JP2002299213A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

Info

Publication number
JP2002299213A
JP2002299213A JP2001100785A JP2001100785A JP2002299213A JP 2002299213 A JP2002299213 A JP 2002299213A JP 2001100785 A JP2001100785 A JP 2001100785A JP 2001100785 A JP2001100785 A JP 2001100785A JP 2002299213 A JP2002299213 A JP 2002299213A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
side wall
substrate
liquid
cup
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001100785A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3826719B2 (ja
Inventor
Yukinobu Tanaka
志信 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2001100785A priority Critical patent/JP3826719B2/ja
Publication of JP2002299213A publication Critical patent/JP2002299213A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3826719B2 publication Critical patent/JP3826719B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 フットプリントを増加させることなく液処理
後の被処理基板にミスト等が再付着するのを効果的に防
止すること。 【解決手段】 液処理後のスピン乾燥のための処理空間
EPbを作るために、カップ64においては、第1のカ
ップ昇降部96により内側のカップ側壁部80を液処理
のための高さ位置からスピン乾燥のための高さ位置に降
ろし、内側のカップ側壁部80のテーパ部80bにより
集液部78bの口を閉じる(蓋をする)。また、第2の
カップ昇降部98により外側のカップ側壁部82を退避
位置からスピン乾燥のための高さ位置へ上昇させる。一
方、スピンチャック機構66においては、駆動部76内
の昇降部132によりチャックプレート72をスピン乾
燥用の高さ位置Hbまで上昇させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、被処理基板に所定
の液処理を施す基板処理装置に係わり、特に液処理後に
スピン乾燥を行う基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】この種の基板処理装置として、たとえ
ば、液晶表示ディスプレイ(LCD)や半導体デバイス
製造のフォトリソグラフィー工程において被処理基板
(LCD基板、半導体ウエハ等)をスピン回転させて洗
浄、現像、リンス等の液処理を行う装置が挙げられる。
【0003】このようなスピンナ型の基板処理装置にお
いては、被処理基板をほぼ水平に回転させながら基板上
に処理液(洗浄液、現像液、リンス液等)を供給するの
で、基板から処理液が不可避的に四方へ飛散してしま
う。そこで、基板の周囲を囲むように処理容器の側壁を
カップ状に形成し、基板から四方へ飛散した処理液をカ
ップ内壁に当てて、処理容器の底に設けたドレイン口か
ら外部の排液系統またはドレインラインへ排出するよう
にしている。そして、液処理の終了後に、基板を高速で
スピン回転させて、基板上に残っている処理液を遠心力
で振り切り、短時間で基板を乾燥させるようにしてい
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようなスピンナ型の基板処理装置では、液処理によって
カップ内壁に水滴が大量に付着するだけでなく、液処理
の終了後もカップ底部にはドレインラインへ流れ出る前
の排液がしばらく滞留する。このため、スピン乾燥で基
板を高速回転させると、その回転運動による気流でカッ
プ内壁や底部から液滴やミストが巻き上がるようにして
基板の上方へ舞い上がり、舞い上がった液滴やミストが
降りてきて基板表面に再付着するという問題がある。こ
のような基板表面へのミスト等の再付着は、パーティク
ルやコンタミネーションの原因となり、望ましくない。
【0005】本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み
てなされたもので、液処理後の被処理基板にミスト等が
再付着するのを効果的に防止するようにした基板処理装
置を提供することを目的とする。
【0006】本発明の別の目的は、フットプリントを増
加させることなく上記のような被処理基板へのミスト等
の再付着を効率的に防止するようにした基板処理装置を
提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の基板処理装置は、被処理基板を載せて保
持する保持手段を有し、前記基板を前記保持手段と一緒
にほぼ水平に回転させる回転手段と、前記回転手段の周
囲に昇降可能に配置された筒状の第1の側壁部と、前記
第1の側壁部に沿って落下した液を受け集めるための集
液部と、前記第1の側壁部を所定の液処理中に前記保持
手段側から周囲に飛散する液を受けるための第1の位置
と前記液処理の終了後に前記集液部を前記保持手段上の
前記基板に対して遮蔽するための第2の位置との間で昇
降移動させる第1の昇降手段とを有する構成とした。
【0008】上記の構成において、液処理中は、第1の
側壁部が基板側から飛散する液を第1の位置にて受け、
第1の側壁部に沿って落下した液は集液部に集められ
る。液処理が終了すると、第1の側壁部が第2の位置に
下降して集液部を遮蔽することにより、集液部から液滴
やミスト等が基板側に及ぶことがない。
