JP2007149890A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】処理液の析出物に起因する基板の処理不良を十分に防止できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】洗浄処理部５ａ〜５ｄは、基板Ｗを水平に保持しつつ回転させるスピンチャック２１を備える。スピンチャック２１は、処理カップ２３内に収容されている。処理カップ２３の上方には、基板Ｗからのリンス液または薬液が外方へ飛散することを防止するためのスプラッシュガード２４が設けられている。スプラッシュガード２４は、ガード昇降駆動機構３７により支持され、ガード昇降駆動機構３７は、スプラッシュガード２４を上下動させる。処理カップ２３の上端部には、処理カップ２３の外周に沿うように円環状に形成されたガード洗浄用ノズル８１が設けられている。ガード洗浄用ノズル８１は、スプラッシュガード２４の上昇時に、洗浄液をその内周側に設けられた複数の洗浄液噴出孔からスプラッシュガード２４の外壁面２４Ｗへ噴出する。
【選択図】図２

Description

本発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。

従来より、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。

基板処理装置では、例えばＢＨＦ（バッファードフッ酸）、ＤＨＦ（希フッ酸）、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸もしくはアンモニア等の薬液、またはそれらの混合溶液を基板に供給することにより、その基板の表面処理を行う（以下、薬液処理と呼ぶ）。

薬液処理を行う基板処理装置として、特許文献１に枚葉型の基板処理装置が開示されている。以下、特許文献１の基板処理装置の構成および動作について説明する。

図１０〜図１３は、従来の基板処理装置の構成および動作を説明するための図である。図１０では、特許文献１の基板処理装置に設けられる洗浄処理部の構成が示されている。

図１０に示すように、洗浄処理部９００は、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック９２１を備える。スピンチャック９２１は、チャック回転駆動機構（図示せず）によって回転される回転軸９２５の上端に固定されている。

スピンチャック９２１の上方で移動可能に酸化処理用ノズル９５０およびエッチング用ノズル９７０が設けられている。

酸化処理用ノズル９５０には、オゾン水が供給される。それにより、基板Ｗの表面へオゾン水を供給することができる。また、エッチング用ノズル９７０には、フッ化水素水が供給される。それにより、基板Ｗの表面へフッ化水素水を供給することができる。

基板Ｗの表面へオゾン水を供給する際には、酸化処理用ノズル９５０は基板Ｗの上方に位置し、基板Ｗの表面へフッ化水素水を供給する際には、酸化処理用ノズル９５０は所定の位置に退避される。

また、基板Ｗの表面へオゾン水を供給する際には、エッチング用ノズル９７０は所定の位置に退避され、基板Ｗの表面へフッ化水素水を供給する際には、エッチング用ノズル９７０は基板Ｗの上方に位置する。

スピンチャック９２１は、処理カップ９２３内に収容されている。処理カップ９２３の内側には、筒状の仕切壁９３３が設けられている。また、スピンチャック９２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗの処理に用いられたオゾン水を排液するための排液空間９３１が形成されている。さらに、排液空間９３１を取り囲むように、処理カップ９２３と仕切壁９３３の間に基板Ｗの処理に用いられたフッ化水素水を回収するための回収液空間９３２が形成されている。

排液空間９３１には、排液処理装置（図示せず）へオゾン水を導くための排液管９３４が接続され、回収液空間９３２には、回収処理装置（図示せず）へフッ化水素水を導くための回収管９３５が接続されている。

処理カップ９２３の上方には、基板Ｗからのオゾン水またはフッ化水素水が外方へ飛散することを防止するためのガード９２４が設けられている。ガード９２４は、回転軸９２５に対して回転対称な形状からなっている。ガード９２４の上端部の内面には、断面く字状の排液案内溝９４１が環状に形成されている。

また、ガード９２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部９４２が形成されている。回収液案内部９４２の上端付近には、処理カップ９２３の仕切壁９３３を受け入れるための仕切壁収納溝９４３が形成されている。

ガード９２４は、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構（図示せず）により上下動作可能に支持されている。

ガード昇降駆動機構は、ガード９２４を、回収液案内部９４２がスピンチャック９２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する循環位置Ｐ２と、排液案内溝９４１がスピンチャック９２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する排液位置Ｐ３との間で上下動させる。

図１１に示すように、ガード９２４の上端が循環位置Ｐ２にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散したフッ化水素水が回収液案内部９４２により回収液空間９３２に導かれ、回収管９３５を通して回収される。一方、図１２に示すように、ガード９２４の上端が排液位置Ｐ３にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散したオゾン水が排液案内溝９４１により排液空間９３１に導かれ、排液管９３４を通して排液される。以上の構成により、オゾン水の排液およびフッ化水素水の回収が行われる。
特開２００５−１９１１４４号公報

上記の基板処理装置においては、洗浄処理部９００への基板Ｗの搬入搬出時に、図１３に示すように、ガード昇降駆動機構はガード９２４の上端がスピンチャック９２１の基板Ｗの保持高さよりも低い位置（搬入搬出位置Ｐ１）となるようにガード９２４を移動させる。この状態で、スピンチャック９２１上に基板Ｗが搬入され、またはスピンチャック９２１上から基板Ｗが搬出される。

ところで、上記の構成を有する洗浄処理部９００においては、次の課題が指摘されている。この課題について図１４を参照しつつ説明する。

図１４は、従来の洗浄処理部９００における課題を説明するための図である。

上述のように、薬液処理時には、その処理に用いた薬液を回収するために、ガード９２４の上端を循環位置Ｐ２に移動させる。この場合、基板Ｗから飛散する薬液は、ガード９２４の回収液案内部９４２に受け止められ、その形状に沿って下方に流れる。

そして、ガード９２４の下端まで流れた薬液は、さらに処理カップ９２３の内壁面を通じて下方に流れ、回収管９３５へと導かれる。

ここで、薬液処理には、上記のフッ化水素水の他、例えばフッ化アンモニウムとフッ化水素との混合溶液であるＢＨＦ、ならびにフッ化アンモニウムおよびリン酸を含む混合溶液のように塩を含む薬液を用いる場合がある。

このような薬液を用いた場合、処理に用いられた薬液は回収溝案内部９４２の内壁面および処理カップ９２３の内壁面を流れるが、実際には直接的に薬液が接触しないガード９２４の外壁面にも薬液の析出物ＳＬが付着する。

ガード９２４の外壁面に析出物ＳＬが付着した状態で、ガード９２４が上下動すると、その外壁面から析出物ＳＬが剥離する場合がある。この場合、剥離した析出物からなるパーティクルが飛散し、処理中または搬送中の基板Ｗに付着するおそれがある。それにより、基板Ｗの処理不良が発生する。

