TWI392045B - A substrate processing apparatus and a substrate processing method - Google Patents

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TWI392045B
TWI392045B TW097139749A TW97139749A TWI392045B TW I392045 B TWI392045 B TW I392045B TW 097139749 A TW097139749 A TW 097139749A TW 97139749 A TW97139749 A TW 97139749A TW I392045 B TWI392045 B TW I392045B
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Mitsuyuki Hakata
Takuya Zushi
Masaki Shinohara
Takashi Higuchi
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Dainippon Screen Mfg
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Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係有關於一種向LCD(液晶顯示裝置)或PDP(等離子顯示器)等FPD(平板顯示器)用玻璃基板、光罩用玻璃基板、半導體基板等基板供給各種處理液以實施處理之基板處理裝置等。
先前，作為向LCD等矩形基板之上表面(主面)供給處理液以實施特定處理之基板處理裝置，例如提出有專利文獻1中所揭示之裝置。
該專利文獻1所揭示之裝置進行所謂之浸漬式顯影處理，即：一邊以水平姿勢搬送基板，一邊向基板表面供給顯影液，利用其表面張力形成液層，並在該狀態下實施特定時間之顯影處理。然後，使基板朝寬度方向傾斜(朝與搬送方向正交之方向傾斜)而使顯影液沿基板流下後，一邊保持傾斜姿勢搬送該基板，一邊向基板表面供給清洗液以實施清洗處理。與呈噴淋狀供給顯影液者相比，實施浸漬式顯影處理之專利文獻1之裝置能夠以少量之顯影液對整個基板實施均勻之顯影處理，因此具有能夠控制運行成本，從而能夠經濟地實施顯影處理之特徵。
[專利文獻1]日本專利特開平11-87210號公報
但在上述先前裝置中存在如下問題。即，在形成液層時，雖為自搬送方向前端側起依次對基板供給顯影液，但由於在顯影處理後須使基板朝其寬度方向傾斜以使顯影液流下，因而基板面內之處理時間顯然會產生差異。具體而言，存在下述傾向，即，越是搬送方向上的基板之後端側，且越是成為傾斜姿勢之上位側之部位，其處理時間越短。於基板尺寸較小之情形時，基板面內之處理時間之時間差(處理時間最長之部位與處理時間最短之部位之間的處理時間之時間差)較小，其對品質之影響幾乎可以忽略。但隨著近年來基板之大型化，所要求之處理精密度亦日漸提高，若要確保品質，便不能忽視基板面內之處理時間之時間差。又，近年來，更加重視處理能力之提高，但在顯影處理後須停止搬送基板以進行姿勢變換之先前裝置難以滿足如此之要求。
本發明係鑒於上述之情形而作者，其目的在於，在藉由所謂之浸漬處理對基板實施特定處理之基板處理裝置中，對基板面內更加均勻地實施處理，並實現處理能力之提高。
申請人鑒於上述問題係起因於變換基板姿勢這一點而研究了如下問題：為一直保持水平姿勢進行自形成液層直至除去液層為止之一系列處理，一邊水平搬送基板一邊對於基板自其前端側起依次供給(噴射)流體，藉此除去液層。但產生了浸漬處理之穩定性受損之問題，例如：當朝基板噴射流體時，在其影響下液層發生紊亂而處理液自基板上流下。因此，申請人經過進一步研究，發明了如下所述之基板處理裝置。