【0009】本発明の基板処理装置において、好ましい
一態様は、保持手段を昇降移動させるための第2の昇降
手段を有し、液処理の終了後に第2の昇降手段により保
持手段を液処理用の位置よりも高いスピン乾燥用の位置
まで上昇させ、そのスピン乾燥用の位置で回転手段によ
り保持手段を液処理の回転速度よりも高速の回転速度で
回転させる構成である。かかる構成においては、スピン
乾燥用の処理空間を液処理用の処理空間から隔離させる
ことにより、スピン乾燥において基板の高速回転運動に
より発生する気流から液処理空間の各部、特に液滴やミ
スト等の付着している各部をより確実に避けることがで
き、ミスト等の巻き上がりを効果的に防止することがで
きる。しかも、両処理空間を上下方向で分離するので、
フットプリントを増大させなくて済み、基板支持または
搬送系の構成を煩雑化させることもない。
【0010】また、好ましくは、第1の側壁部がテーパ
状の上端部を有し、第1の位置でテーパ状上端部が保持
手段上の基板側から飛散する液を受け、第2の位置でテ
ーパ状上端部が集液部の上部を塞ぐための蓋部を形成す
る構成としてよい。この構成においては、第1の側壁部
のテーパ状上端部が液処理中は基板側から飛散する液を
斜め下向きの内壁で受けて効率よく集液部側へ落とし込
み、液処理の終了後は集液部の上部を塞ぐ蓋部として機
能するので、基板から集液部を遮蔽するための煩雑な機
構が不要となる。なお、集液部に排液口を設け、この排
気口を外部排液系統に接続してよい。
【0011】また、好ましくは、第1の側壁部の外側に
配置された筒状の第2の側壁部を有し、第1の側壁部が
第2の位置に下降しているときは第2の側壁部が保持手
段と水平方向で直接対向する構成としてよい。この構成
においては、液処理後の乾燥工程で基板側から飛散する
液滴やミスト等を一定範囲内に止め、不所望な拡散を防
止することができる。好ましくは、この第2の側壁部の
内壁面に沿って下向きの気流を形成するための排気路が
第2の側壁部の下端部付近に設けられてよい。また、第
2の側壁部がテーパ状の上端部を有し、第1の側壁部が
第2の位置に下降しているときは第2の側壁部のテーパ
状上端部が保持手段と水平方向で直接対向する構成とし
てよい。かかるテーパ構造により、基板側から飛散する
液滴やミスト等を下方に向けることができる。
【0012】また、好ましくは、第2の側壁部を昇降移
動可能に構成し、第2の側壁部を昇降移動させるための
第2の昇降手段を設けてよい。この構成によれば、第2
の側壁部を不使用時は低い位置に下げておくことで、処
理液供給ノズルや搬送アーム等の出入りを容易にするこ
とができる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、添付図を参照して本発明の
好適な実施形態を説明する。
【0014】図1に、本発明の基板処理装置が適用可能
な構成例として塗布現像処理システムを示す。この塗布
現像処理システムは、クリーンルーム内に設置され、た
とえばLCD基板を被処理基板とし、LCD製造プロセ
スにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジ
スト塗布、プリベーク、現像およびポストベークの各処
理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接
して設置される外部の露光装置(図示せず)で行われ
る。
【0015】この塗布現像処理システムは、大きく分け
て、カセットステーション(C/S)10と、プロセス
ステーション(P/S)12と、インタフェース部(I
/F)14とで構成される。
【0016】システムの一端部に設置されるカセットス
テーション(C/S)10は、複数の基板Gを収容する
カセットCを所定数たとえば4個まで載置可能なカセッ
トステージ16と、このステージ12上のカセットCに
ついて基板Gの出し入れを行う搬送機構20とを備えて
いる。この搬送機構20は、基板Gを保持できる手段た
とえば搬送アームを有し、X,Y,Z,θの4軸で動作
可能であり、後述するプロセスステーション(P/S)
12側の搬送装置38と基板Gの受け渡しを行えるよう
になっている。
【0017】プロセスステーション(P/S)12は、
上記カセットステーション(C/S)10側から順に洗
浄プロセス部22と、塗布プロセス部24と、現像プロ
セス部26とを基板中継部23、薬液供給ユニット25
およびスペース27を介して(挟んで)横一列に設けて
いる。
【0018】洗浄プロセス部22は、2つのスクラバ洗
浄ユニット(SCR)28と、上下2段の紫外線照射/
冷却ユニット(UV/COL)30と、加熱ユニット
(HP)32と、冷却ユニット(COL)34とを含ん
でいる。
【0019】塗布プロセス部24は、レジスト塗布ユニ
ット(CT)40と、減圧乾燥ユニット(VD)42
と、エッジリムーバ・ユニット(ER)44と、上下2
段型アドヒージョン/冷却ユニット(AD/COL)4
6と、上下2段型加熱/冷却ユニット(HP/COL)
48と、加熱ユニット(HP)50とを含んでいる。
【0020】現像プロセス部26は、3つの現像ユニッ
ト(DEV)52と、2つの上下2段型加熱/冷却ユニ
ット(HP/COL)54と、加熱ユニット(HP)5
6とを含んでいる。
【0021】各プロセス部22,24,26の中央部に
は長手方向に搬送路36,52,58が設けられ、主搬
送装置38,54,60が各搬送路に沿って移動して各
プロセス部内の各ユニットにアクセスし、基板Gの搬入
/搬出または搬送を行うようになっている。なお、この
システムでは、各プロセス部22,24,26におい
て、搬送路36,52,58の一方の側にスピンナ系の
ユニット(SCR,CT,DEV等)が配置され、他方
の側に熱処理系のユニット(HP,COL等)が配置さ
れている。
【0022】システムの他端部に設置されるインタフェ
ース部(I/F)14は、プロセスステーション12と
隣接する側にイクステンション(基板受け渡し部)57
およびバッファステージ56を設け、露光装置と隣接す
る側に搬送機構59を設けている。
【0023】図2に、この塗布現像処理システムにおけ
る処理の手順を示す。先ず、カセットステーション(C
/S)10において、搬送機構20が、ステージ12上
の所定のカセットCの中から1つの基板Gを取り出し、
