JP3843252B2

JP3843252B2 - 基板処理装置及び基板処理方法

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Publication number: JP3843252B2
Application number: JP2002340675A
Authority: JP
Inventors: 徹也佐田; 賢哉篠崎; 雄亮二俣; 剛士渕田
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2002-11-25
Filing date: 2002-11-25
Publication date: 2006-11-08
Anticipated expiration: 2022-11-25
Also published as: JP2004179223A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示デバイス等に使用されるガラス基板を洗浄等した後に、ガラス基板を乾燥させる基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＣＤ（Liquid Crystal Display：ＬＣＤ）等の製造工程においては、被処理体であるＬＣＤ用のガラス基板上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の薄膜や電極パターンを形成するために、半導体デバイスの製造に用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術が利用される。フォトリソグラフィ技術では、フォトレジストをガラス基板に塗布し、これを露光し、さらに現像する。
【０００３】
このようなフォトリソグラフィの工程の前には、基板に付着したゴミ等を除去し洗浄する洗浄処理が不可欠である。この洗浄処理では、例えば、基板を搬送ローラによりさせながら、基板をスクラビングブラシで擦って洗浄したり、基板に純水等のリンス液を吐出して洗浄する処理が行われている。そして例えばリンス液を吐出して洗浄した場合、その後に基板上に残ったリンス液を除去するために（液切りするために）エアナイフによりエアを基板に向けて噴出し、基板を乾燥させている。
【０００４】
しかし、従来このようなエアナイフによる乾燥処理では、除去されたリンス液が空中に舞い上がってミスト状となり、エアナイフにより液切り処理された後に、搬送ローラで搬送されていく基板にそのミストが再度付着するといった問題があった。このようにミストが付着すると製品不良となり歩留まりが低下する。
【０００５】
これを防止するために、エアナイフの周囲の空間を、そのエアナイフが配置される位置を境界として上流側と下流側とに仕切る仕切部材を設けた液切り装置がある。（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
【特許文献１】
特開平９−９４５４６号公報（第４〜５項、図１等）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記液切り装置では、エアナイフが配置される位置を境界としたその上流側の空間（液切りエアチャンバー９）では、気流が乱れていることが考えられる。そこで、基板の下方部からミストを強制的に排気をしてはいるが（排気口２４）、基板の上部の空間であるエアチャンバーにおいては、エアナイフから噴出するエアが気流を乱している。このように乱れた気流によって舞い上がるミストは、エアナイフの側面を通過して結局液切りした後の基板に再付着してしまう。
【０００８】
一般に、このように搬送ローラを用いて基板を搬送させながら液切りして乾燥処理を行う装置では、仕切部材によりエアナイフの上流側及び下流側を仕切ったとしても、搬送ローラやエアナイフを支持する部材等が存在するので完全に仕切ることができるものではない。特に、エアナイフの側面からはミストが流れやすいという問題がある。
【０００９】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、エア等の気体を噴出することにより発生する気流の乱れを防止し、ミスト等の浮遊物が液切り後の基板に再度付着することを防止することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る基板処理装置は、基板を搬入する搬入口を有するチャンバの外部から該搬入口を通して延設され、基板を所定の方向に搬送させる搬送機構と、前記搬送機構に対向して配置され、搬送される基板に対し気体を噴出する気体噴出部と、前記気体噴出部を収容し、前記搬入口を介して前記チャンバの外部と連通され、前記気体噴出部から前記基板に対し気体を噴出したときに生じる浮遊物の少なくとも一部を前記搬入口を介して前記外部へ排出する排出室とを具備し、前記排出室は、前記気体噴出部を囲うように設けられ、前記搬入口から搬入された基板の少なくとも一部を内部に受け入れる開口部を有する囲繞部材を具備し、前記気体噴出部は前記囲繞部材の内部において前記基板の搬送下流側に配置され、前記囲繞部材は、前記搬入口に近付くにつれ容積が小さくなるように形成されていることを特徴とする。