本発明の目的は、処理液の析出物に起因する基板の処理不良を十分に防止できる基板処理装置を提供することである。

（１）第１の発明に係る基板処理装置は、基板を保持する基板保持手段と、基板保持手段により保持される基板に処理液を供給する処理液供給手段と、基板保持手段を取り囲むように設けられ、基板保持手段により保持される基板から周囲に飛散する処理液を受け止めて下方へ導く飛散防止部材と、飛散防止部材を取り囲むように設けられ、飛散防止部材により下方へ導かれた処理液を回収する処理液回収部材と、飛散防止部材を処理液回収部材に対して相対的に昇降させる昇降手段と、昇降手段により飛散防止部材が処理液回収部材に対して相対的に上昇しているときに飛散防止部材の外壁面へ洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを備えたものである。

この発明に係る基板処理装置においては、基板保持手段により保持される基板に処理液供給手段により処理液が供給され、基板の処理が行われる。このとき、基板に供給された処理液は周囲に飛散する。飛散する処理液は、基板保持手段を取り囲むように設けられた飛散防止部材により受け止められ、下方へ導かれる。下方に導かれた処理液は、飛散防止部材を取り囲むように設けられた処理液回収部材により回収される。

ここで、飛散防止部材は、昇降手段により処理液回収部材に対して相対的に昇降される。これにより、基板の処理時と基板保持手段への基板の搬入および搬出時とで飛散防止部材の配置を変化させることができる。それにより、基板処理装置における基板の搬入および搬出を容易かつ円滑に行うことができる。

一方、このように飛散防止部材が処理液回収部材に対して相対的に昇降されることにより、処理液回収部材の内壁面に付着する処理液の析出物（汚染物資）が飛散防止部材の外壁面に付着する場合がある。

そこで、昇降手段により飛散防止部材が処理液回収部材に対して相対的に上昇しているときに、飛散防止部材の外壁面に洗浄液供給手段により洗浄液が供給される。これにより、飛散防止部材の外壁面に付着する汚染物質が除去される。それにより、飛散防止部材に付着する汚染物質が剥離して処理中または搬送中の基板に付着することが防止される。その結果、処理液の析出物に起因する基板の処理不良が十分に防止される。

（２）飛散防止部材の外壁面と処理液回収部材の内壁面との間には隙間が形成され、洗浄液供給手段は、飛散防止部材の外壁面に供給された洗浄液が隙間を流れるように配置されてもよい。

この場合、洗浄液供給手段により飛散防止部材の外壁面に供給される洗浄液が、飛散防止部材の外壁面と処理液回収部材の内壁面との間の隙間を流れる。これにより、飛散防止部材の外壁面および処理液回収部材の内壁面に付着する汚染物質をともに除去することができる。その結果、処理液の析出物に起因する基板の処理不良がより十分に防止される。

（３）洗浄液供給手段は、処理液回収部材の上端部に設けられてもよい。この場合、洗浄液供給手段の取り付けを容易に行うことができる。

また、処理液回収部材は、飛散防止部材の下方に位置する。それにより、飛散防止部材が処理液回収部材に対して相対的に上昇する際には、処理液回収部材の上端部は、最も広い範囲で飛散防止部材の外壁面と対向する。したがって、飛散防止部材の外壁面の広い範囲を洗浄することができる。

（４）洗浄液供給手段により供給された洗浄液は、飛散防止部材の外壁面に沿って下方へ導かれるとともに処理液回収部材により回収され、基板処理装置は、処理液回収部材により回収された処理液を処理液供給手段へと戻す循環系と、処理液回収部材により回収された洗浄液を廃棄するための廃棄系と、処理液回収部材に循環系および廃棄系を選択的に接続する切替手段とをさらに備え、切替手段は、処理液供給手段から基板に処理液が供給される際に処理液回収部材に循環系を接続し、洗浄液供給手段から飛散防止部材に洗浄液が供給される際に処理液回収部材に廃棄系を接続してもよい。

この場合、処理液供給手段から基板に処理液が供給される際には、切替手段により処理液回収部材に循環系が接続される。これにより、処理液回収部材により回収された処理液が、循環系により処理液供給手段へ戻される。それにより、処理液が基板の処理に再利用される。

また、洗浄液供給手段から飛散防止部材に洗浄液が供給される際には、切替手段により処理液回収部材に廃棄系が接続される。これにより、処理液回収部材により回収された洗浄液が、廃棄系により廃棄される。

このように、一般に洗浄液よりも高価な処理液を再利用することにより、基板の製造コストを十分に低減することができる。また、飛散防止部材に供給された洗浄液を循環系へ送ることなく廃棄することにより、良質の処理液のみを再利用することができる。その結果、処理液の劣化が低減され、基板の処理不良が防止される。

（５）洗浄液供給手段は、飛散防止部材の外壁面へ気体が混合された洗浄液を供給してもよい。この場合、洗浄液供給手段内の圧力で収縮している気泡が洗浄液供給手段から供給されることにより膨張する。これにより、洗浄液が洗浄液供給手段から大きな広がり角で噴出される。それにより、飛散防止部材の外壁面の広い範囲を洗浄することができる。

（６）洗浄液供給手段は、飛散防止部材の外壁面へ処理液と同じ成分の洗浄液を供給してもよい。この場合、基板の処理中に飛散防止部材の外壁面に洗浄液を供給することができる。

（７）洗浄液供給手段は、飛散防止部材の外壁面を取り囲むように設けられ、飛散防止部材の外壁面に対向する複数の洗浄液供給口を有する管状部材を含んでもよい。この場合、複数の洗浄液供給口から飛散防止部材の外壁面に洗浄液が供給される。それにより、簡単な構造を有する管状部材により飛散防止部材の外壁面を広い範囲にわたって洗浄することができる。

（８）処理液は、塩を含む溶液であってもよい。このような処理液が乾燥することにより塩の析出物が生成されやすい。したがって、処理液の析出物に起因する基板の処理不良がさらに十分に防止される。

（９）第２の発明に係る基板処理方法は、基板保持手段により保持される基板に処理液を供給することにより基板を処理するステップと、基板の処理中に基板保持手段を取り囲む飛散防止部材により基板から周囲に飛散する処理液を受け止めて下方へ導き、飛散防止部材を取り囲む処理液回収部材によりその処理液を回収するステップと、飛散防止部材を処理液回収部材に対して相対的に上昇させつつ、飛散防止部材の外壁面に洗浄液を供給することにより飛散防止部材を洗浄するステップとを備えたものである。

この発明に係る基板処理方法においては、基板保持手段により保持される基板に処理液が供給され、基板の処理が行われる。このとき、基板に供給された処理液は周囲に飛散する。飛散する処理液は、基板保持手段を取り囲むように設けられた飛散防止部材により受け止められ、下方へ導かれる。下方に導かれた処理液は、飛散防止部材を取り囲むように設けられた処理液回収部材により回収される。

ここで、飛散防止部材は、処理液回収部材に対して相対的に昇降される。これにより、基板の処理時と基板保持手段への基板の搬入および搬出時で飛散防止部材の配置を変化させることができる。それにより、基板の搬入および搬出を容易かつ円滑に行うことができる。

一方、このように飛散防止部材が処理液回収部材に対して相対的に昇降されることにより、処理液回収部材の内壁面に付着する処理液の析出物（汚染物資）が飛散防止部材の外壁面に付着する場合がある。

