４へ運ばれてチャック４１
上に保持されると、制御装置３３はモータ４２を回転駆
動してスピンドライ処理を開始する。このとき、基板Ｗ
が高速回転すると、その基板Ｗの回転によって基板Ｗの
周囲の圧力が上昇して陽圧となる。そのため、このとき
にかかる圧力上昇を打ち消すために、制御手段３３はダ
ンパー３５を全開状態とするよう制御する。これによ
り、排気路３４を介して乾燥処理室４からの排出される
排気の単位時間当たりの量が増大する。その増大量は、
上述した基板Ｗ周囲の圧力上昇を打ち消して、乾燥処理
室４内の圧力が、開口６を介して連通している洗浄処理
室２の圧力や、開口８を介して連通している乾燥処理室
４外の圧力と略同一になるだけの量に設定されている。
これにより、スピンドライ処理時においても、開口６や
開口８からの乾燥処理室４への気流の出入りがほとんど
ない状態が保たれる。

【００４４】スピンドライ処理が終了すると、制御装置
３３はモータ４２の回転を停止させると同時に、ダンパ
ー３５を半開状態とするよう制御する。これにより、排
気路３４を介して乾燥処理室４から排出される排気の単
位時間当たりの量が減少し、スピンドライ処理開始前と
同じ状態となる。これにより、開口６や開口８からの乾
燥処理室４への気流の出入りがほとんどない状態が保た
れる。チャック４１の回転が停止すると、第３搬送機構
がチャック４１から基板Ｗを取り上げて開口８を通して
乾燥処理室４外のローラコンベア１上に乗せる。

【００４５】このように、スピンドライ処理実行時には
乾燥処理室４からの排気量を増大させ、スピンドライ処
理を実行しない時においては乾燥処理室４からの排気量
を減少させることにより、乾燥処理室４における給排気
と圧力のバランスをとることができる。そのため、開口
６や開口８からの気体の出入りをほとんどない状態に保
つことができ、洗浄処理室２内の純水のミストが混入し
た空気を開口６から吸引したり、装置外のフィルタを通
っていない空気を開口８から吸引したり、また基板搬送
方向上流側の洗浄処理室２や下流側の図示しない装置側
の気流を乱して処理に悪影響を与えたりすることがな
い。

【００４６】なお、この実施形態において、チャック４
１とモータ４２とからなるスピンドライ機構４０が回転
機構に相当する。

【００４７】また、上述の実施形態では、乾燥処理室４
から排気路３４を介して排出機構が排出する雰囲気の量
をスピンドライ機構４０の動作に応じて制御していた
が、これに代えて、気流導入機構が乾燥処理室４内へ供
給する清浄気体の風量を制御してもよく、また、排出機
構が排出する雰囲気の量と気流導入機構が乾燥処理室４
内へ供給する清浄気体の風量の両方を制御してもよいこ
とは、第１の実施形態と同様である。

【００４８】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る基板処理装置によれば、処理室内での処理の状況
などにかかわらず、処理室外の雰囲気を吸い込んだり隣
接する処理室の気流を乱したりすることがなく、基板の
処理品質の低下が生じない基板処理装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る基板処理装置の第１実施形態の要
部の概略構成を示す模式的断面図である。

【図２】本発明に係る基板処理装置の第２実施形態の要
部の概略構成を示す模式的断面図である。

【符号の税明】

Ｗ・・・基板 ４・・・乾燥処理室 ９・・・エアナイフ １０・・・排気ブロア １３・・・清浄気流導入機構 ３１・・・乾燥気体供給機構 ３３・・・制御装置 ３５・・・ダンパー ４０・・・スピンドライ装置

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板を処理する処理室を構成する室構成
   体と、 処理室内に気流を導入する気流導入機構と、 処理室内の雰囲気を排出する排出機構と、 前記処理室内の圧力を前記処理室外の圧力と略同一にす
   るよう前記気流導入機構及び／又は前記排出機構を制御
   する制御手段とを備えたことを特徴とする基板処理装
   置。
2. 【請求項２】 基板を処理する処理室を構成する室構成
   体と、 処理室内に気流を導入する気流導入機構と、 処理室内の基板に対して流体を供給する流体供給機構
   と、 処理室内の雰囲気を排出する排出機構と、 前記流体供給機構の動作に応じて前記排出機構及び／又
   は前記気流導入機構を制御する制御手段とを備えたこと
   を特徴とする基板処理装置。
3. 【請求項３】 基板を処理する処理室を構成する室構成
   体と、 処理室内に気流を導入する気流導入機構と、 処理室内で基板を回転させる回転機構と、 処理室内の雰囲気を排出する排出機構と、 前記回転機構の動作に応じて前記排出機構及び／又は前
   記気流導入機構を制御する制御手段とを備えたことを特
   徴とする基板処理装置。
4. 【請求項４】 請求項２または３に記載の基板処理装置
   において、 前記制御手段は、前記処理室内の圧力を前記処理室外の
   圧力と略同一にするよう前記気流導入機構及び／又は前
   記排出機構を制御するものであることを特徴とする基板
   処理装置。
5. 【請求項５】 基板を処理する処理室を構成する室構成
   体と、 前記処理室内に清浄な気流を導入する清浄気流導入機構
   と、 前記処理室内の基板に対して気体を吹き付けて付着して
   いる液体を除去するエアナイフと、 前記処理室内の雰囲気を排出する排出機構と、 前記エアナイフの動作に応じて前記排出機構及び／又は
   前記清浄気流導入機構を制御する制御手段とを備えたこ
   とを特徴とする基板処理装置。
6. 【請求項６】 請求項５に記載の基板処理装置におい
   て、 前記制御手段は、前記エアナイフによる気体の供給時
   に、その供給量に応じて、前記清浄気流導入機構による
   気流導入量を減少させ及び／又は前記排出機構による雰
   囲気の排出量を増大させるよう制御するものであること
   を特徴とする基板処理装置。
7. 【請求項７】 請求項５または６に記載の基板処理装置
   において、 前記制御手段は、前記処理室内の圧力を前記処理室外の
   圧力と略同一にするよう前記清浄気流導入機構及び／又
   は前記排出機構を制御するものであることを特徴とする
   基板処理装置。
8. 【請求項８】 基板を処理する処理室を構成する室構成
   体と、 前記処理室内に清浄な気流を導入する清浄気流導入機構
   と、 前記処理室内で基板を回転させる回転機構と、 前記処理室内の雰囲気を排出する排出機構と、 前記回転機構の動作に応じて前記排出機構及び／又は前
   記清浄気流導入機構を制御する制御手段とを備え、 前記制御手段は、前記回転機構による基板の回転時に、
   それによる処理室内の圧力上昇を打ち消すように、前記
   清浄気流導入機構による気流導入量を減少させ及び／又
   は前記排出機構による雰囲気の排出量を増大させるよう
   制御するものであることを特徴とする基板処理装置。