TWI428969B - Substrate cleaning treatment device - Google Patents

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TWI428969B
TWI428969B TW100100088A TW100100088A TWI428969B TW I428969 B TWI428969 B TW I428969B TW 100100088 A TW100100088 A TW 100100088A TW 100100088 A TW100100088 A TW 100100088A TW I428969 B TWI428969 B TW I428969B
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Takuto Kawakami
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Dainippon Screen Mfg
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Description

基板清潔處理裝置
本發明係關於一種基板清潔處理裝置,其係於對液晶顯示裝置(LCD,Liquid Crystal Display)用、電漿顯示器(PDP,Plasma Display Panel)用、有機發光二極體(OLED,Organic Light Emitting Diode)用、場發射顯示器(FED,Field Emission Display)用、真空螢光顯示器(VFD,Vacuum Fluorescent Display)、太陽電池面板用等之玻璃基板、磁/光碟用之玻璃/陶瓷基板、半導體晶圓、電子元件基板等之各種基板進行抗蝕劑剝離處理、蝕刻處理等之藥液處理之後,對該基板進行清潔處理。
例如於LCD、PDP等元件之製造製程中,於將各種藥液供給至基板之主面而進行抗蝕劑剝離處理、蝕刻處理等之藥液處理後對基板進行水洗處理之情形時,首先,於置換水洗室(循環水水洗處理部)中將清潔水供給至剛進行藥液處理後之基板之主面而以清潔水置換基板上之藥液,繼而,於直接水洗室(新水水洗處理部)中將純水供給至基板之主面並水洗基板,其後對基板進行乾燥處理。此時,為了進行直接水洗室中之基板之清潔而使用純水(新水),為了進行置換水洗室中之基板之清潔而將直接水洗室中使用過之水回收至循環水箱中並作為清潔水(循環水)而使用,藉此節減純水之使用量(例如參照專利文獻1)。
又,亦使用下述裝置,即,由置換水洗室(第1水洗部)、第2水洗室(第2水洗部)、及直接水洗室(第3水洗部)而構成對藥液處理後之基板進行水洗處理之水洗處理部,首先,於置換水洗室中,將第2水洗室中使用過之水回收至第1循環水箱並將其作為清潔水而使用,將清潔水供給至剛進行藥液處理後之基板之主面並以清潔水置換基板上之藥液,之後,於第2水洗室中,將直接水洗室中使用過之水回收至第2循環水箱並將其作為清潔水而使用,對以清潔水置換主面上之藥液後之基板進行水洗處理,最後,於直接水洗室中,將純水供給至基板之主面而對基板進行最終水洗(例如參照專利文獻2)。
圖11中表示先前之基板清潔處理裝置300之概略構成之一例。圖11係模式性表示基板清潔處理裝置300者。
該基板清潔處理裝置300係由依序連設於藥液處理部1(僅圖示一部分)之後段側之置換水洗部(第1水洗部)5、第2水洗部3、及直接水洗部4(僅圖示一部分)所構成。於直接水洗部4之後段側,設置有乾燥處理部(未圖示)。
置換水洗部5包括:置換水洗室(第1水洗室)40,其具有與藥液處理部1之藥液處理室38鄰接而設置之基板搬入口42及基板搬出口44;複數個搬送輥(未圖示),其將已搬入至該置換水洗室40內之藥液處理後之基板W以相對於水平面而朝與基板搬送方向正交之方向傾斜之姿勢而支持,並使基板W於置換水洗室40內朝水平方向進行往復移動;入口狹縫噴嘴46,其配設於置換水洗室40內之基板搬入口42附近,將清潔水遍及基板W之整個寬度方向而呈簾狀噴出至已搬入至置換水洗室40內之基板W之上表面;以及上部噴霧噴嘴48及下部噴霧噴嘴50等,其等係於置換水洗室40內向朝水平方向往復移動之基板W之上、下兩表面分別噴出清潔水。上部噴霧噴嘴48及下部噴霧噴嘴50係沿基板搬送方向且相互平行地分別設置有複數個,於各噴霧噴嘴48、50上,將複數個噴出口於基板搬送方向上設置成一行。於置換水洗室40之底部,設置有用以將流下至置換水洗室40之內底部之已使用之清潔水排出的排液路52。
第2水洗部3包括:第2水洗室54,其與置換水洗室40鄰接而設置,並具有基板搬入口56及基板搬出口58;複數個搬送輥(未圖示),其將自置換水洗室40已搬入至第2水洗室54內之基板W以相對於水平面朝與基板搬送方向正交之方向傾斜之姿勢而支持,並將基板W於第2水洗室54內朝水平方向搬送;以及上部噴霧噴嘴60及下部噴霧噴嘴62等,其等係於第2水洗室54內向朝水平方向搬送之基板W之上、下兩表面分別噴出清潔水。上部噴霧噴嘴60及下部噴霧噴嘴62係沿基板搬送方向且相互平行地分別設置有複數個,於各噴霧噴嘴60、62上,將複數個噴出口於基板搬送方向設置成一行。於第2水洗室54之底部,設置有用以將流下至第2水洗室54之內底部之已使用之清潔水排出的循環排水路64,循環排水路64係與循環水箱66連通連接。又,於循環水箱66上,連通連接有與純水(新水)之供給源進行流路連接之純水供給路68,進而,連通連接有設置於直接水洗部4之直接水洗室70之底部的清潔水供給路72。於循環水箱66之底部分別連通連接有:插設著送液泵74且與置換水洗室40內之入口狹縫噴嘴46以及上部噴霧噴嘴48及下部噴霧噴嘴50分別進行流路連接之清潔水供給路76;以及插設著送液泵78且與第2水洗室54內之上部噴霧噴嘴60及下部噴霧噴嘴62分別進行流路連接之清潔水供給路80。進而,於第2水洗室54之底部設置有排水路82,於排水路82上介插有三方切換閥84,其以如下方式擇一性地切換流路:將用於基板W之清潔並自基板W上流下至第2水洗室54之內底部之已使用之清潔水排出,且使於基板W未被搬入至第2水洗室54內之狀態下未用於基板W之清潔而直接流下至第2水洗室54之內底部之清潔水返回至循環水箱66。