即，本發明之基板處理裝置包含除去機構，該除去機構係設置成可相對於被水平支持之基板移動，伴隨著上述相對移動，自基板之一端側朝向另一端側除去在上述基板之上表面形成之處理液之液層，該除去機構包含：流體供給部，其為除去上述液層而在與上述相對移動之方向交叉之方向上遍及基板之整個寬度朝基板上表面噴出流量經調整之除層用流體；以及消波部，其相對於上述基板上之上述除層用流體之供給位置，在與上述相對移動方向之上游側相鄰之位置處，自基板上表面側僅離開與上述液層相對應之距離而對向配置，且抑制在噴出上述除層用流體時所產生之上述液層之波動。
在該裝置中，除去機構相對於被水平支持且形成有液層之基板相對移動，在該移動中，自流體供給部向基板噴出除層用流體，藉此自基板之一端側朝向另一端側依次除去液層。此時，在比該除層用流體之噴出位置更鄰接於上述另一端側之位置上，藉由上述消波部抑制在噴出上述除層用流體時所產生之上述液層之波動，從而能夠良好地保持殘留在基板上之液層之穩定性。因此，可保持水平姿勢良好地除去基板上之液層，而不會破壞浸漬處理之穩定性。
而且，本發明之基板處理方法係使用該基板處理裝置的基板處理方法，其包括：液層形成步驟，對於被水平支持之基板之上表面，自其一端側朝向另一端側供給處理液，藉此在基板上表面形成該處理液之液層；以及液層除去步驟，使用上述基板處理裝置，一邊使上述除去機構相對於形成有上述液層之上述基板相對移動，一邊向上述基板之上表面噴出上述除層用流體，藉此自該基板之上述一端側朝向上述另一端側除去上述液層。
根據該方法，液層之形成以及該液層之除去等任何處理均在水平支持基板之狀態下進行，又，由於任何處理均自基板之同一側(上述一端側)起依次進行，因此即便進行浸漬處理，亦可使基板面內之處理液之處理時間均勻化，又，由於不需要變換基板之姿勢，因此能夠相應地提高處理能力。
再者，作為上述基板處理裝置之具體構成，上述消波部具有與上述基板之上表面對向之對向面，且構成為在該對向面與上述基板之上表面之間形成上述處理液之彎液面。
根據該結構，藉由消波部之對向面與基板上表面來限制液層之上下移動，藉此有效地防止液層之波動。
又，若消波部上附著處理液，則會導致其乾燥物混入下次之基板之液層中等之問題，因此在上述裝置中設置清洗機構，其對消波部噴射清洗液，藉此清洗該消波部。
根據該結構，能夠除去附著於消波部之處理液或者防止該處理液之乾燥，所以能夠消除如上所述之問題。
再者，上述裝置亦可包含第一處理液供給機構，其相對於被水平支持之基板可相對移動地設置，伴隨著上述移動，自上述一端側向基板上表面供給上述處理液，藉此形成上述液層。
根據該結構，能夠在將基板保持水平姿勢之狀態下利用共用之裝置實施自上述液層之形成直至該液層之除去為止之步驟。
又，上述裝置亦可包含第二處理液供給機構，其與上述除去機構一體地相對於上述基板相對移動，伴隨著上述移動，對上述基板中供給有上述除層用流體之區域供給不同於上述液層之其他處理液。
根據該結構，伴隨著除去機構相對於基板之相對移動，能夠對基板中供給有上述除層用流體之區域(液層被除去之區域)立即供給其他處理液。因此，例如只要藉由第二處理液供給機構供給下一個步驟之處理液，便能防止已除去液層之區域中之基板乾燥等，並能夠迅速地轉入下一個步驟之處理。
又，在上述裝置中較好的是，上述除去機構包含被覆上述流體供給部以及上述基板上的上述除層用流體之噴出位置之蓋構件。
根據該構成，能夠有效地防止伴隨著除層用流體供給造成之霧(霧狀之處理液)之飛散。於此情形時，在包含第二處理液供給機構之裝置中，亦可將上述蓋構件設置成被覆上述第二處理液供給機構以及上述基板中由該第二處理液供給機構供給處理液之處理液供給位置。根據該構成，亦可有效地防止伴隨著第二處理液供給機構之處理液供給造成之霧之飛散。
