JPH0410689Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案は、水平に支持した半導体ウエーハに、
化学処理液や純水等の薬液によつて化学処理や洗
浄等の薬液処理を行なう半導体製造装置に関する
ものである。

従来の技術 半導体製造ラインにおいては、半導体ウエーハ
に化学処理液や純水等の薬液を用いて化学処理や
洗浄等の薬液処理を行なう工程があり、近年では
半導体ウエーハの大径化、重量化に伴つて、半導
体ウエーハを１枚毎処理する所謂枚葉処理が行な
われている。

上記の薬液処理工程では、第４図に示すよう
に、略水平に配置されたターンテーブル１上に半
導体ウエーハＷを載置し、この半導体ウエーハＷ
表面に上記の薬液２を供給する。尚、この薬液２
は処理効果を向上させるため、貯留タンク〔図示
せず〕内で予め所望の温度、例えば60℃に昇温さ
れており、この状態の薬液が適宜の配管を経て供
給される。

半導体ウエーハＷ上に供給された上記の薬液２
は、半導体ウエーハＷの表面全体を覆うように供
給され、表面張力によつて所定の厚さに盛りあが
つた状態になつている。

次に、上記薬液処理を均一に行なうため、上記
ターンテーブル１を１秒当り0.1〜数回転程度の
超低速で回転させて上記薬液２を攪拌し、この状
態を所定時間維持する。

上記所定時間経過後、ターンテーブル１を高速
で回転させて半導体ウエーハＷ表面の薬液２を遠
心力で振り切つて薬液処理を完了する。

考案が解決しようとする問題点 上記のような薬液処理においては、前述のよう
に処理効果を向上させるため加熱された薬液を半
導体ウエーハに供給しており、この薬液の加熱
は、薬液の貯留タンクに付設、あるいは、内蔵さ
れた電熱式等の加熱手段によつて行なわれてい
る。

しかし、上記のように、半導体製造装置に加熱
手段を付設、あるいは、内蔵すると、コースポイ
ントでの薬液の温度が不安定になるのみならず、
装置の大型化、複雑化を招き、しかもこの加熱装
置が発塵源となる可能性が高い。

更に、上記貯留タンク内の薬液は、この貯留タ
ンクに注入する時点で滅菌されているが、貯留タ
ンク内や配管内、特に間欠的に薬液が流れるよう
なバルブ内で再び細菌が繁殖して汚染されること
があり、このような薬液を使うと半導体ウエーハ
を汚染し、歩留りの低下を招く。

問題点を解決するための手段 本考案は、上記問題点に鑑みてなされたもの
で、半導体ウエーハを水平に支持し、この半導体
ウエーハ表面に所定の液を供給して薬液処理を行
なう装置において、上記ターンテーブルの上方に
半導体ウエーハ表面に供給された薬液を昇温する
ための加熱用手段を備えた半導体製造装置であ
る。

作 用 本考案に係る半導体製造装置は、上記のような
構成にしたことにより、加熱用手段からの照射に
よつて半導体ウエーハ上面の薬液を非接触状態で
加熱し、急速に昇温させることができる。

実施例 第１図は、本考案を第４図に示す半導体製造装
置に適用した一実施例を示すものである。

第１図において、１０はターンテーブル１の斜
め上方の所定位置に配設された加熱用光源を示
す。この加熱用光源１０は、１〜10μm程度の波
長のハロゲンランプあるいはキセノンランプ等が
使用される。

以下、上記の半導体製造装置における処理要領
を説明する。

先ず、上記ターンテーブル１上に位置決め載置
し、この表面に前述要領で薬液２を供給する。こ
の状態で上記薬液２は、前述のように、表面張力
によつて半導体ウエーハＷの表面上に所定の厚さ
で盛り上がつた状態となつている。

次に、上記加熱用光源１０を点燈し、この加熱
用光源１０からの光線を半導体ウエーハＷ表面に
向けて照射する。すると半導体ウエーハＷ表面の
薬液２は、上記加熱用光源１０からの光線によ
り、急速に加熱されて所望温度まで昇温する。

