이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 매엽식 기판 세정 장치를 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
아래의 실시예에서는 알카리성 약액(오존수 포함), 산성 약액, 린스액, 그리고 건조가스(IPA가 포함된 가스)와 같은 처리유체들을 사용하여 기판을 세정하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 식각 공정 등과 같이 기판을 회전시키면서 공정을 수행하는 다양한 종류의 장치에 모두 적용될 수 있다.
( 실시 예 )
도 1은 본 발명에 따른 기판 세정 장치의 구성을 보여주는 평면 구성도이다. 도 2는 본 발명에 따른 기판 세정 장치의 구성을 보여주는 측단면 구성도이다.
본 실시예에서는 매엽식 기판 세정 장치(1)가 처리하는 기판으로 반도체 기판를 일례로 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 유리 기판과 같은 다양한 종류의 기판에도 적용될 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 기판 세정 장치(1)는 다양한 처리유체들을 사용하여 기판 표면에 잔류하는 이물질 및 막질을 제거하는 장치로써, 챔버(10), 처리 용기(100), 기판 지지부재(200), 소닉 노즐(300) 그리고 처리유체 공급노즐(320)을 포함한다. 도시하지 않았지만, 처리유체 공급노즐은 복수개가 구비될 수 있다.
챔버(10)는 밀폐된 내부 공간을 제공하며, 상부에는 팬필터유닛(12)이 설치된다. 팬필터유닛(12)은 챔버(10) 내부에 수직기류를 발생시킨다. 팬필터유닛(12)은 필터와 공기공급팬이 하나의 유니트로 모듈화된 것으로, 청정공기를 필터링하여 챔버 내부로 공급해주는 장치이다. 청정공기는 팬 필터 유닛(12)을 통과하여 챔버 내부로 공급되어 수직기류를 형성하게 된다. 이러한 공기의 수직기류는 기판 상부에 균일한 기류를 제공하게 되며, 처리유체에 의해 기판 표면이 처리되는 과정에서 발생되는 오염물질(흄)들은 공기와 함께 처리 용기(100)의 흡입덕트들을 통해 배출되어 제거됨으로써 처리 용기 내부의 고청정도를 유지하게 된다.
도 2에 도시된 바와 같이, 챔버(10)는 수평 격벽(14)에 의해 공정 영역(16)과 유지보수 영역(18)으로 구획된다. 도면에는 일부만 도시하였지만, 유지보수 영 역(18)에는 처리 용기(100)와 연결되는 배출라인(141,143,145), 서브배기라인(410) 이외에도 승강유닛의 구동부과, 이동 노즐 부재(300)의 이동 노즐(310)들과 연결되는 구동부, 공급라인 등이 위치되는 공간으로, 이러한 유지보수 영역(18)은 기판 처리가 이루어지는 공정 영역으로부터 격리되는 것이 바람직하다.
처리 용기(100)는 상부가 개구된 원통 형상을 갖고, 기판(w)을 처리하기 위한 공정 공간을 제공한다. 처리 용기(100)의 개구된 상면은 기판(w)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 처리 용기(100) 내측에는 기판 지지부재(200)가 위치된다. 기판 지지부재(200)는 공정 진행시 기판(W)을 지지하고, 기판을 회전시킨다.
도 2를 참조하면, 처리 용기(100)는 스핀헤드(210)가 위치되는 상부공간(132a)과, 상부공간(132a)과는 스핀헤드(210)에 의해 구분되며 강제 배기가 이루어지도록 하단부에 배기덕트(190)가 연결된 하부공간(132b)을 제공한다. 처리 용기(100)의 상부공간(132a)에는 회전되는 기판상에서 비산되는 처리유체와 기체, 흄을 유입 및 흡입하는 환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)가 다단으로 배치된다.
환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 하나의 공통된 환형공간(용기의 하부공간에 해당)과 통하는 배기구(H)들을 갖는다. 하부공간(132b)에는 배기부재(400)와 연결되는 배기덕트(190)가 제공된다.
