KR20170027295A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

처리에 필요한 토출 형태에 따라 토출 불량 없이 처리 유체를 토출하는 것이다. 실시 형태에 따른 기판 처리 장치는, 노즐과 배관을 구비한다. 노즐은 기판을 향해 처리 유체를 토출한다. 배관은 노즐에 처리 유체를 공급한다. 또한, 배관은 내측으로부터 차례로 제 1 층, 제 2 층 및 제 3 층을 이루는 3 층 구조를 가지고, 노즐과 제 1 층의 선단 및 제 3 층의 선단이 접합되고, 제 1 층의 선단이 제 2 층의 선단보다 처리 유체의 토출 방향에 대하여 돌출되지 않은 위치에 있다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
개시된 실시 형태는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 공정에서는, 기판 상에 형성된 레지스트를 마스크로서, 에칭 또는 이온 주입 등의 처리가 행해진다. 이 후, 불필요해진 레지스트는 기판 상으로부터 제거된다.
레지스트의 제거 방법으로서는, 황산과 과산화 수소수의 혼합액인 SPM(Sulfuric acid Hydrogen Peroxide Mixture)을 기판에 공급함으로써 레지스트를 제거하는 SPM 처리가 알려져 있다. SPM은 레지스트의 제거 능력을 높이기 위하여 고온으로 가열된 상태로 노즐로부터 기판에 토출된다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).
일본특허공개공보 2013-207080호
그러나, 상술한 종래 기술에는, 토출 불량 없이 처리액을 토출한다고 하는 점에서 가일층의 개선의 여지가 있다.
구체적으로, 종래 기술과 같이 고온의 처리액을 이용하는 경우, 처리액의 열에 의한 영향을 받아 노즐에 예를 들면 열 변형이 발생하여, 토출 위치 또는 토출 상태가 변화하는 등의 토출 불량이 발생할 우려가 있었다. 또한, 고온의 처리액을 이용한 처리에도 다양한 처리액의 토출 형태가 있으며, 이에 대응 가능한 처리액의 토출 구조가 요구되고 있었다.
또한 이러한 과제는, 기체를 포함하는 처리 유체 전반에 공통되는 과제이다. 또한, 고온의 처리액을 이용하는 경우에 한정되지 않고, 처리에 필요한 토출 형태에 따라 발생할 수 있는 과제이다.
실시 형태의 일태양은, 처리에 필요한 토출 형태에 따라 토출 불량 없이 처리 유체를 토출할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
실시 형태의 일태양에 따른 기판 처리 장치는 노즐과 배관을 구비한다. 노즐은 기판을 향해 처리 유체를 토출한다. 배관은 노즐에 처리 유체를 공급한다. 또한, 배관은 내측으로부터 차례로 제 1 층, 제 2 층 및 제 3 층을 이루는 3 층 구조를 가지고, 노즐과 제 1 층의 선단 및 제 3 층의 선단이 접합되고, 제 1 층의 선단이 제 2 층의 선단보다 처리 유체의 토출 방향에 대하여 돌출되지 않은 위치에 있다.
실시 형태의 일태양에 따르면, 처리에 필요한 토출 형태에 따라, 토출 불량 없이 처리 유체를 토출할 수 있다.
도 1은 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 도이다.
도 2는 처리 유닛의 구성을 나타내는 평면 모식도이다.
도 3a는 노즐 유닛의 구성을 나타내는 대략 단면도이다.
도 3b는 도 3a에 나타내는 P1부의 확대 모식도이다.
도 3c는 도 3a에 나타내는 P2부의 확대 모식도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 기판 처리 장치의 실시 형태를 상세하게 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시 형태에 의해 이 발명이 한정되는 것은 아니다.
또한 이하에서는, 처리 유체가 황산과 과산화 수소수의 혼합액인 SPM인 경우를 예로 들어 설명을 행한다.
도 1은 본 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 도면이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위하여, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은 반입반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 마련된다.
반입반출 스테이션(2)은 캐리어 배치부(11)와 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 배치부(11)에는 복수 매의 기판, 본 실시 형태에서는 반도체 웨이퍼(이하 웨이퍼(W))를 수평 상태로 수용하는 복수의 캐리어(C)가 배치된다.