【００１１】
本発明では、気体噴出部を収容する排出室内において、搬送機構により搬送される基板に対して気体を噴出し、そのときに生じる浮遊物の少なくとも一部を排出室から搬入口を介して外部に排出する。すなわち、気体噴出部が配置される位置より上流側である搬入口を介して浮遊物を外部に排出しているので、気体噴出部で液切りした後に浮遊物が再度基板に付着することを防止することができる。
【００１２】
ここで、「浮遊物の少なくとも一部」とは浮遊物の全部を含む意味である。
【００１３】
また、排出室は、前記搬入口に近付くにつれ容積が小さくなるように形成されている。これにより、排出室内において、気体噴出部による気体の噴出によって、チャンバの外部に比べての陽圧状態を形成しやすくなる。その結果、搬入口からチャンバの外部へ浮遊物を排出する作用が促進され、浮遊物が再度基板に付着することを確実に防止することができる。
【００１４】
本発明の一の形態では、前記気体噴出部は、基板の搬送上流側に向けて気体を噴出する手段を有する。「搬送上流側に向けて」とは、「搬送上流側よりに向けて」、という意味である。また、例えば、搬送される基板の面に対する気体の噴出角度は２０°〜８５°である。上流側には搬入口が設けられているので、上流側に向けて気体を噴出することにより搬入口からの浮遊物の排出を効果的に行うことができる。
【００１５】
本発明に係る他の基板処理装置は、基板を搬入する搬入口を有するチャンバの外部から該搬入口を通して延設され、基板を所定の方向に搬送させる搬送機構と、前記搬送機構に対向して配置され、搬送される基板に対し気体を噴出する気体噴出部と、前記気体噴出部を収容し、前記搬入口を介して前記チャンバの外部と連通され、前記気体噴出部から前記基板に対し気体を噴出したときに生じる浮遊物の少なくとも一部を前記搬入口を介して前記外部へ排出する排出室とを具備し、前記排出室は、前記気体噴出部を囲うように設けられ、前記搬入口から搬入された基板の少なくとも一部を内部に受け入れる開口部を有する第１の囲繞部材と、一側が前記搬入口に接続されることで前記外部と連通されるとともに、他側が前記開口部に接続されることで前記第１の囲繞部材の内部と連通され、前記搬送機構により前記搬入口から搬入され前記開口部を介して前記第１の囲繞部材の内部へ搬入されて行く基板の少なくとも一部を囲う第２の囲繞部材とを具備し、前記気体噴出部は前記第１の囲繞部材の内部において前記基板の搬送下流側に配置され、前記第２の囲繞部材の内部の容積は、前記第１の囲繞部材の内部の容積より小さく形成されていることを特徴とする。
本発明では、第１の囲繞部材により気体噴出部を囲い、この第１の囲繞部材の内部で、基板に対し気体を噴出し液切りを行う。そして、この液切りにより舞い上がった浮遊物を前記第２の囲繞部材から搬入口を介して排出する。例えば前記第２の囲繞部材の内部の容積を、前記第１の囲繞部材の内部の容積より小さく形成することにより、上記陽圧状態を容易に作ることができ効率的に浮遊物を排出することができる。
【００１６】
本発明の一の形態では、前記気体噴出部より基板の搬送下流側に設けられ、上流側に向けて清浄空気を噴出する清浄空気噴出部をさらに具備する。これにより、気体噴出部からの気体の噴出と相まって、浮遊物が搬入口へ流れる作用を促進させることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
【００２０】
図１は本発明が適用されるＬＣＤ基板の塗布現像処理システムを示す平面図であり、図２はその正面図、また図３はその背面図である。
【００２１】
この塗布現像処理システム１は、複数のガラス基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション２と、基板Ｇにレジスト塗布及び現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部３と、露光装置３２との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェース部４とを備えており、処理部３の両端にそれぞれカセットステーション２及びインターフェース部４が配置されている。
【００２２】