關於直接水洗部4之構成,僅圖示一部分,但其與第2水洗部3為相同。但是,直接水洗室70內之上部噴霧噴嘴86及下部噴霧噴嘴88中係被供給純水(新水),已使用之純水並不循環使用。而且,直接水洗部4中所使用之清潔水會透過清潔水供給路72而被輸送至循環水箱66。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平11-162918號公報(第4-6頁,圖1)
[專利文獻2]日本專利特開平10-284379號公報(第3-4頁,圖1)
於上述先前之基板清潔處理裝置300中,一面使藥液處理室38內剛進行藥液處理後之基板W於置換水洗室40內朝水平方向進行往復移動,一面自上部噴霧噴嘴48及下部噴霧噴嘴50向基板W之上、下兩表面不間斷地噴出清潔水,藉此以清潔水置換基板W上之藥液。因此,於置換水洗室40中需要大量的清潔水,故水洗處理中所使用之純水之量,即供給至第2水洗部3之循環水箱66中之純水、以及供給至直接水洗部4之上部噴霧噴嘴86及下部噴霧噴嘴88中之純水之量變得極大。又,置換水洗室40中使用之清潔水全部被廢棄,故於置換水洗室40中大量使用清潔水之結果會導致排液處理量亦變得極大。進而,於置換水洗室40中使基板W一面朝水平方向進行往復移動一面進行水洗處理,故處理時間變長。又,置換水洗室40之基板W之搬送方向之尺寸長於基板W之基板搬送方向之尺寸,故藉由置換水洗室40所佔有之占地面積變大。除此之外,為了完成基板之水洗處理,分別需要個別‧獨立之置換水洗室(第1水洗室)40、第2水洗室54、及直接水洗室70之合適的3室,故存在下述問題點:藉由該等3室所佔有之占地面積變大,且產生3室之製造成本。
本發明係鑒於以上情形而完成者,其目的在於提供一種基板清潔處理裝置,於對藥液處理後之基板進行水洗處理之情形時,可節減純水之使用量並減少排液量,又可縮短處理時間,進而可達成裝置整體之省空間化及製造成本之降低化。
技術方案1之發明係一種基板清潔處理裝置,其特徵在於包括:水洗處理室,其於基板搬送方向依序被劃定出置換水洗區域、水洗區域、及直接水洗區域,對藥液處理後之基板進行水洗處理;基板搬送機構,其配設於上述置換水洗區域內,將基板於一方向連續地朝水平方向搬送;及清潔水供給機構,其將清潔水供給至藉由上述基板搬送機構所搬送之基板之主面;上述清潔水供給機構包括以下部分而構成:入口噴嘴,其於上述置換水洗區域內之入口附近配設成相對於基板搬送方向而交叉,將清潔水遍及基板之整個寬度方向而噴出至基板之主面;高壓噴嘴,其於較上述入口噴嘴更靠基板搬送方向之前側配設成相對於基板搬送方向而交叉,將清潔水以高壓噴出至基板之主面,藉以堵截基板上之藥液與清潔液之混合液朝基板搬送方向之前側流動而使基板上之藥液被清潔水急速置換;高壓排出噴嘴,其於上述置換水洗區域內較上述入口噴嘴更靠基板搬送方向之前側、且所搬送之基板之一側端緣附近靠近基板而配設,將高壓之清潔水朝基板之另一側端緣方向或基板搬送方向後方噴出,藉此於基板上形成朝基板之另一側端緣方向流動之液流,並藉由該液流而將殘留於基板上之藥液與清潔水之混合液自基板上強制性地排出;送液機構,其將清潔液輸送至上述入口噴嘴、上述高壓噴嘴、及上述高壓排出噴嘴;及控制機構,其以如下方式控制上述送液機構:於向上述置換水洗區域內搬入基板之前,開始進行來自上述入口噴嘴、上述高壓噴嘴及上述高壓排出噴嘴之清潔水之噴出,於自上述置換水洗區域內搬出基板之後,停止進行來自上述入口噴嘴、上述高壓噴嘴及上述高壓排出噴嘴之清潔水之噴出;該基板清潔處理裝置進而包括:氣體噴嘴,其於較上述入口噴嘴更靠基板搬送方向之前側配設成相對於基板搬送方向而交叉,向基板之主面朝正下方向或相對於基板搬送方向而朝斜反方向噴出氣體,以阻止藥液與清潔液之混合液附著於基板上並被帶出至置換水洗區域外;及排水機構,其將流下至上述置換水洗區域之內底部之清潔水排出。
技術方案2之發明係如技術方案1之基板處理裝置,其中上述入口噴嘴、上述高壓噴嘴、上述高壓排出噴嘴及上述氣體噴嘴係依序配設於基板搬送方向上。
技術方案3之發明係如技術方案1或2之基板清潔處理裝置,其中上述入口噴嘴係狹縫噴嘴,其具有沿長度方向之狹縫狀噴出口,自該狹縫狀噴出口朝基板之主面,向相對於正下方向而朝基板搬送方向之前側傾斜之方向簾狀噴出清潔水。
技術方案4之發明係如技術方案1之基板清潔處理裝置,其中上述高壓噴嘴係串聯高密度扇形噴霧噴嘴,其具有相互靠近地排列設置於相對於基板搬送方向而交叉之方向上之複數個噴出口,自各噴出口將清潔水分別呈扇狀以高壓噴出。
技術方案5之發明係如技術方案1之基板清潔處理裝置,其中上述高壓噴嘴係2流體噴霧噴嘴,其具有相互靠近地排列設置於相對於基板搬送方向而交叉之方向上之複數個噴出口,自各噴出口分別以氣體之壓力將清潔水水霧化而噴出。
技術方案6之發明係如技術方案1之基板清潔處理裝置,其中於上述高壓噴嘴上,附設有用以防止自其噴出口噴出之清潔水之水霧飛散之遮罩。
技術方案7之發明係如技術方案6之基板清潔處理裝置,其中排列設置有將清潔水之水霧透過上述遮罩吸引並排出之水霧吸引裝置。
技術方案8之發明係如技術方案1之基板清潔處理裝置,其中於相對於基板搬送方向而正交之方向上,自上述高壓排出噴嘴隔開特定之間隔而又連設有至少一個高壓排出噴嘴。
技術方案9之發明係如技術方案1之基板清潔處理裝置,其中於上述水洗區域內配設有將基板於一方向連續地朝水平方向搬送之基板搬送機構,進而於被搬輸送至上述水洗區域內之基板之一側端緣附近靠近基板而配設有第1高壓排出噴嘴,且於基板搬送方向上自該第1高壓排出噴嘴隔開特定之間隔、於所搬送之基板之一側端緣附近靠近基板而又配設有至少一個第2高壓排出噴嘴,自該第1及第2高壓排出噴嘴將高壓之清潔水朝基板之另一側端緣方向或基板搬送方向後方噴出,藉此於基板上形成朝基板之另一側端緣方向流動之液流,並藉由該液流而將基板上之殘留液強制性地排出。
技術方案10之發明係如技術方案9之基板清潔處理裝置,其中於上述水洗區域內,於基板搬送方向上之上述第1及第2高壓排出噴嘴之間,以相對於基板搬送方向而交叉之方式配設有高壓噴嘴,自該高壓噴嘴向基板之主面將清潔水以高壓噴出,藉此堵截基板上之殘留液朝基板搬送方向之前側流動並使基板上之殘留液被清潔水急速置換,於較上述高壓噴嘴更靠基板搬送方向之前側,以相對於基板搬送方向而交叉之方式配設有氣體噴嘴,自該氣體噴嘴向基板之主面,朝正下方向或相對於基板搬送方向而朝斜反方向噴出氣體,藉此阻止基板上之附著液被帶出至上述水洗區域外。
