JP2011066426A - スイングノズルユニット及びそれを有する基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】強度が強く、耐食性に優れるスイングノズルユニット及びそれを有する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板が置かれるスピンヘッドを含む基板支持部材と、前記スピンヘッドの周りを囲むように設置されて基板上から飛散する処理流体を回収する処理容器と、スイング方式で回転し、前記スピンヘッドに置かれた基板に処理流体を噴射するスイングノズルユニット等を具備する。前記スイングノズルユニットは、処理流体供給チューブが位置する内部通路を形成する内側樹脂パイプと、前記内側樹脂パイプを囲むように設置される金属パイプと、前記金属パイプを囲むように設置される外側樹脂パイプからなるノズル体を有するノズル部と、前記ノズル部のθ軸回転及び昇降移動のための駆動部を具備する。
【選択図】図2

Description

本発明は基板処理装置に関し、さらに詳しくは、基板を洗浄処理するために処理流体を噴射するスイングノズルユニット及びそれを有する基板処理装置に関する。
一般に、半導体素子の高密度、高集積化、高性能化により回路パターンの微細化が急速に進んでいる。パターンの微細化により基板表面に残っているパーティクル(Particle)、有機汚染物、金属汚染物等の汚染物質は素子の特性と生産収率に大きな影響を及ぼす。このため、基板表面に付着される各種汚染物質又は要らない膜等を除去する洗浄工程が、半導体製造工程においてたいへん重要であり、半導体を製造する各単位工程の前後段階で基板を洗浄処理する工程が実施されている。
現在、半導体製造工程から使用される洗浄方法には、乾式洗浄(Dry Cleaning)と湿式洗浄(Wet Cleaning)がある。湿式洗浄には、洗浄液内に基板を沈積して化学的な溶解等によって汚染物質を除去するバス(Bath)方式と、スピンチャック上に基板を載せて基板が回転する間に基板の表面に洗浄液を供給して汚染物質を除去する枚葉方式がある。
枚葉方式の洗浄装置では、基板上から除去しようとする汚染物質及び膜質の種類により様々な洗浄液が使用され、洗浄液はスイングノズル及び固定ノズルにより選択的に基板に供給される。
ここで、スイングノズルとしては、樹脂材質のノズル又は金属材質のノズルが使用される。樹脂材質のノズルは、強度は弱いが耐食性が良く、金属材質のノズルは、強度は強いが耐食性が悪い長短所をともに有する。一般に、スイングノズルはスイングの堅固性を維持するために金属材質を使用し、腐食防止のために表面処理を行なう。
しかし、表面処理の際に金属パイプの内径部までは表面処理ができないので金属パイプの内径部の表面は腐食しやすい。
韓国公開特許2006−061816号公報
本発明の目的は、強度が強く、耐食性に優れるスイングノズルユニット及びそれを有する基板処理装置を提供することである。
本発明の他の目的は金属材質のパイプを使用しても腐食が発生しないスイングノズルユニット及びそれを有する基板処理装置を提供することである。
本発明の目的はこれに限定されず、言及されていない他の目的等は以下に説明される内容から自明である。
本発明の課題を解決するためのスイングノズルユニットは、処理流体供給チューブが位置する内部通路を提供する長いロッド状のノズル体を有するノズル部を含むと共に、前記ノズル体は内側樹脂パイプと、前記内側樹脂パイプを囲むように設置される金属パイプと、前記金属パイプを囲むように設置される外側樹脂パイプを含む。
本発明の実施形態によると、前記ノズル部は中央に前記処理流体供給チューブが通過する貫通孔を有し、前記金属パイプの一端が外部に露出されないように前記内側樹脂パイプの一端と前記外側樹脂パイプの一端に設置される封止キャップをさらに含む。
本発明の実施形態によると、前記ノズル部は前記封止キャップに設置され、前記処理流体供給チューブをホールディングするノズルチップを含む。
本発明の実施形態によると、前記内側樹脂パイプの一端と前記外側樹脂パイプの一端は前記金属パイプの一端より突出される。
本発明の実施形態によると、前記ノズル部は前記ノズル体の他端に設置されるフランジをさらに含み、前記スイングノズルユニットは前記フランジと連結され、前記ノズル部のθ軸回転及び昇降移動を行わせる駆動部をさらに含む。
本発明の実施形態によると、前記フランジは前記ノズル体の他端が差し込まれる挿入孔を有し、前記挿入孔に差し込まれる前記ノズル体の他端を固定するための固定部材をさらに含む。
本発明の実施形態によると、前記固定部材は前記フランジの側面から挿入されて前記ノズル体の他端に締結されるスクリューからなる。
本発明の実施形態によると、前記スクリューは前記外側樹脂パイプと前記金属パイプを貫通して締結される。