プロセスステーション(P/S)12の洗浄プロセス部
22の搬送装置38に渡す(ステップS1)。
【0024】洗浄プロセス部22において、基板Gは、
先ず紫外線照射/冷却ユニット(UV/COL)30に
順次搬入され、最初の紫外線照射ユニット(UV)では
紫外線照射による乾式洗浄を施され、次の冷却ユニット
(COL)では所定温度まで冷却される(ステップS
2)。この紫外線洗浄では主として基板表面の有機物が
除去される。
【0025】次に、基板Gはスクラバ洗浄ユニット(S
CR)28の1つでスクラビング洗浄処理を受け、基板
表面から粒子状の汚れが除去される(ステップS3)。
スクラビング洗浄の後、基板Gは、加熱ユニット(H
P)32で加熱による脱水処理を受け(ステップS
4)、次いで冷却ユニット(COL)34で一定の基板
温度まで冷却される(ステップS5)。これで洗浄プロ
セス部22における前処理が終了し、基板Gは、主搬送
装置38により基板受け渡し部23を介して塗布プロセ
ス部24へ搬送される。
【0026】塗布プロセス部24において、基板Gは、
先ずアドヒージョン/冷却ユニット(AD/COL)4
6に順次搬入され、最初のアドヒージョンユニット(A
D)では疎水化処理(HMDS)を受け(ステップS
6)、次の冷却ユニット(COL)で一定の基板温度ま
で冷却される(ステップS7)。
【0027】その後、基板Gは、レジスト塗布ユニット
(CT)40でレジスト液を塗布され、次いで減圧乾燥
ユニット(VD)42で減圧による乾燥処理を受け、次
いでエッジリムーバ・ユニット(ER)44で基板周縁
部の余分(不要)なレジストを除かれる(ステップS
8)。
【0028】次に、基板Gは、加熱/冷却ユニット(H
P/COL)48に順次搬入され、最初の加熱ユニット
(HP)では塗布後のベーキング(プリベーク)が行わ
れ(ステップS9)、次に冷却ユニット(COL)で一
定の基板温度まで冷却される(ステップS10)。なお、
この塗布後のベーキングに加熱ユニット(HP)50を
用いることもできる。
【0029】上記塗布処理の後、基板Gは、塗布プロセ
ス部24の主搬送装置54と現像プロセス部26の主搬
送装置60とによってインタフェース部(I/F)14
へ搬送され、そこから露光装置に渡される(ステップS
11)。露光装置では基板G上のレジストに所定の回路パ
ターンを露光される。そして、パターン露光を終えた基
板Gは、露光装置からインタフェース部(I/F)14
に戻される。インタフェース部(I/F)14の搬送機
構59は、露光装置から受け取った基板Gをイクステン
ション57を介してプロセスステーション(P/S)1
2の現像プロセス部26に渡す(ステップS11)。
【0030】現像プロセス部26において、基板Gは、
現像ユニット(DEV)52のいずれか1つで現像処理
を受け(ステップS12)、次いで加熱/冷却ユニット
(HP/COL)55の1つに順次搬入され、最初の加
熱ユニット(HP)ではポストベーキングが行われ(ス
テップS13)、次に冷却ユニット(COL)で一定の基
板温度まで冷却される(ステップS14)。このポストベ
ーキングに加熱ユニット(HP)53を用いることもで
きる。
【0031】現像プロセス部26での一連の処理が済ん
だ基板Gは、プロセスステーション(P/S)24内の
搬送装置60,54,38によりカセットステーション
(C/S)10まで戻され、そこで搬送機構20により
いずれか1つのカセットCに収容される(ステップS
1)。
【0032】この塗布現像処理システムにおいては、現
像ユニット(DEV)52およびスクラバ洗浄ユニット
(SCR)28に本発明を適用することができる。
【0033】以下、図3〜図8につき本発明を現像ユニ
ット(DEV)52に適用した一実施形態を説明する。
【0034】図3〜図6に、この実施形態における現像
ユニット(DEV)52の要部の構成を示す。この現像
ユニット(DEV)52は、有底のハウジングまたはケ
ーシング60の中にスピンナ型の現像装置62を設けて
いる。
【0035】この現像装置62は、処理容器として機能
するカップ64と、カップ64の中に設けられたスピン
チャック機構66と、カップ64に出入り可能に設けら
れた現像液ノズル68(図4)およびリンスノズル70
(図5)とを有している。
【0036】スピンチャック機構66は、基板Gをほぼ
水平に載せてたとえば真空吸着で保持できる回転可能か
つ昇降可能に構成されたチャックプレート72を有して
いる。このチャックプレート72の裏面中心部には支持
軸74の上端部が固着されており、この支持軸74の下
端部は駆動部76内の後述する回転駆動部120および
昇降部132(図7)に作動結合されている。また、チ
ャックプレート72の上面(基板載置面)にはたとえば
同心円状および/または放射状に多数の溝(図示せず)
が形成されており、それらの溝が所定の部位たとえばプ
レート中心部にてチャックプレート72および支持軸7
4の内部に貫通して形成された空気通路を介して負圧源
たとえば真空ポンプ(図示せず)に通じている。
【0037】カップ64は、スピンチャック機構66な
いし駆動部76の周囲に固定配置されたカップ本体78
と、このカップ本体78の外周部付近にそれぞれ昇降可
能に配置された円筒状の内側および外側のカップ側壁部
80,82とを有する。カップ本体78は、駆動部76
の上端部より半径方向外側に向かって斜め下方に延在す
る傾斜部78aと、この傾斜部78aの下端より半径方
向外側に略U字状に延在する集液部78bとを有する。
この集液部78bの底面は、周回方向において高低差が
あり、最も低い部位に排液口84が設けられている。こ
の排液口84は排液管86および3方口弁(図示せず)
を介して現像液用の廃液処理部(図示せず)およびリン
ス液用の廃液処理部(図示せず)に通じている。
【0038】内側のカップ側壁部80は、上記集液部7
8b内(好ましくは外周壁部78c寄りの位置)で垂直
方向に延在する垂直壁部80aと、この垂直壁部80a
の上端より半径方向内側に向かって斜め上方に(先細り
に)延びるテーパ部80bとを有する。外側のカップ側
壁部82は、集液部78bの外側の位置で垂直方向に延
在する垂直壁部82aと、この垂直壁部82aの上端よ
り半径方向内側に向かって斜め上方に(先細りに)延び
るテーパ部82bとを有する。
【0039】外側のカップ側壁部82の周囲にはカップ