そこで、飛散防止部材が処理液回収部材に対して相対的に上昇しているときに、飛散防止部材の外壁面に洗浄液が供給される。これにより、飛散防止部材の外壁面に付着する汚染物質が除去される。それにより、飛散防止部材に付着する汚染物質が剥離して処理中または搬送中の基板に付着することが防止される。その結果、処理液の析出物に起因する基板の処理不良が十分に防止される。

（１０）基板処理方法は、飛散防止部材の洗浄中に、飛散防止部材の外壁面に供給される洗浄液を処理液回収部材により回収するステップと、処理液回収部材により回収される洗浄液を廃棄するステップと、処理液回収部材により回収される処理液を基板の処理に再利用するステップとをさらに備えてもよい。

この場合、基板に処理液が供給される際には、処理液回収部材により回収された処理液が基板の処理に再利用される。

また、飛散防止部材に洗浄液が供給される際には、処理液回収部材により回収された洗浄液が廃棄される。

このように、一般に洗浄液よりも高価な処理液を再利用することにより、基板の製造コストを十分に低減することができる。また、飛散防止部材に供給された洗浄液を廃棄することにより、良質の処理液のみを再利用することができる。その結果、処理液の劣化が低減され、基板の処理不良が防止される。

本発明に係る基板処理装置および基板処理方法によれば、昇降手段により飛散防止部材が処理液回収部材に対して相対的に上昇しているときに、飛散防止部材の外壁面に洗浄液供給手段により洗浄液が供給される。これにより、飛散防止部材の外壁面に付着する汚染物質が除去される。それにより、飛散防止部材に付着する汚染物質が剥離して処理中または搬送中の基板に付着することが防止される。その結果、処理液の析出物に起因する基板の処理不良が十分に防止される。

以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理方法および基板処理装置について図面を参照しつつ説明する。

以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等をいう。

また、薬液とは、例えばＢＨＦ（バッファードフッ酸）、ＤＨＦ（希フッ酸）、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸もしくはアンモニア等の水溶液、またはそれらの混合溶液をいう。

リンス液とは、例えば純水、炭酸水、オゾン水、磁気水、還元水（水素水）もしくはイオン水、またはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の有機溶剤をいう。

（１） 基板処理装置の構成
図１は本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。図１に示すように、基板処理装置１００は、処理領域Ａ，Ｂを有し、処理領域Ａ，Ｂ間に搬送領域Ｃを有する。

処理領域Ａには、制御部４、流体ボックス部２ａ，２ｂ、洗浄処理部５ａ，５ｂが配置されている。

図１の流体ボックス部２ａ，２ｂは、それぞれ洗浄処理部５ａ，５ｂへの薬液およびリンス液の供給および洗浄処理部５ａ，５ｂからの廃棄（排液）等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器、処理液貯留タンク等の流体関連機器を収納する。

洗浄処理部５ａ，５ｂでは、薬液による洗浄処理（以下、薬液処理と呼ぶ）およびリンス液による洗浄処理（以下、リンス処理と呼ぶ）が行われる。本実施の形態において、例えば洗浄処理部５ａ，５ｂで用いられる薬液はフッ化アンモニウムとフッ化水素との混合溶液であるＢＨＦであり、リンス液は純水である。

処理領域Ｂには、流体ボックス部２ｃ，２ｄおよび洗浄処理部５ｃ，５ｄが配置されている。流体ボックス部２ｃ，２ｄおよび洗浄処理部５ｃ，５ｄの各々は、上記流体ボックス部２ａ，２ｂおよび洗浄処理部５ａ，５ｂと同様の構成を有し、洗浄処理部５ｃ，５ｄは洗浄処理部５ａ，５ｂと同様の処理を行う。

以下、洗浄処理部５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄを処理ユニットと総称する。搬送領域Ｃには、基板搬送ロボットＣＲが設けられている。

処理領域Ａ，Ｂの一端部側には、基板Ｗの搬入および搬出を行うインデクサＩＤが配置されており、インデクサロボットＩＲはインデクサＩＤの内部に設けられている。インデクサＩＤには、基板Ｗを収納するキャリア１が載置される。

インデクサＩＤのインデクサロボットＩＲは、矢印Ｕの方向に移動し、キャリア１から基板Ｗを取り出して基板搬送ロボットＣＲに渡し、逆に、一連の処理が施された基板Ｗを基板搬送ロボットＣＲから受け取ってキャリア１に戻す。

基板搬送ロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲから渡された基板Ｗを指定された処理ユニットに搬送し、または、処理ユニットから受け取った基板Ｗを他の処理ユニットまたはインデクサロボットＩＲに搬送する。

本実施の形態においては、洗浄処理部５ａ〜５ｄのいずれかにおいて基板Ｗに薬液処理およびリンス処理が行われた後に、基板搬送ロボットＣＲにより基板Ｗが洗浄処理部５ａ〜５ｄから搬出され、インデクサロボットＩＲを介してキャリア１に搬入される。

制御部４は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）を含むコンピュータ等からなり、処理領域Ａ，Ｂの各処理ユニットの動作、搬送領域Ｃの基板搬送ロボットＣＲの動作およびインデクサＩＤのインデクサロボットＩＲの動作を制御する。

（２） 洗浄処理部の構成
図２は本発明の一実施の形態に係る基板処理装置１００の洗浄処理部５ａ〜５ｄの構成を説明するための図である。

図２の洗浄処理部５ａ〜５ｄは、薬液処理により基板Ｗの表面に付着した有機物等の不純物を除去した後、リンス処理を行う。

図２に示すように、洗浄処理部５ａ〜５ｄは、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック２１を備える。スピンチャック２１は、チャック回転駆動機構３６によって回転される回転軸２５の上端に固定されている。

基板Ｗは、薬液処理およびリンス処理を行う場合に、スピンチャック２１により水平に保持された状態で回転される。なお、図２に示すように、本実施の形態では、吸着式のスピンチャック２１を用いているが、基板Ｗの周縁部を把持するスピンチャックを用いてもよい。

スピンチャック２１の外方に、モータ６０が設けられている。モータ６０には、回動軸６１が接続されている。また、回動軸６１には、アーム６２が水平方向に延びるように連結され、アーム６２の先端に薬液処理用ノズル５０が設けられている。

モータ６０により回動軸６１が回転するとともにアーム６２が回動し、薬液処理用ノズル５０がスピンチャック２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。

モータ６０、回動軸６１およびアーム６２の内部を通るように薬液処理用供給管６３が設けられている。薬液処理用供給管６３は流体ボックス部２ａ〜２ｄに接続されている。

洗浄処理部５ａ〜５ｄの薬液処理用ノズル５０には、薬液処理用供給管６３を通して流体ボックス部２ａ〜２ｄから薬液（ＢＨＦ）が供給される。それにより、基板Ｗの表面へ薬液を供給することができる。

基板Ｗの表面へ薬液を供給するときには、薬液処理用ノズル５０は基板Ｗの上方に位置し、基板Ｗの表面へ薬液を供給しないときには、薬液処理用ノズル５０は所定の位置に退避される。