技術方案11之發明係如技術方案10之基板清潔處理裝置,其中上述送液機構係將清潔液輸送至上述第1及第2高壓排出噴嘴以及上述高壓噴嘴;上述控制機構係以如下方式控制上述送液機構:於向上述水洗區域內搬入基板之前,開始進行來自上述第1及第2高壓排出噴嘴以及上述高壓噴嘴之清潔水之噴出,於自上述水洗區域內搬出基板之後,停止進行來自上述第1及第2高壓排出噴嘴以及上述高壓噴嘴之清潔水之噴出。
技術方案12之發明係如技術方案1之基板清潔處理裝置,其中於上述水洗區域及上述直接水洗區域中使用並回收之清潔水之一部分供給至配設於上述置換水洗區域內之上述入口噴嘴、上述高壓噴嘴、及上述高壓排出噴嘴。
技術方案13之發明係如技術方案12之基板清潔處理裝置,其中上述送液機構包括被劃定出第1及第2儲留部之循環水箱,將來自由上述水洗區域劃定之上述水洗處理室之已使用之清潔水回收至該第1儲留部,並將來自由上述直接水洗區域劃定之上述水洗處理室之已使用之清潔水回收至該第2儲留部。
技術方案14之發明係如技術方案1之基板清潔處理裝置,其中於上述水洗處理室內設置有朝與基板搬送方向交叉之方向延伸之第1及第2間隔構件,藉由該第1間隔構件而劃定出上述置換水洗區域與上述水洗區域,並藉由上述第2間隔構件而劃定出上述水洗區域與上述直接水洗區域。
於技術方案1及技術方案2之發明之基板清潔處理裝置中,對已搬入至水洗處理室內所劃定之置換水洗區域內之藥液處理後之基板,自設置於入口附近之入口噴嘴遍及基板之整個寬度方向而噴出清潔水,藉此將基板上之藥液以清潔水稀釋並沖走。通過入口噴嘴之配設位置後殘留於基板上之藥液與清潔水之混合液向前方之流動會因自設置於較入口噴嘴更靠基板搬送方向前側之高壓噴嘴向基板之主面以高壓噴出之清潔水而被堵截。如此於稀釋藥液向前方之流動受到堵截之狀態下使基板向前方移動,故於基板通過高壓噴嘴之配設位置之期間,基板上之藥液會被清潔水急速置換。
又,藉由在較入口噴嘴更靠前側且所搬送之基板之一側端緣附近靠近基板而配設之高壓排出噴嘴,將高壓之清潔水朝基板之另一側端緣方向或基板搬送方向後方噴出,藉此於基板上形成朝基板之另一側端緣方向流動之液流,並藉由該液流而將殘留於基板上之藥液與清潔水之混合液自基板上強制性地排出,且有效阻止向基板搬送方向前方流動。除此之外,藉由自設置於較入口噴嘴更靠基板搬送方向前側之氣體噴嘴向基板之主面噴出之氣體之壓力而堵截基板上之藥液與清潔水之混合液向前方流動。藉由該等入口噴嘴、高壓噴嘴、高壓排出噴嘴及氣體噴嘴之作用而有效阻止藥液附著於基板上並被帶出至置換水洗區域外。
該等一連串之水洗處理係於將基板搬入至置換水洗區域內並於置換水洗區域內朝一方向連續搬送直至自置換水洗區域內搬出為止之較短時間內執行。又,藉由自高壓噴嘴向基板之主面以高壓噴出之清潔水而使基板上之藥液被清潔水急速置換,故使用較小量之清潔水便可效率良好地進行水洗處理。而且,流下至水洗室之內底部之清潔水係由排水機構排出,但由控制機構控制送液機構,藉此於向置換水洗區域內搬入基板之前,開始進行來自入口噴嘴、高壓噴嘴及高壓排出噴嘴之清潔水之噴出,於自置換水洗區域內搬出基板之後,停止進行來自入口噴嘴、高壓噴嘴及高壓排出噴嘴之清潔水之噴出,故可控制清潔水之噴出量及排液量。
因此,使用技術方案1之發明之基板處理裝置後,可大幅節省對藥液處理後之基板進行水洗處理時之純水之使用量,且可減少排液量,另外,可大幅縮短水洗處理時間。
又,藉由被劃定出置換水洗區域、水洗區域及直接水洗區域之單體之水洗處理室而完成藥液處理後之基板之水洗處理,故不必如先前般需要個別‧獨立之置換水洗室、水洗室及直接水洗室之合計3室大小之占地面積,從而可謀求裝置整體之省空間化,進而與3室之整個製造成本相比,可達成製造成本之降低化。
於技術方案3之發明之基板清潔處理裝置中,對已搬入至水洗處理室內之藥液處理後之基板,自狹縫噴嘴之狹縫狀噴出口遍及基板之整個寬度方向而呈簾狀噴出清潔水,藉此可將基板上之藥液以清潔水效率良好地稀釋並沖走。
於技術方案4之發明之基板清潔處理裝置中,自串聯高密度扇形噴霧噴嘴之複數個噴出口向基板之主面以高壓噴出清潔水,藉此可確實堵截殘留於基板上之藥液與清潔水之混合液向前方流動。
於技術方案5之發明之基板清潔處理裝置中,自2流體噴霧噴嘴之複數個噴出口將清潔水以空氣等氣體之壓力水霧化而與氣體一併向基板之主面噴出,藉此可確實堵截殘留於基板上之藥液與清潔水之混合液向前方流動。
於技術方案6之發明之基板清潔處理裝置中,藉由自高壓噴嘴之噴出口將清潔水以高壓噴出而會產生清潔水之水霧,但利用遮罩可防止該水霧飛散。
於技術方案7之發明之基板清潔處理裝置中,藉由水霧吸引裝置而將清潔水之水霧吸引並排出,由此可防止含有藥液之清潔水之水霧再附著於基板上。
於技術方案8之發明之基板清潔處理裝置中,除於所搬送之基板之一側端緣附近靠近基板而配設之高壓排出噴嘴之外,於相對於基板搬送方向而正交之方向上,自該高壓排出噴嘴隔開特定之間隔而又連設有至少一個高壓排出噴嘴,故即便為大尺寸之基板,亦可確實形成朝基板之另一側端緣方向流動之液流,藉由該液流而可將殘留於基板上之藥液與清潔水之混合液自基板上強制性地排出。
於技術方案9之發明之基板清潔處理裝置中,自第1及第2高壓排出噴嘴朝結束置換水洗處理並已搬入至水洗區域內之基板之另一側端緣方向或基板搬送方向後方噴出高壓之清潔水,藉此於基板上形成朝基板之另一側端緣方向流動之液流,藉由該液流而將基板上之殘留液強制性地排出並有效阻止向基板搬送方向前方流動。
於技術方案10之發明之基板清潔處理裝置中,藉由自第1高壓排出噴嘴朝基板之另一側端緣方向或基板搬送方向後方噴出之清潔水而形成朝基板之另一側端緣方向流動之液流,藉由該液流而將經置換水洗處理後之基板上之殘留液自基板上強制性地排出且有效阻止向基板搬送方向前方流動。使基板W通過第1高壓排出噴嘴之配設位置後,繼而,自高壓噴嘴將高壓之清潔水向基板之上表面噴出,並藉由自該高壓噴嘴噴出之清潔水所形成之水之壁而堵截通過第1高壓排出噴嘴之配設位置後仍殘留於基板上之殘留液向前方流動。如此於殘留液向前方之流動受到堵截之狀態下使基板向前方移動,故於基板通過高壓噴嘴之配設位置之期間,基板W上之殘留液會被清潔水急速置換。繼而,於基板通過高壓噴嘴之配設位置之後,藉由自配設於基板W之一側端緣附近之第2高壓排出噴嘴之噴出口朝基板之另一側端緣方向或基板搬送方向後方噴出之清潔水,形成朝基板之另一側端緣方向流動之液流,藉由該液流而將殘留液自基板上強制性地排出且有效阻止向基板搬送方向前方流動。