カセットステーション２は、カセットＣと処理部３との間でＬＣＤ基板の搬送を行うための搬送機構１０を備えている。そして、カセットステーション２においてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構１０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路１２上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送アーム１１によりカセットＣと処理部３との間で基板Ｇの搬送が行われる。
【００２３】
処理部３には、カセットステーション２におけるカセットＣの配列方向（Ｙ方向）に垂直方向（Ｘ方向）に延設された主搬送部３ａと、この主搬送部３ａに沿って、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）を含む各処理ユニットが並設された上流部３ｂ及び現像処理ユニット（ＤＥＶ）を含む各処理ユニットが並設された下流部３ｃとが設けられている。
【００２４】
主搬送部３ａには、Ｘ方向に延設された搬送路３１と、この搬送路３１に沿って移動可能に構成されガラス基板ＧをＸ方向に搬送する搬送シャトル２３とが設けられている。この搬送シャトル２３は、例えば支持ピンにより基板Ｇを保持して搬送するようになっている。また、主搬送部３ａのインターフェース部４側端部には、処理部３とインターフェース部４との間で基板Ｇの受け渡しを行う垂直搬送ユニット７が設けられている。
【００２５】
上流部３ｂにおいて、カセットステーション２側端部には、カセットステーション２側から、基板Ｇ上の有機物を除去するためのエキシマＵＶ処理ユニット（ｅ−ＵＶ）１９と、基板Ｇにスクラビングブラシで洗浄処理を施すスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）とが設けられている。
【００２６】
スクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）の隣には、ガラス基板Ｇに対して熱的処理を行うユニットが多段に積み上げられた熱処理系ブロック２４及び２５が配置されている。これら熱処理系ブロック２４と２５との間には、垂直搬送ユニット５が配置され、搬送アーム５ａがＺ方向及び水平方向に移動可能とされ、かつθ方向に回動可能とされているので、両ブロック２４及び２５における各熱処理系ユニットにアクセスして基板Ｇの搬送が行われるようになっている。なお、上記処理部３における垂直搬送ユニット７についてもこの垂直搬送ユニット５と同一の構成を有している。
【００２７】
図２に示すように、熱処理系ブロック２４には、基板Ｇにレジスト塗布前の加熱処理を施すベーキングユニット（ＢＡＫＥ）が２段、ＨＭＤＳガスにより疎水化処理を施すアドヒージョンユニット（ＡＤ）が下から順に積層されている。一方、熱処理系ブロック２５には、基板Ｇに冷却処理を施すクーリングユニット（ＣＯＬ）が２段、アドヒージョンユニット（ＡＤ）が下から順に積層されている。
【００２８】
熱処理系ブロック２５に隣接してレジスト処理ブロック１５がＸ方向に延設されている。このレジスト処理ブロック１５は、基板Ｇにレジストを塗布するレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）と、減圧により前記塗布されたレジストを乾燥させる減圧乾燥ユニット（ＶＤ）と、本発明に係る基板Ｇの周縁部のレジストを除去するエッジリムーバ（ＥＲ）とが設けられて構成されている。このレジスト処理ブロック１５には、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）からエッジリムーバ（ＥＲ）にかけて移動する図示しないサブアームが設けられており、このサブアームによりレジスト処理ブロック１５内で基板Ｇが搬送されるようになっている。
【００２９】
レジスト処理ブロック１５に隣接して多段構成の熱処理系ブロック２６が配設されており、この熱処理系ブロック２６には、基板Ｇにレジスト塗布後の加熱処理を行うプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）が３段積層されている。
【００３０】
下流部３ｃにおいては、図３に示すように、インターフェース部４側端部には、熱処理系ブロック２９が設けられており、これには、クーリングユニット（ＣＯＬ）、露光後現像処理前の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）が２段、下から順に積層されている。
【００３１】
熱処理系ブロック２９に隣接して現像処理を行う現像処理ユニット（ＤＥＶ）がＸ方向に延設されている。この現像処理ユニット（ＤＥＶ）の隣には熱処理系ブロック２８及び２７が配置され、これら熱処理系ブロック２８と２７との間には、上記垂直搬送ユニット５と同一の構成を有し、両ブロック２８及び２７における各熱処理系ユニットにアクセス可能な垂直搬送ユニット６が設けられている。また、現像処理ユニット（ＤＥＶ）端部の上には、ｉ線処理ユニット（ｉ―ＵＶ）３３が設けられている。
