JP2009059895A - 液処理装置、液処理方法および記憶媒体 - Google Patents
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 342
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 220
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 141
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 98
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 40
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 39
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 152
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 83
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 24
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 17
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 6
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 claims description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract description 5
- 229960002050 hydrofluoric acid Drugs 0.000 abstract 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 73
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 36
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 24
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 1
- SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N azane;hydrogen peroxide Chemical compound [NH4+].[O-]O SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
【解決手段】液処理装置1は、ケーシング5と、ウエハ(被処理基板)Wを保持する基板保持機構20と、処理液を供給する処理液供給機構30と、処理液を受ける排液カップ12と、処理液を外方に排出する排液管13と、を備えている。処理液供給機構30は、フッ酸系処理液を供給する第一薬液供給機構と、ウエハWを乾燥させるための有機溶媒を供給する乾燥液供給機構43とを有している。制御部50は、第一薬液供給機構によってフッ酸系処理液を供給させた後、乾燥液供給機構43によって有機溶媒を供給させ、かつ、乾燥液供給機構43によって有機溶媒を供給させる前に、洗浄機構10によりケーシング5内のアルカリ成分を除去させる。
【選択図】図2
Description
前記処理液供給機構が、フッ酸系処理液を供給する第一薬液供給機構と、第一薬液供給機構によってフッ酸系処理液を供給した後、被処理基板を乾燥させるための有機溶媒を供給する乾燥液供給機構とを有し、
ケーシング内のアルカリ成分を除去する除去機構、または、ケーシング内へのアルカリ成分の侵入を防止する侵入防止機構が設けられ、
第一薬液供給機構および乾燥液供給機構、並びに、除去機構または侵入防止機構が、制御部により制御され、
制御部が、第一薬液供給機構によってフッ酸系処理液を供給させた後、乾燥液供給機構によって被処理基板を乾燥させるための有機溶媒を供給させ、かつ、乾燥液供給機構によって有機溶媒を供給させる前に、除去機構によりケーシング内のアルカリ成分を除去させる、または、侵入防止機構によりケーシング内へのアルカリ成分の侵入を防止させる。
基板保持機構によって、被処理基板を保持する保持工程と、回転機構によって、基板保持機構によって保持された被処理基板を回転させる回転工程と、処理液供給機構によって、基板保持機構により保持された被処理基板に処理液を供給する処理液供給工程と、を備え、
処理液供給工程は、フッ酸系処理液を供給する第一薬液供給工程と、当該第一薬液供給工程の後、被処理基板を乾燥させるための有機溶媒を供給する乾燥液供給工程と、を有し、
前記乾燥液供給工程の前に、ケーシング内のアルカリ成分を除去する除去工程、または、ケーシング内へのアルカリ成分の侵入を防止する侵入防止工程が実施される。
当該液処理方法が、被処理基板を保持する基板保持機構と、基板保持機構によって保持された被処理基板に処理液を供給する処理液供給機構と、基板保持機構によって保持された被処理基板を周縁外方から覆うとともに、被処理基板を洗浄した後の処理液を受ける排液カップと、排液カップに連結され、排液カップを経た処理液を外方に排出する排液管と、少なくとも、基板保持機構および排液カップを収容するケーシングと、を有する液処理装置を用いた方法であって、
基板保持機構によって、被処理基板を保持する保持工程と、回転機構によって、基板保持機構によって保持された被処理基板を回転させる回転工程と、処理液供給機構によって、基板保持機構により保持された被処理基板に処理液を供給する処理液供給工程と、を備え、
処理液供給工程は、フッ酸系処理液を供給する第一薬液供給工程と、当該第一薬液供給工程の後、被処理基板を乾燥させるための有機溶媒を供給する乾燥液供給工程と、を有し、
前記乾燥液供給工程の前に、ケーシング内のアルカリ成分を除去する除去工程、または、ケーシング内へのアルカリ成分の侵入を防止する侵入防止工程が実施される方法である。
以下、本発明に係る液処理装置1、液処理方法および記憶媒体の第1の実施の形態について、図面を参照して説明する。ここで、図1乃至図5は本発明の第1の実施の形態を示す図である。