而且,於自水洗區域內搬出基板之前,自氣體噴嘴向基板之主面噴出氣體,並藉由該噴出之氣體之壓力而堵截基板上之附著液朝基板搬送方向前方流動,有效阻止基板上之附著液被帶出至水洗區域外。
於技術方案11之發明之基板清潔處理裝置中,藉由控制機構以如下方式控制送液機構:於向水洗區域內搬入基板之前,開始進行來自第1及第2高壓排出噴嘴以及高壓噴嘴之清潔水之噴出,於自水洗區域內搬出基板之後,停止進行來自第1及第2高壓排出噴嘴以及高壓噴嘴之清潔水之噴出,於向水洗區域內未搬入基板時停止進行清潔水之噴出,故可使清潔水之使用量更少。
於技術方案12及13之發明之基板清潔處理裝置中,可提高純水之利用效率。
於技術方案14之發明之基板清潔處理裝置中,藉由適當選擇第1及第2間隔構件之基板搬送方向之設置位置,而可分別簡易地設定水洗處理室內之基板搬送方向之置換水洗區域、水洗區域、及直接水洗區域之長度尺寸,且可將來自水洗區域及直接水洗區域之已使用之清潔水向循環水箱之第1及第2儲留部中之回收量及濃度設定為所需之值。
以下,一面參照圖式一面說明本發明之實施形態。
圖1表示本發明之實施形態之一例,其係模式性表示基板清潔處理裝置200者。再者,對於與圖11中所示之構成要素及構件相同或對應之構成要素及構件,於圖1中亦使用相同之符號。
該基板清潔處理裝置200係由配置於藥液處理部1(僅圖示一部分)之後段側之水洗處理室10、循環水箱116等所構成,於水洗處理室10之後段側,設置有乾燥處理部(未圖示)。
水洗處理室10係於基板搬送方向被依序劃定出置換水洗區域201、水洗區域202、及直接水洗區域203。
於置換水洗區域201與水洗區域202之邊界部、及水洗區域202與直接水洗區域203之邊界部上,分別遍及水洗處理室10之底部之寬度方向(與基板搬送方向交叉之方向)之整個幅寬而延伸設置有具有與基板搬送路不干擾之高度的間隔板118及120。
於置換水洗區域201內設置有:複數個搬送輥(未圖示),其係將通過水洗處理室10之設置於藥液處理部1之藥液處理室38側之基板搬入口12並已搬入至水洗處理室10之置換水洗區域201內之藥液處理後的基板W,以相對於水平面朝與基板搬送方向正交之方向傾斜之姿勢(使基板W之近前側變低)而支持,並於置換水洗區域201內將該基板W於一方向連續地朝水平方向搬送;及下部噴霧噴嘴20,其配設於基板搬送路之下方,以便向於置換水洗區域201內朝水平方向搬送之基板W之下表面噴出清潔水;進而,於水洗處理室10之置換水洗區域201內之基板搬入口12附近配設有入口噴嘴16,於較該入口噴嘴16更靠基板搬送方向前側配設有高壓噴嘴18,於較該高壓噴嘴18更靠基板搬送方向前側配設有強制排出噴嘴100。進而,於較強制排出噴嘴100更靠基板搬送方向前側且較間隔板118更靠基板搬送方向後方側,夾持基板搬送路而配設有上下一對空氣噴嘴22、22。
基板W於置換水洗區域201內不往復移動或暫時停止而藉由搬送輥以例如9 m/min~20 m/min之高速搬送。又,基板W係於基板搬送方向上空開例如1片左右之間隔而依次被搬入至置換水洗區域201內。於由置換水洗區域201劃定之水洗處理室10之底部,設置有用以將流下至置換水洗區域201之內底部之已使用之清潔水排出的排液路24。於置換水洗區域201中使用後之清潔水會全部透過排液路24而排出。又,於由置換水洗區域201劃定之水洗處理室10之頂棚部,設置有用以自置換水洗區域201內排出含有清潔水之水霧之空氣的排氣管90。
入口噴嘴16係由具有沿其長度方向之狹縫狀噴出口之狹縫噴嘴所構成。該入口噴嘴16係以與基板W之上表面平行且與基板搬送方向正交之方式而配置,並設置成自鉛垂方向朝斜前方傾斜。而且,自入口噴嘴16之狹縫狀噴出口,將清潔水向已搬入至置換水洗區域201內之基板W之上表面並遍及基板W之整個寬度方向而呈簾狀、且朝相對於其正下方向而向基板搬送方向之前側傾斜之方向噴出。再者,亦可取代狹縫噴嘴,使用將許多微小噴出口沿長度方向設置成一行之噴嘴,自該噴嘴之許多微小噴出口並遍及基板W之整個寬度方向而噴出清潔水。
作為高壓噴嘴18,例如圖2中自基板搬送方向之前側觀察之模式前視圖所示,使用串聯高密度扇形噴霧噴嘴18a,其係於相對於基板搬送方向而交叉之方向所配置之噴霧管92a上,沿其長度方向將複數個噴嘴部94a相互靠近地設置成一行,並自該各噴嘴部94a之噴出口分別呈扇狀以高壓噴出清潔水。於該串聯高密度扇形噴霧噴嘴18a之噴霧管92a上,如下所述,連通連接有清潔水供給路30,其中插設有與循環水箱116連通連接之送液泵32。串聯高密度扇形噴霧噴嘴18a係設置於例如自其噴嘴部94a之噴出口至基板W上表面為止之距離成為10 mm~300 mm之高度位置處,複數個噴嘴部94a係以例如20 mm~200 mm之間距而設置。如此之高壓噴嘴18係以與基板W之上表面平行、且相對於基板搬送方向正交之方式而配置,或者相對於與基板搬送方向正交之方向而朝斜方向配置(相對於入口噴嘴16而朝近前側打開之方向傾斜配置)。自該高壓噴嘴18之噴出口向所搬送之基板W之上表面,將高壓、例如0.3 MPa壓力之清潔水遍及基板W之整個寬度方向而噴出。
再者,亦可取代串聯高密度扇形噴霧噴嘴18a而使用具有相同作用之高壓噴嘴。例如圖3中自基板搬送方向之前側觀察之模式前視圖所示,可使用2流體噴霧噴嘴18b,其係於相對於基板搬送方向而交叉之方向所配置之2流體噴霧集管92b上,沿其長度方向將複數個2流體噴嘴部94b相互靠近地設置成一行,並自該各2流體噴嘴部94b之噴出口分別將清潔水利用空氣等氣體之壓力進行水霧化而噴出。於該2流體噴霧噴嘴18b之2流體噴霧集管92b上,連通連接有清潔水供給路30,且連通連接有例如與空氣供給源進行流路連接之空氣供給路96。2流體噴霧噴嘴18b係設置於例如自該2流體噴嘴部94b之噴出口至基板W上表面為止之距離成為10 mm~100 mm的高度位置處,複數個2流體噴嘴部94b係以例如20 mm~100 mm之間距而設置。
又,於高壓噴嘴18上,亦可附設有用以防止自其噴出口噴出之清潔水之水霧飛散的遮罩26。進而,亦可排列設置有水霧吸引裝置,其使排氣管28連通連接於遮罩26,將清潔水之水霧透過該排氣管28及遮罩26而真空吸引並排出。
