KR100797081B1 - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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KR100797081B1
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구교욱
김주원
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 기판을 소정의 처리액으로 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판을 지지 및 회전시키는 스핀척, 공정시 상기 스핀척에 의해 지지된 기판으로 처리액들을 공급하는 노즐부, 상기 스핀척의 측부에 제공되며 공정 진행시 상기 스핀척에 의해 지지된 기판의 처리면으로 분사된 후 기판으로부터 비산되는 처리액들 중 회수하고자 하는 처리액을 유입시키는 입구가 상하로 적층되는 복수의 회수통들, 그리고 상기 회수통들의 측부에 제공되며 상기 회수통들 중 공정 진행시 사용된 처리액의 회수가 이루어지는 회수통에 흡입압력을 제공하는 흡입부재를 포함한다. 본 발명에 따르면, 공정에 사용되는 각각의 처리액들로부터 발생되는 흄을 완전히 분리배기한다. 특히, 기판 처리 공정에 사용되는 처리액들 중 산성 용액으로부터 발생되는 흄과 알칼리성 용액으로부터 발생되는 흄을 완전분리하여 배기시켜, 흄의 후속 처리 과정에서 화재 위험성을 낮추고 환경 오염을 방지한다.
반도체, 웨이퍼, 습식, 기판, 세정, 린스, 건조, 배기, 배기압, 분리배기, 흄, 회수,

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 A영역의 확대도이다.
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이다.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 보여주는 도면들이다.
도 5 및 도 6은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 효과를 설명하기 위한 도면이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호설명*
100 : 기판 처리 장치
110 : 지지부재
120 : 제1 구동기
130 : 노즐부
140 : 노즐부 구동기
150 : 처리유체 공급부재
160 : 회수부재
170 : 승강기
180 : 흡입부재
190 : 제어부
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 기판을 소정의 처리액으로 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조 장치는 증착, 포토리소그래피, 식각, 화학적 기계적 연마, 세정, 건조 등과 같은 단위 공정들의 반복적인 수행에 의해 제조된다. 이러한 단위 공정들 중 세정 공정은 각각의 단위 공정들을 수행하는 동안 반도체 기판 표면에 부착되는 이물질 또는 불필요한 막을 제거하는 공정이다.
습식으로 기판의 세정 공정을 수행하는 장치는 다수의 반도체 기판을 동시에 세정하는 배치식 세정 장치와 낱장 단위로 반도체 기판을 세정하는 매엽식 세정 장치로 구분된다. 이 중 매엽식 세정 장치는 낱장의 웨이퍼를 지지하는 스핀척(spin chuck), 상기 스핀척에 의해 지지 및 회전되는 기판으로 처리유체를 공급하는 적어도 하나의 노즐(nozzle), 그리고, 상기 스핀척의 측부를 감싸도록 환형으로 제작되어 상하로 적층되는 회수통들(recycle canister)을 포함한다. 상기와 같은 구조를 가지는 매엽식 세정장치는 공정시 상기 스핀척에 기판이 안착되어 회전되고, 상기 노즐은 회전되는 기판의 처리면으로 세정액, 린스액, 그리고 건조가스를 순차적으 로 분사하여 기판 처리한다. 이때, 사용된 세정액 및 린스액 등의 처리액들은 회수하고자 하는 회수통들 각각에 수용되어 분리회수된다.
그러나, 일반적인 매엽식 세정장치는 회수통들에 제공되는 배기압력이 불규칙적이다. 즉, 각각의 회수통들에는 회수통들로 회수된 처리액으로부터 발생되는 흄(fume)을 배기하기 위한 배기압력이 제공된다. 그러나, 공정 진행시 처리액을 회수하는 회수통과 그 외의 회수통의 배기압력이 변화되므로, 회수통들에 제공되는 배기압력은 공정 단계별로 불규칙하게 변화한다. 각각의 회수통들에 제공되는 배기압력이 불규칙하게 변화되면, 처리액으로부터 발생되는 흄의 배기가 원활히 이루어지지 않아 설비를 오염시키고, 이로 인해 작업 환경의 안정성이 저하된다.
또한, 상술한 매엽식 세정장치는 사용된 처리액들 각각으로부터 발생되는 흄을 완전히 분리배기하기 어려웠다. 특히, 처리액들 중 산성 용액으로부터 발생되는 흄과 알칼리성 용액으로부터 발생되는 흄은 유독성 가스의 정화를 위한 후속 처리 설비에서 독립적으로 관리되므로, 장치 자체에서 산성의 흄과 알칼리성의 흄을 완전히 분리배기하지 못하면, 흄의 후속 처리과정에서 화재 및 폭발 위험성과 환경 오염 등의 문제가 발생될 수 있다.