底部排気路88を形成するためのカバー90が設けら
れ、このカップ底部排気路88の排気口92は排気管9
4を介して外部排気系統たとえば排気ダクト(図示せ
ず)に通じている。
【0040】カップ64の外には、内側および外側のカ
ップ側壁部80,82をそれぞれ昇降移動させるための
第1および第2のカップ昇降部96,98が設けられて
いる。第1のカップ昇降部96は、昇降駆動源として1
台または複数台のエアシリンダ100を垂直上方に向け
てハウジング60の底面60aに固定し、各エアシリン
ダ100の駆動軸またはピストン軸100aを水平方向
に延びる棒状の支持アーム102を介して内側のカップ
側壁部80に接続している。各エアシリンダ100の駆
動軸100aが前進すると支持アーム102を介して内
側のカップ側壁部80が垂直上方に持ち上げられ、駆動
軸100aが後退すると支持アーム102を介してカッ
プ側壁部80が垂直下方に降ろされるようになってい
る。なお、外側のカップ側壁部82には支持アーム10
2を昇降移動可能に貫通させるスリット状の開口(図示
せず)が形成されている。
【0041】第2のカップ昇降部98は、昇降駆動源と
して1台または複数台のエアシリンダ104を垂直上方
に向けてハウジング60の底面60aに固定し、各エア
シリンダ104の駆動軸またはピストン軸104aを水
平方向に延びる棒状の支持アーム106を介して外側の
カップ側壁部82に接続している。各エアシリンダ10
4の駆動軸104aが前進すると支持アーム106を介
して外側のカップ側壁部82が垂直上方に持ち上げら
れ、駆動軸104aが後退すると支持アーム106を介
してカップ側壁部82が垂直下方に降ろされるようにな
っている。
【0042】ハウジング60の底面60aには、1箇所
または複数箇所に排気口108が設けられている。各排
気口108は、排気管110を介して外部排気系統たと
えば排気ダクト(図示せず)に通じている。
【0043】図4において、現像液ノズル68は、基板
Gの上方から基板表面に向けて吐出孔68aより現像液
を吐出しながら、図示しないノズル走査機構により基板
Gの面と平行な一方向たとえば基板長手方向に水平移動
するように構成されており、現像液を供給する時以外は
カップ64の外側の待機位置で待機するようになってい
る。現像液ノズル68の吐出孔68aは、走査方向と垂
直な水平方向(図の紙面と垂直な方向)に基板Gの一端
から他端まで現像液をほぼ均一に供給できるように一列
に多数設けられている。現像液ノズル68には現像液供
給管112を介して現像液供給源(図示せず)が接続さ
れている。
【0044】図5において、リンスノズル70は、図示
しないリンスノズル移送機構により、基板Gの中心部の
上方に設定されたリンス液吐出位置とカップ64の外に
設けられている所定の待機位置との間で移動できるよう
になっている。リンスノズル70にはリンス液供給管1
14を介してリンス液供給源(図示せず)が接続されて
いる。
【0045】図7に、駆動部76内に設けられているス
ピンチャック機構66の回転駆動部120および昇降部
132の構成を模式的に示す。
【0046】回転駆動部120は、チャックプレート7
2の支持軸74と相対的に上下移動可能に噛合するスプ
ライン軸受122と、このスプライン軸受122を回転
軸とする従動プーリ124と、この従動プーリ124に
ベルト126を介して連結された駆動プーリ128と、
この駆動プーリ128に回転駆動軸130aを結合させ
た電動モータ130とを有する。電動モータ130が作
動して回転駆動軸130aにより駆動プーリ128を回
転駆動すると、その回転駆動力がベルト126を介して
従動プーリ124に伝わり、従動プーリ124およびス
プライン軸受122と一体に支持軸74およびチャック
プレート72が回転するようになっている。
【0047】昇降部132は、支持軸74の下端部にス
ラスト軸受部134を介して同軸上に駆動軸またはピス
トン軸136aが結合されているエアシリンダ136を
有する。エアシリンダ136の駆動軸136aが前進移
動するとスラスト軸受部134を介して支持軸74およ
びチャックプレート72が上方に持ち上げられ、駆動軸
136aが後退するとスラスト軸受部134を介して支
持軸74およびチャックプレート72が降ろされるよう
になっている。任意の高さ位置でスラスト軸受部134
をエアシリンダ136の駆動軸136aから独立して固
定支持する支持部(図示せず)が設けられてよい。ま
た、チャックプレート72の上面に基板保持用の負圧吸
引力を与えるための負圧吸引機構の配管系統(図示せ
ず)も支持軸74の中に適当な部位から引き込まれてい
る。
【0048】次に、この実施形態における現像ユニット
(DEV)52の作用を説明する。
【0049】現像プロセス部26の主搬送装置60が基
板Gを当該現像ユニット(DEV)52に搬送してくる
と、このタイミングに合わせて駆動部76内の昇降部1
32が図3に示すようにチャックプレート72を基板搬
入/搬出用の所定の高さ位置Hoまで上昇させる。この
高さ位置Hoで、主搬送装置60の搬送アームにより基
板Gがチャックプレート72に載置される。この際、カ
ップ64において、内側のカップ側壁部80は液処理の
ための最上位の高さ位置に上昇しており、外側のカップ
側壁部82は退避用の最下位の高さ位置に下降してい
る。主搬送装置60の搬送アームは、搬送路58側(図
1)から両カップ側壁部82,80の上を横切ってカッ
プ64の内側に入ることができる。
【0050】基板Gがチャックプレート72上に載置さ
れると、スピンチャック機構66の負圧吸引機構が作動
し、基板Gを固定保持する。主搬送装置60の搬送アー
ムがカップ64の外に退出すると、昇降部132がチャ
ックプレート72を図4または図5に示す液処理用の高
さ位置Haまで降ろす。基板Gもチャックプレート72
と一体に下降する。
【0051】上記のようにして基板Gの搬入が完了した
後、図4に示すように、現像液ノズル68を所定の待機
位置からカップ64の中に移動させ、基板Gの表面に向
けて吐出孔68aより現像液Dを吐出させながら現像液
ノズル68を基板Gの端から端まで水平走査させる。こ
の際、基板Gの端から出た現像液Dはカップ本体78に
落下して集液部78bに受け集められ、排液口84から
排液管86および3方口弁を通って現像液用の廃液処理