作為強制排出噴嘴100,例如圖4及圖5中模式俯視圖及立體圖所示,其係於所搬送之基板W之一側端緣附近,自基板起離開接近之距離H、例如10 mm~50 mm之距離H而設置,並設定成使其噴出口相對於基板搬送方向之直角方向而成銳角,例如為0~60°、較佳為45°之角度。而且,自該強制排出噴嘴100將高壓、例如0.1~0.5 MPa、較佳為0.3 MPa之壓力之清潔水朝基板W之另一側端緣方向或基板搬送方向後方噴出。
再者,於基板W之尺寸為大型時,亦可取代於所搬送之基板W之一側端緣附近僅設置1個該強制排出噴嘴100之構成,如圖6中模式俯視圖所示,於相對於基板搬送方向而正交之方向(基板W之寬度方向)上,隔開特定之間隔而連設複數個強制排出噴嘴100(圖6所示之例中為3個)。
下部噴霧噴嘴20係沿基板搬送方向且相互平行地分別設置有複數個,於下部噴霧噴嘴20上,將複數個噴出口於基板搬送方向上設置成一行。自該下部噴霧噴嘴20向所搬送之基板W之下表面噴出清潔水,水洗基板W之下表面側。
於循環水箱116之底部,遍及其寬度方向(關於圖1之紙面之直角方向)之整個幅寬而延伸設置有具有特定高度之間隔板122,藉由該間隔板122而將循環水箱116內劃定出儲留部116a與儲留部116b之2個儲留部。
於由水洗區域202劃定之水洗處理室10之底部,設置有用以將流下至水洗區域202之內底部之已使用之清潔水排出的循環排水路64,循環排水路64係連通連接於循環水箱116之儲留部116a。又,於循環水箱116之儲留部116a上,連通連接有與純水(新水)之供給源進行流路連接之純水供給路68。
於下部噴霧噴嘴20以及入口噴嘴16、高壓噴嘴18及強制排出噴嘴100上,分別流路連接有與循環水箱116之儲留部116a進行連通連接之清潔水供給路30,於清潔水供給路30中插設有送液泵32。而且,以如下方式構成流路:自循環水箱116之儲留部116a內透過清潔水供給路30而向入口噴嘴16、高壓噴嘴18、強制排出噴嘴100及下部噴霧噴嘴20分別供給清潔水。
於藥液處理室38內之入口附近配設有未圖示之基板位置感測器,藉由該基板位置感測器而檢測基板W之前端位置,並將檢測信號輸出至控制電路108。控制電路108係以如下方式進行程式控制:自接收到檢測信號之時間點起經過固定時間後(基板W之前端通過藥液處理室38之出口之前),驅動送液泵32並開始向各噴嘴16、18、100、20噴出清潔水。
又,於較強制排出噴嘴100更靠基板搬送方向前側、且較空氣噴嘴22更靠基板搬送方向後方側,配設有檢測基板W之後端位置之基板位置感測器104。自基板位置感測器104輸出之檢測信號被輸入至控制電路108,並根據該檢測信號而自控制電路108向送液泵32輸出控制信號,停止向各噴嘴16、18、100、20噴出清潔水。即,藉由控制電路108而以如下方式控制送液泵32之送液動作:於向置換水洗區域201內未搬入基板W之時,自入口噴嘴16、高壓噴嘴18、強制排出噴嘴100及下部噴霧噴嘴20不噴出清潔水,於向置換水洗區域201內即將搬入基板W之前,開始進行來自各噴嘴16、18、100、20之清潔水之噴出,其後,直至自置換水洗區域201內搬出基板W為止之期間,自各噴嘴16、18、100、20繼續噴出清潔水,於自置換水洗區域201內搬出基板W之後,停止進行來自各噴嘴16、18、100、20之清潔水之噴出。
上下一對空氣噴嘴22、22係以與傾斜姿勢之基板W之上、下表面分別平行、且近前側向相對於與基板搬送方向正交之方向而打開之方式傾斜配置。於該空氣噴嘴22上,連通連接有與空氣供給源進行流路連接之空氣供給管34,自空氣噴嘴22向基板W之上、下兩表面,相對於基板搬送方向而朝斜反方向或朝正下方向噴出空氣(逆向空氣)。再者,亦可取代空氣而向基板W之各面噴出其他氣體,例如氮氣等。
包括上述構成之置換水洗區域201中,於將藥液處理室38中剛進行藥液處理後之基板W搬入至水洗處理室10之置換水洗區域201內後,首先,自入口噴嘴16之狹縫狀噴出口向基板W之上表面遍及其整個寬度方向而呈簾狀噴出清潔水。如圖7中模式側視圖所示,藉由自該入口噴嘴16呈簾狀噴出之清潔水A而稀釋基板W上之藥液,自基板W上沖走藥液B之一部分。繼而,自高壓噴嘴18之噴出口將高壓之清潔水向基板W之上表面噴出。如圖7所示,藉由自該高壓噴嘴18噴出之清潔水A所形成之水之壁而堵截通過入口噴嘴16之配設位置後殘留於基板W上之藥液與清潔水之混合液C向前方流動。如此於藥液與清潔水之混合液C向前方之流動受到堵截之狀態下使基板W向前方移動,故於基板W通過高壓噴嘴18之配設位置之期間,基板W上之藥液會被清潔水急速置換。又,於此期間,自下部噴霧噴嘴20之噴出口對基板W之下表面連續噴出清潔水,水洗基板W之下表面。
如圖8中模式側視圖、圖9中模式俯視圖所示,於通過高壓噴嘴18之配設位置後之基板W上,殘留有自混合液C漏出之混合液E(由清潔水A所形成之水之壁無法徹底堵截,混入有微量藥液成分之混合液)。此處,藉由自配設於基板W之一側端緣附近之強制排出噴嘴100之噴出口朝基板W之另一側端緣方向或基板搬送方向後方噴出之清潔水A(圖9中以圖示之細箭形符號表示),形成朝基板W之另一側端緣方向流動之液流(圖9中以圖示之粗箭形符號表示)。藉由該液流而將混合液E自基板W上強制性地排出,且有效阻止向基板搬送方向前方流動。
而且,於自置換水洗區域201內搬出基板W之前,自上、下一對空氣噴嘴22、22向基板W之上下兩表面分別噴吹空氣。如圖10中模式側視圖所示,藉由自該一對空氣噴嘴22、22向基板W之上下兩表面噴出之空氣D之壓力而堵截附著於基板W之上、下表面之附著液F向基板搬送方向前方流動,有效阻止藥液附著於基板W上並被帶出至置換水洗區域201外。
以上一連串之置換水洗處理係以將基板W搬入至置換水洗區域201內並於置換水洗區域201內朝一方向連續搬送直至自置換水洗區域201內搬出為止之較短時間、例如15秒~20秒之時間而進行。又,藉由自高壓噴嘴18向基板W之上表面以高壓噴出之清潔水而使基板W上之藥液被清潔水急速置換,故使用較小量之清潔水便可效率良好地進行水洗處理。又,藉由自強制排出噴嘴100噴出之清潔水所形成之液流而將基板W上之混合液E自基板W上強制性地排出,且有效阻止向基板搬送方向前方流動,因此可減少藥液向置換水洗區域201外之帶出量。進而,於向置換水洗區域201內未搬入基板W之時停止進行清潔水之噴出,因此可使清潔水之使用量更少。而且,由於可有效阻止藥液殘留於基板W上並被帶出至置換水洗區域201外,故可降低下述之於水洗區域202內用於進行基板W之水洗後之清潔水之污染。從而會提高水洗區域202中使用過之清潔水之循環使用率,由此可進一步節減純水使用量。
