KR100912702B1 - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정시 지지부재에 의해 지지되어 회전되는 기판으로부터 비산되는 처리액을 회수하는 주 회수부재 및 비산되는 처리액 중 주 회수부재로 회수되지 못하고 지지부재의 표면을 따라 흐르는 처리액을 회수하는 보조 회수부재를 구비한다. 본 발명은 공정시 주 회수부재로 회수되지 못하는 처리액을 효과적으로 회수함으로써 처리액의 회수 효율을 향상시킨다.
반도체, 웨이퍼, 세정, 처리액, 회수

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 매엽식으로 반도체 기판을 세정하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 제조 공정은 일련의 단위 공정들을 연속적 및 반복적으로 수행함으로써 반도체 집적회로 칩을 생산하는 공정이다. 이러한 단위 공정들 중 세정 공정은 웨이퍼 상에 잔류하는 이물질을 제거하는 공정이다.
일반적으로 세정 공정을 수행하는 장치 중 매엽식으로 기판을 세정하는 장치는 하우징, 지지부재, 분사부재, 그리고 회수부재를 가진다. 하우징은 내부에 식각 및 세정 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 지지부재는 공정시 하우징 내부에서 기판을 지지 및 회전시킨다. 보통 지지부재로는 스핀척(spin chuck)이 사용된다. 분사부재는 회전되는 웨이퍼의 처리면으로 처리유체를 분사한다. 그리고, 회수부재는 처리액들의 재사용을 위해, 공정시 기판의 원심력으로 인해 기판으로부터 비산되는 처리액들을 회수한다.
그러나, 일반적인 습식 처리 장치는 공정시 사용된 세정액 및 린스액 등의 처리액들이 회수부재로 완전히 회수되지 않았다. 예컨대, 기판의 처리면으로 분사 된 처리액은 회전되는 기판의 원심력에 의해 기판으로부터 비산되어 회수부재로 회수되지만, 스핀척의 회전속도가 저속인 경우에는 기판으로부터 회수부재로 비산되지 못하고 스핀척의 표면을 따라 흘러내린다. 따라서, 처리액이 완전히 회수되지 않아 처리액의 재사용률이 낮고, 하우징 내 잔류하는 처리액 및 처리액으로부터 발생되는 흄(fume)에 의해 장치가 오염된다.
본 발명은 처리액의 회수 효율을 향상시키는 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다.
본 발명은 저속회전 공정시에 기판을 지지하는 지지부재의 표면을 따라 흐르는 처리액의 회수 처리를 효과적으로 수행하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다.
본 발명은 사용된 처리액 및 처리액으로부터 발생되는 흄에 의해 장치가 오염되는 것을 방지한다.
상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판을 지지 및 회전시키는 지지부재, 공정시 상기 지지부재에 놓여진 기판으로 처리액을 분사하는 분사부재, 공정시 상기 지지부재에 놓여진 기판으로부터 비산되는 처리액을 회수하는 주 회수부재, 그리고 공정시 상기 지지부재의 표면을 따라 흐르는 처리액을 회수하는 보조 회수부재를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 지지부재는 상부에 기판이 놓여지는 지지면을 가지며, 공정시 상기 하우징 내부에서 회전되는 스핀헤드를 포함하고, 상기 보조 회수부재는 상기 주 회수부재와 상기 스핀헤드 사이에 배치되며, 상기 스핀헤드의 측면을 따라 환형으로 구비되는 제1 회수용기를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 보조 회수부재는 상기 제1 회수용기의 하 부에 설치되며, 상기 제1 회수용기로 회수된 처리액을 수용하는 제2 회수용기를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 주 회수부재는 공정시 상기 지지부재에 놓여진 기판으로부터 비산되는 처리액이 유입되는 유입구가 상하로 적층되도록 설치되는 복수의 회수통들을 포함하고, 상기 기판 처리 장치는 상기 회수통들 중 상기 지지부재가 가장 낮은 속도로 회전되는 공정에서 사용되는 처리액을 회수하는 회수통으로 회수된 처리액과 상기 보조 회수용기으로 회수된 처리액을 회수하는 회수라인을 포함한다.