次に、図6により、本発明の第2の実施の形態について説明する。図6に示す第2の実施の形態は、排液カップ12に付着したアルカリ成分を除去する洗浄機構(除去機構)10が、洗浄液供給機構、排液管13および閉塞バルブ11から構成される代わりに、排液カップ12に純水(洗浄液)Dを噴出することによって、排液カップ12に付着したアルカリ成分を除去する洗浄液噴出機構15から構成されるものである。また、排液カップ12の周縁外方に配置された環状の排気カップ66が上下方向に移動自在となっている(図6の矢印A2参照)。その他の構成は図1乃至図5に示す第1の実施の形態と略同一である。
次に、図7により、本発明の第3の実施の形態について説明する。図7に示す第3の実施の形態は、ケーシング5内のアルカリ成分を除去する洗浄機構10を設ける代わりに、乾燥気体供給部18がケーシング5内へのアルカリ成分の侵入を防止する与圧機構(侵入防止機構)としての機能を果たすようにしたものである。具体的には、乾燥気体供給部18からケーシング5内へ流入される乾燥気体の気圧を高くすることによってケーシング5内へのアルカリ成分の侵入を防止する。その他の構成は図1乃至図5に示す第1の実施の形態と略同一である。
3 気体導入部
5 ケーシング
10 洗浄機構(除去機構)
11 閉塞バルブ(閉塞機構)
12 排液カップ
13 排液管
15 洗浄液噴出機構
16 揺動軸
17 噴出ノズル
18 乾燥気体供給部(与圧機構(侵入防止機構))
20 基板保持機構
30 処理液供給機構
31a,31b ノズル
31 ノズルブロック
32 ノズルアーム
33 ノズル揺動軸
35 処理液流路
38 乾燥溶媒流路
42 SC1供給源
43 IPA供給源
45 DIW供給源
46 第二バルブ
47 第二バルブ
48 第三バルブ
49 第四バルブ
50 制御部
61 回転カップ
66 排気カップ
70 回転機構
91 第二薬液供給工程
92 リンス工程
93 洗浄工程
95 第一薬液供給工程
97 リンス工程
98 乾燥液供給工程
W ウエハ(被処理基板)
Claims (16)
- ケーシングと、
ケーシング内に設けられ、被処理基板を保持する基板保持機構と、
基板保持機構によって保持された被処理基板に処理液を供給する処理液供給機構と、
ケーシング内で基板保持機構によって保持された被処理基板を周縁外方から覆うとともに、被処理基板を洗浄した後の処理液を受ける排液カップと、
排液カップに連結され、排液カップを経た処理液を外方に排出する排液管と、を備え、
前記処理液供給機構は、フッ酸系処理液を供給する第一薬液供給機構と、被処理基板を乾燥させるための有機溶媒を供給する乾燥液供給機構とを有し、
ケーシング内のアルカリ成分を除去する除去機構、または、ケーシング内へのアルカリ成分の侵入を防止する侵入防止機構が設けられ、
第一薬液供給機構および乾燥液供給機構、並びに、除去機構または侵入防止機構は、制御部により制御され、
制御部は、第一薬液供給機構によってフッ酸系処理液を供給させた後、乾燥液供給機構によって被処理基板を乾燥させるための有機溶媒を供給させ、かつ、
乾燥液供給機構によって有機溶媒を供給させる前に、除去機構によりケーシング内のアルカリ成分を除去させる、または、侵入防止機構によりケーシング内へのアルカリ成分の侵入を防止させることを特徴とする液処理装置。 - 制御部は、第一薬液供給機構によってフッ酸系処理液を供給させる前に、除去機構よってケーシング内のアルカリ成分を除去させることを特徴とする請求項1に記載の液処理装置。
- 侵入防止機構は、ケーシング内の気圧を高くする与圧機構からなることを特徴とする請求項1に記載の液処理装置。
- 除去機構は、排液カップに洗浄液を供給することによって、排液カップに付着したアルカリ成分を除去する洗浄機構からなることを特徴とする請求項1に記載の液処理装置。
- 処理液供給機構は、制御部により制御され、アルカリ系処理液を供給する第二薬液供給機構を有し、
制御部は、第二薬液供給機構によってアルカリ系処理液を供給させた後であって、第一薬液供給機構によってフッ酸系処理液を供給させる前に、洗浄機構によって排液カップに洗浄液を供給させることで、排液カップに付着したアルカリ成分を除去することを特徴とする請求項4に記載の液処理装置。 - 排液管に設けられ、当該排液管を通過する処理液の流れを止める閉塞機構をさらに備え、
処理液供給機構は、基板保持機構に保持された被処理基板に洗浄液を供給する洗浄液供給機構を有し、
前記洗浄液供給機構、前記排液管および前記閉塞機構によって、前記洗浄機構が構成され、
制御部は、閉塞機構により排液管を閉塞させることによって、排液管および排液カップ内に洗浄液を貯留して、排液カップに付着したアルカリ成分を除去することを特徴とする請求項4に記載の液処理装置。 - 前記洗浄機構は、排液カップに洗浄液を噴出することによって、排液カップに付着したアルカリ成分を除去する洗浄液噴出機構を有することを特徴とする請求項4に記載の液処理装置。
- ケーシング内に配置され、基板保持機構に保持された被処理基板に上方から気体を供給する気体導入部と、
ケーシング内で排液カップを囲繞して配置され、被処理基板を経た気体を取り込んで排気する排気カップと、
をさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載の液処理装置。 - ケーシングと、ケーシング内に設けられ、被処理基板を保持する基板保持機構と、基板保持機構によって保持された被処理基板に処理液を供給する処理液供給機構と、ケーシング内で基板保持機構によって保持された被処理基板を周縁外方から覆うとともに、被処理基板を洗浄した後の処理液を受ける排液カップと、排液カップに連結され、排液カップを経た処理液を外方に排出する排液管と、を有する液処理装置を用いた液処理方法であって、
基板保持機構によって、被処理基板を保持する保持工程と、
回転機構によって、基板保持機構によって保持された被処理基板を回転させる回転工程と、
処理液供給機構によって、基板保持機構により保持された被処理基板に処理液を供給する処理液供給工程と、を備え、
処理液供給工程は、フッ酸系処理液を供給する第一薬液供給工程と、当該第一薬液供給工程の後、被処理基板を乾燥させるための有機溶媒を供給する乾燥液供給工程と、を有し、
前記乾燥液供給工程の前に、ケーシング内のアルカリ成分を除去する除去工程、または、ケーシング内へのアルカリ成分の侵入を防止する侵入防止工程が実施されることを特徴とする液処理方法。 - 前記除去工程は、フッ酸系処理液を供給する前記第一薬液供給工程の前に実施されることを特徴とする請求項9に記載の液処理方法。