再者,於基板搬送方向上,並未依序固定而配設有高壓噴嘴18、強制排出噴嘴100、及空氣噴嘴22,亦可將該等噴嘴於基板搬送方向上之配設順序相互調換。
於水洗區域202內設置有:複數個搬送輥(未圖示),其係將自置換水洗區域201已搬入至水洗區域202內之置換水洗處理後之基板W,以相對於水平面朝與基板搬送方向正交之方向傾斜之姿勢(使基板W之近前側變低)而支持,並於水洗區域202內將基板W於一方向連續地朝水平方向搬送;及下部噴霧噴嘴62,其配設於基板搬送路之下方,以便向於水洗區域202內朝水平方向搬送之基板W之下表面噴出清潔水;進而,於較間隔板118側更靠基板搬送方向前側之水洗處理室10之水洗區域202內,配設有第1個強制排出噴嘴100,於較該強制排出噴嘴100更靠基板搬送方向前側配設有高壓噴嘴18,於較該高壓噴嘴18更靠基板搬送方向前側配設有第2個強制排出噴嘴100。又,於較第2個強制排出噴嘴100更靠基板搬送方向前側且較間隔板120更靠基板搬送方向後方側,夾持基板搬送路而配設有上下一對空氣噴嘴22、22,於該空氣噴嘴22、22上,連通連接有與空氣供給源進行流路連接之空氣供給管36。
與置換水洗區域201同樣地,2個強制排出噴嘴100、100係於所搬送之基板W之一側端緣附近,自基板起空出接近之距離H、例如10 mm~50 mm之距離H而設置,並設定成使其噴出口相對於基板搬送方向之直角方向而成銳角,例如為0~60°、較佳為45°之角度。而且,自該強制排出噴嘴100將高壓、例如0.1~0.5 MPa、較佳為0.3 MPa之壓力之清潔水朝基板W之另一側端緣方向或基板搬送方向後方噴出。
配設於該水洗區域202內之高壓噴嘴18、空氣噴嘴22、22之各構成係與配設於置換水洗區域201內之高壓噴嘴18、空氣噴嘴22、22之各構成為相同,且下部噴霧噴嘴62之構成亦與配設於置換水洗區域201內之下部噴霧噴嘴20之構成為相同。再者,視情形,亦可代替將空氣噴嘴22設置成上下一對,省略下噴嘴22而僅設置上噴嘴22。
基板W於水洗區域202內不往復移動或暫時停止而藉由搬送輥以例如9 m/min~20 m/min之高速搬送。又,基板W係於基板搬送方向上空開例如1片左右之間隔而依次被搬入至水洗區域202內。
於下部噴霧噴嘴62以及強制排出噴嘴100、100及高壓噴嘴18上,分別流路連接有與循環水箱116之儲留部116b進行連通連接之清潔水供給路80,於清潔水供給路80中插設有送液泵78。而且,以如下方式構成流路:自循環水箱116之儲留部116b內透過清潔水供給路80而向高壓噴嘴18、強制排出噴嘴100、100及下部噴霧噴嘴62分別供給清潔水。
又,於由直接水洗區域203劃定之水洗處理室10之底部,設置有用以將流下至直接水洗區域203之內底部之已使用之清潔水排出的清潔水供給路72,該清潔水供給路72係連通連接於循環水箱116之儲留部116b,於儲留部116b上,連通連接有與純水(新水)之供給源進行流路連接之純水供給路69。儲留於儲留部116b內之清潔水可藉由其液面上升並自間隔板122之頂部122a溢流而供給至儲留部116a內,可於置換水洗區域201內之置換水洗處理中使用。藉由變更該間隔板122之高度尺寸及/或循環水箱116之長度方向之間隔板122之配置位置而可變更自儲留部116b內向儲留部116a內溢流之清潔液之量、以及儲留於儲留部116a內之清潔液之濃度。
藉由配設於藥液處理室38內之入口附近之未圖示之基板位置感測器而檢測基板W之前端位置,並將檢測信號輸出至控制電路108。控制電路108係以如下方式進行程式控制:自接收到檢測信號之時間點起經過固定時間後(基板W之前端到達水洗區域202內之2個強制排出噴嘴100中的基板搬送方向後方側之噴嘴100之配設位置之前),驅動送液泵78而開始向各噴嘴18、100、100、62噴出清潔水。
又,於較水洗區域202內之2個強制排出噴嘴100中之基板搬送方向前側之噴嘴100更靠基板搬送方向前側、且較空氣噴嘴22更靠基板搬送方向後方側,配設有檢測基板W之後端位置之基板位置感測器106。自基板位置感測器106輸出之檢測信號被輸入至控制電路108,並根據該檢測信號而自控制電路108向送液泵78輸出控制信號,停止向各噴嘴18、100、100、62噴出清潔水。即,藉由控制電路108而以如下方式控制送液泵78之送液動作:於向水洗區域202內未搬入基板W之時,自高壓噴嘴18、強制排出噴嘴100、100及下部噴霧噴嘴62不噴出清潔水,於向水洗區域202內即將搬入基板W之前,開始進行來自各噴嘴噴嘴18、100、100、62之清潔水之噴出,其後,直至自水洗區域202內搬出基板W為止之期間,自各噴嘴18、100、100、62繼續噴出清潔水,於自水洗區域202內搬出基板W之後,停止進行來自各噴嘴18、100、100、62之清潔水之噴出。
包括上述構成之水洗區域202中,於將置換水洗區域201中剛進行置換水洗處理後之基板W搬入至水洗處理室10之水洗區域202內後,藉由自配設於基板W之一側端緣附近之第1個(基板搬送方向後方側之)強制排出噴嘴100之噴出口朝基板W之另一側端緣方向或基板搬送方向後方噴出之清潔水,形成朝基板W之另一側端緣方向流動之液流。藉由該液流,將置換水洗區域201中經置換水洗處理後之基板W上之殘留液自基板上強制性地排出,且有效阻止向基板搬送方向前方流動。
於使基板W通過第1個強制排出噴嘴100之配設位置後,繼而,自高壓噴嘴18之噴出口將高壓之清潔水向基板W之上表面噴出。藉由自該高壓噴嘴18噴出之清潔水所形成之水之壁而堵截通過第1個強制排出噴嘴100之配設位置後仍殘留於基板W上之殘留液向前方流動。如此於殘留液向前方之流動受到堵截之狀態下使基板W向前方移動,故於基板W通過高壓噴嘴18之配設位置之期間,基板W上之殘留液會被清潔水急速置換。又,於此期間,對基板W之下表面自下部噴霧噴嘴62之噴出口連續噴出清潔水,水洗基板W之下表面。
繼而,於基板W通過高壓噴嘴18之配設位置之後,藉由自配設於基板W之一側端緣附近之第2個(基板搬送方向前側之)強制排出噴嘴100之噴出口朝基板W之另一側端緣方向或基板搬送方向後方噴出之清潔水,形成朝基板W之另一側端緣方向流動之液流。藉由該液流而將殘留液自基板W上強制性地排出,且有效阻止向基板搬送方向前方流動。