再者，於具有上述蓋構件之情形時，較好的是更包含對該蓋構件之內部環境進行排氣之排氣機構。
根據該構成，能夠防止蓋構件之內部充滿霧。因此，能夠避免在蓋構件之內面附著霧而霧乾燥後附著於基板之問題。
若適用上述本發明，則液層之形成以及液層之除去等任何處理均可在水平支持基板之狀態下進行。因此，即便進行所謂之浸漬處理，與先前相比，亦可使基板面內之處理時間均勻化，並可提高處理能力。
利用附圖對本發明之較佳實施方式進行說明。
圖1以剖面圖概略示出了本發明之基板處理裝置。該基板處理裝置1係一邊沿附圖中之箭頭方向以水平姿勢搬送基板2，一邊對該基板2實施特定之製程處理之裝置，其含有顯影處理室10A以及清洗處理室10B。
在各處理室10A、10B中，以特定之間隔並列設置有複數個搬送輥14，沿著由該等搬送輥14構成之搬送路徑以水平姿勢搬送基板2。再者，附圖中之符號12表示開口部，該開口部分別形成於顯影處理室10A與其上游側之處理室等之間隔壁11A、以及顯影處理室10A與清洗處理室10B之間隔壁11B上，藉由使基板2通過該等開口部12，可向鄰接之處理室搬送基板。
在上述顯影處理室10A之內部，在其上游側(基板搬送方向上之上游側)之端部設置有用於對基板2供給顯影液(處理液)之液體噴嘴16(稱為第一液體噴嘴16，相當於本發明之第一處理液供給機構)。該第一液體噴嘴16由所謂之狹縫噴嘴構成，該狹縫噴嘴在上述搬送路徑之寬度方向(與基板搬送方向正交之方向，在附圖中為與紙面正交之方向)上呈細長狀且具有沿長度方向連續延伸之細長之噴出口，該第一液體噴嘴16以使噴出口朝向下游側(基板搬送方向上之下游側)傾斜朝下之狀態而設置在上述開口部12之上方位置。第一液體噴嘴16經由第一液體供給管32與顯影液之儲液槽30相連接，藉由介設於第一液體供給管32中之泵34之驅動以及未圖示之開閉閥之控制，可接受來自上述儲液槽30之顯影液並向基板2上供給顯影液。
另一方面，在顯影處理室10A與清洗處理室10B之間隔壁11B之部分設置有除去機構，該除去機構用於除去由第一液體噴嘴16供給至基板2上之顯影液(以下記述為液層X)。該除去機構由氣刀(air knife)18、消波(wave suppressor)構件20、消波清洗噴嘴22、基板清洗噴嘴24以及蓋構件26等構成。
氣刀18(相當於本發明之流體供給部)配置於間隔壁11B之剛好開口部12之部分且配置於上述搬送路徑之上方位置。氣刀18由狹縫噴嘴構成，該狹縫噴嘴在上述搬送路徑之寬度方向上呈細長狀且具有沿長度方向連續延伸之細長之噴出口，該氣刀18以噴出口朝正下方或者略微朝向上游側之狀態而配置。該氣刀18經由空氣供給管28與空氣供給源29相連接，藉由未圖示之開閉閥等之操作，可接受來自上述空氣供給源29之特定流量之空氣，具體而言，接受淨化度以及溫濕度被調整為特定位準之所謂CDA(Clean Dry Air：潔淨乾燥空氣，相當於本發明之除層用流體)，並向基板2上噴出該空氣。即，藉由自氣刀18向基板2上噴出空氣，利用其氣壓除去基板2上之顯影液(後記為液層X)。再者，在上述搬送路徑上，在上述氣刀18之空氣噴出位置上，作為搬送輥14，配置有可遍及基板2之整個寬度支持該基板2之搬送輥14，藉此能夠防止上述氣壓造成基板2彎曲變形。
上述消波構件20(相當於本發明之消波部)係用於防止伴隨著上述空氣之噴出產生之顯影液(後記液層X)之波動之構件。消波構件20係於搬送路徑之上方位置遍及搬送路徑之寬度方向而設置在與上述氣刀18之上游側相鄰之位置。