본 발명은 습식으로 기판을 처리하는 공정에 사용되는 처리액들로부터 발생되는 흄을 효과적으로 배기시키는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 습식으로 기판을 처리하는 공정에 사용되는 각각의 처리액 들로부터 발생되는 흄을 완전히 독립적으로 분리배기할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 습식으로 기판을 처리하는 공정에 사용되는 각각의 처리액들을 회수하는 복수의 회수통들 각각에 균일한 배기압력이 유지되는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판을 지지 및 회전시키는 스핀척, 공정시 상기 스핀척에 의해 지지된 기판으로 처리액들을 공급하는 노즐부, 상기 스핀척의 측부에 제공되며, 공정 진행시 상기 스핀척에 의해 지지된 기판의 처리면으로 분사된 후 기판으로부터 비산되는 처리액들 중 회수하고자 하는 처리액을 유입시키는 입구가 상하로 적층되는 복수의 회수통들, 그리고 상기 회수통들의 측부에 제공되며, 상기 회수통들 중 공정 진행시 사용된 처리액의 회수가 이루어지는 회수통에 흡입압력을 제공하는 흡입부재를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 회수통들 각각에는 처리액들이 수용되는 공간 내 공기가 배출되는 적어도 하나의 배출홀이 형성되고, 상기 흡입부재는 상기 회수통들과 대향되는 면을 가지는, 그리고 상기 면에는 상기 배출홀을 통해 상기 회수통들 내 공기를 흡입시키는 흡입홀이 형성된 흡입통 및 상기 흡입통들 내부에 흡입압력을 제공하는 흡입 라인을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 흡입통은 복수개가 상하로 적층되며, 상기 기판 처리 장치는 공정시 사용되는 처리액을 회수시키는 회수통에 형성된 배출홀과 상기 처리액을 회수시키는 회수통과 대응되는 흡입통에 형성된 흡입홀이 서로 연통되도록, 상기 흡입통들 및 상기 회수통들의 상대 높이를 조절하는 승강기를 더 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 스핀척 및 흡입통들의 높이는 고정되고, 상기 승강기는 상기 회수통들의 높이를 조절시킨다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 배출홀 및 상기 흡입홀은 상기 회수통들 및 상기 흡입통들 둘레에서 동등한 높이에서 복수개가 환형의 배치로 제공된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 회수통들 각각에 형성되는 배출홀들의 간격과 상기 흡입통들 각각에 형성되는 흡입홀들의 간격은 서로 상이하다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판을 지지 및 회전시키는 스핀척, 공정시 상기 스핀척에 의해 지지된 기판으로 처리액들을 공급하는 노즐부, 상기 스핀척의 측부에 제공되며, 공정 진행시 상기 스핀척에 의해 지지되어 회전되는 기판의 처리면으로 분사된 후 기판으로부터 비산되는 처리액들 중 회수하고자하는 처리액을 유입시키는 입구가 상하로 적층되는 복수의 회수통들, 그리고 상기 회수통들의 측부에 제공되며, 공정시 상기 회수통들 중 처리액을 회수시키는 회수통에 흡입압력을 제공하는 흡입부재를 포함하되, 상기 회수통들은 상기 처리액들 중 산성 용액을 회수하는 적어도 하나의 제1 회수통 및 상기 처리액들 중 알칼리성 용액을 회수하는 적어도 하나의 제2 회수통을 포함하고, 상기 흡입부재는 상기 제1 회수통과 대응되며, 상기 산성 용액의 공급이 진행되는 동안에 상기 제1 회수통에 흡입압력을 제공하는 제1 흡입통 및 상기 제2 회수통과 대응되며, 상기 알칼리성 용액의 공급이 진행되는 동안에 상기 제2 회수통에 흡입압력을 제공하는 제2 흡입통을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1 및 제2 회수통 각각에는 상기 제1 및 제2 회수통 내 공기가 배출되는 배출홀이 형성되고, 상기 제1 및 제2 흡입통 각각에는 상기 배출홀과 상응하는 흡입홀이 형성되되, 상기 기판 처리 장치는 공정 진행시, 처리액의 회수가 이루어지는 회수통에 형성된 배출홀과 상기 흡입통들 중 상기 처리액의 회수가 이루어지는 회수통과 대응되는 흡입통에 형성된 흡입홀이 서로 연통되도록, 상기 흡입통들 및 상기 회수통들의 상대 높이를 조절하는 승강기를 더 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 흡입 부재는 상기 제1 회수통으로 회수된 산성 용액으로부터 발생되는 흄을 상기 제1 흡입통으로 흡입시킨 후 상기 제1 흡입통으로부터 배기시키는 제1 흡입라인 및 상기 제2 회수통으로 회수된 알칼리성 용액으로부터 발생되는 흄을 상기 제 2 흡입통으로 흡입시킨 후 상기 제2 흡입통으로부터 배기시키는 제2 흡입라인을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 배출홀 및 상기 흡입홀은 상기 회수통들 및 상기 흡입통들 둘레에서 동등한 높이에서 복수개가 환형의 배치로 제공된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 회수통들 각각에 형성되는 배출홀들의 간격과 상기 흡입통들 각각에 형성되는 흡입홀들의 간격은 서로 상이하다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 방법은 기판의 처리면으로 처리액들을 순차적으로 분사하고, 사용된 처리액들은 분리회수시키되, 분리 되는 처리액들로부터 발생되는 흄은 처리액들의 종류에 따라 분리배기시킨다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 처리액들의 분리회수는 회수하고자하는 처리액의 수만큼 구비되는 회수통들을 구비하여, 상기 회수통들 중 공정시 처리액의 회수가 이루어지는 회수통에만 흡입압력을 제공하여 이루어진다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 흄의 분리배기는 상기 회수통들 각각에 상기 회수통들 내부 공기를 배출시키는 배출홀을 제공하고, 상기 회수통들의 외측에는 상기 배출홀을 통해 상기 회수통 내 흄을 흡입시키는 흡입홀이 형성된 흡입통들을 구비하여, 공정 진행시 처리액의 회수가 이루어지는 회수통에 형성된 배출홀과 상기 처리액의 회수가 이루어지는 회수통과 대응되는 흡입통에 형성된 흡입홀이 서로 연통되도록, 상기 회수통들과 상기 흡입통들의 상대 높이를 조절함으로써 이루어진다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 흄의 분리배기는 상기 처리액들 중 산성 용액으로부터 발생되는 흄과 상기 처리액들 중 알칼리성 용액으로부터 발생되는 흄을 독립적으로 분리배기시킨다.