而且,於自水洗區域202內搬出基板W之前,自上、下一對空氣噴嘴22、22向基板W之上下兩表面分別噴吹空氣。藉由自該一對空氣噴嘴22、22向基板W之上下兩表面噴出之空氣D之壓力而堵截附著於基板W之上、下表面之附著液向基板搬送方向前方流動,有效阻止藥液附著於基板W上並被帶出至水洗區域202外。
以上一連串之水洗處理係以將基板W搬入至水洗區域202內並於水洗區域202內朝一方向連續搬送直至自水洗區域202內搬出為止之較短時間、例如15~30秒之時間而進行。又,藉由自高壓噴嘴18向基板W之上表面以高壓噴出之清潔水而使基板W上之殘留液被清潔水急速置換,故使用較小量之清潔水便可效率良好地進行水洗處理。又,藉由自強制排出噴嘴100噴出之清潔水所形成之液流而將基板W上之殘留液自基板W上強制性地排出,且有效阻止向基板搬送方向前方流動,因此可減少殘留液向水洗區域202外之帶出量。進而,於向水洗區域202內未搬入基板W之時停止進行清潔水之噴出,因此可使清潔水之使用量更少。而且,由於可有效阻止基板W上之殘留液被帶出至水洗區域202外,故可降低下述之於直接水洗區域203內用於進行基板W之直接水洗後之清潔水之污染。從而會提高直接水洗區域203中使用過之清潔水之循環使用率,而且由此可進一步節減純水使用量。
再者,於基板搬送方向上,亦可取代隔著高壓噴嘴18配設2個強制排出噴嘴100,而是不配設高壓噴嘴18,於基板搬送方向上隔開特定間隔而連設3個以上之強制排出噴嘴100。
於直接水洗區域203內設置有:複數個搬送輥(未圖示),其係將自水洗區域202已搬入至直接水洗區域203內之水洗處理後之基板W,以相對於水平面朝與基板搬送方向正交之方向傾斜之姿勢(使基板W之近前側變低)而支持,並於直接水洗區域203內將基板W於一方向連續地朝水平方向搬送;以及上部噴霧噴嘴86及下部噴霧噴嘴88,其等係向於直接水洗區域203內朝水平方向搬送之基板W之上、下兩表面分別噴出清潔水。上部噴霧噴嘴86及下部噴霧噴嘴88係沿基板搬送方向且相互平行地設置有複數個,於各噴霧噴嘴86、88上,將複數個噴出口於基板搬送方向上設置成一行。於上部噴霧噴嘴86及下部噴霧噴嘴88上,連通連接有與純水(新水)之供給源進行流路連接之純水供給路89,於該直接水洗區域203中之水洗處理中,未使用使已使用之純水循環而得之清潔水。
基板W於直接水洗區域203內不往復移動或暫時停止而藉由搬送輥以例如9 m/min~20 m/min之高速搬送。又,基板W係於基板搬送方向上空開例如1片左右之間隔而依次被搬入至直接水洗區域203內。
於直接水洗區域203內結束直接水洗處理之基板W會藉由搬送輥而通過直接水洗區域203之基板搬出口後被搬輸送至設置於直接水洗區域203之後段側之乾燥處理部(未圖示),進行乾燥處理。
包括上述構成之基板清潔處理裝置中,藉由以間隔板118及120劃定出置換水洗區域201、水洗區域202及直接水洗區域203之單體之水洗處理室10而完成藥液處理後之基板之水洗處理,故不必如先前般需要個別‧獨立之置換水洗室、水洗室及直接水洗室之合適的3室大小之占地面積,從而可謀求裝置整體之省空間化,進而與3室之整個製造成本相比,可達成製造成本之降低化。
再者,藉由適當選擇間隔板118及120於水洗處理室10內之基板搬送方向之設置位置,可將水洗處理室10內之基板搬送方向之置換水洗區域201、水洗區域202及直接水洗區域203之長度尺寸分別簡易設定為所需之尺寸,且可將來自水洗區域202及直接水洗區域203之已使用之清潔水向循環水箱116之儲留部116a及116b中之回收量及濃度設定為所需之值。
又,於上述實施形態中,將基板W以傾斜姿勢支持並於置換水洗區域201、水洗區域202、直接水洗區域203之各區域內朝水平方向搬送基板W,但亦可將基板以水平姿勢支持並進行搬送。
再者,本發明係可廣泛應用於進行除抗蝕劑剝離處理或蝕刻處理之外之各種藥液處理後之基板之水洗處理。
1...藥液處理部
3...第2水洗部
4...直接水洗部
5...置換水洗部(第1水洗部)
10...水洗處理室
12...基板搬入口
16...入口噴嘴
18...高壓噴嘴
18a...串聯高密度扇形噴霧噴嘴
18b...2流體噴霧噴嘴
20、50、62、88...下部噴霧噴嘴
22...空氣噴嘴
24、52...排液路
26...遮罩
28...排氣管
30、72、80...清潔水供給路
32、78...送液泵
34、36...空氣供給管
38...藥液處理室
40...置換水洗室(第1水洗室)
42、56...基板搬入口
44、58...基板搬出口
46...入口狹縫噴嘴
48、60、86...上部噴霧噴嘴
54...第2水洗室
64...循環排水路
66、116...循環水箱
68、69、89...純水供給路
70...直接水洗室
74...送液泵
76...清潔水供給路
82...排水路
84...三方切換閥
90...排氣管
92a...噴霧管
92b...2流體噴霧集管
94a...噴嘴部
94b...2流體噴嘴部
96...空氣供給路
100...強制排出噴嘴
104、106...基板位置感測器
108...控制電路
116a、116b...儲留部
118、120、122...間隔板
122a...頂部
200、300...基板清潔處理裝置
201...置換水洗區域
202...水洗區域
203...直接水洗區域
A...清潔水
B...藥液
C...混合液
D...空氣
E...混合液
F...附著液
H...距離
W...基板
圖1表示本發明之實施形態之一例,其係模式性表示基板清潔處理裝置之概略構成圖。
圖2係表示高壓噴嘴之一例之圖,其係自基板搬送方向之前側觀察串聯高密度扇形噴霧噴嘴之模式前視圖。
圖3係表示高壓噴嘴之一例之圖,其係自基板搬送方向之前側觀察2流體噴霧噴嘴之模式前視圖。
圖4係強制排出噴嘴之模式俯視圖。
圖5係強制排出噴嘴之模式立體圖。
圖6係表示連設於基板之寬度方向上之複數個強制排出噴嘴之模式俯視圖。
圖7係表示置換水洗區域之處理狀況之模式側視圖。
圖8係表示置換水洗區域之處理狀況之模式側視圖。
圖9係表示置換水洗區域之處理狀況之模式側視圖。
圖10係表示置換水洗區域之處理狀況之模式側視圖。
圖11係模式性表示先前之基板清潔處理裝置之構成例之概略構成圖。
1...藥液處理部
10...水洗處理室
12...基板搬入口
16...入口噴嘴
18...高壓噴嘴
20、62、88...下部噴霧噴嘴
22...空氣噴嘴
24...排液路
26...遮罩
28...排氣管