반송부(12)는 캐리어 배치부(11)에 인접하여 마련되고, 내부에 기판 반송 장치(13)와 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 캐리어(C)와 전달부(14) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 스테이션(3)은 반송부(12)에 인접하여 마련된다. 처리 스테이션(3)은 반송부(15)와 복수의 처리 유닛(16)을 구비한다. 복수의 처리 유닛(16)은 반송부(15)의 양측에 배열되어 마련된다.
반송부(15)는 내부에 기판 반송 장치(17)를 구비한다. 기판 반송 장치(17)는 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(17)는 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 전달부(14)와 처리 유닛(16) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 유닛(16)은, 기판 반송 장치(17)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)에 대하여 정해진 기판 처리를 행한다.
또한, 기판 처리 시스템(1)은 제어 장치(4)를 구비한다. 제어 장치(4)는 예를 들면 컴퓨터이며, 제어부(18)와 기억부(19)를 구비한다. 기억부(19)에는 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(18)는 기억부(19)에 기억된 프로그램을 읽어내어 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.
또한, 이러한 프로그램은 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(19)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예를 들면 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
상기한 바와 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서는, 우선 반입반출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 배치부(11)에 배치된 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 취출된 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 배치한다. 전달부(14)에 배치된 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(17)에 의해 전달부(14)로부터 취출되어, 처리 유닛(16)에 반입된다.
처리 유닛(16)에 반입된 웨이퍼(W)는 처리 유닛(16)에 의해 처리된 후, 기판 반송 장치(17)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출되어, 전달부(14)에 배치된다. 그리고, 전달부(14)에 배치된 처리가 끝난 웨이퍼(W)는 기판 반송 장치(13)에 의해 캐리어 배치부(11)의 캐리어(C)에 복귀된다.
이어서, 처리 유닛(16)의 개략 구성에 대하여 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는 처리 유닛(16)의 구성을 나타내는 평면 모식도이다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛(16)은 챔버(21) 내에 기판 유지 기구(22)와 회수 컵(23)과 노즐 유닛(24)을 구비한다.
기판 유지 기구(22)는 웨이퍼(W)를 수평으로 유지하고, 또한 유지한 웨이퍼(W)를 연직축 둘레로 회전시킨다. 회수 컵(23)은 기판 유지 기구(22)를 둘러싸도록 배치되고, 회전에 수반하는 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 외방으로 비산하는 처리액을 받아 회수한다.
노즐 유닛(24)은 웨이퍼(W)의 상방으로부터 웨이퍼(W)를 향해 처리액을 공급한다. 이러한 노즐 유닛(24)은 노즐(241)과, 선단부에서 노즐(241)을 지지하는 노즐 암(242)과, 노즐 암(242)을 승강 가능 및 선회 가능하게 지지하는 암 지지부(243)를 구비한다.
이러한 노즐 유닛(24)의 구성에 대하여, 도 3a를 참조하여 보다 구체적으로 설명한다. 도 3a는 노즐 유닛(24)의 구성을 나타내는 대략 단면도이다. 또한, 도 3a는 도 2에 나타낸 A-A'선 대략 단면도로 되어 있다.
도 3a에 나타내는 바와 같이, 노즐(241)은 노즐 팁(241a)과 두름 부재(241b)를 구비한다. 노즐 팁(241a)은 토출구(241a1)를 가지며, 암 지지부(243) 및 노즐 암(242) 각각의 내부를 거쳐 공급되는 SPM을 웨이퍼(W)를 향해 토출구(241a1)로부터 토출한다.
또한 SPM은 예를 들면 레지스트의 제거에 이용되는 경우, 160℃ 전후의 고온으로 노즐 팁(241a)으로부터 토출된다. 노즐 팁(241a)의 소재로서는, SPM에 대한 내약액성 또는 내열성 등의 관점으로부터 열가소성 수지, 예를 들면 PFA 등을 적합하게 이용할 수 있다.