本発明による枚葉方式の基板処理装置は基板が置かれるスピンヘッドを含む基板支持部材と、前記スピンヘッドの周りを囲むように設置されて基板上から飛散する処理流体を回収する処理容器と、スイング方式で回転し、前記スピンヘッドに置かれた基板に処理流体を噴射するスイングノズルユニットを含み、前記スイングノズルユニットは、処理流体供給チューブが位置する内部通路を提供する内側樹脂パイプと、前記内側樹脂パイプを囲むように設置される金属パイプと、前記金属パイプを囲むように設置される外側樹脂パイプからなるノズル体を有するノズル部と、前記ノズル部のθ軸回転及び昇降移動のための駆動部を含む。
本発明の実施形態によると、前記ノズル部は中央に前記処理流体供給チューブが通過する貫通孔を有し、前記金属パイプの一端が外部に露出されないように前記内側樹脂パイプの一端と前記外側樹脂パイプの一端に設置される封止キャップをさらに含む。
本発明の実施形態によると、前記封止キャップは前記樹脂パイプと前記外側樹脂パイプとの熱融着のために前記内側樹脂パイプ及び前記外側樹脂パイプと同じ樹脂材料からなる。
本発明の実施形態によると、前記ノズル部は、前記封止キャップに結合され、前記処理流体供給チューブを固定するために前記処理流体供給チューブの一端が挿入される挿し込みホールを有するノズルチップをさらに含む。
本発明の実施形態によると、前記ノズル部は、前記ノズル体の他端に設置されるフランジをさらに含み、前記フランジは、前記ノズル体の他端が差し込まれる挿入孔が形成され、前記挿入孔に差し込まれる前記ノズル体の他端を固定するためのスクリューをさらに含む。
本発明によると、強度が強く、耐食性に優れるのでノズルの大きさを減らすことができ、装置のズレ及び振動を防止できる。
本発明による枚葉方式の基板処理装置の構成を示す平面構成図である。 本発明による枚葉方式の基板処理装置の構成を示す側面構成図である。 図1に図示された基板処理装置の容器を示す側断面図である。 ノズル部の分解斜視図である。 ノズル部の断面図である。 ノズル部の一端を拡大した図である。 ノズル部の他端を拡大した図である。
以下に、添付図面を参考にして、本発明の好ましい実施形態による枚葉方式の基板処理装置を、詳しく説明する。なお、各図面の構成要素等において、同じ構成要素に対しては異なる図面に示されていても同じ符号を付ける。
また、本発明の説明において、公知の技術構成又は機能に対する詳しい記載が本発明の要旨の理解に不要と判断される場合には、詳しい記載を省略する。
本発明の実施形態において、処理流体はフッ酸(HF)、硫酸(HSO)、硝酸(HNO)、燐酸(HPO)、そして、SC−1溶液(水酸化アンモニウム(NHOH)、過酸化水素(H)及び水(HO)の混合液)、オゾン水、還元水、イオン水、アルカリ性溶液等の水溶液又はそれらの混合液を含む。
(実施形態)
図1は本発明による枚葉方式の基板処理装置の構成を示す平面構成図である。図2は本発明による枚葉方式の基板処理装置の構成を示す側面構成図である。図3は図1に図示された基板処理装置の容器を示す側断面図である。
本実施形態では、枚葉方式の基板処理装置1により処理される基板として半導体基板を1つの例にしているが、これに限らず、液晶表示装置用のガラス基板のような様々な種類の基板にも適用可能である。
図1乃至図3を参考にすると、本発明による枚葉方式の基板処理装置1は様々な処理流体等を用いて基板W表面に残っている異物質及び膜質を除去する装置として、チャンバ10、処理容器100、基板支持部材200、第1スイングノズルユニット300等、固定ノズル500、第2スイングノズルユニット700及び排気部材400を含む。
チャンバ10は密閉される内部空間を構成し、上部にはファンフィルタユニット12が設置される。ファンフィルタユニット12はチャンバ10内部に垂直気流を発生させる。
ファンフィルタユニット12はフィルタと空気供給ファンが1つのユニットにモジュール化されたものであり、清浄空気をフィルタリングしてチャンバ10内部に供給する装置である。清浄空気はファンフィルタユニット12を通じてチャンバ10内に供給されて垂直気流を生成する。前記垂直気流は基板W上に均一な気流を供給して、処理流体により基板W表面が処理される過程で発生される汚染物質(ヒューム)は空気とともに処理容器100の吸入ダクト等を通じて排気部材400に排出されて除去される。これによって、処理容器100の内部が高清浄度に維持される。
チャンバ10は水平隔壁14によって工程領域16と維持補修領域18に分けられる。図面には一部しか図示されていないが、維持補修領域18には処理容器100と連結される回収ライン141、143、145、サブ排気ライン410の他にも昇降ユニットの駆動部と、第1スイングノズルユニット300の駆動部300b、供給ライン等が構成される。前記維持補修領域18は基板処理が行なわれる工程領域16から分離されることが好ましい。
処理容器100は上部が開放される円筒状を有し、基板Wを処理するための空間を具備する。処理容器100の開放された上面は基板Wの搬出及び搬入通路の役割をする。処理容器100の内側には基板支持部材200が構成される。基板支持部材200は工程進行の際、基板Wを支持して、基板Wを回転させる。
以下に、図面を参考にして前記処理容器100と前記基板支持部材200に対して詳しく説明する。