【００３２】
熱処理系ブロック２８には、クーリングユニット（ＣＯＬ）、基板Ｇに現像後の加熱処理を行うポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段、下から順に積層されている。一方、熱処理系ブロック２７も同様に、クーリングユニット（ＣＯＬ）、ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段、下から順に積層されている。
【００３３】
インターフェース部４には、正面側にタイトラー及び周辺露光ユニット（Ｔｉｔｌｅｒ／ＥＥ）２２が設けられ、垂直搬送ユニット７に隣接してエクステンションクーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）３５が、また背面側にはバッファカセット３４が配置されており、これらタイトラー及び周辺露光ユニット（Ｔｉｔｌｅｒ／ＥＥ）２２とエクステンションクーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）３５とバッファカセット３４と隣接した露光装置３２との間で基板Ｇの受け渡しを行う垂直搬送ユニット８が配置されている。この垂直搬送ユニット８も上記垂直搬送ユニット５と同一の構成を有している。
【００３４】
以上のように構成された塗布現像処理システム１の処理工程については、先ずカセットＣ内の基板Ｇが処理部３部における上流部３ｂに搬送される。上流部３ｂでは、エキシマＵＶ処理ユニット（ｅ−ＵＶ）１９において表面改質・有機物除去処理が行われ、次にスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）において、基板Ｇが略水平に搬送されながら洗浄処理及び乾燥処理が行われる。続いて熱処理系ブロック２４の最下段部で垂直搬送ユニットにおける搬送アーム５ａにより基板Ｇが取り出され、同熱処理系ブロック２４のベーキングユニット（ＢＡＫＥ）にて加熱処理、アドヒージョンユニット（ＡＤ）にて、ガラス基板Ｇとレジスト膜との密着性を高めるため、基板ＧにＨＭＤＳガスを噴霧する処理が行われる。この後、熱処理系ブロック２５のクーリングユニット（ＣＯＬ）による冷却処理が行われる。
【００３５】
次に、基板Ｇは搬送アーム５ａから搬送シャトル２３に受け渡される。そしてレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）に搬送され、レジストの塗布処理が行われた後、減圧乾燥処理ユニット（ＶＤ）にて減圧乾燥処理、エッジリムーバ（ＥＲ）にて基板周縁のレジスト除去処理が順次行われる。
【００３６】
次に、基板Ｇは搬送シャトル２３から垂直搬送ユニット７の搬送アームに受け渡され、熱処理系ブロック２６におけるプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）にて加熱処理が行われた後、熱処理系ブロック２９におけるクーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却処理が行われる。続いて基板Ｇはエクステンションクーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）３５にて冷却処理されるとともに露光装置にて露光処理される。
【００３７】
次に、基板Ｇは垂直搬送ユニット８及び７の搬送アームを介して熱処理系ブロック２９のポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）に搬送され、ここで加熱処理が行われた後、クーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却処理が行われる。そして基板Ｇは垂直搬送ユニット７の搬送アームを介して、現像処理ユニット（ＤＥＶ）において基板Ｇは略水平に搬送されながら現像処理、リンス処理及び乾燥処理が行われる。
【００３８】
次に、基板Ｇは熱処理系ブロック２８における最下段から垂直搬送ユニット６の搬送アーム６ａにより受け渡され、熱処理系ブロック２８又は２７におけるポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）にて加熱処理が行われ、クーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却処理が行われる。そして基板Ｇは搬送機構１０に受け渡されカセットＣに収容される。
【００３９】