두름 부재(241b)는 상단부 및 하단부가 개구된 중공 뿔체 형상, 예를 들면 도 3a에 나타내는 바와 같이 우산 형상으로 형성되고, 이러한 우산의 내측에 노즐 팁(241a)의 선단부를 둘러싸도록, 노즐 팁(241a)에 장착된다. 두름 부재(241b)는 노즐 팁(241a)으로부터 토출되는 SPM의 비산 등을 방지하는 역할을 한다.
여기서, 도 3a에 나타내는 P1부의 확대 모식도인 도 3b를 참조하여, 노즐 암(242) 내에 형성되고, 노즐(241)에 SPM을 공급하는 배관(25)의 구체적인 구성에 대하여 설명한다.
도 3b에 나타내는 바와 같이, 배관(25)은 제 1 층 배관(251)과 제 2 층 배관(252)과 제 3 층 배관(253)으로 이루어지는 3 층 구조를 가지고 있다. 제 1 층 배관(251)은 가장 내측에 배치되며, 내부에 SPM 유로(254)가 형성된 배관이다.
도 3b에 나타내는 바와 같이, 이러한 제 1 층 배관(251)은 그 선단(251a)이 다른 제 2 층 배관(252) 및 제 3 층 배관(253)의 선단보다 노즐(241)에 대하여 들어간 위치에 있도록 마련된다. 이 위치는 적어도 제 2 층 배관(252)의 선단보다 액의 토출 방향측에 대하여 돌출되어 있지 않으면 된다. 또한, 노즐(241)과 제 1 층 배관의 선단(251a) 및 제 3 층 배관(253)의 선단이 접합되고, 제 2 층 배관(252)의 선단은 노즐(241)에 미리 마련된 원형의 홈 내에 삽입하여 고정한다.
이에 의해, 비교예로서 제 1 층 배관(251)의 선단(251a)이 가장 외측으로 돌출되어 노즐 팁(241a) 그 자체가 되어 버리는 경우와 비교하여, 처리에 필요한 처리액의 토출 형태에 따라 노즐 팁(241a)을 다양하게 변경할 수 있다. 또한, 금속 부재인 제 2 층 배관(252)을 노즐(241) 내까지 진입시키므로 강도도 강하다. 또한, 두름 부재(241b)가 노즐(241)과 제 3 층 배관(253)의 선단의 접합 위치를 덮도록 접합되므로, 강도를 더 강하게 할 수 있다.
또한, 비교예와 같이 제 1 층 배관(251)의 선단(251a)이 노즐 팁(241a) 그 자체이면, SPM의 열에 의한 영향을 받아 제 1 층 배관(251)에 열 변형 등이 발생하면, 그것은 그대로 노즐 팁(241a)으로부터의 토출 불량에 직결되어 버린다.
그러나 본 실시 형태에서는, 제 1 층 배관(251)의 선단(251a)이 돌출되어 있지 않음(들어간 위치에 있음)으로써, 선단(251a)과 노즐 팁(241a)은 반드시 별체가 되므로, SPM의 열에 기인하는 상술한 바와 같은 토출 불량을 발생하기 어렵게 할 수 있다.
즉, 처리에 필요한 토출 형태에 따라, 토출 불량 없이 다양하게 고온의 처리액을 토출할 수 있다.
제 1 층 배관(251)의 소재로서는, 노즐 팁(241a)과 마찬가지로 열가소성 수지, 예를 들면 PFA 등을 적합하게 이용할 수 있다.
제 2 층 배관(252)은 제 1 층 배관(251)의 외측에 배치되는 금속 배관이다. 제 2 층 배관(252)의 소재로서는 스테인리스 등을 적합하게 이용할 수 있다. 이러한 금속 배관인 제 2 층 배관(252)으로 제 1 층 배관(251)의 외장을 덮어 고정함으로써, 배관(25)의 강도를 높일 수 있으며, 또한 제 1 층 배관(251)의 SPM에 의한 열 변형을 억제할 수 있다.
또한, 제 1 층 배관(251)과 제 2 층 배관(252)의 사이에는 공간(SP)이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이러한 공간(SP)에 의해, 제 1 층 배관(251)으로부터 제 2 층 배관(252)으로의 열 전도를 단열할 수 있으므로, SPM 유로(254)를 통과하는 SPM의 온도를 유지하는데 도움이 될 수 있다.