(실시예)
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성도이고, 도 2는 도 1에 도시된 A영역의 확대도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(apparatus for treating substrate)는 스핀척(spin chucki)(110), 제1 구동기(first driven part)(120), 노 즐부(nozzle part)(130), 노즐부 구동기(nozzle-part driven member)(140), 처리유체 공급부재(treating-fluid supply member)(150), 회수부재(recycle member)(160), 승강기(elevating part)(170), 흡입부재(suction member)(180), 그리고, 제어부(controller)(190)를 포함한다.
스핀척(110)은 공정시 기판(W)을 지지 및 회전시킨다. 스핀척(110)은 스핀헤드(spin head)(112) 및 회전축(rotating shaft)(114)을 포함한다. 스핀헤드(112)는 상부에 기판(W)을 지지한다. 지지부(112)의 상부에는 척킹핀들(112a)이 설치된다. 척킹핀들(112a)은 공정시 기판(W)이 스핀헤드(112)로부터 이탈되지 않도록 기판(W)을 척킹(chucking)한다. 회전축(114)은 일단이 스핀헤드(112)의 중앙 하부에 결합되고, 타단은 제1 구동기(120)에 결합된다. 회전축(114)은 제1 구동기(120)에 의해 회전되어 스핀헤드(112)를 회전시킨다.
제1 구동기(120)는 스핀척(110)을 구동한다. 제1 구동기(120)는 회전축(114)을 회전시켜 스핀헤드(112)를 회전시킨다. 제1 구동기(120)는 공정 진행시 사용되는 공정 단계별로 다른 회전속도로 스핀헤드(112)를 회전시킬 수 있다.
노즐부(130)는 공정시 스핀척(110)에 안착된 기판(W)의 복수의 처리유체(treating fluid)들을 공급한다. 일 실시예로서, 노즐부(130)에는 네 개의 노즐(nozzle)(미도시됨)이 구비되고, 각각의 노즐은 제1 약액, 제2 약액, 린스액, 그리고 건조가스를 분사한다.
노즐부 구동기(140)는 노즐부(130)를 구동한다. 노즐부 구동기(140)는 제1 아암(first arm)(142), 제2 아암(second arm)(144), 그리고 제2 구동기(second driven part)(146)를 포함한다. 제1 아암(142)은 스핀척(110)의 상부에서 수평으로 설치된다. 제2 아암(144)은 스핀척(110)의 측부에서 수직하게 설치된다. 제2 구동기(146)는 제1 및 제2 아암(142, 144)을 유기적으로 동작시켜 노즐부(130)를 공정 위치(a) 및 대기 위치(b) 상호간에 이동시킨다. 여기서, 공정 위치(a)는 공정 진행시 노즐부(130)가 스핀척(110)에 로딩(loading)된 기판(W)의 처리면으로 처리유체를 분사하기 위한 위치이고, 대기 위치(b)는 공정 위치(a)로 이동되기 전 노즐부(130)가 스핀척(110)의 외부 일측에서 대기하기 위한 위치이다.
처리유체 공급부재(150)는 노즐부(130)로 처리유체를 공급한다. 처리유체 공급부재(150)는 제1약액 공급기(first chemical supply part)(152), 제2약액 공급기(second chemical supply part)(154), 린스액 공급기(rinse-liquid supply part)(156), 그리고 건조가스 공급기(dry gas supply part)(158)를 포함한다.
제1약액 공급기(152)는 제1약액 공급원(152a) 및 제1약액 공급라인(152b)을 구비하고, 제2약액 공급기(154)는 제2약액 공급원(154a) 및 제2약액 공급라인(154b)을 구비한다. 그리고, 린스액 공급기(156)는 린스액 공급원(156a) 및 린스액 공급라인(156b)을 구비하고, 건조가스 공급기(158)는 건조가스 공급원(158a) 및 건조가스 공급라인(158b)을 구비한다.
여기서, 상기 제1 및 제2 약액은 기판(W)의 처리면에 잔류하는 이물질 및 불필요한 막을 제거하기 위한 세정액이고, 상기 린스액은 상기 세정액을 제거하기 위한 처리액이다. 그리고, 상기 건조가스는 기판(W) 표면을 건조하기 위한 가스이다. 예컨대, 제1 및 제2 약액은 불산(HF), 황산(H3SO4), 질산(HNO3), 인산(H3PO4), 그 리고 SC-1(standard clean-1) 용액으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나일 수 있다. 린스액으로는 초순수(DIW:Deionized Water)가 사용될 수 있다. 그리고, 건조가스로는 이소프로필 알코올 유체(IPA:Isopropyl alcohol fluid)가 사용될 수 있다.
회수부재(160)는 공정시 사용된 처리액들을 회수한다. 회수부재(160)는 제1 내지 제3 회수통들(162, 164, 166)을 포함한다. 제1 내지 제3 회수통(162, 164, 166) 각각은 처리액이 유입되는 입구가 상하로 적층되도록 배치된다. 제 1 내지 제 3 회수통(162, 164, 166) 각각은 스핀척(110)의 측부를 감싸도록 환형으로 제공된다. 제1 회수통(162)은 세정 공정시 제1 세정액을 회수하고, 제 2 회수통(164)은 세정 공정시 제2 세정액을 회수한다. 그리고, 제3 회수통(166)은 린스 공정시 린스액을 회수한다. 또한, 회수통들(162, 164, 166) 각각은 기판(W)의 처리면으로 공급되는 제1 및 제2 세정액, 그리고 린스액이 유입되도록 일부가 개방된다.