図3は図1に図示された処理容器と基板支持部材を示す断面図である。
図面を参考にすると、処理容器100はスピンヘッド210が位置する上部空間132aと、この上部空間132aとはスピンヘッド210によって区分され、強制排気が行なわれるように下端部に排気ダクト190が連結された下部空間132bとで、構成される。処理容器100の上部空間132aには回転する基板W上から飛散される処理流体と気体、ヒュームを流入及び吸収する環形の第1、第2及び第3吸入ダクト110、120、130が多段で配置される。環形の第1、第2及び第3吸入ダクト110、120、130は1つの共通環形空間(容器の下部空間に該当)に通じる排気口H等を備える。下部空間132bには排気部材400と連結される排気ダクト190が構成される。
詳しくは、第1乃至第3吸入ダクト110、120、130はそれぞれ環形のリング状を有する底面及び底面から延長されて円筒状を有する側壁を具備する。第2吸入ダクト120は第1吸入ダクト110を囲み、第1吸入ダクト110から離隔されるように配置される。第3吸入ダクト130は第2吸入ダクト120を囲み、第2吸入ダクト120から離隔されるように配置される。
第1乃至第3吸入ダクト110、120、130は基板Wから飛散された処理流体及びヒュームが含まれた気体が流入される第1乃至第3回収空間RS1、RS2、RS3を備える。第1回収空間RS1は第1吸入ダクト110によって定義され、第2回収空間RS2は第1吸入ダクト110と第2吸入ダクト120との間の離隔空間によって定義され、第3回収空間RS3は第2吸入ダクト120と第3吸入ダクト130との間の離隔空間によって定義される。第1乃至第3吸入ダクト110、120、130の各上面は中央部が開口され、連結された側壁から開口側の方に行くほど対応する底面との距離がだんだん増える傾斜面からなる。これによって、基板Wから飛散された処理流体は第1乃至第3吸入ダクト110、120、130の上面等に誘導されて回収空間RS1、RS2、RS3等に流れて行く。
第1回収空間RS1に流入された第1処理液は第1回収ライン145を通じて外部に排出される。第2回収空間RS2に流入された第2処理液は第2回収ライン143を通じて外部に排出される。第3回収空間RS3に流入された第3処理液は第3回収ライン141を通じて外部に排出される。
一方、処理容器100は処理容器100の垂直位置を変更する昇降ユニット600と結合される。昇降ユニット600は処理容器100を上下方向に垂直移動させる。処理容器100が上下移動することによってスピンヘッド210に対する処理容器100の相対高さが変更される。基板Wがスピンヘッド210にローディング又はスピンヘッド210からアンローディングされるとき、スピンヘッド210が処理容器100の上部に突出されるよう処理容器100は下降する。なお、工程の進行中には基板Wに供給された処理液の種類によって処理液が既に設定された吸入ダクト110、120、130に流入されるよう処理容器100の高さが調節される。これによって、処理容器100と基板Wの間の相対的な垂直位置が変更される。したがって、処理容器100は前記各回収空間RS1、RS2、RS3ごとに回収される処理液と汚染ガスの種類を異なるようにすることができる。
この実施形態において、基板処理装置1は処理容器100を垂直移動させて処理容器100と基板支持部材200との間の相対的な垂直位置を変更させる。しかし、基板処理装置1は基板支持部材200を垂直移動させて処理容器100と基板支持部材200との間の相対的な垂直位置を変更させるようにしても良い。
基板支持部材200は処理容器100の内側に設置される。基板支持部材200は工程の進行中に基板Wを支持し、工程の進行中に後述する駆動部230によって回転される。基板支持部材200は円形の上部面を有するスピンヘッド210、スピンヘッド210の上部面に基板Wを支持する支持ピン212等とチャックピン214等を備える。支持ピン212等はスピンヘッド210の上部面の縁部に一定間隔で配置され、スピンヘッド210から上方に突出される。支持ピン212等は基板Wの下面を支持して基板Wがスピンヘッド210から上方に離隔された状態で支持されるようにする。支持ピン212等の外側にはチャックピン214等がそれぞれ配置され、チャックピン214等は上方に突出されている。チャックピン214等は多数の支持ピン212等によって支持された基板Wがスピンヘッド210上の正位置に置かれるように基板Wを整列する。工程の進行際、チャックピン214等は基板Wの側部と接触されて基板Wが正位置から離脱されることを防止する。
スピンヘッド210の下部にはスピンヘッド210を支持する支持軸220が連結され、支持軸220はその下端に連結された駆動部230によって回転する。駆動部230はモーター等を利用して構成される。支持軸220が回転することによってスピンヘッド210及び基板Wが回転される。