また、スピンチャック２１の外方には、モータ７１が設けられている。モータ７１には、回動軸７２が接続されている。また、回動軸７２には、アーム７３が水平方向に延びるように連結され、アーム７３の先端にリンス処理用ノズル７０が設けられている。

モータ７１により回動軸７２が回転するとともにアーム７３が回動し、リンス処理用ノズル７０がスピンチャック２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。

モータ７１、回動軸７２およびアーム７３の内部を通るようにリンス処理用供給管７４が設けられている。リンス処理用供給管７４は流体ボックス部２ａ〜２ｄに接続されている。

洗浄処理部５ａ〜５ｄのリンス処理用ノズル７０には、リンス処理用供給管７４を通して流体ボックス部２ａ〜２ｄからリンス液（純水）が供給される。それにより、基板Ｗの表面へリンス液を供給することができる。

基板Ｗの表面へリンス液を供給するときには、リンス処理用ノズル７０は基板Ｗの上方に位置し、基板Ｗの表面へリンス液を供給しないときには、リンス処理用ノズル７０は所定の位置に退避される。

スピンチャック２１は、処理カップ２３内に収容されている。処理カップ２３の内側には、筒状の仕切壁３３が設けられている。また、スピンチャック２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗのリンス処理に用いられたリンス液を回収して廃棄するための廃棄空間３１が形成されている。廃棄空間３１は、スピンチャック２１の外周に沿うように環状かつ溝状に形成されている。

さらに、廃棄空間３１を取り囲むように、処理カップ２３と仕切壁３３との間に基板Ｗの薬液処理に用いられた薬液を回収して基板処理装置１００内で循環させるための循環液空間３２が形成されている。循環液空間３２は、廃棄空間３１の外周に沿うように環状かつ溝状に形成されている。

廃棄空間３１には、後述する図８の廃棄系配管１３０へリンス液を導くための廃棄管３４が接続され、循環液空間３２には、後述する図８の循環系配管１２０Ａへ薬液を導くための回収管３５が接続されている。

処理カップ２３の上方には、基板Ｗからの薬液またはリンス液が外方へ飛散することを防止するためのスプラッシュガード２４が設けられている。このスプラッシュガード２４は、回転軸２５に対して回転対称な形状からなっている。スプラッシュガード２４の上端部の内面には、断面く字状の廃棄案内溝４１が環状に形成されている。

また、スプラッシュガード２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部４２が形成されている。回収液案内部４２の上端付近には、処理カップ２３の仕切壁３３を受け入れるための仕切壁収納溝４３が形成されている。

スプラッシュガード２４は、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構３７により支持されている。ガード昇降駆動機構３７は、スプラッシュガード２４を、その上端部がスピンチャック２１の上端部とほぼ同じまたはスピンチャック２１の上端部よりも低い搬入搬出位置Ｐ１と、回収液案内部４２がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する循環位置Ｐ２と、廃棄案内溝４１がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する廃棄位置Ｐ３との間で上下動させる。

スピンチャック２１上に基板Ｗが搬入される際、およびスピンチャック２１上から基板Ｗが搬出される際には、スプラッシュガード２４は搬入搬出位置Ｐ１に下降する。

スプラッシュガード２４が循環位置Ｐ２にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した薬液が回収液案内部４２により循環液空間３２に導かれ、回収管３５を通して循環系配管１２０Ａに送られる。

一方、スプラッシュガード２４が廃棄位置Ｐ３にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散したリンス液が廃棄案内溝４１により廃棄空間３１に導かれ、廃棄管３４を通して廃棄される。

処理カップ２３の上端部には、処理カップ２３の外周に沿うように円環状に形成されたガード洗浄用ノズル８１が設けられている。ガード洗浄用ノズル８１には、ガード洗浄用供給管８２を通して流体ボックス部２ａ〜２ｄから洗浄液が供給される。ガード洗浄用ノズル８１は、供給された洗浄液をスプラッシュガード２４の外壁面２４Ｗへと噴出（吐出）する。それにより、スプラッシュガード２４の外壁面２４Ｗが洗浄される。

スプラッシュガード２４に噴出する洗浄液としては、例えば、リンス処理に用いたリンス液（純水）またはその他のリンス液等を用いることができる。また、薬液処理に用いた薬液（ＢＨＦ）またはその他の薬液を用いることもできる。さらに、洗浄液には空気または不活性ガス等の気体を混合してもよい。本実施の形態では、スプラッシュガード２４に噴出する洗浄液として純水を用いるとともに、洗浄液に不活性ガスとしてＮ_２ ガスを混合する。詳細は後述する。

（３） ガード洗浄用ノズルの構造および処理カップへの取り付け
ガード洗浄用ノズル８１の構造の詳細およびガード洗浄用ノズル８１によるスプラッシュガード２４の洗浄動作の詳細を説明する。

図３は図２のガード洗浄用ノズル８１の構造を説明するための図であり、図４は図２のガード洗浄用ノズル８１の処理カップ２３への取り付けを説明するための図である。

図３（ａ）に、ガード洗浄用ノズル８１の上面図が示されている。本実施の形態に用いるガード洗浄用ノズル８１は、例えばＰＴＦＥ（四フッ化エチレン樹脂）またはＰＦＡ（四フッ化エチレン・パーフルオロアルコキシエチレン共重合体）等のフッ素樹脂からなるチューブにより形成されている。

また、ガード洗浄用ノズル８１は、半円環状に延びるガード対向部８１ａと、ガード対向部８１ａの略中央部から外方に延びて図２のガード洗浄用供給管８２に接続される供給管接続部８１ｂとを備える。

図４に示すように、処理カップ２３の上端部には、２つのガード洗浄用ノズル８１が互いに対向するように取り付けられる。

具体的には、処理カップ２３の上端部に複数のノズル保持ホルダ８１Ｈをネジ等により取り付ける。その後、それらのノズル保持ホルダ８１Ｈに２つのガード洗浄用ノズル８１を取り付ける。

なお、ノズル保持ホルダ８１Ｈは断面コ字状に形成されており、ノズル保持ホルダ８１Ｈへのガード洗浄用ノズル８１の取り付けは、ノズル保持ホルダ８１Ｈの内部にガード洗浄用ノズル８１のガード対向部８１ａを嵌め込むことにより行う。

図３（ｂ）に、図３（ａ）のガード対向部８１ａの内周側の拡大図が示されている。このように、ガード対向部８１ａの内周側には複数の洗浄液噴出孔８１１が所定の間隔で並んでいる。

ガード対向部８１ａが形成する半円環の外径ＬＬは処理カップ２３の大きさに応じて設定される。本実施の形態において、ガード対向部８１ａの外径ＬＬは例えば約４６０ｍｍに設定される。

また、ガード対向部８１ａのチューブ外径ＤＣは、例えば８ｍｍである。この場合、ガード対向部８１ａに形成される複数の洗浄液噴出孔８１１の孔径ＬＨは、０．５ｍｍ〜１．５ｍｍの範囲に設定されることが好ましく、１．０ｍｍであることがより好ましい。