제1 내지 제3 회수통(162, 164, 166) 각각에는 제1 내지 제3 회수라인(162a, 164a, 166a)이 제공된다. 제1 회수라인(162a)은 제1 회수통(162) 내 제1 세정액을 처리액 재생부(treating-liquid recycle member)(미도시됨)로 회수하고, 제2 회수라인(164a)은 제2 회수통(164) 내 제2 세정액을 처리액 재생부로 회수한다. 그리고, 제3 회수라인(166a)은 제3 회수통(166) 내 린스액을 처리액 재생부로 회수한다. 여기서, 상기 처리액 재생부는 사용된 제1 및 제2 세정액, 그리고 린스액을 재사용이 가능하도록 재생시키는 설비이다. 처리액 재생부는 제1 및 제2 세정액, 그리고 린스액을 재생시켜 이를 처리유체 공급부재(150)로 회수시킨다.
제1 내지 제3 회수통(162, 164, 166) 각각에는 제1 내지 제3 배출홀(162b, 164b, 166b)이 형성된다. 각각의 제1 내지 제3 배출홀(162b, 164b, 166b)은 회수부재(180)와 마주보는 제1 내지 제3 회수통(162, 164, 166)의 내측면에 형성된다. 제1 배출홀(162b)은 제1 회수통(162) 내 공기가 회수부재(180)로 배출되는 개구이고, 제2 배출홀(164b)은 제2 회수통(164) 내 공기가 회수부재(180)로 배출되는 개구이다. 그리고, 제3 배출홀(166b)은 제3 회수통(166) 내 공기가 회수부재(180)로 배출되는 개구이다.
그리고, 제1 내지 제3 회수통(162, 164, 166) 각각에는 제1 내지 제3 차단벽(162c, 164c, 166c)이 제공된다. 제1 내지 제3 차단벽(162c, 164c, 166c) 각각은 공정시 제1 내지 제3 회수통(162, 164, 166)으로 분리회수된 처리액들이 제1 내지 제3 배출홀(162b, 164b, 166b)을 통해 회수부재(180)로 유입되는 것을 차단한다. 제1 내지 제3 차단벽(162c, 164c, 166c)의 형상 및 개수는 다양하게 변경이 가능다.
본 실시예에서는 제1 내지 제3 회수통(162, 164, 166)이 상부로부터 하부로 순차적으로 적층되는 구조를 예로 들어 설명하였지만, 제1 내지 제3 회수통(162, 164, 166)의 배치는 다양하게 변경될 수 있다. 예컨대, 제1 내지 제 3 회수통(162, 164, 166)은 하부로부터 상부로 순차적으로 적층되는 구조일 수 있다. 또한, 본 실시예에서는 제3 회수라인(166a)이 제3 회수통(166) 내 린스액을 처리액 재생부로 회수하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 린스액은 처리액 재생부로 회수되지 않고 배수(drain)될 수 있다.
승강기(170)는 회수부재(180)를 승강 및 하강시킨다. 특히, 승강기(170)는 공정 진행시 사용되는 처리액들이 회수하고자 하는 회수통들(162, 164, 166)에 회수되도록 회수통들(162, 164, 166)의 높이를 조절한다. 또한, 승강기(170)는 각각의 회수통들(162, 164, 166) 중 사용된 처리액이 회수되는 회수통에 선택적으로 흡입압력이 제공되도록 회수부재(160)의 높이를 제어한다.
흡입부재(180)는 회수부재(160)에 흡입압력을 제공한다. 특히, 흡입부재(180)는 각각의 회수통들(162, 164, 166)에 선택적으로 흡입압력을 제공한다. 흡입부재(180)는 제1 내지 제3 흡입통(182, 184, 186)을 가진다. 제1 내지 제3 흡입통(182, 184, 186) 각각은 제1 내지 제3 회수통(162, 164, 166)에 흡입압력을 제공한다. 제1 내지 제3 흡입통(182, 184, 186) 각각에는 제1 내지 제3 흡입라인(182a, 184a, 186a)이 연결된다. 제1 내지 제3 흡입라인(182a, 184a, 186a) 각각은 제1 내지 제3 흡입통(182, 184, 186) 내 공기를 일정 압력으로 흡입시킨다. 따라서, 제1 내지 제3 흡입통(182, 184, 186) 내부는 공정시 일정압력으로 감압된다.
제1 내지 제3 흡입통(182, 184, 186)에는 제1 내지 제3 흡입홀(182b, 184b, 186b)이 형성된다. 제1 내지 제3 흡입홀(182b, 184b, 186b) 각각은 제1 내지 제3 배출홀(162b, 164b, 166b)과 서로 상응하는 형상을 가진다. 제1 흡입홀(182b)은 제1 약액에 의한 기판(W)의 처리 공정이 수행될 때, 제1 배출홀(162b)과 대향되어 서로 연통된다. 따라서, 제1 흡입통(182)에 제공된 흡입압력에 의해 제1 회수통(162) 내 공기가 제1 배출홀(162b) 및 제1 흡입홀(182b)을 통해 제1 흡입통(182)으로 흡입된 후 제1 흡입라인(182a)을 통해 배기된다. 동일한 방식으로, 제2 및 제3 흡입 홀(184b, 186b) 각각은 제2 약액 및 린스액에 의해 기판(W)의 처리 공정이 수행될 때, 제2 및 제3 배출홀(164b, 166b)과 대향되어 서로 연통된다. 따라서, 제2 및 제3 회수통(164, 166) 내 공기는 제2 및 제3 흡입통(184, 186)으로 흡입된 후 제2 및 제3 흡입라인(184a, 186a)을 통해 배기된다.