구체적으로, 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 각각 환형의 링 형상을 갖는 바닥면 및 바닥면으로부터 연장되어 원통 형상을 갖는 측벽을 구비한다. 제2 흡입덕트(120)는 제1 흡입덕트(110)를 둘러싸고, 제1 흡입덕트(110)로부터 이 격되어 위치한다. 제3 흡입덕트(130)는 제2 흡입덕트(120)를 둘러싸고, 제2 흡입덕트(120)로부터 이격되어 위치한다.
제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 기판(w)으로부터 비산된 처리유체 및 흄이 포함된 기체가 유입되는 제1 내지 제3 회수공간(RS1, RS2, RS3)을 제공한다. 제1 회수 공간(RS1)은 제1 흡입덕트(110)에 의해 정의되고, 제2 회수공간(RS2)은 제1 흡입덕트(110)와 제2 흡입덕트(120) 간의 이격 공간에 의해 정의되며, 제3 회수공간(RS3)은 제2 흡입덕트(120)와 제3 흡입덕트(130) 간의 이격 공간에 의해 정의된다.
한편, 처리 용기(100)는 처리 용기(100)의 수직 위치를 변경시키는 승강 유닛(600)와 결합된다. 승강 유닛(600)은 처리 용기(100)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(100)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(210)에 대한 처리 용기(100)의 상대 높이가 변경된다. 도 2에서와 같이, 승강 유닛(600)은 브라켓(612), 이동 축(614), 그리고 구동기(616)를 가진다. 브라켓(612)은 처리 용기(100)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(612)에는 구동기(616)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(614)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(210)에 로딩 또는 스핀 헤드(210)로부터 언로딩될 때 스핀 헤드(210)가 처리 용기(100)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(100)는 하강한다. 또한, 공정이 진행시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 흡입덕트(110, 120, 130)로 유입될 수 있도록 처리 용기(100)의 높이가 조절된다. 이에 따라, 처리 용기(100)와 기판(w) 간의 상대적인 수직 위치가 변경된다. 따라서, 처리 용기(100)는 상기 각 회수공간(RS1, RS2, RS3) 별로 회수되는 처리액과 오염 가스의 종류를 다르게 할 수 있다.
이 실시예에 있어서, 기판 처리장치(1)는 처리 용기(100)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 지지부재(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킨다. 그러나, 기판 처리장치(1)는 기판 지지부재(200)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 지지부재(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킬 수도 있다.
기판 지지 부재(200)는 처리 용기(100)의 내측에 설치된다. 기판 지지 부재(200)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 후술할 구동부(240)에 의해 회전될 수 있다. 기판 지지 부재(200)는 원형의 상부 면을 갖는 스핀헤드(210)를 가지며, 스핀헤드(210)의 상부 면에는 기판(W)을 지지하는 지지 핀(212)들과 척킹 핀(214)들을 가진다. 지지 핀(212)들은 스핀헤드(210)의 상부 면 가장자리부에 소정 간격 이격되어 일정 배열로 배치되며, 스핀헤드(210)으로부터 상측으로 돌출되도록 구비된다. 지지 핀(212)들은 기판(W)의 하면을 지지하여 기판(W)이 스핀헤드(210)로부터 상측 방향으로 이격된 상태에서 지지되도록 한다. 지지 핀(212)들의 외 측에는 척킹 핀(214)들이 각각 배치되며, 척킹 핀(214)들은 상측으로 돌출되도록 구비된다. 척킹 핀(214)들은 다수의 지지 핀(212)들에 의해 지지된 기판(W)이 스핀헤드(210) 상의 정 위치에 놓이도록 기판(W)을 정렬한다. 공정 진행시 척킹 핀(214)들은 기판(W)의 측부와 접촉되어 기판(W)이 정 위치로부터 이탈되는 것을 방지한다.