상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 방법은 지지부재에 안착되어 회전되는 기판의 처리면으로 처리액을 분사하고, 분사된 처리액은 회전되는 기판의 회전력에 의해 기판의 측부를 감싸도록 환형으로 제공되는 회수통들로 비산시켜 기판을 처리하되, 공정시 상기 지지부재의 표면을 따라 흐르는 처리액은 상기 회수통과 상기 지지부재 사이에서, 상기 지지부재의 측면을 감싸도록 환형으로 설치되는 회수용기에 의해 회수되도록 한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 회수용기에 의한 처리액의 회수는 공정상 요구되는 기판의 회전속도가 상기 기판으로부터 비산되는 처리액이 전부 상기 회수통으로 유입되지 않을 정도로 낮은 경우에 이루어진다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 지지부재의 표면을 따라 흐르는 처리액은 상기 회수용기에 의해 상기 회수통들에 가해지는 배기압력에 의해 영향을 받지 않 는다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 회수용기로 회수된 처리액은 상기 회수통들 중 기판의 회전속도가 가장 낮은 회전속도로 공정을 진행할 때 사용되는 처리액을 회수하는 회수통으로 회수되는 처리액과 동일하다.
본 발명은 사용된 처리액이 회수하고자 하는 회수통 이외의 다른 회수통으로 유입되는 것을 방지한다.
본 발명은 사용된 처리액의 회수율을 향상시켜, 처리액의 재사용률을 향상시킨다.
본 발명은 처리액 및 처리액으로부터 발생되는 흄에 의해 장치가 오염되는 것을 방지한다.
본 발명은 공정에 사용되는 각각의 처리액들을 효과적으로 분리회수한다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
또한, 본 발명의 실시예에서는 반도체 기판을 매엽식으로 세정하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나, 본 발명은 소정의 처리액으로 기판을 처리하는 모든 장치에 적용될 수 있다.
(실시예)
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(apparatus for treating substrate)(100)는 하우징(housing)(110), 지지부재(support member)(120), 주 회수부재(main recovery member)(130), 구동부재(driving member)(140), 분사부재(injection member)(150), 그리고 보조 회수부재(subsidize recovery member)(200)를 포함한다.
하우징(110)은 내부에 반도체 기판(이하, 웨이퍼)(W)을 처리하는 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 상기 처리 공정은 웨이퍼(W) 표면에 잔류하는 이물질을 제거하는 세정 공정이다. 하우징(110)은 상부가 개방된 원통형상을 가진다. 하우징(110)의 개방된 상부는 공정시 웨이퍼(W)의 출입이 이루어지는 기판 출입구로 사용된다.
지지부재(120)는 공정시 하우징(110) 내부에서 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지부재(120)로는 스핀척(spin chuck)이 사용된다. 지지부재(120)는 스핀헤드(spin head)(122) 및 회전축(124)을 포함한다. 스핀헤드(122)는 대체로 판(plate)형상을 가진다. 스핀헤드(122)는 하우징(110) 내부에서 회전가능하도록 설치된다. 회전축(124)은 스핀헤드(122)의 회전을 위해 제공된다. 회전축(124)의 상단은 스핀헤드(122)의 하부 중앙에 결합되고, 하단은 구동부재(130)에 결합된다. 스핀헤 드(122)의 상부에는 척킹핀(chucking pin)(122a)들이 설치된다. 척킹핀(122a)들은 스핀헤드(122)의 상부면 가장자리를 따라 배치된다. 각각의 척킹핀(122a)들은 공정시 웨이퍼(W) 가장자리 일부를 척킹(chucking)하여 스핀헤드(122) 상에 웨이퍼(W)를 고정시킨다.
주 회수부재(130)는 공정시 웨이퍼(W)로부터 비산되는 처리액을 회수한다. 주 회수부재(130)는 복수의 회수통들을 구비된다. 일 실시예로서, 주 회수부재(130)는 제1 회수통(first recovery canister)(132), 제2 회수통(second recovery canister)(134), 그리고 제3 회수통(third recovery canister)(136)을 가진다. 제1 내지 제3 회수통(132, 134, 136) 각각은 공정시 사용된 처리액이 유입되는 유입구(132a, 134a, 136a)가 상하로 적층되도록 설치된다. 제1 회수통(132)은 제1 세정액을 회수하고, 제2 회수통(134)은 제2 세정액을 회수한다. 그리고, 제3 회수통(136)은 린스액을 회수한다.
제1 내지 제3 회수통(132, 134, 136) 각각에는 배기압력이 가해진다. 즉, 제1 내지 제3 회수통(132, 134, 136) 각각은 웨이퍼(W)로부터 비산되는 처리액을 수용하므로, 제1 내지 제3 회수통(132, 134, 136) 내부에는 회수된 처리액으로부터 발생되는 흄(fume)이 발생된다. 따라서, 제1 내지 제3 회수통(132, 134, 136)에는 흄을 장치(100) 외부로 강제배출시키기 위한 배기압력(흡입압력)이 제공된다.