- 前記侵入防止工程は、ケーシング内の気圧を高くすることによって、ケーシング内へのアルカリ成分の侵入を防止することを特徴とする請求項9に記載の液処理方法。
- 前記除去工程は、排液カップに洗浄液を供給することによって、排液カップに付着したアルカリ成分を除去することを特徴とする請求項9に記載の液処理方法。
- 処理液供給工程は、フッ酸系処理液を供給する前記第一薬液供給工程の前に、アルカリ系処理液を供給する第二薬液供給工程を有し、
アルカリ系処理液を供給する第二薬液供給工程の後であって、フッ酸系処理液を供給する第一薬液供給工程の前に、排液カップに洗浄液を供給することによって、排液カップに付着したアルカリ成分を除去することを特徴とする請求項12に記載の液処理方法。 - 排液管に設けられた閉塞機構によって、処理液供給機構から供給され排液管を通過する洗浄液の流れを止めることにより、排液管および排液カップ内に処理液を貯留して排液カップに洗浄液を供給し、排液カップに付着したアルカリ成分を除去することを特徴とする請求項12に記載の液処理方法。
- 前記洗浄工程は、排液カップに洗浄液を噴出することによって、排液カップに付着したアルカリ成分を除去することを特徴とする請求項12に記載の液処理方法。
- コンピュータに液処理方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
当該液処理方法は、被処理基板を保持する基板保持機構と、基板保持機構によって保持された被処理基板に処理液を供給する処理液供給機構と、基板保持機構によって保持された被処理基板を周縁外方から覆うとともに、被処理基板を洗浄した後の処理液を受ける排液カップと、排液カップに連結され、排液カップを経た処理液を外方に排出する排液管と、少なくとも、基板保持機構および排液カップを収容するケーシングと、を有する液処理装置を用いた方法であって、
基板保持機構によって、被処理基板を保持する保持工程と、
回転機構によって、基板保持機構によって保持された被処理基板を回転させる回転工程と、
処理液供給機構によって、基板保持機構により保持された被処理基板に処理液を供給する処理液供給工程と、を備え、
処理液供給工程は、フッ酸系処理液を供給する第一薬液供給工程と、当該第一薬液供給工程の後、被処理基板を乾燥させるための有機溶媒を供給する乾燥液供給工程と、を有し、
前記乾燥液供給工程の前に、ケーシング内のアルカリ成分を除去する除去工程、または、ケーシング内へのアルカリ成分の侵入を防止する侵入防止工程が実施される方法であることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007225868A JP4901650B2 (ja) | 2007-08-31 | 2007-08-31 | 液処理装置、液処理方法および記憶媒体 |
KR1020080069152A KR101275965B1 (ko) | 2007-08-31 | 2008-07-16 | 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체 |
TW097127758A TWI392009B (zh) | 2007-08-31 | 2008-07-22 | 液體處理裝置、液體處理方法及記憶媒體 |
US12/222,871 US20090056764A1 (en) | 2007-08-31 | 2008-08-18 | Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium |
DE102008044754A DE102008044754A1 (de) | 2007-08-31 | 2008-08-28 | Flüssigkeitsbearbeitungsvorrichtung, Flüssigkeitsbearbeitungsverfahren und Speichermedium |
US13/591,877 US8371318B2 (en) | 2007-08-31 | 2012-08-22 | Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007225868A JP4901650B2 (ja) | 2007-08-31 | 2007-08-31 | 液処理装置、液処理方法および記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009059895A true JP2009059895A (ja) | 2009-03-19 |
JP4901650B2 JP4901650B2 (ja) | 2012-03-21 |
Family
ID=40299362
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007225868A Active JP4901650B2 (ja) | 2007-08-31 | 2007-08-31 | 液処理装置、液処理方法および記憶媒体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20090056764A1 (ja) |
JP (1) | JP4901650B2 (ja) |
KR (1) | KR101275965B1 (ja) |
DE (1) | DE102008044754A1 (ja) |
TW (1) | TWI392009B (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130061099A (ko) | 2011-11-30 | 2013-06-10 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법, 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체 및 기판 처리 장치 |
KR20130101464A (ko) | 2012-03-05 | 2013-09-13 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체 |
US8545640B2 (en) | 2010-06-23 | 2013-10-01 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method, storage medium storing computer program for performing substrate processing method, and substrate processing apparatus |
