JP2021028954A - 基板処理装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ノズルユニットから吐出される処理液に対して十分な耐食性をもち、かつ吐出される処理液の帯電を確実に防止する。【解決手段】基板処理装置はノズルユニットを有する。ノズルユニットは配管と、配管の先端に設けられたノズルチップとを備え、配管は第１層と、第２層と、第３層とを有する。ノズルチップは導電性をもつ耐食性樹脂からなる。第３層は第１層および第２層を外方から覆うとともに、ノズルチップの一部を外方から覆う。【選択図】図３Ａ

Description

本開示は、基板処理装置およびその製造方法に関する。

半導体デバイスの製造工程では、基板上に形成されたレジストをマスクとして、エッチングやイオン注入等の処理が行われる。その後、不要となったレジストは基板上から除去される。

レジストの除去方法としては、硫酸と過酸化水素水との混合液であるＳＰＭ（Sulfuric acid Hydrogen Peroxide Mixture）等の処理液を基板に供給することによってレジストを除去するＳＰＭ処理が知られている。ＳＰＭは、レジストの除去能力を高めるために高温に加熱された状態でノズルユニットから基板に供給される（たとえば、特許文献１参照）。

特開２０１３−２０７０８０号公報

ところで、従来より処理液を用いた基板処理中に処理液が帯電し、帯電した処理液が基板上に供給される際、処理液と基板との電位差により放電が生成することがある。このように処理液と基板との間に放電が発生すると、基板上の膜や回路パターンが破壊されてしまうことが考えられる。

本開示はこのような点を考慮してなされたものであり、ノズルユニットから吐出される処理液に対して十分な耐食性をもち、かつ吐出される処理液の帯電を確実に防止することができる基板処理装置およびその製造方法を提供する。

本開示は、被処理基板を保持する基板保持機構と、前記基板保持機構に保持された前記被処理基板に対して処理液を吐出するノズルユニットとを有する基板処理装置において、前記ノズルユニットは前記処理液を供給する配管と、前記配管の先端に設けられ前記被処理基板に向けて処理液を吐出するノズルチップとを備え、前記配管は内側から順に配置された耐食性樹脂からなる第１層と、剛性材料からなる第２層と、耐食性樹脂からなる第３層とを有し、前記ノズルチップは導電性をもつ耐食性樹脂からなり、前記第３層は前記第１層および前記第２層を外方から覆うとともに、前記ノズルチップの一部を外方から覆う、基板処理装置である。

本開示によれば、吐出される処理液に対してノズルユニットが十分な耐食性をもち、かつノズルユニットから吐出される処理液の帯電を確実に防止することができる。

図１は実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図。 図２は処理ユニット（基板処理装置）の構成を示す平面模式図。 図３Ａは本開示の実施の形態によるノズルユニットを示す側断面図であって、図２のＡ−Ａ’線に沿った図。 図３Ｂは除電作用を示す拡大図。 図３Ｃは除電作用を示す拡大図。 図３Ｄは導線を示す断面図。 図４はノズルユニットの先端部分を示す拡大図。 図５Ａは第１層の一例を示す断面図。 図５Ｂはノズルチップの一例を示す断面図。 図６は本開示の変形例を示すノズルユニットの側断面図。

＜本開示の実施の形態＞
以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。

また、以下では、処理液が、硫酸と過酸化水素水との混合液であるＳＰＭ（Sulfuric Acid Hydrogen Peroxide Mixture）である場合を例に挙げて説明を行う。

図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。

図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。

搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の被処理基板、例えば半導体ウェハ（以下ウェハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。

搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。

処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット（本開示による基板処理装置）１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。

搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。

処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。

また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータを含み、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。

なお、このプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。

処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。

次に、処理ユニット（本開示による基板処理装置）１６の概略構成について図２を参照して説明する。図２は、処理ユニット１６の構成を示す平面模式図である。

図２に示すように、処理ユニット（基板処理装置）１６は、チャンバ２１と、チャンバ２１内に配置されウェハＷを回転自在に保持する基板保持機構２２と、回収カップ２３と、ウェハＷに対して処理液を吐出するノズルユニット３０とを備える。