排気部材400は工程の進行際、第1乃至第3吸入ダクト110、120、130に排気圧力(吸入圧力)を提供する。排気部材400は排気ダクト190と連結されるサブ排気ライン410、ダンパ420を含む。サブ排気ライン410は排気ポンプ(図示せず)から排気圧を供給され、半導体生産ラインの底空間に埋設されたメイン排気ラインと連結される。
固定ノズルユニット500等は処理容器100の上端に固定設置されて基板Wの中央に超純水、オゾン水、窒素ガス等をそれぞれ供給する。
第2スイングノズルユニット700はスイング回転して基板Wの上部中心部に移動されて基板W上に基板乾燥用の流体を供給する。乾燥用の流体はイソプロピルアルコールと高温の窒素ガスを含む。
第1スイングノズルユニット300等は処理容器100の外側に位置する。第1スイングノズルユニット300等はブームスイング方式で回転してスピンヘッド210に置かれた基板Wを洗浄又はエッチングするための処理流体(酸性液、アルカリ性液、中性液、乾燥ガス)を供給する。図1のように、第1スイングノズルユニット300等は並んで配置される。各々の第1スイングノズルユニット300等は処理容器100との距離が異なるので、それぞれの回転半径に合わせてその長さが設定されている。
第1スイングノズルユニット300は工程領域16に位置するノズル部300a及び維持補修領域18に位置するθ軸回転及びz軸昇降移動のための駆動部300bを含む。
駆動部300bはノズル部300aのフランジ340と連結される支持軸382、スイング駆動部384と昇降駆動部386を含み、スイング駆動部384はノズル部300aが基板Wの中心部にスイング移動するように支持軸382と連結されたノズル部300aを回転させる。スイング駆動部384はモーター、ベルト、プーリーを有するアセンブリからなる。昇降駆動部386はノズル部300aを上下垂直方向に移動させる駆動力を発生する。昇降駆動部386はシリンダ、リニアモーターのような駆動装置からなる。昇降駆動部386はノズル部300aが回転されるとき、周辺の隣接したノズル部300aと衝突することを防止するためにノズル部300aを上昇させる。
以下、図面を参考にしてスイングノズルユニット(第1スイングノズルユニット)のノズル部に対して詳しく説明する。
図4はノズル部の分解斜視図であり、図5はノズル部の断面図であり、図6及び図7はノズル部の一端と他端をそれぞれ拡大した図面である。
図4乃至図7を参考にすると、ノズル部300aはノズル体310と、封止キャップ320、ノズルチップ330、そして、フランジ340を含む。
ノズル体310は処理流体供給チューブ302が位置する内部通路を形成する長いロッド状の3重パイプ構造である。即ち、ノズル体310は内側樹脂パイプ312と、内側樹脂パイプ312を囲むように設置される金属パイプ314、そして、金属パイプ314を囲むように設置される外側樹脂パイプ316を含む。内側樹脂パイプ312と外側樹脂パイプ316は耐食性が優れる樹脂材質からなる。内側樹脂パイプ312と外側樹脂パイプ316は同じ樹脂材質である。内側樹脂パイプ312は金属パイプ314の内径より若干小さい外径を有し、金属パイプ314は外側樹脂パイプ316の内径より若干小さい外径を有する。金属パイプ314は熱が加えられた外側樹脂パイプ316の内径に締り嵌めにより組み込まれ、内側樹脂パイプ312は金属パイプ314の内径に締り嵌めにより組み込まれることによって3重パイプ構造のノズル体310が構成される。なお、金属パイプ314は高い強度及び耐食性が優れる金属材質からなる。
封止キャップ320は金属パイプ314の一端が外部に露出されないように内側樹脂パイプ312の一端と外側樹脂パイプ316の一端に熱融着して固定される。ノズル体310の一端は封止キャップ320の熱融着固定のために内側樹脂パイプ312の一端と外側樹脂パイプ316の一端が金属パイプ314の一端より突出されている。また、ノズル体310の他端も同様に内側樹脂パイプ312と外側樹脂パイプ316が金属パイプ314の先端より突出される。封止キャップ320は中央に処理流体供給チューブ302が差し込まれるように貫通孔322が構成され、下端にはノズルチップ330のネジ締めのための雄ネジ部324が形成されている。封止キャップ320の外径は外側樹脂パイプ316の外径と同じであり、封止キャップ320の内径(貫通孔径)は内側樹脂パイプ312の内径と同じである。このように、金属パイプ314の一端は封止キャップ320によって完全に封止されるので処理流体及び工程処理の過程で発生するヒューム等との接触を完全に遮断できる。
ノズルチップ330は封止キャップ320の雄ネジ部324に結合される雌ネジ部334を備える。ノズルチップ330は処理流体供給チューブ302をホールディングするように処理流体供給チューブ302の外径とほぼ同じ内径を有するホール332を有し、処理流体供給チューブ302はノズルチップ330のホール332に差し込まれて固定される。処理流体供給チューブ302の一端はノズルチップ330から突出される。