部へ送られる。こうして基板Gの表面全体に現像液Dを
均一に液盛りし、その液盛り状態で所定時間放置する。
【0052】上記の所定時間が経過したなら、つまり現
像処理が終了したなら、現像液ノズル68をカップ64
の外へ退避させる。そして入れ替わりに、図5に示すよ
うに、リンスノズル70を基板中心部の上方(リンス液
吐出位置)へ移動させ、リンスノズル70よりリンス液
Sを基板Gの中心部に向けて吐出させる。同時に、スピ
ンチャック機構66の回転駆動部120を作動させて基
板Gを液処理用の高さ位置Haでたとえば50rpm〜
100rpm程度の回転速度でスピン回転させる。こう
して、リンスノズル70より基板Gの中心部に供給され
たリンス液Sが遠心力によって基板Gの端へ向かって流
れることで、基板W上から現像液Dが洗い流される。
【0053】このリンス処理では、スピン回転する基板
Gの端から現像液Dおよびリンス液Sが四方(周囲)へ
飛散し、飛散した液は内側のカップ側壁部80のテーパ
部80bに当たり、垂直壁部80aに沿って流れ落ち
て、カップ本体78の集液部78bに受け集められる。
そして、排液口84から排液管86および3方口弁を通
って現像液用の廃液処理部またはリンス液用の廃液処理
部へ送られる。なお、該3方口弁は適当なタイミングで
現像液用の廃液処理部側からリンス液用の廃液処理部側
へ切り換えられてよい。
【0054】上記のようにして、現像処理およびリンス
処理は内側のカップ側壁部80の中の領域EPaで行わ
れる。これらの液処理の間、特にリンス処理中は、内側
のカップ側壁部80の内壁には多量の液滴が付着し、集
液部78bには多量の排液が受け集められ、液処理領域
EPa内ではミストが立ち篭もる。この状態(雰囲気)
は、リンス処理の終了後もしばらく維持される。
【0055】この実施形態では、リンス処理が終了した
ならば、リンスノズル70をカップ64の外へ退避させ
たうえで、次工程のスピン乾燥用の処理空間EPbを作
るために、昇降可能な各部の位置を図6に示すように変
える。すなわち、カップ64においては、第1のカップ
昇降部96により内側のカップ側壁部80を液処理のた
めの高さ位置(最上位の位置)からスピン乾燥のための
高さ位置(最低位の位置)に降ろす。そうすると、内側
のカップ側壁部80のテーパ部80bの先端部がカップ
本体78の傾斜部78aと集液部78bとの境界部分付
近に掛かり、テーパ部80bが集液部78bの口を閉じ
る(蓋をする)状態となる。これにより、カップ側壁部
80の内壁と集液部78bが1つの狭い室に閉じ込めら
れるようにして、チャックプレート72側から遮蔽また
は隔離される。
【0056】また、カップ64においては、第2のカッ
プ昇降部98により外側のカップ側壁部82を退避位置
(最低位の位置)からスピン乾燥のための高さ位置(最
上位の位置)へ上昇させる。このカップ側壁部82の上
昇位置は、後述するチャックプレート72のスピン乾燥
用の高さ位置Hbに応じた位置に設定されてよい。
【0057】一方、スピンチャック機構66において
は、駆動部76内の昇降部132によりチャックプレー
ト72をスピン乾燥用の高さ位置Hbまで上昇させる。
チャックプレート72上の基板Wも一緒に上昇する。こ
の高さ位置Hbで、チャックプレート72および基板W
は水平方向で外側のカップ側壁部82のテーパ部82b
と直接(つまり両者の間に内側のカップ側壁部80を挟
まずに)対向する。このスピン乾燥用の高さ位置Hbと
液処理用の高さ位置Haとの高低差は、通常は30〜5
0cm程度に設定されてよい。
【0058】このようにカップ64において内側のカッ
プ側壁部80を所定の高さ位置に降ろすとともに外側の
カップ側壁部82を所定の高さ位置まで持ち上げ、スピ
ンチャック機構66においてチャックプレート72を所
定の高さ位置(Hb)まで持ち上げた状態(図6に示す
状態)で、スピン乾燥を行う。より詳細には、スピンチ
ャック機構66において駆動部76内の回転駆動部12
0によりチャックプレート72をたとえば1000〜1
200rpm程度の高速回転速度でスピン回転させる。
これにより、チャックプレート72と一体に基板Wも高
速でスピン回転し、基板上に残っている液滴が大きな遠
心力で振り切られるようにして周囲に飛散する。飛散し
た液滴やミストは外側のカップ側壁部82のテーパ部8
2bに当たり、その殆どがカップ側壁部82の垂直壁部
82aに沿ってカップ底部に流れ落ち、排気路88を経
由して排気口92から排気管94へ排出される。なお、
上方からカップ64内に清浄な空気をダウンフローで流
し込んでよい。
【0059】上記のスピン乾燥において、チャックプレ
ート72および基板Wの周囲の各部、特に外側のカップ
側壁部82の内壁や内側のカップ側壁部80の外壁は先
の液処理で濡れてはいないため、基板W側から風または
気流を受けてもそこから液滴やミスト等が巻き上がるこ
とはない。
【0060】また、上記のように、液処理により液滴が
付着、通過または滞留する各部(内側のカップ側壁部8
0の内壁や集液部78b)は内側のカップ側壁部80の
テーパ部80bによって下方にコンパクト化されかつ閉
鎖されたミスト空間内に隠蔽されるため、基板W側から
の気流に晒されず、そこから液滴やミスト等が巻き上が
ることはない。
【0061】しかも、スピンチャック72および基板W
の高速回転運動が液処理空間EPaより上方に抜き出た
高さ位置Hbで行われるため、スピン乾燥が液処理空間
EPaから隔離した空間EPbで実施されることとなり、
液処理空間EPaで濡れた各部からのミスト等の巻き上
がりが十全に防止される。ここで、重要なことは、スピ
ン乾燥空間EPbと液処理空間EPaとを隔離または分割
するに際して、フットプリントの増加を伴わないという
ことである。また、両空間EPa,EPbの間での基板W
の移動を最も効率よく行えるという利点もある。
【0062】また、基板Wを低速で回転させて現像液や
リンス液を振り切る際には基板Wとの距離が近い内側の
カップ側壁部80を用い、基板Wを高速で回転させてス
ピン乾燥する際には基板Wとの距離が遠い外側のカップ
側壁部82を用いることにより、スピン乾燥中にカップ
内壁面で跳ね返った液が基板Wに付着する可能性を低減
できる。また、カップ64の構造上、内側のカップ側壁
部80と比べて外側のカップ側壁部82の方が排気圧力
の損失が小さいため(内側のカップ側壁部80の排気通