このうち基板保持機構２２は、ウェハＷを水平に保持するとともに、保持したウェハＷを鉛直軸まわりに回転させる。また回収カップ２３は、基板保持機構２２を取り囲むように配置され、回転に伴う遠心力によってウェハＷの外方へ飛散する処理液を受け止めて回収する。

ノズルユニット３０は、チャンバ２１内に配置され、ウェハＷの上方からウェハＷへ向けて処理液を供給する。このようなノズルユニット３０は、処理液を供給する配管３０Ａと、配管３０Ａの先端に設けられウェハＷに向けて処理液を吐出するノズルチップ４０と、ノズルユニット３０の配管３０Ａを保持するノズル支持部２５とを備え、ノズル支持部２５は昇降可能および旋回可能に構成されている。

次にノズルユニット３０の構造を図２および図３Ａ乃至図３Ｃにより詳述する。

図２および図３Ａ乃至図３Ｃに示すように、ノズルユニット３０は処理液を供給する配管３０Ａと、配管３０Ａの先端に設けられたノズルチップ４０と、配管３０Ａを昇降可能および旋回可能に支持するノズル支持部２５とを備え、ノズルユニット３０はＳＰＭをウェハＷに向けて吐出するようになっている。

ここでＳＰＭは、たとえばレジストの除去に用いられる場合、１６０℃前後の高温でノズルチップ４０からウェハＷに向けて吐出される。

ノズルユニット３０について更に述べる。ノズルユニット３０の配管３０Ａは側面からみて略Ｌ字状に形成され、内側から順に配置された耐食性樹脂からなる第１層３１と、剛性材料からなる第２層３２と、耐食性樹脂からなる第３層３３とを有する。またノズルユニット３０のノズルチップ４０は配管３０Ａとは別体に構成され、配管３０Ａの先端に嵌め込まれた導電性をもつ耐食性樹脂からなる。

具体的には配管３０Ａの第１層３１として、ＳＰＭに対する耐薬品性および耐熱性をもつ熱可塑性材料、例えば導電性をもつＰＦＡ（テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル）チューブを用いることができる。

また第２層３２として、配管３０Ａの剛性を保つための骨組みとして機能するとともに導電性をもつＳＵＳ（ステンレススチール）チューブを用いることができる。

さらに第３層３３として、ＳＰＭに対する耐薬品性および耐熱性をもつ熱可塑性材料、例えばＰＦＡチューブを用いることができる。

さらに、ノズルチップ４０は導電性をもつＰＦＡ材料のものを用いることができる。

図３Ａ乃至図３Ｃに示すように、ノズルユニット３０は、更に配管３０Ａの基端側に設けられた導電性を有する導電体５０を有し、配管３０Ａの基端に導電性を有する、例えば、導電性をもつＰＦＡ材料製の継手５１が取り付けられている。そして配管３０Ａは、その基端に取り付けられた導電性をもつ継手５１を介してノズル支持部２５に挿着される。この場合、ノズル支持部２５は導電性を有し、配管３０Ａは継手５１を介して導電性を有するノズル支持部２５に取り外し自在に挿着される。このため新たな配管３０Ａおよびノズルチップ４０をノズル支持部２５に挿着することにより容易に配管３０Ａおよびノズルチップ４０を交換することができる。

また配管３０Ａの基端側に設けられた導電体５０は、配管３０Ａを外方から密封して覆うものである。また、導電体５０により覆われた配管３０Ａのうち第２層３２の一部が取り除かれ、導電体５０のうち第２層３２が取り除かれた部分に導電体５０を配管３０Ａに取り付ける取付部材５０ａが設けられている。

そして配管３０Ａのうち導電体５０により覆われた部分において、配管３０Ａの導電性をもつ第１層３１の外面が導電体５０に導通する。

この場合、図３Ａおよび図３Ｃに示すように、配管３０Ａのうち第１層３１は導電体５０を貫通して、更に基端側（図３Ａの右側）に向かって延び、配管３０Ａの基端を構成するとともに、第１層３１の基端に導電性を有する継手５１が取り付けられている。

また第２層３２は導電体５０内を配管３０Ａの基端側（図３Ａの右側）に向かって延びているが、導電体５０内において取付部材５０ａを右方向に過ぎて、図３Ｃの右方向へ向かったところで終了する。