제1 내지 제3 회수통(132, 134, 136) 각각에는 제1 내지 제3 회수라인(132b, 134b, 136b)이 연결된다. 제1 회수라인(132b)은 제1 회수통(132) 및 후술할 보조 회수부재(200)으로 회수된 제1 세정액을 처리액 재생부(미도시됨)로 회수한다. 제2 회수라인(134b)은 제2 회수통(134)으로 회수된 제2 세정액을 처리액 재생부로 회수한다. 그리고, 제3 회수라인(136b)은 제3 회수통(136)으로 회수된 린스액을 처리액 재생부로 회수한다. 처리액 재생부는 공정에 사용된 처리액들을 재사용이 가능하도록 재생시키는 설비이다.
구동부재(140)는 제1 구동기(first driving part)(142) 및 제2 구동기(second driving part)(144)를 포함한다. 제1 구동기(142)는 지지부재(120)를 구동하고, 제2 구동기(144)는 주 회수부재(130)를 구동한다. 즉, 제1 구동기(142)는 공정시 회전축(124)을 회전시켜 스핀헤드(122)에 놓여진 웨이퍼(W)를 기설정된 회전속도로 회전시킨다. 그리고, 제2 구동기(144)는 주 회수부재(130)를 상하로 승강시켜, 공정시 사용되는 처리액이 제1 내지 제3 회수통(132, 134, 136)들 중 회수하고자 하는 어느 하나의 회수통으로 회수되도록 한다.
여기서, 제2 구동기(144)는 로딩/언로딩 위치(도 4a의 L1), 제1 세정위치(도4b의 L2), 제2 세정위치(도4c의 L3), 그리고 린스위치(도4d의 L4) 상호간에 주 회수부재(130)를 이동시킨다. 로딩/언로딩 위치(L1)는 공정시 지지부재(120)로 웨이퍼(W)를 로딩하거나 지지부재(120)로부터 웨이퍼(W)를 언로딩하기 위한 주 회수부재(130)의 위치이다. 제1 세정위치(L2)는 공정시 사용된 제1 세정액을 제1 회수통(132)으로 회수시키기 위한 주 회수부재(130)의 위치이고, 제2 세정위치(L3)는 공정시 사용된 제2 세정액을 제2 회수통(134)으로 회수시키기 위한 주 회수부재(130)의 위치이다. 그리고, 린스위치(L4)는 공정시 사용된 린스액을 제3 회수통(136)으로 회수시키기 위한 주 회수부재(130)의 위치이다. 본 실시예에서는 주 회수부재(130)가 린스위치(L4)에 위치될 때, 웨이퍼(W)의 건조가 수행된다.
분사부재(150)는 공정시 웨이퍼(W)로 처리유체를 분사한다. 분사부재(150)는 노즐(nozzle)(152) 및 이송암(transfer arm)(154)을 포함한다. 노즐(152)은 공정시 스핀헤드(152)에 놓여진 웨이퍼(W) 표면으로 처리유체를 분사한다. 처리유체는 웨이퍼(W) 표면에 잔류하는 이물질의 제거를 위한 세정액, 웨이퍼(W) 표면에 잔류하는 세정액을 제거하기 위한 린스액, 그리고 웨이퍼(W) 표면을 건조하기 위한 건조가스를 포함한다. 이러한 처리유체들을 분사하기 위해 노즐(140)은 제1 및 제2 세정액을 분사하는 세정노즐, 린스액을 분사하는 린스노즐, 그리고 건조가스를 분사하는 건조노즐을 각각 구비할 수 있다.
이송암(154)은 공정시 노즐(152)의 위치를 조절한다. 예컨대, 이송암(154)은 웨이퍼(W)의 세정이 수행되기 전, 하우징(110) 외부에서 대기하는 노즐(152)을 이동시켜 처리유체를 분사하기 위한 위치에 위치시킨다. 또한, 이송암(154)은 공정시 노즐(152)이 처리유체를 분사할 때, 노즐(152)을 회전 및 스윙 운동시켜 노즐(152)이 웨이퍼(W)의 처리면 전반에 고르게 처리유체를 분사할 수 있도록 할 수 있다.