如圖2所示，該消波構件20具有對向面21且具有呈剖面為L形之形狀，該對向面21與搬送基板2對向且與該基板2之上表面大致平行。消波構件20係設置成，上述對向面21與搬送基板2之間隙S於形成在該基板2上表面上之顯影液之液層(積液)X之厚度t同等，較好的是略寬於該厚度t。藉此，能夠在基板2與對向面21之間形成彎液面(即，顯影液之液體架橋)。在本實施方式中，形成於基板2上之液層X之厚度t大致為3~4mm，消波構件20係設置成使上述間隙S為該厚度t+1mm左右。又，基板搬送方向上之上述對向面21之長度尺寸W比同方向上之基板2之全長短，在實施方式中，相對於1600mm左右之基板2之全長，將對向面21之長度尺寸W設定為10mm左右。
消波清洗噴嘴22(相當於本發明之清洗機構)主要向消波構件20之對向面21噴射作為清洗液之上述顯影液。該消波清洗噴嘴22由所謂之噴淋噴嘴構成，該噴淋噴嘴在搬送路徑之寬度方向上呈細長狀且在長度方向上以特定間隔排列有噴出口，該消波清洗噴嘴22係以噴出口朝向消波構件20(對向面21)之狀態而配置在上述搬送路徑之下方位置且配置在間隔壁11B之附近。該消波清洗噴嘴22經由第二液體供給管36與上述儲液槽30相連接，藉由介設於第二液體供給管36中之泵38之驅動以及未圖示之開閉閥之控制，可接受來自上述儲液槽30之顯影液之供給，並向消波構件20供給顯影液。
基板清洗噴嘴24係在顯影處理室10A中之處理之前向除去了液層X之基板上供給沖洗液(本實施方式中為純水)者。該基板清洗噴嘴24(稱為第二液體噴嘴24，相當於本發明之第二處理液供給機構)係配置在搬送路徑之上方位置且配置在與氣刀18之剛剛下游側相鄰之位置處，實際上配置在比上述間隔壁11B更靠近清洗處理室10B一側之位置處。第二液體噴嘴24與上述第一液體噴嘴16同樣，亦由在搬送路徑之寬度方向上細長之狹縫噴嘴構成，並以噴出口略微朝向下游側之狀態而配置。該第二液體噴嘴24經由純水供給管25與未圖示之純水供給源相連接，可接受來自該供給源之純水之供給，並向基板2上供給純水。即，藉由向基板2上噴出純水，對於在顯影處理室10A中經處理之基板2進行水洗。
蓋構件26遍及搬送路徑之寬度方向之整個區域自上方一體地被覆上述氣刀18、消波構件20、第二液體噴嘴24以及空氣等之噴出位置。該蓋構件26與上述間隔壁11B相連且剖面形成為穹形，以在其與上述基板2之間形成特定之空間。雖省略了圖示，但在該蓋構件26或者處理室10A、10B之內側面，形成有與抽吸泵等連通之抽吸口，經由該抽吸口可對蓋構件26之內部環境進行抽吸、排氣。在該實施方式中，該抽吸泵等以及抽吸口相當於本發明之排氣機構。
再者，在顯影處理室10A中，於其內底部設置有漏斗狀之回收缽，使用過之顯影液一邊被該回收缽收集一邊經由回收管31返回至上述儲液槽30內。亦即，該顯影處理室10A中構成有顯影液之供排系統，以使顯影液一邊在儲液槽30與上述第一液體噴嘴16及消波清洗噴嘴22之間循環一邊用於基板2之處理。
關於上述清洗處理室10B，雖未詳細圖示，但在其處理室內，例如在基板2之搬送路徑之上方，沿該搬送路徑配備有由噴淋噴嘴構成之基板清洗噴嘴。藉此，對於由搬送輥14以水平姿勢搬送之基板2之上表面可供給清洗液(本實施方式中為純水)。
再者，於基板處理裝置1中設置有以電腦為構成要素之未圖示之控制器，由該控制器40統一控制搬送輥14及泵34、38等之驅動以及各種閥之開閉等。例如，該裝置1係構成為，在顯影處理室10A中之上游側之間隔壁11A之開口部12稍微上游側的位置與上述蓋構件26之附近具備基板2之檢測感測器40a、40b，上述控制器根據該等感測器40a、40b對基板2之檢測控制開閉閥等。
其次，說明該基板處理裝置1對基板2之處理及其作用效果。
在該基板處理裝置1中，在檢測感測器40a、40b檢測到基板2之前，各閥關閉。因此，停止向各噴嘴供給顯影液及清洗液。