さらに第３層３３は導電体５０内を配管３０Ａの基端側（図３Ａの右側）に向かって延びているが、導電体５０内において取付部材５０ａの手前（図３Ｃの左側）で終了する。

次に配管３０Ａの第１層３１〜第３層３３およびノズルチップ４０の材料および構造について更に述べる。配管３０Ａの第１層３１は上述のように導電性をもつＰＦＡチューブからなり、例えば図５Ａに示すようなＮＥ（Non Explosion）タイプのＰＦＡチューブを用いることができる。このＮＥタイプのＰＦＡチューブからなる第１層３１は、ＰＦＡ製のチューブ本体３１ａと、このＰＦＡ製のチューブ本体３１ａの外面に設けられ、チューブ本体３１ａの長手方向に延びる４本のカーボン製導電部３１ｂとを有し、４本の導電部３１ｂはチューブ本体３１ａの外面に円周方向に沿って９０°ずつ離間して設けられている。従って第１層３１はその外面において長手方向に沿って導電性をもつことになる。

また、第２層３２は上述のようにＳＵＳチューブからなり、第２層３２は全体として導電性をもつ。

第３層３３は、上述のようにＰＦＡチューブからなり、ＳＰＭに対する耐薬品性および耐熱性をもつが、導電性は有していない。しかしながら、これに限らず、第３層３３はＰＦＡチューブから構成されるとともに、ＳＰＭに対する耐薬品性および耐熱性をもち、これに加えて、導電性を有していてもよい。この場合は、第１層３１および第２層３２に加えて、第３層３３によっても処理液中の電荷を外部へ放出することができる。

さらにノズルチップ４０は、配管３０Ａの先端側に嵌め込まれており、基本的に配管３０Ａと別体に設けられている。

ノズルチップ４０の先端４１はウェハＷ側を向いている。また少なくともノズルチップ４０の内面は後述のように、先端４１から配管３０Ａ側に向かって導電性をもち、ノズルチップ４０の先端４１からウェハＷに向かって吐出される処理液の除電を行って、ウェハＷに向かって吐出される処理液の帯電を確実に防止することができる。

このようなノズルチップ４０は導電性をもつＰＦＡ材料からなり、例えば図５Ｂに示すようにＡＳ（Anti-Static）タイプのＰＦＡ材料を用いることができる。具体的には、図５Ｂに示すようにノズルチップ４０はＰＦＡ製の円筒状本体４０ａと、本体４０ａの外面４２に設けられ、ＰＦＡ製の本体４０ａの長手方向に延びる４本のカーボン製導電部４０ｂと、本体４０ａの内面４３に設けられ、本体４０ａの長手方向に延びる４本のカーボン製導電部４０ｃとを有する。

この場合、４本の導電部４０ｂは本体４０ａの外面４２に円周方向に沿って９０°ずつ離間して設けられ、４本の導電部４０ｃは本体４０ａの内面４３に円周方向に沿って９０°ずつ離間して設けられている。そしてノズルチップ４０の各導電部４０ｂは各々対応する導電部４０ｃに対して円周方向の同一位置に設置され、各導電部４０ｂは対応する導電部４０ｃと、本体４０ａを貫通して設けられた通電部４０ｄを介して接続されている。

このため、ノズルチップ４０は、耐薬品性および耐熱性を有するとともに、その内面および外面において、その長手方向に沿って導通性をもつ。

また、図３Ｂに示すように、ノズルチップ４０は配管３０Ａの先端に嵌め込まれるが、この場合、配管３０Ａの第１層３１の先端はノズルチップ４０の基端に突き合わせられる。そして第１層３１の先端とノズルチップ４０の基端は溶接により接合されて接合部３６を形成する。そして外面に導電性をもつ第１層３１と、外面に導電性をもつノズルチップ４０が接合部３６を介して導通することが可能となる。

さらに配管３０Ａの第２層３２の先端はノズルチップ４０の中間近傍まで延び、第２層３２とノズルチップ４０との接合部３７を形成する。そして第２層３２と、外面に導電性をもつノズルチップ４０は互いに導通することが可能となる。

また配管３０Ａの第３層３３の先端は、第２層３２より更にノズルチップ４０の先端側まで延び、第３層３３の先端とノズルチップ４０とが溶接により接合されて接合部３８を形成する。