여기서, 제1 및 제2 세정액은 기판(W)의 처리면에 잔류하는 이물질 및 불필요한 막을 제거하기 위한 처리액이고, 린스액은 기판(W) 표면에 잔류하는 세정액을 제거하기 위한 처리액이다. 그리고, 건조가스는 기판(W) 표면을 건조하기 위한 가스이다. 예컨대, 제1 및 제2 약액은 불산(HF), 황산(H3SO4), 질산(HNO3), 인산(H3PO4), 그리고 SC-1(standard clean-1) 용액으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나이다. 그리고, 린스액으로는 초순수(DIW:Deionized Water)가 사용되 고, 건조가스로는 이소프로필 알코올 가스(IPA:Isopropyl alcohol gas)가 사용된다.
계속해서, 보조 회수부재(200)에 대해 상세히 설명한다. 보조 회수부재(200)는 공정시 주 회수부재(130)로 회수되지 않은 처리액을 회수한다. 보조 회수부재(200)는 제1 회수용기(first recovery vessel)(210) 및 제2 회수용기(second recovery vessel)(220)을 가진다.
제1 회수용기(210)는 스핀헤드(122)의 측면을 감싸도록 환형으로 설치된다. 제1 회수용기(210)의 일단에는 유입구(212)가 형성되고, 타단에는 유출구(214)가 형성된다. 유입구(212)는 스핀헤드(122)의 표면을 타고 흘러내리는 처리액이 유입되도록 제공된다. 특히, 스핀헤드(122)가 저속으로 회전되는 공정에서는 사용된 처리액이 주 회수부재(130)로 회수되지 못하고, 스핀헤드(122)의 표면을 타고 흘러내린다. 따라서, 유입구(212)는 이러한 스핀헤드(122)의 표면을 타고 흐르는 처리액이 유입되도록 스핀헤드(122)의 측면에 제공된다. 유출구(214)는 제1 회수용기(210)로 회수된 처리액을 제2 회수용기(214)로 배출시키는 개구이다.
제2 회수용기(220)는 제1 회수용기(210)로 회수된 처리액을 수용한다. 제2 회수용기(220)는 회전축(124)의 측면을 감싸도록 환형으로 제공된다. 제2 회수용기(220)에는 제1 회수통(132)의 제1 회수라인(132b)이 연결된다. 따라서, 제2 회수용기(220)로 회수된 처리액은 제1 회수통(132)으로 회수된 처리액과 함께 제1 회수라인(132b)에 의해 처리액 재생부로 회수된다.
상술한 일 실시예에서는 보조 회수부재(200)가 서로 분리된 제1 회수용기(210)와 제2 회수용기(220)를 구비하여 처리액을 회수하는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 보조 회수부재(200)가 처리액을 회수하는 방식은 다양하게 응용될 수 있다. 예컨대, 본 발명의 다른 실시예로서, 보조 회수부재(200a)는 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 회수용기(210) 및 제2 회수용기(220)가 일체형으로 구비될 수 있다.
또한, 상술한 일 실시예에서는 회수통들 중 유입구가 가장 아래에 배치되는 제1 회수통(132)과 보조 회수부재(200)가 제1 세정액을 회수하는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 회수통들 중 보조 회수부재(200)와 함께 동일한 처리액을 회수하는 회수통은 다양하게 설정될 수 있다. 그러나, 보조 회수부재(200)는 웨이퍼(W)의 저속 회전 공정시에 사용되는 처리액을 회수하도록 구비되는 것이 바람직하다.
이하, 도 3을 참조하여 상술한 기판 처리 장치(100)의 공정 과정을 상세히 설명한다. 도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이다. 그리고, 도 4a 내지 도 4f는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 설명하기 위한 도면들이다.
공정이 개시되면, 지지부재(120)에 웨이퍼(W)가 로딩된다(S110). 즉, 도 4a를 참조하면, 주 회수부재(130)는 로딩/언로딩위치(L1)에 위치되고, 로봇암(미도시됨)은 스핀헤드(122) 상에 웨이퍼(W)를 안착시킨다.
웨이퍼(W)가 로딩되면, 웨이퍼(W)의 1차 세정이 수행된다(S120). 즉, 도 4b 를 참조하면, 제2 구동기(144)는 주 회수부재(130)를 로딩/언로딩위치(L1)로부터 제1 세정위치(L2)로 이동시킨다. 주 회수부재(130)가 제1 세정위치(L2)에 위치되면, 제1 구동기(142)는 회전축(124)을 회전시켜, 스핀헤드(122) 상에 놓여진 웨이퍼(W)를 기설정된 회전속도로 회전시킨다. 웨이퍼(W)의 1차 세정시에는 분사되는 제1 세정액이 충분히 웨이퍼(W) 표면과 반응할 수 있도록, 웨이퍼(W)의 2차 세정 및 린스, 그리고 건조시의 웨이퍼(W)의 회전속도보다 낮은 회전속도를 갖도록 설정된다. 그리고, 노즐(152)은 이송부재(154)에 의해 제1 세정액을 분사하기 위한 위치로 이동된 후 회전되는 웨이퍼(W) 표면으로 제1 세정액을 분사한다.