路は外周壁部78c回りで屈曲するため排気圧力の損失
が大きい)、スピン乾燥の際に外側のカップ側壁部82
を基板Wの周囲に配置して排気を行うことにより、効率
の良い排気が可能であり、ミスト等が基板Wに付着する
可能性を低減できる。
【0063】スピン乾燥が終了すると、駆動部76内の
昇降部132によりチャックプレート72が基板搬入/
搬出用の高さ位置Ho(図3)に移され、第2のカップ
昇降部98により外側のカップ側壁部82が退避用の高
さ位置(最低位の位置)へ降ろされる。そこに、主搬送
装置60の搬送アームが入ってきて、回転支持軸74か
ら基板Gを受け取って、ユニット(DEV)52の外へ
搬出する。搬出された基板Gの表面には液滴やミスト等
が再付着していないため、次工程(ポストベーキング)
以降のプロセスにおいてレジスト膜の膜剥がれや膜細り
等の不良を回避することができる。
【0064】図8に、この実施形態の現像装置62にお
けるカップ64回りの構成の一変形例を示す。この変形
例では、第1のカップ昇降部96におけるエアシリンダ
100がカップ本体78の下方に配置され、エアシリン
ダ100のピストン軸100aはカップ本体78の底に
形成した開口78dを垂直方向に遊動可能に貫通して内
側のカップ側壁部80に接続している。カップ底開口7
8dの周縁部には、集液部78b内の排液が開口78d
から漏れるのを防ぐための円筒状の堰部78eが立設さ
れている。また、上方から落ちてくる液が開口78dか
ら漏れるのを防ぐために、堰部78eの周囲に上から被
さるような傘部140がピストン軸100aに取り付け
られている。
【0065】かかる構成においては、エアシリンダ10
0のピストン軸100aを内側のカップ側壁部80に接
続するための貫通部または開口部78dがカップ本体7
8に設けられることで、外側のカップ側壁部82はその
ような貫通部またはスリット部を設ける必要がなく完全
に閉塞した壁部として構成されるため、ミスト等が外側
のカップ側壁部82を通り抜けて外へ飛散するようなこ
とはない。
【0066】上記した実施形態では、現像処理において
基板W上に現像液を液盛りするために、基板Wを固定し
て現像液ノズルを水平走査する方式を用いた。しかし、
基板Wをスピン回転させながら基板中心部に現像液を供
給して、遠心力で基板上に現像液を行き渡らせる方式も
可能である。
【0067】また、上記した実施形態では、カップ64
において外側のカップ側壁部82を昇降可能に構成し
た。この構成によれば、スピン乾燥を行う時以外は外側
のカップ側壁部82を退避させることで、現像液ノズル
68やリンスノズル70、搬送アーム等の出入りを容易
にすることができる。しかし、ノズル移送機構や基板移
載機構の煩雑化を伴なうが、外側のカップ側壁部82を
常時スピン乾燥用の高さ位置で固定設置する構成も可能
である。また、スピン乾燥時に基板から飛散する液滴や
ミスト等をそのまま周囲に拡散して構わないハウジング
構造を有している場合は、外側の側壁部82を省くこと
も可能である。
【0068】上記した実施形態ではカップ64の側壁部
を2重のカップ側壁部80,82で構成したが、3重以
上のカップ側壁部を設ける構成も可能である。
【0069】上記した実施形態は現像ユニット(DE
V)52に係わるものであったが、上記した実施形態に
おけるカップ64、スピンチャック機構66およびそれ
らに付随する構成はスクラバ洗浄ユニット(SCR)2
8にもそのまま適用できる。したがって、スクラバ洗浄
ユニット(SCR)28においても、上記した実施形態
と同様に基板上への液滴やミスト等の再付着を効果的か
つ効率的に防止または解消し、パーティクルやコンタミ
ネーションの少ない良好な洗浄処理品質を得ることがで
きる。
【0070】さらに、本発明は、現像処理装置や洗浄処
理装置以外にも、処理容器とスピンチャック機構を用い
る各種処理装置に適用可能である。したがって、処理の
内容に応じて液滴なミスト以外の異物も上記と同様の作
用で除去することができる。本発明における被処理基板
はLCD基板に限らず、半導体ウエハ、CD基板、フォ
トマスク、プリント基板等も可能である。
【0071】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の基板処理
装置によれば、フットプリントを増加させることなく液
処理後の被処理基板にミスト等が再付着するのを効果的
かつ効率的に解消することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の基板処理装置が適用可能な塗布現像処
理システムの構成を示す平面図である。
【図2】一実施形態の塗布現像処理システムにおける処
理の手順を示すフローチャートである。
【図3】実施形態の現像ユニット内の構成(基板搬入/
搬出時)を示す略断面図である。
【図4】実施形態の現像ユニット内の構成(現像工程)
を示す略断面図である。
【図5】実施形態の現像ユニット内の構成(リンス工
程)を示す略断面図である。
【図6】実施形態の現像ユニット内の構成(スピン乾
燥)を示す略断面図である。
【図7】実施形態のスピンチャック機構における回転駆
動部および昇降部の要部の構成を模式的に示す側面図で
ある。
【図8】実施形態の現像ユニットのカップ回りの構成の
一変形例を示す部分略断面図である。
【符号の説明】
28 スクラバ洗浄ユニット(SCR) 52 現像ユニット(DEV) 62 現像装置 64 カップ 66 スピンチャック機構 72 チャックプレート 74 支持軸 76 駆動部 78 カップ本体 78b 集液部 80 内側のカップ側壁部 80b テーパ部 82 外側のカップ側壁部 82b テーパ部 84 排液口 88 排気路 92 排気口 98 第1のカップ昇降部 98 第2のカップ昇降部 120 回転駆動部 132 昇降部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/306 H01L 21/306 R Fターム(参考) 2H096 AA25 AA28 GA29 LA25 LA30 3B201 AA02 AA03 AB33 AB40 AB42 BA03 BB21 BB82 BC01 CC01 CC13 CD11 CD33 5F043 EE08 EE36 EE40 GG10 5F046 LA06 LA07

