JP2011066426A - スイングノズルユニット及びそれを有する基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板処理装置は、基板が置かれるスピンヘッドを含む基板支持部材と、前記スピンヘッドの周りを囲むように設置されて基板上から飛散する処理流体を回収する処理容器と、スイング方式で回転し、前記スピンヘッドに置かれた基板に処理流体を噴射するスイングノズルユニット等を具備する。前記スイングノズルユニットは、処理流体供給チューブが位置する内部通路を形成する内側樹脂パイプと、前記内側樹脂パイプを囲むように設置される金属パイプと、前記金属パイプを囲むように設置される外側樹脂パイプからなるノズル体を有するノズル部と、前記ノズル部のθ軸回転及び昇降移動のための駆動部を具備する。
【選択図】図2
Description
図1は本発明による枚葉方式の基板処理装置の構成を示す平面構成図である。図2は本発明による枚葉方式の基板処理装置の構成を示す側面構成図である。図3は図1に図示された基板処理装置の容器を示す側断面図である。
100 処理容器
200 基板支持部材
300 第1スイングノズルユニット
300a ノズル部
310 ノズル体
320 封止キャップ
330 ノズルチップ
Claims (13)
- スイングノズルユニットにおいて、
処理流体供給チューブが位置する内部通路を提供するロッド状のノズル体を有するノズル部を含み、
前記ノズル体は、
内側樹脂パイプと、
前記内側樹脂パイプを囲むように設置される金属パイプと、
前記金属パイプを囲むように設置される外側樹脂パイプを含むことを特徴とするスイングノズルユニット。 - 前記ノズル部は、
中央に前記処理流体供給チューブが通過する貫通孔を有し、前記金属パイプの一端が外部に露出されないように前記内側樹脂パイプの一端と前記外側樹脂パイプの一端に設置される封止キャップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のスイングノズルユニット。 - 前記ノズル部は、
前記封止キャップに設置され、前記処理流体供給チューブをホールディングするノズルチップを含むことを特徴とする請求項2に記載のスイングノズルユニット。 - 前記内側樹脂パイプの一端と前記外側樹脂パイプの一端は前記金属パイプの一端より突出されていることを特徴とする請求項2に記載のスイングノズルユニット。
- 前記ノズル部は、
前記ノズル体の他端に設置されるフランジをさらに含み、
前記スイングノズルユニットは、
前記フランジと連結され、前記ノズル部の回転及び昇降移動を行わせる駆動部をさらに含むことを特徴とする請求項2に記載のスイングノズルユニット。 - 前記フランジは、
前記ノズル体の他端が差し込まれる挿入孔を有し、
前記挿入孔に差し込まれる前記ノズル体の他端を固定するための固定部材をさらに含むことを特徴とする請求項5に記載のスイングノズルユニット。 - 前記固定部材は前記フランジの側面から挿入されて前記ノズル体の他端に締結されるスクリューであることを特徴とする請求項6に記載のスイングノズルユニット。
- 前記スクリューは前記外側樹脂パイプと前記金属パイプに貫通されて締結されることを特徴とする請求項7に記載のスイングノズルユニット。
- 基板処理装置において、
基板が置かれるスピンヘッドを含む基板支持部材と、
前記スピンヘッドの周りを囲むように設置されて基板上から飛散する処理流体を回収する処理容器と、
スイング方式で回転し前記スピンヘッドに置かれた基板に処理流体を噴射するスイングノズルユニットを含み、
前記スイングノズルユニットは、
処理流体供給チューブが位置する内部通路を構成する内側樹脂パイプと、前記内側樹脂パイプを囲むように設置される金属パイプと、前記金属パイプを囲むように設置される外側樹脂パイプを備えるノズル体を有するノズル部と、
前記ノズル部の回転及び昇降移動のための駆動部を含むことを特徴とする基板処理装置。 - 前記ノズル部は、
中央に前記処理流体供給チューブが通過する貫通孔を有し、前記金属パイプの一端が外部に露出されないように前記内側樹脂パイプの一端と前記外側樹脂パイプの一端に設置される封止キャップをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の基板処理装置。 - 前記封止キャップは、前記樹脂パイプと前記外側樹脂パイプとの熱融着のために前記内側樹脂パイプ及び前記外側樹脂パイプと同じ樹脂材料からなることを特徴とする請求項10に記載の基板処理装置。
- 前記ノズル部は、
前記封止キャップに結合され、前記処理流体供給チューブを固定するために前記処理流体供給チューブの一端が挿入される挿し込みホールを有するノズルチップをさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の基板処理装置。 - 前記ノズル部は、
前記ノズル体の他端に設置されるフランジをさらに含み、
前記フランジは、
前記ノズル体の他端が差し込まれる挿入孔が形成され、
前記挿入孔に差し込まれる前記ノズル体の他端を固定するためのスクリューをさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の基板処理装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014192224A1 (ja) * | 2013-05-28 | 2014-12-04 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの研磨方法 |
JP2017050387A (ja) * | 2015-09-01 | 2017-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP2021028954A (ja) * | 2019-08-09 | 2021-02-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置およびその製造方法 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101469547B1 (ko) * | 2013-07-30 | 2014-12-05 | 주식회사 케이씨텍 | 노즐 유닛 및 이를 구비한 기판세정장치 |
CN104952765B (zh) * | 2014-03-26 | 2017-10-03 | 斯克林集团公司 | 基板处理装置、喷嘴以及基板处理方法 |
JP6618113B2 (ja) * | 2015-11-02 | 2019-12-11 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
KR101692915B1 (ko) | 2016-03-09 | 2017-01-17 | 주식회사 포톤 | 반도체 세정 및 건조 설비용 노즐 구동 시스템 |
KR101853372B1 (ko) * | 2016-06-30 | 2018-06-20 | 세메스 주식회사 | 처리액 분사 유닛 및 기판 처리 장치 |
KR20190020541A (ko) | 2017-08-21 | 2019-03-04 | 신진호 | 구조 개선된 반도체 장비용 노즐캡 |
CN112547349A (zh) * | 2017-11-28 | 2021-03-26 | 日照轩宜信息科技有限公司 | 一种重型喷液装置 |
JP6855399B2 (ja) * | 2018-01-26 | 2021-04-07 | 株式会社スギノマシン | ノズルの振れの測定方法及びその装置 |