KR20140113348A (ko) | 2013-03-15 | 2014-09-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 액처리 방법, 기판 액처리 장치 및 기억 매체 |
US8906165B2 (en) | 2010-06-17 | 2014-12-09 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method, storage medium storing computer program for performing substrate processing method, and substrate processing apparatus |
JP2016021597A (ja) * | 2015-10-05 | 2016-02-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、この基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体、および基板処理装置 |
KR20160036488A (ko) | 2014-09-25 | 2016-04-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 액처리 방법, 기판 액처리 장치, 및 기억 매체 |
WO2017018481A1 (ja) * | 2015-07-29 | 2017-02-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
JP2017034121A (ja) * | 2015-08-03 | 2017-02-09 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
KR20180005609A (ko) | 2016-07-06 | 2018-01-16 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판액 처리 방법 및 기판액 처리 장치 |
JP2018147979A (ja) * | 2017-03-03 | 2018-09-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
US11024518B2 (en) | 2015-07-29 | 2021-06-01 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate processing method and recording medium |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8580042B2 (en) * | 2007-12-10 | 2013-11-12 | Acm Research (Shanghai) Inc. | Methods and apparatus for cleaning semiconductor wafers |
JP5401255B2 (ja) * | 2008-11-05 | 2014-01-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄装置、洗浄方法、および記憶媒体 |
JP5318670B2 (ja) * | 2009-06-09 | 2013-10-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体 |
DE102010028883A1 (de) * | 2010-05-11 | 2011-11-17 | Dürr Ecoclean GmbH | Prozessbehälter |
US8944080B2 (en) | 2011-08-02 | 2015-02-03 | Visera Technologies Company Limited | Cleaning system, cleaning device, and method of using cleaning device |
JP5858770B2 (ja) * | 2011-12-19 | 2016-02-10 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理システム |
KR102042635B1 (ko) * | 2012-07-02 | 2019-11-08 | 삼성전자주식회사 | 매엽식 건조 장치 및 이를 포함하는 매엽식 세정 시스템 |
US20140053982A1 (en) * | 2012-08-23 | 2014-02-27 | Lam Research Ag | Method and apparatus for processing wafer-shaped articles |
JP6281161B2 (ja) * | 2013-09-27 | 2018-02-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
KR102152909B1 (ko) * | 2013-12-31 | 2020-09-07 | 세메스 주식회사 | 기판처리방법 |
US10105732B2 (en) * | 2016-01-05 | 2018-10-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Coater and surface treatment method |
US11056358B2 (en) * | 2017-11-14 | 2021-07-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Wafer cleaning apparatus and method |
JP6987649B2 (ja) * | 2018-01-12 | 2022-01-05 | 株式会社Screenホールディングス | 処理液供給装置及びその脱気方法 |
JP7314634B2 (ja) * | 2019-06-11 | 2023-07-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置及び塗布方法 |