제 3 층 배관(253)은 제 2 층 배관(252)의 외측에 배치되는 배관이다. 제 3 층 배관(253)의 소재로서는, 제 1 층 배관(251)과 마찬가지로 열가소성 수지, 예를 들면 PFA 등을 적합하게 이용할 수 있다.
이러한 제 3 층 배관(253)으로 제 2 층 배관(252)의 외장을 덮고, 밀착시켜 고정함으로써, SPM 분위기에 의한 부식 등으로부터 제 2 층 배관(252)을 보호할 수 있다.
또한, 제 1 층 배관(251)의 선단(251a)은 노즐 팁(241a)에 대하여, 예를 들면 용착 또는 용접에 의해 고정된다. 또한, 제 2 층 배관(252)의 선단은 노즐 팁(241a)에 대하여, 예를 들면 도 3b에 나타내는 바와 같이 삽입하여 고정된다. 또한, 제 3 층 배관(253)의 선단은 노즐 팁(241a)에 대하여, 예를 들면 용접 고정된다.
도 3a의 설명으로 돌아와, 이어서 슬릿(242a)에 대하여 설명한다. 도 3a에 나타내는 바와 같이, 노즐 암(242)은 슬릿(242a)을 구비한다. 슬릿(242a)은 제 2 층 배관(252)에 개구되고, 제 1 층 배관(251)의 SPM 유로(254)를 흐르는 SPM의 상태(거품의 발생의 유무 등)를 확인하기 위한 관측 창으로서 기능한다.
노즐 암(242)의 기단부는 암 지지부(243)에 의해 지지된다. 암 지지부(243)는 가동부(243a)와 고정부(243b)로 이루어진다. 고정부(243b)는 연직축(여기서는 Z축)을 따라 연장되는 중공의 지주(支柱) 형상으로 형성되고, 챔버(21)에 대하여 고정되어 마련된다.
가동부(243a)는 그 상단부에서 노즐 암(242)의 기단부를 지지한다. 여기서, 도 3a에 나타내는 P2부의 확대 모식도인 도 3c를 참조하여, 노즐 암(242)의 기단부의 지지 구조에 대하여 설명한다.
도 3c에 나타내는 바와 같이, 노즐 암(242)의 기단부는, 가동부(243a)의 상단부에 마련된 지지 부재(249)에 의해 지지된다. 구체적으로, 제 3 층 배관(253)은 그 기단부를 지지 부재(249)에 대하여, 예를 들면 용접 고정된다. 또한, 지지 부재(249)의 소재로서는 열가소성 수지, 예를 들면 PTFE 등을 이용할 수 있다.
또한, 제 2 층 배관(252)은 그 기단부를 회전 고정 핀(29)에 의해 둘레 방향으로의 회전이 억제되어 고정되고, 가동부(243a)가 회전 또는 승강 동작 등을 해도, 노즐 암(242)의 위치가 이탈하지 않도록 한다.
또한, 제 1 층 배관(251)은 지지 부재(249)를 관통하여 배치되고, 지지 부재(249)의 후단부에서 제 1 유지 씰 부재(27)에 의해 지지 부재(249)에 대하여 유지된다.
제 1 유지 씰 부재(27)는 예를 들면 O링 등이며, 제 1 층 배관(251)의 주위를 밀봉하고, 또한 제 1 층 배관(251)을 연장 방향을 따라 가동 가능하게 유지하는 부재이다(도면 중의 화살표(a3) 참조).
이러한 제 1 유지 씰 부재(27)에 의해 유지됨으로써, 제 1 층 배관(251)의 SPM에 의한 열 변형을 허용하면서, 제 1 층 배관(251)을 유지하는 것이 가능해진다.