여기서, 상술한 제1 내지 제3 흡입홀(182b, 184b, 186b)의 간격(D2)은 제1 내지 제3 배출홀(162b, 164b, 166b)의 간격(D1)과 상이하다. 따라서, 흡입홀들(182b, 184b, 186b) 중 어느 하나가 그에 상응하는 배출홀들(162b, 164b, 166b) 중 어느 하나와 연통되면, 흡입홀들(182b, 184b, 186b) 및 배출홀들(162b, 164b, 166b) 중 다른 두개는 서로 연통되지 않는다. 따라서, 승강기(170)는 회수부재(160)를 승하강시켜, 제1 내지 제3 회수통(162, 164, 166)들 중 어느 하나에 선택적으로 흡입압력을 제공할 수 있다.
본 실시예에서는 승강기(170)가 회수부재(180)의 높이를 조절하여, 공정시 사용되는 처리액들을 각각의 회수통들(162, 164, 166)로 회수시키는 방식을 예로 들어 설명하였으나, 사용된 처리액들을 각각의 회수통들(162, 164, 166)에 선택적으로 회수시키는 방식은 다양하게 응용될 수 있다. 예컨대, 본 발명의 다른 실시예로서, 회수부재(180)의 높이는 고정되고, 승강기(170)는 흡입부재(180)의 높이를 승강 및 하강시켜 각각의 배출홀들(162b, 164b,166b) 및 흡입홀들(182b, 184b, 186b)이 선택적으로 연통되게하여 제1 내지 제3 회수통(162, 164, 166)에 선택적으로 흡입압력을 제공할 수 있다. 또는, 본 발명의 또 다른 실시예에로서, 승강기(170)는 회수부재(180) 및 흡입부재(180)의 높이를 상대적으로 변화시켜, 각각의 배출홀들(162b, 164b,166b) 및 흡입홀들(182b, 184b, 186b)이 선택적으로 연통되게하여 제1 내지 제3 회수통(162, 164, 166)에 선택적으로 흡입압력을 제공할 수 있다.
제어부(190)는 상술한 기판 처리 장치(100)의 공정 과정을 제어한다. 즉, 제어부(190)는 제1 구동기(120)를 제어하여, 스핀척(110)의 기판(W) 지지 및 회전속도를 제어한다. 제어부(190)는 밸브(V1, V2, V3, V4)의 개폐를 제어하여, 처리유체의 공급을 제어한다. 제어부(190)는 제2 구동기(146)을 제어하여, 노즐부(130)의 위치를 제어한다. 그리고, 제어부(190)는 승강기(170)를 제어하여 회수부재(160)의 처리액 회수 및 흡입부재(180)의 회수통들(162, 164, 166) 내 흡입압력 제공을 제어한다.
이하, 상술한 구조의 기판 처리 장치(100)의 공정 과정을 상세히 설명한다. 여기서, 상술한 구성들과 동일한 구성들에 대한 참조번호는 동일하게 병기하고, 그 구성들에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이고, 도 4a 내지 도 4g는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 보여주는 도면들이다. 그리고, 도 5 및 도 6은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 효과를 설명하기 위한 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(10)의 공정이 개시되면, 스핀척(110)에 기판(W)이 로딩(loading)된다(S110). 즉, 도 4a를 참조하면, 제어부(190)는 승강기(170)를 제어하여 회수부재(180)를 로딩/언로딩 위치(L1)로 이동 시킨다. 로딩/언로딩 위치(L1)는 공정시 기판(W)이 스핀척(110)에 로딩(loading)되거나 언로딩(unloading)되기 위한 회수부재(180)의 위치이다. 회수부재(180)가 로딩/언로딩 위치(L1)에 위치되면, 기판(W)은 스핀헤드(112)에 안착된 후 척킹핀들(112a)에 의해 고정된다. 척킹핀들(112a)에 의해 기판(W)이 고정되면, 기판(W) 표면에 잔류하는 이물질을 세정하는 공정이 수행된다. 기판(W)의 세정 공정은 다음과 같다.
기판(W)이 로딩되면, 기판(W)을 제1 약액으로 세정하고 사용된 제1 약액을 분리회수 한다(S120). 즉, 도 4b를 참조하면, 제어부(190)는 승강기(170)를 제어하여, 회수부재(180)를 로딩/언로딩 위치(L1)로부터 제1 공정위치(L2)로 이동시킨다. 제1 공정위치(L2)는 사용된 제1 약액이 제1 회수통(162)으로 유입되기 위한 회수부재(180)의 위치이다. 또한, 제1 공정위치(L2)는 제1 회수통(162)의 제1 배출홀(162b)이 제1 흡입통(182)의 제1 흡입홀(182b)과 서로 연통되기 위한 회수부재(180)의 위치이다. 그리고, 제어부(190)는 제2 구동기(146)를 제어하여, 노즐부 구동기(140)가 노즐부(130)를 대기 위치(b)로부터 공정 위치(a)로 이동되도록 한다. 제어부(190)는 제1 구동기(120)를 제어하여, 스핀척(110)을 공정 속도로 회전시킨 후, 밸브(V1)를 오픈시켜 제1약액 공급라인(152b)이 제1약액 공급원(152a)으로부터 노즐부(120)로 제1 약액을 공급하도록 제어한다.