분사된 제1 세정액은 웨이퍼(W) 표면에 잔류하는 이물질을 제거한 후 웨이퍼(W)로부터 비산된다. 이때, 웨이퍼(W)로부터 비산되는 처리액 중 일부는 주 회수부재(130)의 제1 회수통(132)으로 회수되고, 나머지는 스핀헤드(122)의 표면을 따라 흘러 보조 회수부재(200)의 제1 회수용기(210)에 회수된다. 즉, 웨이퍼(W)의 1차 세정시는 웨이퍼(W)의 회전속도가 저속이므로, 웨이퍼(W)로 분사된 제1 세정액 중 일부는 스핀헤드(122)의 표면을 따라 흘러 내린다. 따라서, 제1 회수용기(210)는 이러한 스핀헤드(122)의 표면을 따라 흐르는 제1 세정액을 회수한다. 제1 회수통(132) 및 제1 회수용기(210)로 회수된 제1 세정액은 제1 회수라인(132a)을 통해 처리액 재생부로 회수된다.
웨이퍼(W)의 1차 세정이 완료되면, 웨이퍼(W)의 2차 세정이 수행된다(S130). 즉, 도 4c를 참조하면, 제2 구동기(144)는 제1 세정위치(L2)로부터 제2 세정위치(L3)로 주 회수부재(130)를 이동시킨다. 주 회수부재(130)가 제2 세정위치(L3)에 위치되면, 제1 구동기(142)는 웨이퍼(W)의 회전속도를 상승시킨다. 이때, 웨이퍼(W)의 회전속도는 웨이퍼(W)로 분사된 제2 세정액인 제2 회수통(134)을 향해 전부 비산되도록 설정된다. 그리고, 노즐(152)은 회전되는 웨이퍼(W) 표면으로 제2 세정액을 분사한다. 분사된 제2 세정액은 웨이퍼(W) 표면에 잔류하는 이물질을 2차적으로 제거한 후 웨이퍼(W)로부터 비산되어 제2 회수통(134)으로 회수된다. 제2 회수통(134)으로 회수된 제2 세정액은 제2 회수라인(134b)을 통해 처리액 재생부로 회수된다.
웨이퍼(W)의 2차 세정이 완료되면, 웨이퍼(W)의 린스(rinse)가 수행된다(S140). 즉, 도 4d를 참조하면, 제2 구동기(144)는 제2 세정위치(L3)로부터 린스위치(L4)로 주 회수부재(130)를 이동시킨다. 주 회수부재(130)가 린스 위치(L4)에 위치되면, 노즐(152)은 회전되는 웨이퍼(W) 표면으로 린스액을 분사한다. 분사된 린스액은 웨이퍼(W) 표면에 잔류하는 제1 및 제2 세정액을 린스한 후 웨이퍼(W)로부터 비산되어 제3 회수통(136)으로 회수된다. 제3 회수통(136)으로 회수된 린스액은 제3 회수라인(136b)을 통해 처리액 재생부로 회수된다.
웨이퍼(W)의 린스가 완료되면, 웨이퍼(W)의 건조가 수행된다(S150). 즉, 도 4e를 참조하면, 노즐(152)은 웨이퍼(W) 표면으로 건조가스를 분사한다. 분사된 건조가스는 웨이퍼(W) 표면을 건조한다.
웨이퍼(W)의 건조가 완료되면, 웨이퍼(W)의 언로딩(uinloading)이 수행된다(S160). 즉, 도 4f를 참조하면, 이송부재(154)는 웨이퍼(W)의 언로딩을 위한 반출경로를 방해하지 않는 위치로 노즐(152)을 이송시키고, 제2 구동기(144)는 린스 위치(L4)로부터 로딩/언로딩위치(L1)로 주 회수부재(130)를 이동시킨다. 그리고, 로봇암(미도시됨)은 스핀헤드(122) 상에 놓여진 웨이퍼(W)를 언로딩한 후 후속 공정이 수행되는 설비로 반출한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 기판으로부터 비산되는 처리액을 회수하는 주 회수부재(130) 및 저속회전 공정시에 주 회수부재(130)로 비산되지 못하고 스핀헤드(122)의 표면을 따라 흐르는 처리액을 회수하는 보조 회수부재(200)를 가진다. 따라서, 본 발명은 사용된 처리액의 회수 효율을 향상시켜 처리액의 재사용율을 증가시킨다.