스핀헤드(210)의 하부에는 스핀헤드(210)를 지지하는 지지축(220)이 연결되며, 지지축(220)은 그 하단에 연결된 구동부(230)에 의해 회전한다. 구동부(230)는 모터 등으로 마련될 수 있다. 지지축(220)이 회전함에 따라 스핀헤드(210) 및 기판(W)이 회전한다.
배기부재(400)는 공정시 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)에 배기압력(흡입압력)을 제공하기 위한 것이다. 배기부재(400)는 배기덕트(190)와 연결되는 서브배기라인(410), 댐퍼(420)를 포함한다. 서브배기라인(410)은 배기펌프(미도시됨)로부터 배기압을 제공받으며 반도체 생산라인(팹)의 바닥 공간에 매설된 메인배기라인과 연결된다.
소닉 노즐(300)은 소닉 로드(310)와, 아암(312) 그리고 구동부(314)를 포함한다. 소닉 로드(310)는 진동 내지는 발진 에너지에 의해 진동하도록 설계된다. 소닉 로드(310)는 이동 가능한 아암(312)의 일단에 설치된다. 소닉 로드(310)의 팁(tip)은 기판 상에 제공된 처리액과 접촉한다. 이에 따라, 소닉 로드(310)의 진동이 약액으로 전달되어 약액이 진동한다. 처리액은 약액 공급 노즐(320)로부터 분사되어 기판의 상면에 제공된다. 처리액은 기판의 상면, 구체적으로는 기판의 상면의 중심부로 제공될 수 있다. 소닉 로드(310)는 공정 진행시 기판 상으로 이동되며, 공정 전,후에는 홈 포트(330)에서 대기하게 된다.
여기서의 약액은 웨이퍼(W)에 부착된 이물질(particle)의 제거 및 웨이퍼(W) 표면에 잔류하는 먼저 사용된 세정액의 린스의 목적으로 사용되는 가령, 초순수(deionized water: H2O)일 수 있다. 초순수 이외에 여러 종류의 케미컬(chemical)이 세정액으로 사용될 수 있다. 예를 들면, 케미컬은 수산화암모늄(NH4OH)과 과산화 수소(H2O2)와 초순수(H2O)의 혼합액, 불산(HF)과 초순수(H2O)의 혼합액, 불화암모늄(NH4F)과 불산(HF)과 초순수(H2O)의 혼합액, 인산(H3PO4)과 초순수(H2O)와의 혼합액일 수 있다. 케미컬은 세정시 조건에 따라 적절한 세정액으로 선택될 수 있다. 또는, 상기한 다양한 세정액은 제거하고자 하는 이물질의 종류에 따라 이들 중 어느 하나만을 사용하거나 이들 중 일부를 혼합하거나 또는 순차적으로 사용할 수 있다.
약액 공급 노즐(320)은 기판 세정 공정시 처리액을 기판의 상면에 계속적으로 또는 간헐적으로 제공할 수 있다. 스핀헤드(210) 상에 지지된 기판은 기판 세정 공정시 회전한다. 약액 공급 노즐(320)로부터 약액이 분사되어 기판의 상면에 제공되면, 아암(312)이 이동되어 소닉 로드(310)가 기판 상에 제공된 처리액과 접촉한다. 이때, 소닉 로드(310)가 진동하게 되면 그 진동이 처리액으로 전달된다. 소닉을 이용한 기판 세정시 기판은 회전한다. 처리액은 기판의 중심부로 제공되어지는 것이 기판의 회전에 따른 원심력으로써 처리액이 기판의 상면에 걸쳐 골고루 퍼지는데 바람직하다. 처리액의 진동으로써 파티클이 기판으로부터 탈락되고, 기판의 회전에 따른 원심력에 의해 파티클을 함유한 처리액은 기판 밖으로 밀려나가게 된다. 이에 따라, 처리액은 종국적으로 배출관을 통해 배출된다.