노즐부(120)를 통해 분사되는 제1 약액은 회전되는 기판(W)의 처리면을 일차적으로 세정한 후 기판(W)의 원심력에 의해 제1 회수통(162)으로 비산된다. 이때, 도 5를 참조하면, 제1 회수통(162) 내부에는 제1 흡입통(182) 내부에 제공된 흡입 압력이 제공되므로, 제1 회수통(162) 내부로 회수된 제1 약액으로부터 발생되는 흄(fume)은 제1 흡입통(182)으로 흡입된 후 제1 흡입라인(182a)을 통해 배기된다. 그리고, 제1 회수통(162)으로 회수된 제1 약액은 제1 회수라인(162a)을 통해 처리액 재생부(미도시됨)으로 회수된다.
제1 약액에 의한 기판(W)의 세정이 완료되면, 기판(W)을 제2 약액으로 세정하고 사용된 제2 약액을 분리회수한다(S130). 즉, 도 4c를 참조하면, 제어부(190)는 밸브(V1)를 클로우즈한 후 승강기(170)를 제어하여, 회수부재(180)를 제1 공정위치(L2)로부터 제2 공정위치(L3)로 이동시킨다. 제2 공정위치(L3)는 사용된 제2 약액이 제2 회수통(164)으로 유입되기 위한 회수부재(180)의 위치이다. 또한, 제2 공정위치(L3)는 제2 회수통(164)의 제2 배출홀(164b)이 제2 흡입통(184)의 제2 흡입홀(184b)과 서로 연통되기 위한 회수부재(180)의 위치이다. 그리고, 제어부(190)는 밸브(V2)를 오픈시켜 제2약액 공급라인(154b)이 제2약액 공급원(154a)으로부터 노즐부(120)로 제2 약액을 공급하도록 제어한다.
노즐부(120)를 통해 분사되는 제2 약액은 회전되는 기판(W)의 처리면을 이차적으로 세정한 후 기판(W)의 원심력에 의해 제2 회수통(164)으로 비산된다. 이때, 도 6을 참조하면, 제2 회수통(164) 내부에는 제2 흡입통(184) 내부에 제공된 흡입압력이 제공되므로, 제2 회수통(164) 내부로 회수된 제2 약액으로부터 발생되는 흄(fume)은 제2 흡입통(184)으로 흡입된 후 제2 흡입라인(184a)을 통해 배기된다. 그리고, 제2 회수통(164)으로 회수된 제2 약액은 제2 회수라인(164a)을 통해 처리액 재생부(미도시됨)으로 회수된다.
기판(W)의 세정 공정이 완료되면, 기판(W)에 잔류하는 제1 및 제2 약액을 린스액으로 린스(rinse)하고 사용된 린스액을 분리회수한다(S140). 즉, 도 4d를 참조하면, 제어부(190)는 밸브(V2)를 클로우즈한 후 승강기(170)를 제어하여, 회수부재(180)를 제2 공정위치(L2)로부터 제3 공정위치(L4)로 이동시킨다. 제3 공정위치(L4)는 사용된 린스액이 제3 회수통(166)으로 유입되기 위한 회수부재(180)의 위치이다. 또한, 제3 공정위치(L4)는 제3 회수통(166)의 제3 배출홀(166b)이 제3 흡입통(186)의 제3 흡입홀(186b)과 서로 연통되기 위한 회수부재(180)의 위치이다. 그리고, 제어부(190)는 밸브(V3)를 오픈시켜 린스액 공급라인(156b)이 린스액 공급원(156a)으로부터 노즐부(120)로 린스액을 공급하도록 제어한다.
노즐부(120)를 통해 분사되는 린스액은 회전되는 기판(W)의 처리면에 잔류하는 제1 및 제2 약액을 린스(rinse)한 후 기판(W)의 원심력에 의해 제3 회수통(166)으로 비산된다. 이때, 제3 회수통(166) 내부에는 제3 흡입통(186) 내부에 제공된 흡입압력이 제공되므로, 제3 회수통(166) 내부로 회수된 린스액으로부터 발생되는 흄(fume)은 제3 흡입통(186)으로 흡입된 후 제3 흡입라인(186a)을 통해 배기된다. 그리고, 제3 회수통(166)으로 회수된 린스액은 제3 회수라인(166a)을 통해 처리액 재생부(미도시됨)으로 회수된다.
기판(W)의 린스 공정이 완료되면, 기판(W)의 건조 공정이 수행된다(S150). 즉, 도 4e를 참조하면, 제어부(190)는 제어부(190)는 밸브(V3)를 클로우즈하고, 밸브(V4)를 오픈시켜 건조가스 공급라인(158b)이 건조가스 공급원(158a)으로부터 노즐부(120)로 건조가스를 공급하도록 제어한다. 노즐부(120)를 통해 분사되는 건조 가스는 고속으로 회전되는 기판(W)의 처리면을 건조시킨다.
기판(W)의 건조 공정이 완료되면, 기판(W)은 언로딩(unloading)된다(S160). 즉, 도 4f를 참조하면, 제어부(190)는 밸브(V4)을 클로우즈하고, 제1 구동기(120)를 제어하여 스핀척(110)의 회전을 중지한다. 제어부(190)는 제2 구동기(146)를 제어하여, 노즐부 구동기(140)가 노즐부(120)를 공정 위치(a)로부터 대기 위치(b)로 이동되도록 제어한다. 그리고, 제어부(190)는 승강기(170)를 제어하여, 회수부재(180)를 제3 공정위치(L4)로부터 로딩/언로딩 위치(L1)로 이동시킨다. 스핀척(110)이 로딩/언로딩 위치(L1)에 위치되면, 척킹핀들(112a)들은 기판(W)을 언척킹(unchucking)하고, 기판(W)은 후속공정이 수행되는 설비(미도시됨)로 반송된다.