도 3a의 설명으로 돌아와, 이어서 가동부(243a)에 대하여 설명한다. 또한, 가동부(243a)는 고정부(243b)의 중공부를 따라 연장되는 부위(이하, '연장부'라고 함)를 가지도록 형성되며, 또한 구동부(244)에 접속되고, 구동부(244)의 구동에 의해 고정부(243b)에 대하여, 연직축을 따라 승강 가능하게, 또한 연직축 둘레로 선회 가능하게 마련된다(도면 중의 화살표(a1, a2) 참조).
또한, 가동부(243a)도 또한 중공 구조를 이루고 있고, 그 중공부에는 노즐 암(242)을 개재하여 노즐(241)까지 통하는 전술한 제 1 층 배관(251)이 배치되고, 믹싱 영역(26)에 접속된다.
믹싱 영역(26)은, SPM이 균일한 혼합액이 되도록 과산화 수소수와 황산을 혼합하는 영역이며, 가동부(243a)의 연장부 내에 연직축을 따른 라인 형상으로 마련된다.
믹싱 영역(26)의 혼합 위치(MP)에는 과산화 수소수 공급원(246)으로부터 밸브(245)를 개재한 과산화 수소수의 공급계 및 황산 공급원(248)으로부터 밸브(247)를 개재한 황산의 공급계가 각각 접속된다.
여기서, 과산화 수소수(H2O2)의 공급계와 황산(H2SO4)의 공급계는, 혼합 위치(MP)에서 합류하도록 마련되어 있다. 그리고, 합류된 두 액은 혼합 위치(MP)로부터 믹싱 영역(26) 내로 상승해 가게 된다.
믹싱 영역(26)은 혼합 위치(MP)에서 혼합된 과산화 수소수와 황산을 균일한 혼합액이 되도록 혼합한다.
또한 혼합 위치(MP)는 과산화 수소수와 황산의 혼합에 의한 돌비 등을 방지할 수 있는, 노즐(241)의 선단으로부터 처리 거리를 둔 위치인 것이 바람직하다.
또한, 믹싱 영역(26)이 배치되는 가동부(243a)의 연장부 내는, 밀폐 공간(CS)으로 되어 있다. 밀폐 공간(CS)은 가동부(243a) 내에서 제 1 층 배관(251)을 유지하는 제 2 유지 씰 부재(28)에 의해 형성된다.
제 2 유지 씰 부재(28)는 제 1 층 배관(251)의 주위를 밀봉하고, 또한 제 1 층 배관(251)을 연장 방향을 따라 가동 가능하게 유지하는 부재이며, 제 1 유지 씰 부재(27)와 마찬가지로, 예를 들면 O링 등을 이용할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)('기판 처리 장치'의 일례에 상당)은 노즐(241)과 노즐 암(242)과 배관(25)을 구비한다.
노즐(241)은 웨이퍼(W)('기판'의 일례에 상당)를 향해 SPM('처리 유체'의 일례에 상당)을 토출한다. 노즐 암(242)은 선단부에서 노즐(241)을 지지한다. 배관(25)은 노즐 암(242) 내에 있으며 노즐(241)로 SPM을 공급한다.
또한, 배관(25)은 내측으로부터 차례로 제 1 층 배관(251)('제 1 층'의 일례에 상당), 제 2 층 배관(252)('제 2 층'의 일례에 상당) 및 제 3 층 배관(253)('제 3 층'의 일례에 상당)을 이루는 3 층 구조를 가지고, 제 1 층 배관(251)의 선단(251a)이, 다른 층의 선단보다, 노즐(241)에 대하여 돌출되지 않은(들어간) 위치에 있다.
따라서, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에 의하면, 토출 불량 없이 다양하게 고온의 SPM을 토출할 수 있다.
또한 상술한 실시 형태에서는, 처리 유체가 SPM인 경우를 예로 들었지만, 물론 SPM에 한정되는 것은 아니며, 다른 액체여도 된다. 또한, 액체에 한정되지 않고, N2와 같은 기체여도 된다.
또한, 상술한 실시 형태의 노즐 팁(241a)의 형상은, 물론 도시한 것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 약액 절약 처리 등에 사용되는 소유량용의 소구경 노즐이어도 된다. 또한, 정해진 각도가 부여된 각도 부여 노즐 등이어도 된다.