図３Ｂにおいて、内面に導電性を有するノズルチップ４０はその内面を通過する処理液を除電することができる。同時に外面に導電性を有するノズルチップ４０は、その外面において第１層３１の外面と接合部３６を介して導通可能となる。またノズルチップ４０はその外面において、第２層３２と導通可能となる。

さらにまた、ノズルチップ４０の外面に、ノズルチップ４０と導通して処理液の除電を行う導線４８が設けられている。この導線４８は、ノズルチップ４０と導通して、ノズルチップ４０内を通る処理液の除電を行うものであり、図３Ｄに示すように、金属線（銅線）４８ａと、この金属線を処理液から保護する耐薬品性の保護層４８ｂとを有する。

この導線４８はノズルチップ４０に直接接続され、配管３０Ａに沿って延びるとともに所望の接地位置６０において接地される。

なお図３Ａに示すように、上述のようにノズルユニット３０の配管３０Ａの基端側には導電体５０が設けられているが、この導電体５０は例えば練り込まれたカーボンを含み、全体として導電性をもつＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）からなる。この場合、配管３０Ａの第２層３２および第３層３３はいずれも基端側まで延びて、導電体５０内において終了するため、第１層３１は導電体５０内において外方へ露出し、導電性を有する第１層３１の外面は導電体５０と導通する。

また第３層３３が導電体５０内において取付部材５０ａの左側まで延びて終了するため、第２層３２は導電体５０内に露出して、導電体５０と導通している。そしてこの第２層３２は、導電体５０内において取付部材５０ａの右側まで延びて終了する。

さらに配管３０Ａの第１層３１は、導電体５０を貫通して配管３０Ａの基端側（図３Ａの右側）へ向かって延び、第１層３１に継手５１が取り付けられている。この継手５１は、例えば導電性を有するＰＦＡ材料からなる。具体的には継手５１は内面と外面に導電性を有する、例えば図５Ｂに示すようなＡＳタイプのＰＦＡチューブ、あるいは練り込まれたカーボンを含み全体として導電性をもつＰＴＦＥチューブを用いることができる。他方、ノズル支持部２５内には、導電性を有する第１層３１と同様の構造をもつ連通チューブ５２が設けられている。この連通チューブ５２は、外面に導電性を有するＮＥタイプのＰＦＡチューブからなり、内面と外面に導電性を有する継手５１により、第１層３１と連通チューブ５２を外方からクランプすることによって、第１層３１の内部と連通チューブ５２の内部とを連通することができる。この場合、第１層３１と連通チューブ５２は継手５１を介して電気的にも導通する。このような構成からなる、ノズル支持部２５内の連通チューブ５２は、図示しない導通ラインを介して接地されている。

また図３Ｂに示すように、配管３０Ａの先端側において、第３層３３は第１層３１および第２層３２を完全に外から覆うとともに、ノズルチップ４０の一部も外方から覆っている。第３層３３は高い耐薬品性および耐熱性を有するため、この高い耐薬品性および耐熱性を有する第３層３３により、第１層３１、第２層３２およびノズルチップ４０を例えば高温のＳＰＭを含む処理液から効果的に保護することができる。

次にこのような構成からなる本実施の形態の作用について説明する。

まず図２に示すように処理ユニット（本開示による基板処理装置）１６内においてウェハＷが基板保持機構２２により保持される。次に基板保持機構２２により保持されたウェハＷは、この基板保持機構２２により回転し、ウェハＷの回転中にノズルユニット３０のノズルチップ４０からウェハＷに対して例えばＳＰＭからなる処理液が吐出される。

この間、ウェハＷの回転に伴う遠心力によってウェハＷの外方へ飛散する処理液は、回収カップ２３により受け止められて回収される。

ノズルユニット３０のノズルチップ４０からウェハＷに対して処理液が吐出される際、この処理液が帯電して電荷をもつことも考えられる。

本実施の形態によれば、ノズルチップ４０の内面が導電性を有するため、ノズルチップ４０を通る処理液中の電荷はノズルチップ４０の内面へ放電される。

次にノズルチップ４０の内面に放電された電荷は以下の３つの通電ルート（１）〜（３）を通って外方へ放電されて適切に除電される。

（１）ノズルチップ４０の導電性を有する内面に放電された電荷は、ノズルチップ４０の導電性を有する外面へ流れ、その後ノズルチップ４０の外面から第２層３２を通って導電体５０へ流れる。次に導電体５０へ流れた電荷は第１層３１の外面に達し、その後継手５１を経てノズル支持部２５から外方へ流れて接地され、このようにして処理液中の電荷が適切に除電される。