また、隣接する洗浄液噴出孔８１１の間隔ＣＬは、２．５ｍｍ〜１０．０ｍｍの範囲に設定されることが好ましく、５．０ｍｍであることがより好ましい。

図５は、処理カップ２３の上端部にガード洗浄用ノズル８１が取り付けられた状態を示す拡大断面図である。

図５に示すように、断面コ字状のノズル保持ホルダ８１ＨがネジＮにより処理カップ２３の上端部に取り付けられ、ノズル保持ホルダ８１Ｈの内部にガード洗浄用ノズル８１が嵌め込まれている。

ノズル保持ホルダ８１Ｈは、その一部が処理カップ２３の内壁面２３Ｉからスプラッシュガード２４の外壁面２４Ｗに向かって突出するように設けられている。ノズル保持ホルダ８１Ｈとスプラッシュガード２４の外壁面２４Ｗとの間に隙間ＣＤが形成されている。この隙間ＣＤは、例えば約２ｍｍに設定される。

この状態で、ガード洗浄用ノズル８１の洗浄液噴出孔８１１がスプラッシュガード２４の外壁面２４Ｗと対向する。上述のガード洗浄用供給管８２（図２）に洗浄液を供給することにより、ガード洗浄用ノズル８１の洗浄液噴出孔８１１から洗浄液が噴出される。

洗浄液噴出孔８１１から噴出された洗浄液は、スプラッシュガード２４の外壁面２４Ｗに衝突し、スプラッシュガード２４の外壁面２４Ｗに付着する析出物および汚れ（以下、汚染物質と呼ぶ）を除去する。なお、析出物とは、例えば背景技術において説明した薬液の析出物ＳＬ（図１４）である。

外壁面２４Ｗに衝突した洗浄液は処理カップ２３の内壁面２３Ｉおよびスプラッシュガード２４の外壁面２４Ｗの両方または一方に沿って流れ落ち、図２の循環液空間３２に導かれる。

ここで、循環液空間３２に導かれた洗浄液は、薬液が回収される場合と異なり後述する図８の廃棄系配管１３０へと導かれる。

（４） スプラッシュガードの洗浄タイミング
スプラッシュガード２４の洗浄はスプラッシュガード２４がガード昇降駆動機構３７により上昇される際に行われる。図６は、スプラッシュガード２４の洗浄タイミングを説明するための図である。

本実施の形態において、図２の洗浄処理部５ａ〜５ｄでは、初めに基板Ｗがスピンチャック２１上に搬入される。そして、スピンチャック２１により保持された基板Ｗに薬液が供給され、薬液処理が行われる。その後、基板Ｗにリンス液が供給され、リンス処理が行われる。リンス処理の後に振り切り乾燥処理が行われ、振り切り乾燥処理が終了した基板Ｗは、スピンチャック２１上から搬出される。

スプラッシュガード２４はこのような予め定められた処理工程に従って、ガード昇降駆動機構３７により昇降動作される。

図６（ａ）〜（ｃ）では、スピンチャック２１上に基板Ｗが搬入され、薬液処理が開始されるまでの処理カップ２３およびスプラッシュガード２４の位置関係が時系列で示されている。

図６（ａ）に示すように、薬液処理を行うときには初めにスプラッシュガード２４が搬入搬出位置Ｐ１から上昇を開始する。このスプラッシュガード２４の上昇とともに、ガード洗浄用ノズル８１からスプラッシュガード２４の外壁面２４Ｗに洗浄液が噴出される。これにより、スプラッシュガード２４の外壁面２４Ｗの上端部近傍に付着する汚染物質Ｑが洗浄液により下方へと洗い流される。

図６（ｂ）に示すように、スプラッシュガード２４が上昇するとともに、外壁面２４Ｗに付着した汚染物質Ｑがガード洗浄用ノズル８１から噴出される洗浄液により下方へと洗い流される。

それにより、スプラッシュガード２４が循環位置Ｐ２まで上昇した際には、図６（ｃ）に示すように、鉛直方向における外壁面２４Ｗの全範囲に洗浄液が噴出され、外壁面２４Ｗに付着した汚染物質Ｑが全て洗い流される。

逆に、スプラッシュガード２４が下降する際には、ガード洗浄用ノズル８１から洗浄液は噴出されない。これにより、外壁面２４Ｗに付着する汚染物質Ｑがガード洗浄用ノズル８１から噴出される洗浄液により上方に押し上げられて残留することが防止される。

本実施の形態において、ガード洗浄用ノズル８１から洗浄液を噴出する際のスプラッシュガード２４の上昇速度は、基板Ｗの搬入から搬出までの処理工程における上昇速度よりも低く設定され、例えば約５ｍｍ／ｓｅｃ〜１０ｍｍ／ｓｅｃである。なお、基板Ｗの処理工程におけるスプラッシュガード２４の上昇および下降速度は通常約３００ｍｍ／ｓｅｃに設定される。

（５） ガード洗浄用ノズルによる洗浄液の噴出
上述のように、ガード洗浄用ノズル８１からスプラッシュガード２４の外壁面２４Ｗへと噴出される洗浄液に空気または不活性ガス等の気体を混合する。

図７は、ガード洗浄用ノズル８１から噴出される洗浄液に気体が混合されることによる効果を説明するための図である。

図７（ａ）に示すように、ガード洗浄用ノズル８１に接続されたガード洗浄用供給管８２に、インラインミキサおよびミキシングバルブのうちの少なくともいずれか一方を含む気液混合装置８４が接続される。この気液混合装置８４に洗浄液として純水を供給するとともに、不活性ガスとしてＮ_２ （窒素）ガスを供給する。これにより、気液混合装置８４により生成された洗浄液と不活性ガスとの混合流体をガード洗浄用ノズル８１に供給することができる。

ここで、洗浄液と不活性ガスとの混合状態を例えば洗浄液中に微細な不活性ガスの気泡が分散するように調整する。この場合、ガード洗浄用ノズル８１内の圧力で収縮されている気泡が洗浄液噴出孔８１１から噴出されることにより膨張する。これにより、図７（ａ）に示すように、洗浄液が複数の洗浄液噴出孔８１１から大きな広がり角で噴出される。それにより、スプラッシュガード２４の外壁面２４Ｗの円周方向に隙間なく洗浄液を噴出することができる。その結果、スプラッシュガード２４が上昇することにより外壁面２４Ｗの全面を洗浄することが可能となっている。

これに対して、図７（ｂ）に示すように、ガード洗浄用ノズル８１に洗浄液のみが供給される場合、ガード洗浄用ノズル８１に供給された洗浄水は洗浄液噴出孔８１１から直線的に外壁面２４Ｗへと噴出される。

この場合、ガード洗浄用ノズル８１の洗浄液噴出孔８１１に対向するスプラッシュガード２４の外壁面２４Ｗの部分は洗浄されるが、他の領域ＲＥは洗浄されない。そのため、スプラッシュガード２４が上昇した場合であっても、スプラッシュガード２４に付着する汚染物質Ｑは上下方向にストライプ状に延びる領域に残留する。このような場合には、ガード洗浄用ノズル８１の洗浄液噴出孔８１１から噴出される洗浄水の流量を高めることによりスプラッシュガード２４の全面を洗浄することが可能となる。