図４（ａ）は上記スクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）を示す概略側面図である。このスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）には、ガラス基板Ｇを搬送するためのコロ式の搬送装置３８が複数設けられている。搬送装置３８の両端には、昇降動作により他の処理部との間で基板の受け渡しを行う受け渡しピン３９が配置されており、この両受け渡しピン３９の間には、この基板の搬送上流側（図において左側）から、ロールブラシ洗浄室３６、スプレー洗浄室３７及び本発明に係わる乾燥処理装置４０が順に配置されている。ロールブラシ洗浄室３６にはロールブラシ４５が設けられ、スプレー洗浄室３７には、洗浄液を噴出するスプレー式のノズル４６が設けられている。なお、ロールブラシ４５やスプレー式のノズル４６は、図示するように基板の表面側だけでなく、基板裏面側にも更に配置するようにしてもかまわない。
【００４０】
このようなスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）においては、先ずロールブラシ洗浄室３６で基板上の比較的大きいゴミを除去洗浄した後、スプレー洗浄室３７で微細なゴミを除去洗浄し、乾燥処理装置４０で乾燥処理される。
【００４１】
図４（ｂ）は、上記現像処理ユニット（ＤＥＶ）を示す概略側面図である。この現像処理ユニット（ＤＥＶ）には、スクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）と同様に、コロ式の搬送装置３８及び受け渡しピン３９が配置されている。この両受け渡しピン３９の間には、搬送上流側（図において左側）から、プリウェット処理室４１、現像処理室４２、リンス処理室４３及び本発明に係る上記と同一の乾燥処理装置４０が順に配置されている。プリウェット処理室４１には、プリウェットノズル４７が、また現像処理室４２には現像液を吐出する現像液ノズル４８がそれぞれ設けられ、またリンス処理室４３にはリンスノズル４９が設けられている。
【００４２】
このような現像処理ユニット（ＤＥＶ）においては、先ず、プリウェット処理室４１で、現像液吐出の際の基板に対するインパクト軽減のために、基板をプリウェットし、次に現像処理室４２で現像液が吐出されて現像され、そしてリンス処理室４３で現像液が洗い流され、最後に乾燥処理装置４０で乾燥処理される。
【００４３】
なお、現像処理室４２においては、現像時間を確保するために、搬送装置３８を逆回転させ基板Ｇを往復させながら現像処理を行ってもよい。
【００４４】
次に、本発明の一実施の形態に係る乾燥処理装置４０について説明する。図５は、その乾燥処理装置４０の要部を示す斜視図である。また、図６は乾燥処理装置４０の断面図であり、図７は搬送の上流側から見た正面図である。
【００４５】
図６を参照して、この乾燥処理装置４０は乾燥処理を行うための処理室を囲うチャンバ５２を有している。このチャンバ５２には、チャンバ５２内に基板Ｇを搬入するための搬入口５２ａ及び基板Ｇを搬出するための搬出口５２ｂが設けられている。上記搬送装置３８はこれら搬入口５２ａ及び搬出口５２ｂを通して延設されている。
【００４６】
この搬送装置３８は、例えば基板Ｇの両端を支持する１対のローラ部材５１がシャフト４４に取り付けられている。これら１対のローラ部材５１とシャフト４４とでなる搬送ローラが複数配列され、これら複数の搬送ローラは同時に図示しないモータにより回転するようになっている。これにより、この搬送装置３８は基板Ｇを所定の方向（矢印Ａで示す方向）に搬送できるようになっている。
【００４７】
チャンバ５２の下流側の上部には、ファンフィルタユニット５４が設けられている。このファンフィルタユニット５４は、例えばファン及びフィルタを有しており、図示しない供給源からこのファンフィルタユニット５４を介してチャンバ５２内に洗浄エアが導入されるようになっている。また、チャンバ５２の上流側には排気口５３が設けられている。
【００４８】
図６に示すように、この搬送装置３８の搬送ローラを上下から挟むように、上部エアナイフ５５と下部エアナイフ５６とが配置されている。これらのエアナイフ５５、５６には、例えばブロアファン７１から供給管６１を介して供給されるエアを、搬送装置３０により搬送される基板Ｇに対して噴出し基板上のリンス液等を液切りするようになっている。
【００４９】
エアナイフ５５、５６はそれぞれ例えば支持シャフト５９によって支持されており、この支持部材は搬送装置３８に設けられた図示しない台上に懸架されている。これらのエアナイフ５５、５６は、その長手方向が基板Ｇの搬送方向に直交する方向の幅と同一程度の長さか、あるいはそれより長く形成されており、その鋭角に設けられた先端部からエアをカーテン状に噴出するようになっている。また、これらエアナイフ５５、５６は、それらの長手方向が図５に示すように基板Ｇの搬送方向Ａに対して傾いて配置されている。これにより、例えば基板Ｇ上のリンス液等の洗浄液を液切りする際、基板の角部に洗浄液を追い込むことができるので液切りしやすくなる。