CN113909195A (zh) * | 2021-11-01 | 2022-01-11 | 迈得医疗工业设备股份有限公司 | 移送装置及医疗器械生产线 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH025524A (ja) * | 1988-06-24 | 1990-01-10 | Hitachi Ltd | 処理装置 |
JP2001127032A (ja) * | 1999-10-25 | 2001-05-11 | Pre-Tech Co Ltd | 基板の洗浄・乾燥装置および洗浄・乾燥方法 |
JP2002172366A (ja) * | 2000-12-05 | 2002-06-18 | Sony Corp | 基板の湿式洗浄方法及び装置 |
JP2003282417A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および飛散防止部材の洗浄方法 |
JP2005085782A (ja) * | 2003-09-04 | 2005-03-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2005515613A (ja) * | 2001-05-18 | 2005-05-26 | ラム リサーチ コーポレーション | 表面張力を低減させるプロセスを実現する基板処理の装置および方法 |
JP2007149890A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG98022A1 (en) * | 1996-09-24 | 2003-08-20 | Tokyo Electron Ltd | Method and apparatus for cleaning treatment |
JP3781983B2 (ja) | 2001-05-02 | 2006-06-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
US20040003828A1 (en) * | 2002-03-21 | 2004-01-08 | Jackson David P. | Precision surface treatments using dense fluids and a plasma |
KR100483428B1 (ko) * | 2003-01-24 | 2005-04-14 | 삼성전자주식회사 | 기판 가공 장치 |
JP3890025B2 (ja) * | 2003-03-10 | 2007-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布処理装置及び塗布処理方法 |
JP4339026B2 (ja) | 2003-06-13 | 2009-10-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
US7258599B2 (en) * | 2005-09-15 | 2007-08-21 | Fujitsu Limited | Polishing machine, workpiece supporting table pad, polishing method and manufacturing method of semiconductor device |
JP2007225868A (ja) | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光反射板 |
JP4648973B2 (ja) | 2006-07-26 | 2011-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
-
2007
- 2007-08-31 JP JP2007225868A patent/JP4901650B2/ja active Active
-
2008
- 2008-07-16 KR KR1020080069152A patent/KR101275965B1/ko active IP Right Grant
- 2008-07-22 TW TW097127758A patent/TWI392009B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-08-18 US US12/222,871 patent/US20090056764A1/en not_active Abandoned
- 2008-08-28 DE DE102008044754A patent/DE102008044754A1/de not_active Withdrawn
-
2012
- 2012-08-22 US US13/591,877 patent/US8371318B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH025524A (ja) * | 1988-06-24 | 1990-01-10 | Hitachi Ltd | 処理装置 |
JP2001127032A (ja) * | 1999-10-25 | 2001-05-11 | Pre-Tech Co Ltd | 基板の洗浄・乾燥装置および洗浄・乾燥方法 |
JP2002172366A (ja) * | 2000-12-05 | 2002-06-18 | Sony Corp | 基板の湿式洗浄方法及び装置 |
JP2005515613A (ja) * | 2001-05-18 | 2005-05-26 | ラム リサーチ コーポレーション | 表面張力を低減させるプロセスを実現する基板処理の装置および方法 |
JP2003282417A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および飛散防止部材の洗浄方法 |
JP2005085782A (ja) * | 2003-09-04 | 2005-03-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2007149890A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8906165B2 (en) | 2010-06-17 | 2014-12-09 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method, storage medium storing computer program for performing substrate processing method, and substrate processing apparatus |