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被処理基板を載せて保持する保持手段を
    有し、前記基板を前記保持手段と一緒にほぼ水平に回転
    させる回転手段と、 前記回転手段の周囲に昇降可能に配置された筒状の第1
    の側壁部と、 前記第1の側壁部に沿って落下した液を受け集めるため
    の集液部と、 前記第1の側壁部を所定の液処理中に前記保持手段側か
    ら周囲に飛散する液を受けるための第1の位置と前記液
    処理の終了後に前記集液部を前記保持手段上の前記基板
    に対して遮蔽するための第2の位置との間で昇降移動さ
    せる第1の昇降手段とを有する基板処理装置。
  2. 【請求項2】 前記保持手段を昇降移動させるための第
    2の昇降手段を有し、前記液処理の終了後に前記第2の
    昇降手段により前記保持手段を前記液処理用の位置より
    も高いスピン乾燥用の位置まで上昇させ、そのスピン乾
    燥用の位置で前記回転手段により前記保持手段を前記液
    処理中の回転速度よりも高速の回転速度で回転させる請
    求項1に記載の基板処理装置。
  3. 【請求項3】 前記第1の側壁部がテーパ状の上端部を
    有し、前記第1の位置で前記テーパ状上端部が前記保持
    手段上の前記基板側から飛散する液を受け、前記第2の
    位置で前記テーパ状上端部が前記集液部の上部を塞ぐた
    めの蓋部を形成する請求項1または2に記載の基板処理
    装置。
  4. 【請求項4】 前記集液部が外部排液系統に接続される
    排液口を有する請求項1〜3のいずれかに記載の基板処
    理装置。
  5. 【請求項5】 前記第1の側壁部の外側に配置された筒
    状の第2の側壁部を有し、前記第1の側壁部が前記第2
    の位置に下降しているときは前記第2の側壁部が前記保
    持手段と水平方向で直接対向する請求項1〜4のいずれ
    かに記載の基板処理装置。
  6. 【請求項6】 前記第2の側壁部がテーパ状の上端部を
    有し、前記第1の側壁部が前記第2の位置に下降してい
    るときは前記第2の側壁部のテーパ状上端部が前記保持
    手段と水平方向で直接対向する請求項5に記載の基板処
    理装置。
  7. 【請求項7】 前記保持手段が前記スピン乾燥用の位置
    にて前記第2の側壁部のテーパ状上端部と水平方向で直
    接対向する請求項6に記載の基板処理装置。
  8. 【請求項8】 前記第2の側壁部を昇降移動可能に構成
    するとともに、前記第2の側壁部を昇降移動させるため
    の第2の昇降手段を有する請求項5〜7のいずれかに記
    載の基板処理装置。
  9. 【請求項9】 前記第2の側壁部の内壁面に沿って下向
    きの気流を形成するように前記第2の側壁部の下端部付
    近に設けられた排気路を有する請求項1〜8のいずれか
    に記載の基板処理装置。
JP2001100785A 2001-03-30 2001-03-30 基板処理装置及び基板処理方法 Expired - Fee Related JP3826719B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001100785A JP3826719B2 (ja) 2001-03-30 2001-03-30 基板処理装置及び基板処理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001100785A JP3826719B2 (ja) 2001-03-30 2001-03-30 基板処理装置及び基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002299213A true JP2002299213A (ja) 2002-10-11
JP3826719B2 JP3826719B2 (ja) 2006-09-27