當藉由搬送輥14之驅動搬送基板2，而其前端被檢測感測器40a檢測到時，自儲液槽30向上述第一液體噴嘴16開始供給顯影液。繼而，當基板2經由開口部12搬入至顯影處理室10A內時，伴隨著該搬入，對於基板2之上表面，自其前端(基板2之行進方向前端)起依次供給顯影液。藉此，在基板2之上表面形成具有特定厚度t之顯影液之液層X，並在形成有該液層X之狀態下低速搬送基板2，藉此對基板2實施顯影處理。亦即，實施所謂之浸漬式顯影處理。
當進一步搬送基板2，而其前端被檢測感測器40b檢測到時，向氣刀18開始供給空氣且向第二液體噴嘴24開始供給純水，進而對蓋構件26內開始進行排氣。繼而，當基板2之前端通過消波構件20之下方位置時，氣刀18向基板2噴出空氣，藉由其氣壓將基板上之液層X自其前端側起除去，並且自第二液體噴嘴24對該除去部位噴出純水。藉此，自基板2之前端側起依次完成顯影處理，並開始基板2之清洗(置換水洗)處理。
再者，當向基板2噴出空氣時，會在消波構件20之前端側之液層X上產生波動，由此，液層X與消波構件20之對向面21接觸而在該對向面21與基板2之間形成彎液面。如此形成彎液面之結果，藉由上述對向面21與基板2限制液層X之上下移動，從而抑制波動(液層X之波動)向基板後端側傳播。因此，能夠事先防止波動於整個液層中傳播而導致在整個液層X上產生波動之事態，從而確保殘留液層X之穩定性。
又，當對基板2噴射空氣或純水時，會產生顯影液或純水之霧，但如上所述，空氣或純水之噴射位置被蓋構件26被覆，進而對該蓋構件26內之環境進行抽吸排氣，其結果，防止該霧大範圍地飛散至基板2上。
如此搬送基板2，而基板2之後端被檢測感測器40a、40b依次檢測到時，根據基於該檢測之計時器之計時，檢測出基板2分別通過了第一液體噴嘴16之顯影液噴出位置、氣刀18之空氣噴出位置以及第二液體噴嘴24之純水噴出位置，與此相伴，依次停止向第一液體噴嘴16之顯影液之供給、向氣刀18之空氣之供給以及向第二液體噴嘴24之純水之供給。藉此，結束顯影處理室10A中對該基板2實施之一系列之顯影處理。
再者，在處理結束後，上述消波清洗噴嘴22對消波構件20定期噴射顯影液，藉此對消波構件20進行清洗，並抑制附著於消波構件20上之顯影液乾燥。
如上所述，在該基板處理裝置1中，一邊水平搬送基板2一邊對該基板2實施浸漬式顯影處理，但並不僅限於液層X之形成(處理)，關於液層X之除去(處理)，亦可一邊水平搬送基板2一邊實施該處理，而且，對於任何處理，均可一邊同方向搬送基板2一邊自其前端側起依次實施處理。因此，不會如實施浸漬式顯影處理之先前之此種裝置、即在水平姿勢下形成液層後將基板之姿勢變換為傾斜姿勢再除去液層之裝置般，在基板面內之處理時間產生差異，又，由於無須變換基板之姿勢，因此能夠相應地縮短總處理時間。因此，根據該基板處理裝置1，有以下效果：可獲得能夠抑制顯影液之使用量而經濟地進行顯影處理之浸漬式顯影處理之優點，另一方面，能夠提高基板面內之顯影處理之均勻性，並能夠提高處理能力。
尤其在該基板處理裝置1中，藉由氣壓除去基板上之液層X，但如上所述，在基板2之搬送路徑上方具備消波構件20，藉此抑制液層X上產生之波動之傳播從而防止整個液層產生波動，因此能夠良好地確保液層X之穩定性。因此，能夠事先防止液層X之穩定性被破壞而顯影液自基板上流下導致對顯影處理之品質造成影響之事態，在此點上亦具有能夠提高基板面內之顯影處理之均勻性之優點。
而且，在該基板處理裝置1中係構成為，在基板2處於非處理狀態時，自消波清洗噴嘴22向消波構件20定期噴射顯影液，除去附著於對向面21上之顯影液之乾燥物(異物)或者防止顯影液乾燥，因此能夠事先防止液層X內混入異物之問題。即，當伴隨著彎液面之形成而附著於消波構件20上之顯影液乾燥時，該乾燥物(異物)有可能會混入下一次基板2之液層X中並附著於基板2上，但在該裝置1中，如上所述般定期向消波構件20噴射顯影液，因此能夠除去上述乾燥物，或者能夠防止附著於消波構件20上之顯影液乾燥。因此，設置消波構件20可確保液層X之穩定性，另一方面，能夠事先防止由此產生之上述弊病、即乾燥物混入至液層X中之事態。