KR102143432B1 (ko) * | 2018-10-11 | 2020-08-11 | 세메스 주식회사 | 스윙노즐유닛 |
CN109701943A (zh) * | 2019-01-22 | 2019-05-03 | 上海提牛机电设备有限公司 | 一种晶片清洗盆 |
KR20200134352A (ko) * | 2019-05-21 | 2020-12-02 | 삼성전자주식회사 | 스핀 코터 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
TWI704897B (zh) * | 2020-05-08 | 2020-09-21 | 天揚精密科技股份有限公司 | 多段式噴嘴以及使用多段式噴嘴的烹飪烤爐 |
CN112443917B (zh) * | 2020-12-19 | 2022-03-01 | 上海交蓝科技集团有限公司 | 一种具有空气净化功能的暖通加湿装置及其实施方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000070874A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-03-07 | Shibaura Mechatronics Corp | スピン処理装置及びその方法 |
JP2003093984A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-04-02 | Alps Electric Co Ltd | ウエット処理ノズルおよびウエット処理装置 |
JP2008118109A (ja) * | 2006-10-13 | 2008-05-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | ノズルおよびそれを備える基板処理装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2671005B2 (ja) * | 1988-04-13 | 1997-10-29 | 株式会社 新川 | ディスペンサー装置 |
JPH07211625A (ja) | 1994-01-13 | 1995-08-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 処理液供給装置 |
US6737113B2 (en) * | 2001-01-10 | 2004-05-18 | 3M Innovative Properties Company | Method for improving the uniformity of a wet coating on a substrate using pick-and-place devices |
KR100823245B1 (ko) * | 2001-08-21 | 2008-04-17 | 삼성전자주식회사 | 디스크 제조장치 및 그 투과층 형성방법 |
JP4349606B2 (ja) * | 2002-03-25 | 2009-10-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄方法 |
US20040206373A1 (en) * | 2003-04-18 | 2004-10-21 | Applied Materials, Inc. | Spin rinse dry cell |
KR20060061816A (ko) | 2003-08-07 | 2006-06-08 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 및 기판 유지 장치 |
JP3808072B2 (ja) * | 2003-12-05 | 2006-08-09 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP5118404B2 (ja) * | 2006-10-18 | 2013-01-16 | コマツ産機株式会社 | プラズマ切断装置およびプラズマトーチの冷却方法 |
-
2009
- 2009-09-21 KR KR1020090089121A patent/KR101099612B1/ko active IP Right Grant
-
2010
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000070874A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-03-07 | Shibaura Mechatronics Corp | スピン処理装置及びその方法 |
JP2003093984A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-04-02 | Alps Electric Co Ltd | ウエット処理ノズルおよびウエット処理装置 |
JP2008118109A (ja) * | 2006-10-13 | 2008-05-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | ノズルおよびそれを備える基板処理装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014192224A1 (ja) * | 2013-05-28 | 2014-12-04 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの研磨方法 |
JP2014232783A (ja) * | 2013-05-28 | 2014-12-11 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの研磨方法 |
JP2017050387A (ja) * | 2015-09-01 | 2017-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
KR20170027295A (ko) * | 2015-09-01 | 2017-03-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 |
KR102629525B1 (ko) * | 2015-09-01 | 2024-01-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 |
JP2021028954A (ja) * | 2019-08-09 | 2021-02-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置およびその製造方法 |
JP7297591B2 (ja) | 2019-08-09 | 2023-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置およびその製造方法 |
JP7480396B2 (ja) | 2019-08-09 | 2024-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI426554B (zh) | 2014-02-11 |
KR101099612B1 (ko) | 2011-12-29 |
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