【００５０】
チャンバ５２内の中央付近には、図５に示すようにエアナイフ５５、５６を囲うように例えば箱型の第１の囲繞部材５０が設けられている。この第１の囲繞部材５０は、上流側と下流側とにそれぞれ入口５０ａ及び出口５０ｂが開口されており、これら入口５０ａ及び出口５０ｂを搬送される基板Ｇが通過できるようになっている。上記エアナイフ５５、５６は、それぞれ入口５０ａより出口５０ｂに近い位置、すなわち、第１の囲繞部材５０の内部において搬送下流側に配置されている。この第１の囲繞部材５０は、図７に示すように、チャンバ５２に固定された支持部材５８によってその両側が支持されている。
【００５１】
この第１の囲繞部材５０の下流側の上部には、仕切板５７がチャンバ５２に取り付けられて設けられている。この仕切板５７により、チャンバ５２内における搬送装置３８の上方の領域が、エアナイフ５５、５６が配置された位置を境界として上流側と下流側とに仕切られている。
【００５２】
第１の囲繞部材５０の入口５０ａには第２の囲繞部材６０の下流側部分が挿入されており、その上流側部分はチャンバ５２の搬入口５２ａに挿入されている。この第２の囲繞部材６０は、例えば屋根部６０ａと側壁部６０ｂとからなっており、その幅は基板Ｇの幅より大きく形成されている。第２の囲繞部材６０は、スプレー洗浄室３７（またはリンス処理室４３）から搬入口５２ａを介して第１の囲繞部材５０の内部空間へ通ずるいわばトンネルの役目を果たしている。このような第２の囲繞部材６０の構成により、基板Ｇを、スプレー洗浄室３７（またはリンス処理室４３）から第２の囲繞部材６０の内部空間を通して乾燥処理装置４０に搬入することができる。
【００５３】
次に、以上のように構成された乾燥処理装置４０における作用を説明する。
【００５４】
図８に示すように、エアナイフ５５、５６から搬送される基板Ｇにエアを吹付けて液切りを行った場合、これにより生じるミストが第１の囲繞部材５０の内部空間で舞い上がる。ここで、第２の囲繞部材６０の内部空間は、第１の囲繞部材５０の内部空間の容積より小さく形成されているので、その第１の囲繞部材５０に一旦ミストを貯留させるとともに、その貯留されたミストを第２の囲繞部材６０を通して外部に排出する作用がある。すなわち、第１の囲繞部材５０の内部空間を容易に陽圧状態としてミストを排出することができる。
【００５５】
このようにして、そして第１の囲繞部材５０の内部に対流するミストを第２の囲繞部材６０を通して、スプレー洗浄室３７（またはリンス処理室４３）へ排出する。スプレー洗浄室３７（またはリンス処理室４３）にミストを排出しても、スプレー洗浄室３７（またはリンス処理室４３）では、液体を使用した洗浄処理を行っているため問題ない。
【００５６】
なお、発生したミストの一部は、第１または第２の囲繞部材５０、６０から下方に流れ、エアナイフ５５、５６から噴出されたエア及びファンフィルタユニット５４から噴出される清浄空気とともに排気口５３から排気される。
【００５７】
以上のように、本実施の形態では、エアナイフ５５、５６の上流側に第１の囲繞部材５０と、第２の囲繞部材６０とを設け、第２の囲繞部材６０を搬入口５２ａに臨ませている。これにより、気流の乱れを抑制してミストを効率良く排出することができ、エアナイフ５５、５６で液切りした後にミストが再度基板に付着することを防止することができる。
【００５８】
また、本実施の形態では、エアナイフ５５、５６より下流側に設けられたファンフィルタユニット５４から上流側に向けてエアを噴出しているので、エアナイフ５５、５６からのエアの噴出と相まって、ミストが搬入口５２ａへ流れる作用を促進させることができる。
【００５９】
図９は、他の実施の形態に係る乾燥処理装置を示す断面図である。なお、図９において、図６における構成要素と同一のものについては同一の符号を付すものとし、その説明を省略する。
【００６０】
この例では、上記実施の形態において第１の囲繞部材５０及び第２の囲繞部材６０の代わりに、囲繞部材７０が設けられている。この囲繞部材７０は、上面が例えば曲線状に形成されており、かつ、搬入口５２ａに近づくにつれ、内部空間の容積が小さくなるように形成されている。このような囲繞部材７０を設けることによっても、エアナイフ５５、５６によりエアを噴出させたときに発生するミストを搬入口５２ａを通してスプレー洗浄室３７（またはリンス処理室４３）に排出することができる。これにより、エアナイフ５５、５６で液切りした後にミストが再度基板に付着することを防止することができる。
【００６１】