기판 세정 공정시 기판은 회전하고 이와 병행하여 아암(312)이 슬라이딩 이동함으로써 소닉 로드(310)가 기판의 중심으로부터 외면쪽으로 또는 외면으로부터 중심쪽으로 이동할 수도 있다. 그러하므로써, 소닉 로드(310)는 기판의 상면 전체 를 스위핑(sweeping) 할 수 있게 되어 결국 기판 전체에 걸쳐 균일한 세정 처리도 가능하다.
소닉을 이용한 기판 세정이 완료되면 소닉 로드(310)는 홈 포트(330)에서 대기한다. 홈포트(330)에서는 소닉 로드(310)가 대기하는 동안 소닉 로드에 묻어 있는 처리액 등의 이물질을 제거하는 세정 과정과, 소닉 로드(310)가 정상적으로 동작하는지를 감지하는 점검 과정이 진행된다.
도 3은 홈 포트에서 대기하는 소닉 로드를 보여주는 도면이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 홈 포트(330)는 내조(332)와 외조(334)로 이루어지며, 내조(332)에는 세정액이 채워지며, 내조(332)의 일측에는 세정액을 공급하는 세정액 공급관(336)이 연결된다. 내조(332)에 채워지는 세정액은 정체되지 않도록 오버플로우되며, 이렇게 내조(332)로부터 흘러내린 세정액은 외조(334)에서 모아져 외조에 연결된 배출관(338)으로 배출된다. 세정액이 채워진 내조(332)에는 소닉 로드(310)의 팁 부분이 담겨진다. 이렇게, 소닉 로드(310)는 내조(332)로 공급되는 세정액에 의해 씻겨지게 된다.
한편, 내조(332)에는 소닉 로드(310)가 정상적으로 동작하는지를 점검하는 소닉 측정부재(350)의 센서(352)가 설치된다. 소닉 측정 부재(350)는 홈 포트(330)의 내조(332)에 설치되어 홈 포트(330)에서 대기하는 소닉 로드(310)의 출력 및 음압을 측정하는 센서(352)와, 센서(352)로부터 신호를 제공받아 상기 소닉 로드(310)의 출력 유무 및 음압 측정값을 알려주고, 이상 발생시 이를 작업자에게 알려주는 알람기능을 갖는 표시부(354)를 포함한다.
다시 말해, 소닉 측정 부재(350)는 소닉 세정 공정을 진행하기 전(후)에 소닉 로드(310)가 정상적으로 초음파를 출력하는지 그리고 그 출력값이 정상니지 등의 음압 측정을 실시하여 소닉 로드(310)의 고장 유무를 기판 처리 전에 점검함으로써 공정 결합을 사전에 예방할 수 있다.
앞에서 설명한 소닉 노즐(300)은 기판으로 분사된 처리액에 초음파를 제공하는 방식이지만, 이 방식 이외에 직접 세정액에 초음파를 제공하여 기판으로 분사하는 소닉 노즐도 있다. 이러한 소닉 노즐은 홈 포트의 형상이 조금 다르다. 도 4에는 초음파가 인사된 세정액을 기판으로 분사하는 소닉 노즐과 홈 포트를 보여주는 도면이다.
도 4에서와 같이, 소닉 노즐(300a)은 홈 포트(330)에서 대기하게 되며, 홈 포트(330)는 단일 베스 형태로 일측에는 소닉 노즐(300a)의 소닉 로드(310a)의 팁을 세정하기 위한 분사 노즐(339)이 설치된다. 한편, 소닉 노즐(310a)은 소닉 측정 부재(350)의 센서(352)가 출력 유무 및 음압 측정을 할 수 있도록 홈 포트(330)에서 초음파가 인가된 처리액을 일정량 분사하게 된다. 센서(352)는 소닉 노즐(310a)로부터 분사되는 처리액(초음파 에너지를 갖고 있는 처리액)으로부터 초음파 출력 및 음압을 측정하게 된다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.