後は、前述同様にターンテーブル１を低速回転
させて半導体ウエーハＷ表面の薬液２を攪拌しな
がら薬液処理を行なう。このとき、薬液２はコー
スポイントで加熱されるので、均一な薬液処理が
行える。処理終了後は、ターンテーブル１を高速
回転させて半導体ウエーハＷ表面の薬液２を振り
飛ばした後、更に水洗、乾燥して、次工程に向け
て移送すればよい。

なお、場合によつては、薬液２の温度をより高
温にして上記薬液２中に混入している細菌類を滅
菌することができる。

即ち、本考案に係る半導体製造装置において
は、薬液貯留タンクや配管等に加熱手段を設ける
ことなくターンテーブル１の上方に配置した加熱
用光源１０によつて、半導体ウエーハＷ表面の薬
液２を昇温並びに温熱滅菌することができる。

第２図は、第１図の半導体製造装置の変形例を
示すもので、複数の加熱用光源１０，１０…を上
記ターンテーブル１の上方に配置したものであ
る。また、図中参照番号１２は、ターンテーブル
１と略同心状に配置されたガス吹出しノズルで、
この吹出しノズルは、半導体ウエーハＷ表面に供
給された薬液２が、半導体ウエーハＷ外周から溢
れるのを抑制し、半導体ウエーハＷの上面の薬液
量を増加させるためのものである。

第３図は、本考案に係る半導体製造装置の他の
実施例を示すもので、この半導体製造装置は、洗
浄処理用のものであつて、加熱用光源にレーザ光
発生器１０′を用いてある。このレーザ光発生器
１０′は、例えば紫外線より短い波長のレーザ光
を発生するエキシマ・レーザ光発生装置等で、図
示するようにレーザ光を半導体ウエーハＷの半径
方向に走査できるように構成されている。

この半導体製造装置においては、ノズル１４か
ら洗浄用の純水をターンテーブル１によつて回転
駆動される半導体ウエーハＷの表面に供給しなが
ら、上記レーザ光発生器１０′によつて半導体ウ
エーハＷを照射する。上記レーザ光発生器１０′
からのレーザ光は、半導体ウエーハＷの半径方向
に走査されるため、半導体ウエーハＷ表面全体が
均一に照射される。従つて、半導体ウエーハＷ表
面の純水は、上記レーザ光によつて瞬時に加熱さ
れると共に滅菌され、更に、この細菌類の死骸は
上記レーザ光によつて分解されるため、半導体ウ
エーハＷ上の純水の洗浄度が向上する。この後、
半導体ウエーハＷを回転させながら洗浄用の高圧
ジエツト水又はブラシ１６で半導体ウエーハＷ上
を清掃すれば、半導体ウエーハＷの清浄度を極め
て向上させることができる。

考案の効果 以上説明したように本考案に係る半導体製造装
置は、半導体ウエーハに供給された液のみを加熱
用手段によつて急速に加熱昇温するようにしたの
で、上記の液の貯留タンク、配管等に発塵源とな
る加熱装置を設ける必要がなくなり、従つて本考
案によれば、構造が簡単になり、より小型で、高
清浄度を維持できる半導体製造装置が提供でき
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案に係る半導体製造装置の一実施
例を示す概略側面図、第２図は第１図の装置の変
形例を示す概略側面図、第３図は本考案に係る半
導体製造装置の他の実施例を示す概略斜視図、第
４図は在来の半導体製造装置を示す概略側面図で
ある。 １……ターンテーブル、２……薬液、１０……
加熱用光源〔加熱用手段〕、１０′……レーザ発生
器〔加熱用手段〕、Ｗ……半導体ウエーハ。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 ターンテーブルによつて半導体ウエーハを水平
   に支持し、この半導体ウエーハ表面に所定の液を
   供給して薬液処理を行なう装置において、 上記ターンテーブルの上方に半導体ウエーハ表
   面に供給された薬液を昇温するための加熱用手段
   を備えたことを特徴とする半導体製造装置。