なお、気液混合装置８４として、インラインミキサやミキシングバルブを例としてあげたが、単に洗浄液と不活性ガスとを合流させることができるものであれば何でもよく、例えば、洗浄液の供給配管、不活性ガスの供給配管、およびガード洗浄用供給管８２が接続されるＴ字状の継ぎ手等の合流部材であってもよい。

（６） 薬液の再利用ならびにリンス液および洗浄液の廃棄
図８は、図１の基板処理装置１００における配管の系統図である。

図８に示すように、洗浄処理部５ａ〜５ｄのリンス処理用ノズル７０には流体ボックス部２ａ〜２ｄへ延びるリンス処理用供給管７４が接続されている。

リンス処理用供給管７４にはバルブ７５が介挿されている。流体ボックス部２ａ〜２ｄにおいて、リンス処理用供給管７４にリンス液として純水が供給される。これにより、バルブ７５を操作することにより基板Ｗにリンス液を供給することができる。

洗浄処理部５ａ〜５ｄの薬液処理用ノズル５０には流体ボックス部２ａ〜２ｄ内の薬液貯留タンクＴＡへ延びる薬液処理用供給管６３が接続されている。

薬液処理用供給管６３には、バルブ６４が介挿され、流体ボックス部２ａ〜２ｄにおいてバルブ６４側から順にフィルタＦ、ポンプ７４Ｐおよび温度調節器２１０が介挿されている。薬液貯留タンクＴＡ内には、薬液としてＢＨＦが貯留されている。

薬液処理用供給管６３に介挿されたポンプ７４Ｐが動作すると、薬液貯留タンクＴＡ内の薬液が温度調節器２１０へ送られ、所定の温度に調整される。そして、温度が調整された薬液は、ポンプ７４ＰおよびフィルタＦを通じてバルブ６４へ送られる。これにより、バルブ６４を操作することにより基板Ｗに薬液を供給することができる。

ここで、流体ボックス部２ａ〜２ｄにおいて薬液処理用供給管６３のバルブ６４とポンプ７４Ｐとの間には配管７６の一端が接続されている。配管７６の他端は薬液貯留タンクＴＡへ延びている。配管７６にはバルブ７７が介挿されている。

バルブ６４を閉じるとともにバルブ７７を開くことにより、薬液貯留タンクＴＡからくみ上げられた薬液が、洗浄処理部５ａ〜５ｄに送られることなく再度薬液貯留タンクＴＡに貯留される。このように、薬液が薬液貯留タンクＴＡ、薬液処理用供給管６３、ポンプ７４Ｐ、フィルタＦ、温度調節器２１０および配管７６を循環することにより、薬液貯留タンクＴＡ内の薬液が温度調節器２１０により所定の温度に維持されるとともに、フィルタＦにより清浄に保たれる。

上述のように、洗浄処理部５ａ〜５ｄの２つのガード洗浄用ノズル８１にはガード洗浄用供給管８２が接続されている。ガード洗浄用供給管８２は流体ボックス部２ａ〜２ｄへ延びている。

本例では、ガード洗浄用供給管８２は１つの主管および２つの分岐管からなる分岐配管である。２つのガード洗浄用ノズル８１にはそれぞれガード洗浄用供給管８２の分岐管が接続されている。

ガード洗浄用供給管８２の主管は流体ボックス部２ａ〜２ｄ内の気液混合装置８４に接続されている。この気液混合装置８４には、上述のように洗浄液として純水が供給されるとともに、不活性ガスとしてＮ_２ ガスが供給される。

これにより、２つのガード洗浄用ノズル８１に洗浄液と不活性ガスとの混合流体を供給することができる。それにより、洗浄液をスプラッシュガード２４の外壁面２４Ｗ（図２）に大きな広がり角で噴出させることができる。

処理カップ２３内の廃棄空間３１に廃棄管３４の一端が接続されている。廃棄管３４の他端は後述する廃棄系配管１３０に接続されている。

処理カップ２３内の循環液空間３２には回収管３５の一端が接続されている。回収管３５の他端は三方バルブ１１０に接続されている。この三方バルブ１１０には、循環系配管１２０Ａおよび廃棄系配管１３０が接続されている。

循環系配管１２０Ａは、流体ボックス部２ａ〜２ｄにある回収タンクＲＴＡに接続されており、循環系配管１２０Ａに導かれた薬液は一旦、回収タンクＲＴＡに貯留される。

回収タンクＲＴＡは、循環系配管１２０Ｂが接続されており、循環系配管１２０Ｂは、回収タンクＲＴＡから流体ボックス部２ａ〜２ｄ内の薬液貯留タンクＴＡへ延びている。流体ボックス部２ａ〜２ｄにおいて、循環系配管１２０Ｂには、ポンプ１２０Ｐが介挿されるとともにそのポンプ１２０Ｐを挟んで２つのフィルタＦが介挿されている。

廃棄系配管１３０は、洗浄処理部５ａ〜５ｄから流体ボックス部２ａ〜２ｄ内または基板処理装置１００の外部に設けられた図示しない廃棄装置へ延びている。

三方バルブ１１０は、基板Ｗの薬液処理時に回収管３５に流れ込む薬液を循環系配管１２０Ａへ導くように制御される。これにより、回収管３５の内部空間と循環系配管１２０Ａの内部空間とが三方バルブ１１０を介して連通する。この場合、薬液は廃棄系配管１３０に流れない。

循環系配管１２０Ａに導かれた薬液は、一旦回収タンクＲＴＡに貯留される。回収タンクＲＴＡに貯留された薬液は、ポンプ１２０Ｐにより循環系配管１２０Ｂを通じて薬液貯留タンクＴＡに送られるとともに、フィルタＦにより清浄にされる。それにより、薬液処理に用いられた薬液が、再度薬液貯留タンクＴＡに貯留される。

本実施の形態において、上述の三方バルブ１１０、バルブ６４，７５，７７、ポンプ７４Ｐ，１２０Ｐおよび温度調節器２１０の動作は図１の制御部４により制御されている。

このように、本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、薬液処理に用いられる薬液が循環しつつ再利用される。したがって、リンス液よりも高価な薬液を再利用することにより、基板Ｗの製造コストが低減される。

一方、三方バルブ１１０は、スプラッシュガード２４の洗浄時に回収管３５に流れ込む洗浄液を廃棄系配管１３０に導くように制御される。これにより、回収管３５の内部空間と廃棄系配管１３０の内部空間とが三方バルブ１１０を介して連通する。この場合、汚染物質Ｑを含む洗浄液は循環系配管１２０Ａに流れない。

廃棄系配管１３０に導かれた洗浄液は、廃棄装置に送られ、廃棄される。上述のように、廃棄管３４は廃棄系配管１３０に接続されている。これにより、基板Ｗのリンス処理時には、廃棄管３４に流れ込むリンス液が廃棄系配管１３０を通じて廃棄される。