進而，在該基板處理裝置1中，在與氣刀18之下游側相鄰之位置上具備第二液體噴嘴24，在除去液層X後，立刻向基板2上供給純水。因此，在除去液層X後，立刻在基板上形成純水之液膜，從而能夠防止乾燥並且迅速地對基板2實施清洗處理(置換水洗)。尤其，第二液體噴嘴24係採用狹縫噴嘴，藉此，能夠遍及基板2之整個寬度供給純水，從而能夠遍及該基板之整個寬度同時將基板2之處理自顯影處理切換為清洗處理，藉此能夠提高基板面內之處理之均勻性。
而且，在該基板處理裝置1中，如上所述，氣刀18及第二液體噴嘴24係被蓋構件26被覆，並對該蓋構件26內之環境進行抽吸排氣，藉此能夠防止霧(顯影液及純水)向基板飛散。因此，亦具有如下優點：能夠事先防止顯影液之霧再次附著於已除去液層X之部分或者純水之霧附著於液層X上而稀釋顯影液等之事態。
然而，以上所說明之基板處理裝置1僅為本發明之基板處理裝置之較佳實施方式之一例，在不脫離本發明之宗旨之範圍內可適當變更其具體構成。
例如，作為消波構件20，亦可如圖3所示，適用使角部(尤其是上游側)帶有弧度，或者對角部實施有倒角加工者，藉此可確保液層X之穩定並且能夠在消波構件20(對向面21)之下方位置順暢地搬送基板2。又，亦可如圖4所示，將消波構件20形成為剖面為倒T字形之形狀，藉此提高消波構件20之剛性。根據該消波構件20，能夠有效地防止彎曲所導致之對向面21之變形。又，亦可如圖5所示，適用下述消波構件20：在基板搬送方向上隔開特定間隔而並列設置分別具有與基板2對向之對向面21a~21c之單位構件20a~20c，藉此使對向面21變得不連續。總之，只要消波構件20能夠抑制噴出空氣時在液層X上產生之波動之傳播以防止整個液層產生波動，則消波構件20之具體形狀並不限於上述實施方式等中之形狀。
又，在上述實施方式中，固定配置液層X之除去機構(氣刀18、消波構件20等)並使基板移動，藉此一邊使基板2相對於上述除去機構相對移動一邊除去液層X，但無庸置疑地，亦可適用與此相反之構成。亦即，如圖6所示，可使基板2停止，一邊相對於該基板2而相對移動除去機構一邊除去液層X。於此情形時，可一邊搬送基板2一邊形成液層X，之後，在使基板2停止之狀態下，一邊使除去機構自間隔壁11B附近之原位置(home position)起朝上游側移動，一邊除去液層X。於此情形時，可將消波清洗噴嘴22配置在原位置，並在消波構件20復位至該位置時對消波構件20噴射顯影液。再者，除了如此般僅移動基板2或者除去機構之任一者以外，亦可一邊移動基板2以及除去機構兩者，一邊進行液層X之除去等。
又，在上述實施方式中，係將氣刀18設置為其噴出口沿著搬送路徑之寬度方向延伸，但只要能夠遍及基板2之整個寬度噴出顯影液，則氣刀18之噴出口亦可沿著與寬度方向交差之方向延伸。
又，在上述實施方式中，為了循環使用顯影液而使用顯影液作為消波構件20之清洗液，但在不循環使用顯影液等之情形時，亦可適用顯影液以外之其他液體作為消波構件20之清洗液。
又，在上述實施方式中，係藉由向液層X噴射空氣(CDA)而自基板2除去液層X，但無庸置疑地，亦可適用除此之外之流體。例如，可採用N2 (氮)等非活性氣體。又，亦可適用顯影液或顯影液與空氣(CDA)之混合流體等。
再者，在上述實施方式中，說明了將本發明適用於對基板2實施顯影處理之基板處理裝置1中之例子，但只要是進行浸漬處理之裝置，則無庸置疑地，本發明亦可適用於對基板實施除了顯影處理以外之其他處理、例如蝕刻處理等之基板處理裝置。
1．．．基板處理裝置
2．．．基板
10A．．．顯影處理室
10B．．．清洗處理室
14．．．搬送輥
16．．．液體噴嘴(第一液體噴嘴)
18．．．氣刀
20．．．消波構件
21．．．對向面
22．．．消波清洗噴嘴
24．．．液體噴嘴(第二液體噴嘴)