또한 상술한 실시 형태에서는, 두름 부재(241b)가, 저면이 원인 중공 원뿔체 형상인 경우를 예로 나타냈지만, 저면이 다각형인 중공 뿔체 형상이어도 된다. 또한, 뿔체의 측면이 평면이 아닌, 곡면이어도 된다. 또한, 두름 부재(241b)가 장착되지 않은 노즐(241)이어도 된다. 이상과 같이, 처리액의 온도에 한정되지 않고, 유체의 종별 또는 노즐의 형상 등과 같은 처리에 필요한 토출 형태에 따라, 토출 불량 없이 유체를 토출할 수 있다.
가일층의 효과 또는 변형예는, 당업자에 의해 용이하게 도출될 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 보다 광범위한 태양은, 이상과 같이 나타내고 또한 기술한 특정의 상세 및 대표적인 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 첨부한 특허 청구의 범위 및 그 균등물에 의해 정의되는 총괄적인 발명의 개념의 정신 또는 범위로부터 일탈하지 않고, 다양한 변경이 가능하다.
1 : 기판 처리 시스템
2 : 반입출 스테이션
3 : 처리 스테이션
4 : 제어 장치
16 : 처리 유닛
24 : 노즐 유닛
25 : 배관
26 : 믹싱 영역
27 : 제 1 유지 씰 부재
28 : 제 2 유지 씰 부재
29 : 회전 고정 핀
241 : 노즐
241a : 노즐 팁
241b : 두름 부재
242 : 노즐 암
243 : 암 지지부
249 : 지지 부재
251 : 제 1 층 배관
251a : 선단
252 : 제 2 층 배관
253 : 제 3 층 배관
254 : SPM 유로
CS : 밀폐 공간
MP : 혼합 위치
SP : 공간
W : 웨이퍼

Claims (10)

  1. 기판을 향해 처리 유체를 토출하는 노즐과,
    상기 노즐에 처리 유체를 공급하는 배관
    을 구비하고,
    상기 배관은,
    내측으로부터 차례로 제 1 층, 제 2 층 및 제 3 층을 이루는 3 층 구조를 가지고,
    상기 노즐과 상기 제 1 층의 선단 및 상기 제 3 층의 선단이 접합되고, 상기 제 1 층의 선단이 상기 제 2 층의 선단보다, 상기 처리 유체의 토출 방향에 대하여 돌출되지 않은 위치에 있는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 층과 상기 제 2 층과의 사이에 공간이 형성되어 있는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    선단부에서 상기 노즐을 지지하는 노즐 암과,
    상단부에서 상기 노즐 암의 기단부를 지지하는 암 지지부
    를 구비하고,
    상기 암 지지부는,
    상기 노즐 암의 기단부로부터 연장되어 설치되는 상기 제 1 층을 가동 가능하게 유지하고, 상기 제 2 층을 고정하는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 암 지지부는,
    상기 노즐 암의 기단부로부터 연장되어 설치되는 상기 제 1 층의 주위를 밀봉하고, 또한 상기 제 1 층을 가동 가능하게 유지하는 지지 부재를 가지는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    복수의 유체가 균일하게 혼합되는 믹싱 영역을 구비하고,
    상기 암 지지부는,
    연직 축을 따라 연장되는 중공의 지주 형상으로 형성된 형상을 가지고,
    상기 믹싱 영역은,
    상기 지주 내에 마련되는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 지지 부재는,
    상기 제 1 층을 지지함으로써 상기 암 지지부의 내부에 밀폐 공간을 형성하고,
    상기 믹싱 영역은,
    상기 밀폐 공간에 배치되는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 노즐은,
    상기 처리 유체의 토출구를 가지는 노즐 팁을 구비하고,
    상기 제 1 층의 선단은,
    상기 노즐 팁에 용착, 또는 용접되는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제 3 항에 있어서,
    상기 암 지지부는,
    상기 제 2 층의 둘레 방향으로의 회전을 회전 고정시키는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 층 및 상기 제 3 층은 열가소성 수지이며,
    상기 제 2 층은 금속인 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 처리 유체는 황산과 과산화 수소수와의 혼합액인 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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