なお、本実施の形態において、洗浄液に薬液処理に用いた薬液（ＢＨＦ）を用いる場合には、回収管３５の他端に三方バルブ１１０を接続する代わりに循環系配管１２０Ａを接続することができる。

それにより、基板Ｗの薬液処理時にも並行してスプラッシュガード２４の外壁面２４Ｗの洗浄を行うことができる。また、スプラッシュガード２４の上昇時に限らず、スプラッシュガード２４の外壁面２４Ｗで常に薬液が流動するようにガード洗浄用ノズル８１から薬液を供給してもよい。

この場合、スプラッシュガード２４の外壁面２４Ｗで薬液が乾燥することが防止される。それにより、スプラッシュガード２４の外壁面２４Ｗへの析出物、すなわち汚染物質Ｑの付着が十分に低減される。

（７） 効果
本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、基板Ｗの薬液処理中に基板Ｗから飛散し、スプラッシュガード２４の内壁面（回収液案内部４２）により受け止められた薬液が、その内壁面に沿って流下する。

流下した薬液は、さらに処理カップ２３の内壁面２３Ｉを通じて循環液空間３２に導かれる。循環液空間３２に導かれた薬液はさらに回収管３５へと送られる。

ここで、スプラッシュガード２４は、ガード昇降駆動機構３７により処理カップ２３に対して相対的に上昇および下降される。それにより、上記構成を有する洗浄処理部５ａ〜５ｄにおいては、薬液処理時に薬液が直接接触しないスプラッシュガード２４の外壁面２４Ｗに析出物（汚染物質Ｑ）が付着する場合がある。

図２に示すように、処理カップ２３の上端部に、処理カップ２３の外周に沿うように円環状に形成されたガード洗浄用ノズル８１が設けられている。

スプラッシュガード２４の上昇時に、ガード洗浄用ノズル８１からスプラッシュガード２４の外壁面２４Ｗへ洗浄液が噴出される。これにより、スプラッシュガード２４の外壁面２４Ｗの全面が洗浄される。それにより、スプラッシュガード２４に付着する汚染物質Ｑが除去される。

このように、スプラッシュガード２４に付着する汚染物質Ｑが除去されることにより、剥離した汚染物質Ｑからなるパーティクルが飛散し、処理中または搬送中の基板Ｗに付着することが防止される。その結果、処理液の析出物に起因する基板Ｗの処理不良が十分に防止される。

（８） 基板処理装置に用いられる薬液
本実施の形態では、ＢＨＦは、例えば基板Ｗの表面をエッチングして洗浄するために用いられる。他の薬液の例を以下に示す。

薬液としては、基板Ｗの表面に形成されたポリマーを除去するためのフッ化アンモニウムを含む溶液、例えばフッ化アンモニウムおよびリン酸を含む混合溶液を用いることができる。

なお、本実施の形態において用いたＢＨＦ、ならびにフッ化アンモニウムおよびリン酸を含む混合溶液のように、アルカリ性溶液と酸性溶液との混合により生成される塩を含む溶液を用いた場合にはスプラッシュガード２４の外壁面２４Ｗに析出物が生成されやすい。

したがって、本基板処理装置は、薬液としてアルカリ性溶液と酸性溶液との混合溶液を用いた場合に、顕著な効果を得ることができる。

また、基板Ｗの現像処理を行うためのＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）等のアルカリ性溶液または酢酸ブチル等の酸性溶液を薬液として用いることができる。

さらに、基板Ｗの表面に形成されたレジストを剥離するための硫酸過水またはオゾン水を薬液として用いることができる。

また、基板Ｗの表面をエッチングまたは洗浄するためのＢＨＦ、ＤＨＦ（希フッ酸）、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸、アンモニア、クエン酸、過酸化水素水もしくはＴＭＡＨ等の水溶液、またはそれらの混合溶液を薬液として用いることができる。

（９） 他の構成例
本実施の形態では、図２を用いて説明したように、スプラッシュガード２４の外壁面２４Ｗに付着する汚染物質Ｑを除去するために、処理カップ２３の上端部にガード洗浄用ノズル８１が設けられている。

ここで、薬液処理時に薬液が直接的に接触しないスプラッシュガード２４の外壁面２４Ｗに汚染物質Ｑが付着する際には、循環液空間３２を形成する処理カップ２３の内壁面２３Ｉにも汚染物質Ｑが付着するものと考えられる。

そこで、処理カップ２３の内壁面２３Ｉを洗浄する構成を説明する。

図９は、図２に示す洗浄処理部５ａ〜５ｄの他の構成例を説明するための断面図である。

図９（ａ）に処理カップ２３の内壁面２３Ｉを洗浄する構成の一例が示されている。図９（ａ）に示すように、本例では、ガード洗浄用ノズル８１に加えて、ガード洗浄用ノズル８１とほぼ同じ形状を有する円環状のカップ洗浄用ノズル８３が用いられる。

カップ洗浄用ノズル８３は、洗浄液噴出孔８３１が処理カップ２３の内壁面２３Ｉの下部とほぼ対向するように、仕切壁３３の下端部近傍に取り付けられる。

この構成において、ガード洗浄用ノズル８１によるスプラッシュガード２４の洗浄と同時に、内壁面２３Ｉの下部に向かってカップ洗浄用ノズル８３から洗浄液を噴出させる。

これにより、スプラッシュガード２４の外壁面２４Ｗとともに、処理カップ２３の内壁面２３Ｉの下部が洗浄される。それにより、処理カップ２３の内壁面２３Ｉに付着する汚染物質Ｑが、スプラッシュガード２４の外壁面２４Ｗに付着する汚染物質Ｑとともに洗い流される。

その結果、スプラッシュガード２４および処理カップ２３に付着する汚染物質Ｑを確実に除去することができる。

図９（ｂ）に処理カップ２３の内壁面２３Ｉを洗浄する構成のさらに他の例が示されている。図９（ｂ）に示すように、本例では、カップ洗浄用ノズル８３は、洗浄液噴出孔８３１が処理カップ２３の内壁面２３Ｉの上部とほぼ対向するように、仕切壁３３の上端部に取り付けられる。

この構成において、ガード洗浄用ノズル８１によるスプラッシュガード２４の洗浄と同時に、内壁面２３Ｉの上部に向かってカップ洗浄用ノズル８３から洗浄液を噴出させる。

これにより、スプラッシュガード２４の外壁面２４Ｗとともに、処理カップ２３の内壁面２３Ｉの上部が洗浄される。それにより、処理カップ２３の内壁面２３Ｉに付着する汚染物質Ｑが、スプラッシュガード２４の外壁面２４Ｗに付着する汚染物質Ｑとともに洗い流される。

その結果、スプラッシュガード２４および処理カップ２３に付着する汚染物質Ｑを確実に除去することができる。

カップ洗浄用ノズル８３を仕切壁３３の上端部および下端部に設けてもよい。この場合、処理カップ２３およびスプラッシュガード２４に付着する汚染物質Ｑをより確実に除去することができる。