フランジ340はノズル体310の他端に設置される。フランジ340は駆動部300bと連結される。フランジ340はノズル体310の他端が差し込まれる挿入孔342を有する。ノズル体310の他端はフランジ340の挿入孔342に差し込まれた状態で樹脂溶接部308を形成して金属パイプ314が外部に露出されないように封止する。フランジ340は側面に多数の締結孔344等が形成され、締結孔344を通じて固定部材348等が挿入され、挿入孔342に差し込まれたノズル体310の他端をフランジ340に固定させる。挿入孔342の径はノズル体310の外側樹脂パイプ316の外径と同じである。固定部材348はフランジ340の側面から挿入されてノズル体310の他端に締結されるスクリューであり、スクリューは外側樹脂パイプ316と金属パイプ314を貫通して締結される。このように、スクリュー等を利用してノズル体310の他端をフランジ340に堅固に固定することによってスイング動作の際、ノズル体310の位置ズレ及び振動等を防止できる。しかし、装置の組立のとき、スクリューが内側樹脂パイプ312を貫通してはいけない。仮に、スクリューが内側樹脂パイプ312を貫通して、その隙間を通じて処理流体又はヒュームが漏れると金属パイプ314が腐食される虞がある。
一方、スクリューが挿入された締結孔344は締め切り部材を用いて孔を詰める。
上述したように、本発明のスイングノズルユニット300はノズル体310が金属パイプ314を含んでいるので小さい内径を有するパイプ構造であっても十分な強度を維持できる。したがって、スイング動作の際にスイングノズルユニットの振動および位置ズレを防止できる。特に、本発明の第1スイングノズルユニット300は金属パイプ314が内側樹脂パイプ312と外側樹脂パイプ316によって保護され、両端が封止キャップ320と樹脂溶接部308によって封止されるので処理流体との遮断を完璧にして金属パイプの腐食を防止できる。
以上、説明した本発明は、当該技術分野の通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で様々な修正及び変形可能である。したがって、本発明の保護範囲は請求範囲によって解釈されるべきであり、これと均等な範囲内にある全ての技術的思想も本発明の範囲内に含まれる。
10 チャンバ
100 処理容器
200 基板支持部材
300 第1スイングノズルユニット
300a ノズル部
310 ノズル体
320 封止キャップ
330 ノズルチップ

Claims (13)

  1. スイングノズルユニットにおいて、
    処理流体供給チューブが位置する内部通路を提供するロッド状のノズル体を有するノズル部を含み、
    前記ノズル体は、
    内側樹脂パイプと、
    前記内側樹脂パイプを囲むように設置される金属パイプと、
    前記金属パイプを囲むように設置される外側樹脂パイプを含むことを特徴とするスイングノズルユニット。
  2. 前記ノズル部は、
    中央に前記処理流体供給チューブが通過する貫通孔を有し、前記金属パイプの一端が外部に露出されないように前記内側樹脂パイプの一端と前記外側樹脂パイプの一端に設置される封止キャップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のスイングノズルユニット。
  3. 前記ノズル部は、
    前記封止キャップに設置され、前記処理流体供給チューブをホールディングするノズルチップを含むことを特徴とする請求項2に記載のスイングノズルユニット。
  4. 前記内側樹脂パイプの一端と前記外側樹脂パイプの一端は前記金属パイプの一端より突出されていることを特徴とする請求項2に記載のスイングノズルユニット。
  5. 前記ノズル部は、
    前記ノズル体の他端に設置されるフランジをさらに含み、
    前記スイングノズルユニットは、
    前記フランジと連結され、前記ノズル部の回転及び昇降移動を行わせる駆動部をさらに含むことを特徴とする請求項2に記載のスイングノズルユニット。
  6. 前記フランジは、
    前記ノズル体の他端が差し込まれる挿入孔を有し、
    前記挿入孔に差し込まれる前記ノズル体の他端を固定するための固定部材をさらに含むことを特徴とする請求項5に記載のスイングノズルユニット。
  7. 前記固定部材は前記フランジの側面から挿入されて前記ノズル体の他端に締結されるスクリューであることを特徴とする請求項6に記載のスイングノズルユニット。
  8. 前記スクリューは前記外側樹脂パイプと前記金属パイプに貫通されて締結されることを特徴とする請求項7に記載のスイングノズルユニット。
  9. 基板処理装置において、
    基板が置かれるスピンヘッドを含む基板支持部材と、
    前記スピンヘッドの周りを囲むように設置されて基板上から飛散する処理流体を回収する処理容器と、
    スイング方式で回転し前記スピンヘッドに置かれた基板に処理流体を噴射するスイングノズルユニットを含み、
    前記スイングノズルユニットは、
    処理流体供給チューブが位置する内部通路を構成する内側樹脂パイプと、前記内側樹脂パイプを囲むように設置される金属パイプと、前記金属パイプを囲むように設置される外側樹脂パイプを備えるノズル体を有するノズル部と、