（２）ノズルチップ４０の導電性を有する内面に放電された電荷は、ノズルチップ４０の導電性を有する外面へ流れる。その後電荷はノズルチップ４０の外面から第１層３１の導電性を有する外面を通って継手５１に達し、その後ノズル支持部２５から外方へ流れて接地され、処理液中の電荷が適切に除電される。

（３）ノズルチップの導電性を有する内面へ放電された電荷は、ノズルチップ４０の導電性を有する外面へ流れる。その後、電荷はノズルチップ４０の外面から導線４８を通って所望の接地位置６０に接地される。このようにして処理液中の電荷が適切に除電される。

以上のように本実施の形態によれば、ノズルチップ４０を通る処理液中の電荷をノズルチップ４０の内面に放電させた後、外方へ接地することができ、処理液中の電荷を適切に除電することができる。

また配管３０Ａの先端側において、高い耐薬品性および耐熱性を有する第３層３３により、第１層３１および第２層３２を完全に覆うことができ、かつノズルチップ４０の一部を覆うことができる。このことにより第１層３１、第２層３２およびノズルチップ４０を高温のＳＰＭを含む処理液から効果的かつ確実に保護することができる。

さらにまた、配管３０Ａの先端に、導電性のノズルチップ４０を嵌め込むことにより、配管３０Ａと、配管３０Ａの先端に設けられた導電性のノズルチップ４０とを有するノズルユニット３０を容易且つ簡単に製造することができ、このようにして基板処理装置が得られる。

またノズルチップ４０は第１層３１に溶接により接合され、かつ第３層３３に溶接により接合される。このため配管３０Ａの第１層３１および第３層３３にノズルチップ４０を接合することができ、このことにより配管３０Ａの先端にノズルチップ４０を堅固に固定することができる。

またノズルチップ４０を通る処理液中の電荷をノズルチップ４０の内面に放電させた後、上述した３つの通電ルート（１）〜（３）を通して外方へ放電させることができる。このためノズルチップ４０の内面にある電荷を例えば１箇所のルートのみから外方へ放電させる場合に比べて、処理液中の電荷を迅速かつ確実に除電することができる。

＜本開示の変形例＞
次に本開示の変形例について、図６により説明する。上記実施の形態において、ノズルユニット３０の配管３０Ａの先端に、配管３０Ａと別体に設けられたノズルチップ４０を嵌め込む例を示したが、これに限らず、配管３０Ａの第１層３１を更に先端側まで延長させて延長部分４６を形成し、この延長部分４６の周囲に延長部分４６を外方から覆う覆い部分４７を設け、延長部分４６と覆い部分４７とによりノズルチップ４０を構成してもよい。

具体的には配管３０Ａの第１層３１として、ＳＰＭに対する耐薬品性および耐熱性をもつ熱可塑性材料、例えば導電性をもつＰＦＡ（テトラフルオロエチレン・バーフルオロアルキルビニルエーテル）チューブを用いることができる。この場合、配管３０Ａの第１層３１としては、内面および外面に導電性を有するＡＳタイプのＰＦＡチューブを用いることができる（図５Ｂ参照）。さらにまた、第１層３１として、ＣＮＴ（Ｃａｒｂｏｎ Ｎａｎｏ Ｔｕｂｅ）を含むＰＦＡチューブを用い、全体として導電性をもたせてもよい。

また第２層３２として、配管３０Ａの剛性を保つための骨組みとして機能するとともに導電性をもつＳＵＳ（ステンレススチール）チューブを用いることができる。

さらに第３層３３として、ＳＰＭに対する耐薬品性および耐熱性をもつ熱可塑性材料、例えばＰＦＡチューブを用いることができる。

このように配管３０Ａの第１層３１は、内面および外面に導電性を有し、配管３０Ａの基端側に向かって延びて延長部分４６を構成する。また延長部分４６を覆う覆い部分４７もＰＦＡ材からなり、覆い部分４７は練り込まれたカーボンを含み、内面および外面に導電性を有する延長部分４６と覆い部分４７とによりノズルチップ４０が構成される。