なお、カップ洗浄用ノズル８３から噴出される洗浄液にも空気または不活性ガス等の気体を混合することが好ましい。気体を混合することにより、洗浄液が洗浄液噴出孔８３１から大きな広がり角で噴出される。その結果、より高い洗浄効果を得ることができる。

本実施の形態において、ガード洗浄用ノズル８１からスプラッシュガード２４には洗浄液が噴出されるとしているが、ガード洗浄用ノズル８１からスプラッシュガード２４に噴出される洗浄液の噴出圧は、例えば０．０８ＭＰａ〜０．１０ＭＰａに設定することが好ましい。

（１０） 請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以上、本発明の一実施の形態において、スピンチャック２１が基板保持手段に相当し、ＢＨＦ等の薬液が処理液に相当し、薬液処理用ノズル５０が処理液供給手段に相当し、スプラッシュガード２４が飛散防止部材に相当し、処理カップ２３および回収管３５が処理液回収部材に相当し、ガード昇降駆動機構３７が昇降手段に相当し、ガード洗浄用ノズル８１が洗浄液供給手段に相当し、スプラッシュガード２４の外壁面２４Ｗが外壁面に相当し、処理カップ２３の内壁面２３Ｉが内壁面に相当する。

また、回収管３５、三方バルブ１１０、循環系配管１２０Ａ，１２０Ｂ、回収タンクＲＴＡおよび薬液貯留タンクＴＡが循環系に相当し、回収管３５、三方バルブ１１０および廃棄系配管１３０が廃棄系に相当し、制御部４および三方バルブ１１０が切替手段に相当し、空気またはＮ_２ ガス等の不活性ガスが気体に相当し、複数の洗浄液噴出孔８１１が複数の洗浄液供給口に相当し、ＢＨＦが塩を含む溶液に相当する。

さらに、三方バルブ１１０による回収管３５の内部空間と、循環系配管１２０Ａの内部空間との連通が処理液回収部材と循環系との接続に相当し、三方バルブ１１０による回収管３５の内部空間と、廃棄系配管１３０の内部空間との連通が処理液回収部材と廃棄系との接続に相当する。

本発明に係る基板処理装置および基板処理方法は、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板等の基板製造等のために利用可能である。

本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。 本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の洗浄処理部の構成を説明するための図である。 図２のガード洗浄用ノズルの構造を説明するための図である。 図２のガード洗浄用ノズルの処理カップへの取り付けを説明するための図である。 処理カップの上端部にガード洗浄用ノズルが取り付けられた状態を示す拡大断面図である。 スプラッシュガードの洗浄タイミングを説明するための図である。 ガード洗浄用ノズルから噴出される洗浄液に気体が混合されることによる効果を説明するための図である。 図１の基板処理装置における配管の系統図である。 図２に示す洗浄処理部の他の構成例を説明するための断面図である。 従来の基板処理装置の構成および動作を説明するための図である。 従来の基板処理装置の構成および動作を説明するための図である。 従来の基板処理装置の構成および動作を説明するための図である。 従来の基板処理装置の構成および動作を説明するための図である。 従来の洗浄処理部における課題を説明するための図である。

符号の説明

４ 制御部
２１ スピンチャック
２４ スプラッシュガード
２３ 処理カップ
２３Ｉ 内壁面
２４ スプラッシュガード
２４Ｗ 外壁面
３５ 回収管
３７ ガード昇降駆動機構
５０ 薬液処理用ノズル
８１ ガード洗浄用ノズル
１００ 基板処理装置
１１０ 三方バルブ
１２０Ａ，１２０Ｂ 循環系配管
１３０ 廃棄系配管
８１１ 洗浄液噴出孔
ＣＤ 隙間
ＴＡ 薬液貯留タンク
ＲＴＡ 回収タンク

Claims (10)

1. 基板を保持する基板保持手段と、
   前記基板保持手段により保持される基板に処理液を供給する処理液供給手段と、
   前記基板保持手段を取り囲むように設けられ、前記基板保持手段により保持される基板から周囲に飛散する処理液を受け止めて下方へ導く飛散防止部材と、
   前記飛散防止部材を取り囲むように設けられ、前記飛散防止部材により下方へ導かれた処理液を回収する処理液回収部材と、
   前記飛散防止部材を前記処理液回収部材に対して相対的に昇降させる昇降手段と、
   前記昇降手段により前記飛散防止部材が前記処理液回収部材に対して相対的に上昇しているときに前記飛散防止部材の外壁面へ洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを備えたことを特徴とする基板処理装置。
2. 前記飛散防止部材の外壁面と前記処理液回収部材の内壁面との間には隙間が形成され、
   前記洗浄液供給手段は、前記飛散防止部材の外壁面に供給された洗浄液が前記隙間を流れるように配置されたことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記洗浄液供給手段は、前記処理液回収部材の上端部に設けられたことを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
4. 前記洗浄液供給手段により供給された洗浄液は、前記飛散防止部材の外壁面に沿って下方へ導かれるとともに前記処理液回収部材により回収され、
   前記処理液回収部材により回収された処理液を前記処理液供給手段へと戻す循環系と、
   前記処理液回収部材により回収された洗浄液を廃棄するための廃棄系と、
   前記処理液回収部材に前記循環系および前記廃棄系を選択的に接続する切替手段とをさらに備え、
   前記切替手段は、前記処理液供給手段から基板に処理液が供給される際に前記処理液回収部材に前記循環系を接続し、前記洗浄液供給手段から前記飛散防止部材に洗浄液が供給される際に前記処理液回収部材に前記廃棄系を接続することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
5. 前記洗浄液供給手段は、前記飛散防止部材の外壁面へ気体が混合された洗浄液を供給することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
6. 前記洗浄液供給手段は、前記飛散防止部材の外壁面へ処理液と同じ成分の洗浄液を供給することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
7. 前記洗浄液供給手段は、前記飛散防止部材の外壁面を取り囲むように設けられ、前記飛散防止部材の外壁面に対向する複数の洗浄液供給口を有する管状部材を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。
8. 前記処理液は、塩を含む溶液であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の基板処理装置。
9. 基板保持手段により保持される基板に処理液を供給することにより基板を処理するステップと、
   基板の処理中に前記基板保持手段を取り囲む飛散防止部材により基板から周囲に飛散する処理液を受け止めて下方へ導き、前記飛散防止部材を取り囲む処理液回収部材によりその処理液を回収するステップと、
   前記飛散防止部材を前記処理液回収部材に対して相対的に上昇させつつ、前記飛散防止部材の外壁面に洗浄液を供給することにより前記飛散防止部材を洗浄するステップとを備えたことを特徴とする基板処理方法。
10. 前記飛散防止部材の洗浄中に、前記飛散防止部材の外壁面に供給される洗浄液を前記処理液回収部材により回収するステップと、
    前記処理液回収部材により回収される洗浄液を廃棄するステップと、
    前記処理液回収部材により回収される処理液を基板の処理に再利用するステップとをさらに備えたことを特徴とする請求項９記載の基板処理方法。

Images