    前記ノズル部の回転及び昇降移動のための駆動部を含むことを特徴とする基板処理装置。
  10. 前記ノズル部は、
    中央に前記処理流体供給チューブが通過する貫通孔を有し、前記金属パイプの一端が外部に露出されないように前記内側樹脂パイプの一端と前記外側樹脂パイプの一端に設置される封止キャップをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の基板処理装置。
  11. 前記封止キャップは、前記樹脂パイプと前記外側樹脂パイプとの熱融着のために前記内側樹脂パイプ及び前記外側樹脂パイプと同じ樹脂材料からなることを特徴とする請求項10に記載の基板処理装置。
  12. 前記ノズル部は、
    前記封止キャップに結合され、前記処理流体供給チューブを固定するために前記処理流体供給チューブの一端が挿入される挿し込みホールを有するノズルチップをさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の基板処理装置。
  13. 前記ノズル部は、
    前記ノズル体の他端に設置されるフランジをさらに含み、
    前記フランジは、
    前記ノズル体の他端が差し込まれる挿入孔が形成され、
    前記挿入孔に差し込まれる前記ノズル体の他端を固定するためのスクリューをさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の基板処理装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014192224A1 (ja) * 2013-05-28 2014-12-04 信越半導体株式会社 ウェーハの研磨方法
JP2017050387A (ja) * 2015-09-01 2017-03-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2021028954A (ja) * 2019-08-09 2021-02-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置およびその製造方法

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101469547B1 (ko) * 2013-07-30 2014-12-05 주식회사 케이씨텍 노즐 유닛 및 이를 구비한 기판세정장치
CN104952765B (zh) * 2014-03-26 2017-10-03 斯克林集团公司 基板处理装置、喷嘴以及基板处理方法
JP6618113B2 (ja) * 2015-11-02 2019-12-11 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
KR101692915B1 (ko) 2016-03-09 2017-01-17 주식회사 포톤 반도체 세정 및 건조 설비용 노즐 구동 시스템
KR101853372B1 (ko) * 2016-06-30 2018-06-20 세메스 주식회사 처리액 분사 유닛 및 기판 처리 장치
KR20190020541A (ko) 2017-08-21 2019-03-04 신진호 구조 개선된 반도체 장비용 노즐캡
CN112547349A (zh) * 2017-11-28 2021-03-26 日照轩宜信息科技有限公司 一种重型喷液装置
JP6855399B2 (ja) * 2018-01-26 2021-04-07 株式会社スギノマシン ノズルの振れの測定方法及びその装置
KR102143432B1 (ko) * 2018-10-11 2020-08-11 세메스 주식회사 스윙노즐유닛
CN109701943A (zh) * 2019-01-22 2019-05-03 上海提牛机电设备有限公司 一种晶片清洗盆
KR20200134352A (ko) * 2019-05-21 2020-12-02 삼성전자주식회사 스핀 코터 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
TWI704897B (zh) * 2020-05-08 2020-09-21 天揚精密科技股份有限公司 多段式噴嘴以及使用多段式噴嘴的烹飪烤爐
CN112443917B (zh) * 2020-12-19 2022-03-01 上海交蓝科技集团有限公司 一种具有空气净化功能的暖通加湿装置及其实施方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000070874A (ja) * 1998-08-28 2000-03-07 Shibaura Mechatronics Corp スピン処理装置及びその方法
JP2003093984A (ja) * 2001-06-26 2003-04-02 Alps Electric Co Ltd ウエット処理ノズルおよびウエット処理装置