26．．．蓋構件
X．．．液層
圖1係表示本發明之基板處理裝置之概略構成之剖面圖。
圖2係表示基板處理裝置之主要部分之圖1之放大圖。
圖3係表示消波構件之其他例之剖面略圖。
圖4係表示消波構件之其他例之剖面略圖。
圖5係表示消波構件之其他例之剖面略圖。
圖6係表示本發明之基板處理裝置之其他例之剖面圖。
1．．．基板處理裝置
2．．．基板
10A．．．顯影處理室
10B．．．清洗處理室
11A、11B．．．間隔壁
12．．．開口部
14．．．搬送輥
16．．．第一液體噴嘴
18．．．氣刀
20．．．消波構件
22．．．消波清洗噴嘴
24．．．基板清洗噴嘴
25．．．純水供給管
26．．．蓋構件
28．．．空氣供給管
29．．．空氣供給源
30．．．儲液槽
31．．．回收管
32．．．第一液體供給管
34、38．．．泵
36．．．第二液體供給管
40a、40b．．．感測器
X．．．液層

Claims (9)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵在於，其包含除去機構，該除去機構係設置成可相對於被水平支持之基板移動，伴隨著上述相對移動，自基板之一端側朝向另一端側除去在上述基板之上表面形成之處理液之液層，該除去機構包含：流體供給部，其為除去上述液層而在與上述相對移動之方向交叉之方向上遍及基板之整個寬度朝基板上表面噴出流量經調整之除層用流體；以及消波部，其對於上述基板上之上述除層用流體之供給位置在上述相對移動方向之上游側相鄰之位置處，自基板上表面側僅離開與上述液層相對應之距離而對向配置，且抑制在噴出上述除層用流體時所產生之上述液層之波動。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述消波部具有與上述基板之上表面對向之對向面，且構成為在該對向面與上述基板之上表面之間形成上述處理液之彎液面。
  3. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中包含清洗機構，其對上述消波部噴射清洗液，藉此清洗該消波部。
  4. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中包含第一處理液供給機構，其設置成可相對於被水平支持之基板移動，伴隨著上述移動，自上述一端側向基板上表面供給上述處理液，藉此形成上述液層。
  5. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中包含第二處理液供給機構，其與上述除去機構一體地相對於上述基板相對移動，伴隨著上述移動，對上述基板中供給有上述除層用流體之區域供給不同於上述液層之其他處理液。
  6. 如請求項5之基板處理裝置，其中上述除去機構包含被覆上述流體供給部以及上述基板上的上述除層用流體之噴出位置之蓋構件。
  7. 如請求項6之基板處理裝置，其中其係包含上述第二處理液供給機構者，上述蓋構件係設置成被覆上述第二處理液供給機構以及上述基板中由該第二處理液供給機構供給處理液之處理液供給位置。
  8. 如請求項6之基板處理裝置，其中包含對上述蓋構件之內部環境進行排氣之排氣機構。
  9. 一種基板處理方法，其特徵在於，其係使用上述請求項1之基板處理裝置者，其包括：液層形成步驟，對於被水平支持之基板之上表面，自其一端側朝向另一端側供給處理液，藉此在基板上表面形成該處理液之液層；以及液層除去步驟，使用上述基板處理裝置，一邊使上述除去機構相對於形成有上述液層之上述基板相對移動，一邊向上述基板之上表面噴出上述除層用流體，藉此自該基板之上述一端側朝向上述另一端側除去上述液層。
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