또한, 본 발명은 주 회수부재(130)로 회수되지 못하고 스핀헤드(122)의 표면을 따라 흐르는 처리액이 회수하고자 하는 회수통(본 실시예에서는 제1 회수통(132)) 이외의 회수통으로 유입되는 것을 방지한다. 즉, 각각의 회수통들(132, 134, 136)에는 배기압력이 가해지므로, 스핀헤드(122)의 표면을 따라 흐르는 처리액은 회수하고자 하는 회수통 이외의 다른 회수통으로도 유입되게 된다. 그러므로, 보조 회수부재(200)는 이러한 현상을 방지하도록 스핀헤드(122)의 표면을 따라 흐르는 처리액이 각각의 회수통들에 가해지는 배기압력에 의해 영향을 받지 않도록 처리액을 회수함으로써, 각각의 처리액들을 효율적으로 분리회수한다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이다.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 설명하기 위한 도면들이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 기판 처리 장치 200 : 보조 회수부재
110 : 하우징 210 : 제1 회수용기
120 : 지지부재 220 : 제2 회수용기
130 : 주 회수부재
140 : 구동부재
150 : 분사부재

Claims (13)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 지지부재에 안착되어 회전되는 기판의 처리면으로 처리액을 분사하고, 분사된 처리액은 회전되는 기판의 회전력에 의해 기판의 측부를 감싸도록 환형으로 제공되는 회수통들로 비산시켜 기판을 처리하되,
    공정시 상기 지지부재의 표면을 따라 흐르는 처리액은,
    상기 회수통과 상기 지지부재 사이에서, 상기 지지부재의 측면을 감싸도록 환형으로 설치되는 회수용기에 의해 회수되고,
    상기 회수용기에 의한 처리액의 회수는,
    공정상 요구되는 기판의 회전속도가 상기 기판으로부터 비산되는 처리액이 전부 상기 회수통으로 유입되지 않을 정도로 낮은 경우에 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 지지부재의 표면을 따라 흐르는 처리액은,
    상기 회수용기에 의해 상기 회수통들에 가해지는 배기압력에 의해 영향을 받지 않는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 회수용기로 회수된 처리액은,
    상기 회수통들 중 기판의 회전속도가 가장 낮은 회전속도로 공정을 진행할 때 사용되는 처리액을 회수하는 회수통으로 회수되는 처리액과 동일한 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  9. 삭제
  10. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    기판을 지지 및 회전시키는 스핀헤드;
    공정시 상기 스핀헤드에 놓여진 기판으로 처리액을 분사하는 분사부재;
    공정시 상기 기판으로부터 비산되는 처리액을 회수하는 주 회수부재;
    공정시 상기 스핀헤드의 표면을 따라 흐르는 처리액을 회수하는 보조 회수부재; 및
    상기 스핀헤드의 하면과 결합하며, 상기 스핀헤드를 승강 및 회전시키는 회전축을 포함하되,
    상기 스핀헤드는 상면이 상기 하면보다 더 큰 지름을 갖는 원판형상으로, 상기 상면으로부터 상기 하면으로 갈수록 측면이 중심방향으로 경사지고,
    상기 보조 회수부재는 상기 스핀헤드의 측면을 따라 일정간격 이격되어 경사지며, 상기 스핀헤드의 하면과 일정간격 이격하여 상기 회전축의 측면을 따라 결합하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 주 회수부재는,
    공정시 상기 기판으로부터 비산되는 처리액이 유입되는 유입구가 상하로 적층되도록 설치되는 복수의 회수통들, 및
    각각의 상기 회수통들과 연결되며, 상기 주 회수부재에 회수된 처리액을 회수하는 복수개의 회수라인들을 포함하되,
    상기 보조 회수부재에 회수된 처리액은 상기 회수라인들 중 어느 하나의 회수라인으로 회수되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 회수용기는 상기 지지부재와 함께 승강하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  13. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 회수용기에 회수된 처리액은
    상기 회수통에 회수된 처리액을 회수하는 회수라인들 중 어느 하나의 회수라인으로 회수되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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