JP2008118109A (ja) * 2006-10-13 2008-05-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd ノズルおよびそれを備える基板処理装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2671005B2 (ja) * 1988-04-13 1997-10-29 株式会社 新川 ディスペンサー装置
JPH07211625A (ja) 1994-01-13 1995-08-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液供給装置
US6737113B2 (en) * 2001-01-10 2004-05-18 3M Innovative Properties Company Method for improving the uniformity of a wet coating on a substrate using pick-and-place devices
KR100823245B1 (ko) * 2001-08-21 2008-04-17 삼성전자주식회사 디스크 제조장치 및 그 투과층 형성방법
JP4349606B2 (ja) * 2002-03-25 2009-10-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄方法
US20040206373A1 (en) * 2003-04-18 2004-10-21 Applied Materials, Inc. Spin rinse dry cell
KR20060061816A (ko) 2003-08-07 2006-06-08 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 및 기판 유지 장치
JP3808072B2 (ja) * 2003-12-05 2006-08-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5118404B2 (ja) * 2006-10-18 2013-01-16 コマツ産機株式会社 プラズマ切断装置およびプラズマトーチの冷却方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000070874A (ja) * 1998-08-28 2000-03-07 Shibaura Mechatronics Corp スピン処理装置及びその方法
JP2003093984A (ja) * 2001-06-26 2003-04-02 Alps Electric Co Ltd ウエット処理ノズルおよびウエット処理装置
JP2008118109A (ja) * 2006-10-13 2008-05-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd ノズルおよびそれを備える基板処理装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014192224A1 (ja) * 2013-05-28 2014-12-04 信越半導体株式会社 ウェーハの研磨方法
JP2014232783A (ja) * 2013-05-28 2014-12-11 信越半導体株式会社 ウェーハの研磨方法
JP2017050387A (ja) * 2015-09-01 2017-03-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR20170027295A (ko) * 2015-09-01 2017-03-09 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치
KR102629525B1 (ko) * 2015-09-01 2024-01-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치
JP2021028954A (ja) * 2019-08-09 2021-02-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置およびその製造方法
JP7297591B2 (ja) 2019-08-09 2023-06-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置およびその製造方法
JP7480396B2 (ja) 2019-08-09 2024-05-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置およびその製造方法

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