本発明は以上説明した実施の形態には限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
【００６２】
上記第１囲繞部材５０、第２の囲繞部材６０、囲繞部材７０の形状は、上記実施の形態で示した形状に限られない。例えば、図６に示す断面図で見て、第１の囲繞部材５０の上面の形状を搬入口５２ａに向かうにつれ直線状に傾斜している形状としてもよい。あるいは、囲繞部材７０の上面の形状が曲線状ではなく直線状としてもよい。
【００６３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、エア等の気体を噴出することにより発生する気流の乱れを防止し、ミスト等の浮遊物が液切り後の基板に再度付着することを防止することができる。これにより、製品不良を抑え、歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る塗布現像処理システムの全体構成を示す平面図である。
【図２】図１に示す塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１に示す塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】（ａ）スクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）、（ｂ）現像処理ユニット（ＤＥＶ）を示す概略側面図である。
【図５】本発明の一実施の形態に係る乾燥処理装置を示す斜視図である。
【図６】図５に示す乾燥処理装置の断面図である。
【図７】図５に示す乾燥処理装置の正面図である。
【図８】エアナイフからエアを噴出するときの作用を示す図である。
【図９】本発明の他の実施の形態に係る乾燥処理装置を示す断面図である。
【符号の説明】
Ｇ…ガラス基板
Ａ…搬送方向
３８…搬送装置
３９…ピン
４０…乾燥処理装置
５０…第１の囲繞部材
５０ａ…入口
６０…第２の囲繞部材
５２…チャンバ
５２ａ…搬入口
５３…排気口
５４…ファンフィルタユニット
５５…上部エアナイフ
５５．５６…エアナイフ
５６…下部エアナイフ
６０…第２の囲繞部材
７０…囲繞部材

Claims

基板を搬入する搬入口を有するチャンバの外部から該搬入口を通して延設され、基板を所定の方向に搬送させる搬送機構と、
前記搬送機構に対向して配置され、搬送される基板に対し気体を噴出する気体噴出部と、
前記気体噴出部を収容し、前記搬入口を介して前記チャンバの外部と連通され、前記気体噴出部から前記基板に対し気体を噴出したときに生じる浮遊物の少なくとも一部を前記搬入口を介して前記外部へ排出する排出室とを具備し、
前記排出室は、前記気体噴出部を囲うように設けられ、前記搬入口から搬入された基板の少なくとも一部を内部に受け入れる開口部を有する囲繞部材を具備し、
前記気体噴出部は前記囲繞部材の内部において前記基板の搬送下流側に配置され、
前記囲繞部材は、前記搬入口に近付くにつれ容積が小さくなるように形成されていることを特徴とする基板処理装置。
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記気体噴出部は、基板の搬送上流側に向けて気体を噴出する手段を有することを特徴とする基板処理装置。
基板を搬入する搬入口を有するチャンバの外部から該搬入口を通して延設され、基板を所定の方向に搬送させる搬送機構と、
前記搬送機構に対向して配置され、搬送される基板に対し気体を噴出する気体噴出部と、
前記気体噴出部を収容し、前記搬入口を介して前記チャンバの外部と連通され、前記気体噴出部から前記基板に対し気体を噴出したときに生じる浮遊物の少なくとも一部を前記搬入口を介して前記外部へ排出する排出室とを具備し、
前記排出室は、
前記気体噴出部を囲うように設けられ、前記搬入口から搬入された基板の少なくとも一部を内部に受け入れる開口部を有する第１の囲繞部材と、
一側が前記搬入口に接続されることで前記外部と連通されるとともに、他側が前記開口部に接続されることで前記第１の囲繞部材の内部と連通され、前記搬送機構により前記搬入口から搬入され前記開口部を介して前記第１の囲繞部材の内部へ搬入されて行く基板の少なくとも一部を囲う第２の囲繞部材と
を具備し、
前記気体噴出部は前記第１の囲繞部材の内部において前記基板の搬送下流側に配置され、
前記第２の囲繞部材の内部の容積は、前記第１の囲繞部材の内部の容積より小さく形成されていることを特徴とする基板処理装置。
請求項１から請求項３のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
前記気体噴出部より基板の搬送下流側に設けられ、上流側に向けて清浄空気を噴出する清浄空気噴出部をさらに具備することを特徴とする基板処理装置。