상술한 기판 처리 장치(100) 및 방법은 공정시 사용된 처리액들을 분리회수하되, 각각의 처리액들로부터 발생되는 흄(fume)을 독립적으로 완전히 배기시킨다. 만약, 공정시 사용되는 처리액이 산성 용액 및 알칼리성 용액을 포함하는 경우에는 산성 용액으로부터 발생되는 흄과 알칼리성 용액으로부터 발생되는 흄을 완전히 분리배기할 수 있어, 흄의 후속 처리 과정시 화재 및 폭발의 위험성을 낮추고, 환경 오염을 방지할 수 있다.
또한, 상술한 기판 처리 장치(100) 및 방법은 사용된 처리액들을 분리회수하는 회수통들에만 선택적으로 균일한 배기압력을 제공할 수 있어, 회수통들 내 흄을 안정적이고 효과적으로 배기할 수 있어, 흄의 누출로 인한 설비 오염 및 작업 안정성의 저하를 방지한다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 처리 장및 방법은 습식으로 기판을 처리하는 공정에 사용되는 처리액들로부터 발생되는 흄을 효과적으로 배출시킨다.
또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 습식으로 기판을 처리하는 공정에 사용되는 각각의 처리액들로부터 발생되는 흄을 완전히 분리배기할 수 있다. 특히, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 산성 용액으로부터 발생되는 흄과 알칼리성 용액으로부터 발생되는 흄을 효과적으로 완전분리하여 배기시킬 수 있어, 흄의 후속 처리 과정에서 화재 위험성을 낮추고 환경 오염을 방지한다.
또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 습식으로 기판을 처리하는 공정에 사용되는 각각의 처리액들을 회수하는 복수의 회수통들에 균일한 배기압력이 유지될 수 있어, 처리액들로부터 발생되는 흄의 배기를 안정적이고 효과적으로 배기할 수 있다.

Claims (13)

  1. 삭제
  2. 기판 처리 장치에 있어서,
    기판을 지지 및 회전시키는 스핀척과,
    공정시 상기 스핀척에 의해 지지된 기판으로 처리액들을 공급하는 노즐부와,
    상기 스핀척의 측부에 제공되며, 공정 진행시 상기 스핀척에 의해 지지된 기판의 처리면으로 분사된 후 기판으로부터 비산되는 처리액들 중 회수하고자 하는 처리액을 유입시키는 입구가 상하로 적층되는 복수의 회수통들, 그리고
    상기 회수통들의 측부에 제공되며, 상기 회수통들 중 공정 진행시 사용된 처리액의 회수가 이루어지는 회수통에 흡입압력을 제공하는 흡입부재를 포함하되,
    상기 회수통들 각각에는,
    처리액들이 수용되는 공간 내 공기가 배출되는 적어도 하나의 배출홀이 형성되고,
    상기 흡입부재는,
    상기 회수통들과 대향되는 면을 가지는, 그리고 상기 면에는 상기 배출홀을 통해 상기 회수통들 내 공기를 흡입시키는 흡입홀이 형성된 흡입통과,
    상기 흡입통들 내부에 흡입압력을 제공하는 흡입 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 흡입통은 복수개가 상하로 적층되며,
    상기 기판 처리 장치는,
    공정시 사용되는 처리액을 회수시키는 회수통에 형성된 배출홀과 상기 처리액을 회수시키는 회수통과 대응되는 흡입통에 형성된 흡입홀이 서로 연통되도록, 상기 흡입통들 및 상기 회수통들의 상대 높이를 조절하는 승강기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 스핀척 및 흡입통들의 높이는 고정되고,
    상기 승강기는 상기 회수통들의 높이를 조절시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 배출홀 및 상기 흡입홀은,
    상기 회수통들 및 상기 흡입통들 둘레에서 동등한 높이에서 복수개가 환형의 배치로 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 소정의 처리액으로 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    기판을 지지 및 회전시키는 스핀척과,
    공정시 상기 스핀척에 의해 지지된 기판으로 처리액들을 공급하는 노즐부와,
    상기 스핀척의 측부에 제공되며, 공정 진행시 상기 스핀척에 의해 지지되어 회전되는 기판의 처리면으로 분사된 후 기판으로부터 비산되는 처리액들 중 회수하고자하는 처리액을 유입시키는 입구가 상하로 적층되는 복수의 회수통들, 그리고
    상기 회수통들의 측부에 제공되며, 공정시 상기 회수통들 중 처리액을 회수시키는 회수통에 흡입압력을 제공하는 흡입부재를 포함하되,
    상기 회수통들은,
    상기 처리액들 중 산성 용액을 회수하는 적어도 하나의 제1 회수통 및 상기 처리액들 중 알칼리성 용액을 회수하는 적어도 하나의 제2 회수통을 포함하고,
    상기 흡입부재는,
    상기 제1 회수통과 대응되며, 상기 산성 용액의 공급이 진행되는 동안에 상기 제1 회수통에 흡입압력을 제공하는 제1 흡입통 및;
    상기 제2 회수통과 대응되며, 상기 알칼리성 용액의 공급이 진행되는 동안에 상기 제2 회수통에 흡입압력을 제공하는 제2 흡입통을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 회수통 각각에는,
    상기 제1 및 제2 회수통 내 공기가 배출되는 배출홀이 형성되고,
    상기 제1 및 제2 흡입통 각각에는,
    상기 배출홀과 상응하는 흡입홀이 형성되되,
    상기 기판 처리 장치는,
    공정 진행시, 처리액의 회수가 이루어지는 회수통에 형성된 배출홀과 상기 흡입통들 중 상기 처리액의 회수가 이루어지는 회수통과 대응되는 흡입통에 형성된 흡입홀이 서로 연통되도록, 상기 흡입통들 및 상기 회수통들의 상대 높이를 조절하는 승강기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 흡입 부재는,
    상기 제1 회수통으로 회수된 산성 용액으로부터 발생되는 흄을 상기 제1 흡입통으로 흡입시킨 후 상기 제1 흡입통으로부터 배기시키는 제1 흡입라인과,
    상기 제2 회수통으로 회수된 알칼리성 용액으로부터 발생되는 흄을 상기 제 2 흡입통으로 흡입시킨 후 상기 제2 흡입통으로부터 배기시키는 제2 흡입라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 배출홀 및 상기 흡입홀은,
    상기 회수통들 및 상기 흡입통들 둘레에서 동등한 높이에서 복수개가 환형의 배치로 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 기판 처리 방법에 있어서,