30、72、80...清潔水供給路
32、78...送液泵
34、36...空氣供給管
38...藥液處理室
64...循環排水路
68、69、89...純水供給路
86...上部噴霧噴嘴
90...排氣管
100...強制排出噴嘴
104、106...基板位置感測器
108...控制電路
116...循環水箱
116a、116b...儲留部
118、120、122...間隔板
122a...頂部
200...基板清潔處理裝置
201...置換水洗區域
202...水洗區域
203...直接水洗區域
W...基板

Claims (14)

  1. 一種基板清潔處理裝置,其特徵在於包括:水洗處理室,其於基板搬送方向上依序被劃定出置換水洗區域、水洗區域、及直接水洗區域,對藥液處理後之基板進行水洗處理:基板搬送機構,其配設於上述置換水洗區域內,將基板於一方向連續地朝水平方向搬送;及清潔水供給機構,其將清潔水供給至藉由上述基板搬送機構所搬送之基板之主面;上述清潔水供給機構包含以下部分而構成:入口噴嘴,其於上述置換水洗區域內之入口附近配設成相對於基板搬送方向而交叉,將清潔水遍及基板之整個寬度方向而噴出至基板之主面;高壓噴嘴,其於較上述入口噴嘴更靠基板搬送方向之前側配設成相對於基板搬送方向而交叉,將清潔水以高壓噴出至基板之主面,以堵截基板上之藥液與清潔液之混合液朝基板搬送方向之前側流動而使基板上之藥液被清潔水急速置換;高壓排出噴嘴,其於上述置換水洗區域內較上述入口噴嘴更靠基板搬送方向之前側、且所搬送之基板之一側端緣附近靠近基板而配設,將高壓之清潔水朝基板之另一側端緣方向或基板搬送方向後方噴出,藉此於基板上形成朝基板之另一側端緣方向流動之液流,藉由該液流而將殘留於基板上之藥液與清潔水之混合液自基板上強制性地排出;送液機構,其將清潔液輸送至上述入口噴嘴、上述高壓噴嘴、及上述高壓排出噴嘴;及控制機構,其以如下方式控制上述送液機構:於向上述置換水洗區域內搬入基板之前,開始進行來自上述入口噴嘴、上述高壓噴嘴及上述高壓排出噴嘴之清潔水之噴出,於自上述置換水洗區域內搬出基板之後,停止進行來自上述入口噴嘴、上述高壓噴嘴及上述高壓排出噴嘴之清潔水之噴出;該基板清潔處理裝置進而包含:氣體噴嘴,其於較上述入口噴嘴更靠基板搬送方向之前側配設成相對於基板搬送方向而交叉,向基板之主面朝正下方向或相對於基板搬送方向而朝斜反方向噴出氣體,以阻止藥液與清潔液之混合液附著於基板上並被帶出至置換水洗區域外;及排水機構,其將流下至上述置換水洗區域之內底部之清潔水排出。
  2. 如請求項1之基板清潔處理裝置,其中上述入口噴嘴、上述高壓噴嘴、上述高壓排出噴嘴及上述氣體噴嘴係依序配設於基板搬送方向上。
  3. 如請求項1或2之基板清潔處理裝置,其中上述入口噴嘴係狹縫噴嘴,其具有沿長度方向之狹縫狀噴出口,自該狹縫狀噴出口將清潔水向基板之主面,朝相對於正下方向而向基板搬送方向之前側傾斜之方向呈簾狀噴出。
  4. 如請求項1之基板清潔處理裝置,其中上述高壓噴嘴係串聯高密度扇形噴霧噴嘴,其具有相互靠近地排列設置於相對於基板搬送方向而交叉之方向上之複數個噴出口,自各噴出口將清潔水分別呈扇狀以高壓噴出。
  5. 如請求項1之基板清潔處理裝置,其中上述高壓噴嘴係2流體噴霧噴嘴,其具有相互靠近地排列設置於相對於基板搬送方向而交叉之方向上之複數個噴出口,自各噴出口分別將清潔水以氣體之壓力進行水霧化而噴出。
  6. 如請求項1之基板清潔處理裝置,其中於上述高壓噴嘴上,附設有用以防止自其噴出口噴出之清潔水之水霧飛散之遮罩。
  7. 如請求項6之基板清潔處理裝置,其中排列設置有將清潔水之水霧透過上述遮罩而吸引並排出之水霧吸引裝置。
  8. 如請求項1之基板清潔處理裝置,其中於相對於基板搬送方向而正交之方向上,自上述高壓排出噴嘴隔開特定之間隔而又連設有至少一個高壓排出噴嘴。
  9. 如請求項1之基板清潔處理裝置,其中於上述水洗區域內配設有將基板於一方向連續地朝水平方向搬送之基板搬送機構,進而於被搬輸送至上述水洗區域內之基板之一側端緣附近靠近基板而配設有第1高壓排出噴嘴,且於基板搬送方向上自該第1高壓排出噴嘴隔開特定之間隔、於所搬送之基板之一側端緣附近靠近基板而又配設有至少一個第2高壓排出噴嘴,自該第1及第2高壓排出噴嘴將高壓之清潔水朝基板之另一側端緣方向或基板搬送方向後方噴出,藉此於基板上形成朝基板之另一側端緣方向流動之液流,藉由該液流而將基板上之殘留液強制性地排出。
  10. 如請求項9之基板清潔處理裝置,其中於上述水洗區域內,於基板搬送方向上之上述第1及第2高壓排出噴嘴之間,以相對於基板搬送方向而交叉之方式配設有高壓噴嘴,自該高壓噴嘴向基板之主面將清潔水以高壓噴出,藉此堵截基板上之殘留液朝基板搬送方向之前側流動而使基板上之殘留液被清潔水急速置換,於較上述高壓噴嘴更靠基板搬送方向之前側,以相對於基板搬送方向而交叉之方式配設有氣體噴嘴,自該氣體噴嘴向基板之主面,朝正下方向或相對於基板搬送方向而朝斜反方向噴出氣體,藉此阻止基板上之附著液被帶出至上述水洗區域外。
  11. 如請求項10之基板清潔處理裝置,其中上述送液機構係將清潔液輸送至上述第1及第2高壓排出噴嘴以及上述高壓噴嘴;上述控制機構係以如下方式控制上述送液機構:於向上述水洗區域內搬入基板之前,開始進行來自上述第1及第2高壓排出噴嘴以及上述高壓噴嘴之清潔水之噴出,於自上述水洗區域內搬出基板之後,停止進行來自上述第1及第2高壓排出噴嘴以及上述高壓噴嘴之清潔水之噴出。
  12. 如請求項1之基板清潔處理裝置,其中將於上述水洗區域及上述直接水洗區域中使用並回收之清潔水之一部分供給至配設於上述置換水洗區域內之上述入口噴嘴、上述高壓噴嘴、及上述高壓排出噴嘴。
  13. 如請求項12之基板清潔處理裝置,其中上述送液機構包括被劃定出第1及第2儲留部之循環水箱,將來自由上述水洗區域劃定之上述水洗處理室之已使用之清潔水回收至該第1儲留部,將來自由上述直接水洗區域劃定之上述水洗處理室之已使用之清潔水回收至該第2儲留部。
  14. 如請求項1之基板清潔處理裝置,其中於上述水洗處理室內設置有朝與基板搬送方向交叉之方向延伸之第1及第2間隔構件,藉由該第1間隔構件而劃定出上述置換水洗區域與上述水洗區域,並藉由上述第2間隔構件而劃定出上述水洗區域與上述直接水洗區域。
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