図６において、ノズルチップ４０を通る処理液中の電荷は導電性をもつ延長部分４６の内面から外面へ通電され、その後延長部分４６の外面に達した電荷は練り込まれたカーボンを含む覆い部分４７の外面に至る。

ところで、図１乃至図５Ｂに示す実施の形態において、ノズルチップ４０をＡＳタイプのＰＦＡ材料から構成し、内面と外面に導通性を有するノズルチップ４０の例を示したが、これに限らず、ノズルチップ４０を練り込まれたカーボンを含むＰＦＡ材料から構成し、内面および外面を含むノズルチップ４０全体に導通性をもたせてもよい。

さらにまた、図１乃至図５Ｂに示す実施の形態および図６に示す変形例において、第２層３２としてＳＵＳチューブを用いた例を示したが、これに限らず、第２層３２として導電性を有する硬質樹脂を用いてもよい。さらに第２層３２としてセラミック材を用いてもよい。

上記実施の形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り、適宜組み合わされることができる。

１６ 処理ユニット（基板処理装置）
２１ チャンバ
２２ 基板保持機構
３０ ノズルユニット
３０Ａ 配管
３１ 第１層
３２ 第２層
３３ 第３層
４０ ノズルチップ
４１ 先端
４２ 外面
４３ 内面
４８ 導線
５０ 導電体
５０ａ 取付部材
５１ 継手
６０ 接地位置

Claims (11)

1. 被処理基板を保持する基板保持機構と、前記基板保持機構に保持された前記被処理基板に対して処理液を吐出するノズルユニットとを有する基板処理装置において、
   前記ノズルユニットは前記処理液を供給する配管と、前記配管の先端に設けられ前記被処理基板に向けて前記処理液を吐出するノズルチップとを備え、
   前記配管は内側から順に配置された耐食性樹脂からなる第１層と、剛性材料からなる第２層と、耐食性樹脂からなる第３層とを有し、
   前記ノズルチップは導電性をもつ耐食性樹脂からなり、
   前記第３層は前記第１層および前記第２層を外方から覆うとともに、前記ノズルチップの一部を外方から覆う、基板処理装置。
2. 前記ノズルチップは前記配管内に嵌め込まれている、請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記第１層が導電性を有し、前記第１層と前記ノズルチップが接合されているか、または前記第２層が導電性を有し、前記第２層と前記ノズルチップが接合されている、請求項１記載の基板処理装置。
4. 前記ノズルチップに導線が接続されている、請求項１乃至３のいずれか記載の基板処理装置。
5. 前記第１層および前記第３層に、前記ノズルチップが溶着されている、請求項２乃至４のいずれか記載の基板処理装置。
6. 前記第１層は導電性をもつＰＦＡチューブからなる、請求項１乃至５のいずれか記載の基板処理装置。
7. 前記第２層はＳＵＳチューブからなる、請求項１乃至６のいずれか記載の基板処理装置。
8. 前記第３層はＰＦＡチューブからなる、請求項１乃至７のいずれか記載の基板処理装置。
9. 前記ノズルチップは導電性をもつＰＦＡ製材料からなる、請求項１乃至８のいずれか記載の基板処理装置。
10. 前記ノズルチップは前記配管の前記第１層の延長部分と、この延長部分を外方から覆う覆い部分とを有する、請求項１、２，４、６乃至９のいずれか記載の基板処理装置。
11. 被処理基板を保持する基板保持機構と、前記基板保持機構に保持された前記被処理基板に対して処理液を吐出するノズルユニットとを有する基板処理装置の製造方法において、
    内側から順に配置された耐食性樹脂からなる第１層と、剛性材料からなる第２層と、耐食性樹脂からなる第３層とを有し、前記処理液を供給する配管を準備する工程と、
    導電性をもつ耐食性樹脂からなり、前記被処理基板に向けて前記処理液を吐出するノズルチップを準備する工程と、
    前記配管の先端に前記ノズルチップを嵌め込む工程と、を備え、
    前記第３層は前記第１層および前記第２層を外方から覆うとともに、前記ノズルチップの一部を外方から覆う、基板処理装置の製造方法。