US8545640B2 (en) | 2010-06-23 | 2013-10-01 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method, storage medium storing computer program for performing substrate processing method, and substrate processing apparatus |
US9321085B2 (en) | 2011-11-30 | 2016-04-26 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method, storage medium storing computer program for implementing substrate processing method and substrate processing apparatus |
KR20190011792A (ko) | 2011-11-30 | 2019-02-07 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법, 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체 및 기판 처리 장치 |
KR20130061099A (ko) | 2011-11-30 | 2013-06-10 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법, 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체 및 기판 처리 장치 |
KR20130101464A (ko) | 2012-03-05 | 2013-09-13 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체 |
US9108228B2 (en) | 2012-03-05 | 2015-08-18 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus having switchable nozzles |
KR20140113348A (ko) | 2013-03-15 | 2014-09-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 액처리 방법, 기판 액처리 장치 및 기억 매체 |
KR20160036488A (ko) | 2014-09-25 | 2016-04-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 액처리 방법, 기판 액처리 장치, 및 기억 매체 |
US9865483B2 (en) | 2014-09-25 | 2018-01-09 | Tokyo Electron Limited | Substrate liquid processing method, substrate liquid processing apparatus, and recording medium |
WO2017018481A1 (ja) * | 2015-07-29 | 2017-02-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
US11024518B2 (en) | 2015-07-29 | 2021-06-01 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate processing method and recording medium |
JP2017034121A (ja) * | 2015-08-03 | 2017-02-09 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP2016021597A (ja) * | 2015-10-05 | 2016-02-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、この基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体、および基板処理装置 |
KR20180005609A (ko) | 2016-07-06 | 2018-01-16 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판액 처리 방법 및 기판액 처리 장치 |
JP2018147979A (ja) * | 2017-03-03 | 2018-09-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090023076A (ko) | 2009-03-04 |
JP4901650B2 (ja) | 2012-03-21 |
US20120312332A1 (en) | 2012-12-13 |
TWI392009B (zh) | 2013-04-01 |
DE102008044754A1 (de) | 2009-03-05 |
US8371318B2 (en) | 2013-02-12 |
TW200919569A (en) | 2009-05-01 |
US20090056764A1 (en) | 2009-03-05 |
KR101275965B1 (ko) | 2013-06-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091215 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110419 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111227 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150113 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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