    기판의 처리면으로 처리액들을 순차적으로 분사하고, 사용된 처리액들은 분리회수시키되, 분리되는 처리액들로부터 발생되는 흄은 처리액들의 종류에 따라 분리배기시키되,
    상기 처리액들의 분리회수는,
    회수하고자하는 처리액의 수만큼 구비되는 회수통들을 구비하여, 상기 회수통들 중 공정시 처리액의 회수가 이루어지는 회수통에만 흡입압력을 제공하여 이루어지고,
    상기 흄의 분리배기는,
    상기 회수통들 각각에 상기 회수통들 내부 공기를 배출시키는 배출홀을 제공하고, 상기 회수통들의 외측에는 상기 배출홀을 통해 상기 회수통 내 흄을 흡입시키는 흡입홀이 형성된 흡입통들을 구비하여, 공정 진행시 처리액의 회수가 이루어지는 회수통에 형성된 배출홀과 상기 처리액의 회수가 이루어지는 회수통과 대응되는 흡입통에 형성된 흡입홀이 서로 연통되도록, 상기 회수통들과 상기 흡입통들의 상대 높이를 조절함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  13. 기판 처리 방법에 있어서,
    기판의 처리면으로 처리액들을 순차적으로 분사하고, 사용된 처리액들은 분리회수시키되, 분리되는 처리액들로부터 발생되는 흄은 처리액들의 종류에 따라 분리배기시키되,
    상기 처리액들의 분리회수는,
    회수하고자하는 처리액의 수만큼 구비되는 회수통들을 구비하여, 상기 회수통들 중 공정시 처리액의 회수가 이루어지는 회수통에만 흡입압력을 제공하여 이루어지고,
    상기 흄의 분리배기는,
    상기 처리액들 중 산성 용액으로부터 발생되는 흄과 상기 처리액들 중 알칼리성 용액으로부터 발생되는 흄을 독립적으로 분리배기시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100987795B1 (ko) * 2008-10-24 2010-10-13 세메스 주식회사 매엽식 기판 처리 장치 및 방법
KR100997922B1 (ko) * 2008-07-04 2010-12-03 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR101009044B1 (ko) * 2008-10-24 2011-01-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR101010312B1 (ko) * 2008-10-28 2011-01-25 세메스 주식회사 매엽식 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 압력 조절 방법
WO2012075431A2 (en) * 2010-12-03 2012-06-07 Applied Materials, Inc. Processing assembly for semiconductor workpiece and methods of processing same
US9799537B2 (en) 2010-12-03 2017-10-24 Applied Materials, Inc. Processing assembly for semiconductor workpiece and methods of processing same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002353181A (ja) 2001-05-30 2002-12-06 Ses Co Ltd 枚葉式基板洗浄方法および枚葉式基板洗浄装置
JP2004031400A (ja) * 2002-06-21 2004-01-29 Sipec Corp 基板処理装置及びその処理方法
JP2004265910A (ja) 2003-02-03 2004-09-24 Personal Creation Ltd 基板の処理液の分別回収装置及び該装置を備えた基板の処理装置、並びに基板の処理液の分別回収方法
JP2005072372A (ja) 2003-08-26 2005-03-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002353181A (ja) 2001-05-30 2002-12-06 Ses Co Ltd 枚葉式基板洗浄方法および枚葉式基板洗浄装置
JP2004031400A (ja) * 2002-06-21 2004-01-29 Sipec Corp 基板処理装置及びその処理方法
JP2004265910A (ja) 2003-02-03 2004-09-24 Personal Creation Ltd 基板の処理液の分別回収装置及び該装置を備えた基板の処理装置、並びに基板の処理液の分別回収方法
JP2005072372A (ja) 2003-08-26 2005-03-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100997922B1 (ko) * 2008-07-04 2010-12-03 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR100987795B1 (ko) * 2008-10-24 2010-10-13 세메스 주식회사 매엽식 기판 처리 장치 및 방법
KR101009044B1 (ko) * 2008-10-24 2011-01-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR101010312B1 (ko) * 2008-10-28 2011-01-25 세메스 주식회사 매엽식 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 압력 조절 방법
WO2012075431A2 (en) * 2010-12-03 2012-06-07 Applied Materials, Inc. Processing assembly for semiconductor workpiece and methods of processing same
WO2012075431A3 (en) * 2010-12-03 2012-10-11 Applied Materials, Inc. Processing assembly for semiconductor workpiece and methods of processing same
US8541309B2 (en) 2010-12-03 2013-09-24 Applied Materials, Inc. Processing assembly for semiconductor workpiece and methods of processing same
US9799537B2 (en) 2010-12-03 2017-10-24 Applied Materials, Inc. Processing assembly for semiconductor workpiece and methods of processing same

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