Family

ID=18954199

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001100785A Expired - Fee Related JP3826719B2 (ja) 2001-03-30 2001-03-30 基板処理装置及び基板処理方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3826719B2 (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100784790B1 (ko) 2006-07-14 2007-12-14 세메스 주식회사 반도체 설비의 컵 조립체 및 이의 흔들림을 방지하는 방법
JP2009528686A (ja) * 2006-02-28 2009-08-06 エスイーゼツト・アクチエンゲゼルシヤフト ディスク状物品を液体処理する装置及び方法
JP2010040818A (ja) * 2008-08-06 2010-02-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2011181808A (ja) * 2010-03-03 2011-09-15 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び液処理方法
US20120260946A1 (en) * 2011-04-18 2012-10-18 Nobuhiro Ogata Liquid processing apparatus, liquid processing method, and computer-readable recording medium having program stored therein
KR20130056185A (ko) * 2011-11-21 2013-05-29 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치 및 액처리 방법
JP2016127080A (ja) * 2014-12-26 2016-07-11 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR20190074852A (ko) * 2017-12-20 2019-06-28 주식회사 케이씨텍 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN111052315A (zh) * 2017-08-28 2020-04-21 株式会社斯库林集团 基板处理方法以及基板处理装置
WO2024140210A1 (zh) * 2022-12-30 2024-07-04 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 防反灌装置及基板处理设备

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109570126B (zh) * 2018-12-27 2021-06-22 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) 多级药品回收的单片清洗装置

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101273604B1 (ko) * 2006-02-28 2013-06-11 램 리서치 아게 디스크형 물품의 액체 처리 장치 및 방법
US8147618B2 (en) 2006-02-28 2012-04-03 Lam Research Ag Device and method for liquid treating disc-like articles
JP2009528686A (ja) * 2006-02-28 2009-08-06 エスイーゼツト・アクチエンゲゼルシヤフト ディスク状物品を液体処理する装置及び方法
KR100784790B1 (ko) 2006-07-14 2007-12-14 세메스 주식회사 반도체 설비의 컵 조립체 및 이의 흔들림을 방지하는 방법
US8864937B2 (en) 2008-08-06 2014-10-21 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treatment apparatus
JP2010040818A (ja) * 2008-08-06 2010-02-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2011181808A (ja) * 2010-03-03 2011-09-15 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び液処理方法
US20120260946A1 (en) * 2011-04-18 2012-10-18 Nobuhiro Ogata Liquid processing apparatus, liquid processing method, and computer-readable recording medium having program stored therein
US8845815B2 (en) * 2011-04-18 2014-09-30 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus, liquid processing method, and computer-readable recording medium having program stored therein
KR101678253B1 (ko) 2011-11-21 2016-11-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치 및 액처리 방법
US9346084B2 (en) 2011-11-21 2016-05-24 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP2013110278A (ja) * 2011-11-21 2013-06-06 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び液処理方法
KR20130056185A (ko) * 2011-11-21 2013-05-29 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치 및 액처리 방법
JP2016127080A (ja) * 2014-12-26 2016-07-11 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN111052315A (zh) * 2017-08-28 2020-04-21 株式会社斯库林集团 基板处理方法以及基板处理装置
CN111052315B (zh) * 2017-08-28 2024-02-20 株式会社斯库林集团 基板处理方法以及基板处理装置
KR20190074852A (ko) * 2017-12-20 2019-06-28 주식회사 케이씨텍 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102470463B1 (ko) * 2017-12-20 2022-11-25 주식회사 케이씨텍 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
WO2024140210A1 (zh) * 2022-12-30 2024-07-04 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 防反灌装置及基板处理设备

Also Published As

Publication number Publication date
JP3826719B2 (ja) 2006-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5058085B2 (ja) 基板洗浄装置
JP3958539B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR101061912B1 (ko) 기판 세정 장치, 기판 세정 방법 및 기억 매체
JP3099054B2 (ja) 塗布装置及びその方法
JP2002151376A (ja) 現像処理方法及び現像処理装置
KR101371572B1 (ko) 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체
JP3826719B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP3824057B2 (ja) 液処理装置
JP2000138163A (ja) 液処理装置
JP3620016B2 (ja) 基板処理装置
JP3894141B2 (ja) 塗布装置
JP3740377B2 (ja) 液供給装置
JP3958911B2 (ja) 基板処理装置
JP3667164B2 (ja) 処理液吐出ノズル、液処理装置および液処理方法
JPH1170354A (ja) 塗布装置
JP2001110714A (ja) 薬液塗布装置および薬液塗布方法
JP4369022B2 (ja) スピン処理装置
JP3811359B2 (ja) 液処理装置
JP3641707B2 (ja) 現像処理装置および現像処理方法
JP3583552B2 (ja) 処理装置及び処理方法
JP3752136B2 (ja) 現像処理装置および現像処理方法
JP3352419B2 (ja) 塗布膜形成方法および塗布処理システム
JP2002280292A (ja) 基板処理方法および現像処理方法
JP3295620B2 (ja) 処理装置
JP2002153799A (ja) 塗布処理装置および塗布処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20041101

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060207

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060406

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060620

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060626

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090714

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120714

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120714

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150714

Year of fee payment: 9

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees