JPH06196469A - ベーパー洗浄装置 - Google Patents
ベーパー洗浄装置Info
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- JPH06196469A JPH06196469A JP34572092A JP34572092A JPH06196469A JP H06196469 A JPH06196469 A JP H06196469A JP 34572092 A JP34572092 A JP 34572092A JP 34572092 A JP34572092 A JP 34572092A JP H06196469 A JPH06196469 A JP H06196469A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 チャンバー１０に薬液３３と溶媒３４との混
合ベーパーを噴出させるノズル１８を備え、ノズル１８
に薬液タンク２８及び溶媒タンク３２がそれぞれ供給管
２６、３０及びバルブ２７、３１を介して接続されたベ
ーパー洗浄装置において、ノズル１８、供給管２７、２
８及びバルブ２７、３１に加熱手段４１、４２、４３、
４４、４５が埋設あるいは外装されているベーパーー洗
浄装置。 【効果】 ＨＦ及びＨ2 Ｏのベーパーを常に凝縮温度以
上に加熱することができ、またベーパーの温度が次第に
高められるため、物理現象的に安定したベーパーを発生
させることができ、供給系統内でベーパーが凝縮するの
を阻止することができる。したがって所望の混合比、供
給量、均一性を有するＨＦ、Ｈ2 Ｏの混合ベーパーをウ
エハ１４表面に噴出させることができ、エッチングの均
一性を高めることができるとともにパーティクルの発生
を防止することができる。
合ベーパーを噴出させるノズル１８を備え、ノズル１８
に薬液タンク２８及び溶媒タンク３２がそれぞれ供給管
２６、３０及びバルブ２７、３１を介して接続されたベ
ーパー洗浄装置において、ノズル１８、供給管２７、２
８及びバルブ２７、３１に加熱手段４１、４２、４３、
４４、４５が埋設あるいは外装されているベーパーー洗
浄装置。 【効果】 ＨＦ及びＨ2 Ｏのベーパーを常に凝縮温度以
上に加熱することができ、またベーパーの温度が次第に
高められるため、物理現象的に安定したベーパーを発生
させることができ、供給系統内でベーパーが凝縮するの
を阻止することができる。したがって所望の混合比、供
給量、均一性を有するＨＦ、Ｈ2 Ｏの混合ベーパーをウ
エハ１４表面に噴出させることができ、エッチングの均
一性を高めることができるとともにパーティクルの発生
を防止することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はベーパー洗浄装置に関
し、より詳細には、例えば半導体製造工程においてウエ
ハ表面に形成された酸化膜の除去等の際に用いられるベ
ーパー洗浄装置に関する。
し、より詳細には、例えば半導体製造工程においてウエ
ハ表面に形成された酸化膜の除去等の際に用いられるベ
ーパー洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程においてウエハの洗浄工
程が占める割合は約４０％といわれており、洗浄工程の
重要性は極めて高い。現在、ウエハの洗浄には主として
ウエット処理が採用されているが、ウエット処理には除
去された金属や化学物質がウエハに再付着したり、純水
リンス工程においてウエハ上に自然酸化膜が再成長する
等の問題がある。これらの問題に対処するために、近
年、弗化水素（以下、ＨＦと記す）ベーパーを用いたド
ライ洗浄が行なわれ始めている。
程が占める割合は約４０％といわれており、洗浄工程の
重要性は極めて高い。現在、ウエハの洗浄には主として
ウエット処理が採用されているが、ウエット処理には除
去された金属や化学物質がウエハに再付着したり、純水
リンス工程においてウエハ上に自然酸化膜が再成長する
等の問題がある。これらの問題に対処するために、近
年、弗化水素（以下、ＨＦと記す）ベーパーを用いたド
ライ洗浄が行なわれ始めている。
【０００３】図６は従来のドライ洗浄処理に用いられる
ベーパー洗浄装置を模式的に示した断面図であり、図中
１０はチャンバーを示している。チャンバー１０はシリ
コンカーバイドを用いて略中空半球体形状に形成された
チャンバー本体１１と、略円板状に形成された円板部材
１２とを含んで構成されており、チャンバー本体１１下
面と円板部材１２上面の周辺部とはパッキン１２ａを介
して結合されている。円板部材１２中央部には支持台１
３が配設され、支持台１３上にはウエハ１４が載置され
ている。チャンバー本体１１上部にはフランジ１１ａが
形成されており、フランジ１１ａ上にはパッキン１５ａ
を介して略筒形状の中間リング１５が接続されている。
フランジ１１ａと中間リング１５とには直径Ｄを有する
ノズル挿入孔１６が形成されており、中間リング１５側
面にはノズル挿入孔１６と直交する排気孔１６ａが形成
され、排気孔１６ａには排気管１７ａ、バルブ１７ｂを
介して排気ポンプ１７が接続されている。
ベーパー洗浄装置を模式的に示した断面図であり、図中
１０はチャンバーを示している。チャンバー１０はシリ
コンカーバイドを用いて略中空半球体形状に形成された
チャンバー本体１１と、略円板状に形成された円板部材
１２とを含んで構成されており、チャンバー本体１１下
面と円板部材１２上面の周辺部とはパッキン１２ａを介
して結合されている。円板部材１２中央部には支持台１
３が配設され、支持台１３上にはウエハ１４が載置され
ている。チャンバー本体１１上部にはフランジ１１ａが
形成されており、フランジ１１ａ上にはパッキン１５ａ
を介して略筒形状の中間リング１５が接続されている。
フランジ１１ａと中間リング１５とには直径Ｄを有する
ノズル挿入孔１６が形成されており、中間リング１５側
面にはノズル挿入孔１６と直交する排気孔１６ａが形成
され、排気孔１６ａには排気管１７ａ、バルブ１７ｂを
介して排気ポンプ１７が接続されている。
【０００４】ノズル挿入孔１６内にはテフロン等の樹脂
を用いて略パイプ形状に形成されたノズル１８が配設さ
れており、ノズル１８の上部に形成されたフランジ２５
の下面がパッキン２５ａを介して中間リング１５上面に
結合され、ノズル１８が支持されるとともにチャンバー
１０が封止されるようになっている。ノズル１８には混
合室２０が形成され、略円柱形状に形成されたノズル棒
１９が介装されており、ノズル１８下部には吐出孔２２
が形成され、ノズル１８上部には薬液孔２３、溶媒孔２
４がそれぞれ混合室２０に連通して形成されている。ノ
ズル１８における混合室２０の断面積は薬液孔２３と溶
媒孔２４との断面積の和より大きく形成されている。
を用いて略パイプ形状に形成されたノズル１８が配設さ
れており、ノズル１８の上部に形成されたフランジ２５
の下面がパッキン２５ａを介して中間リング１５上面に
結合され、ノズル１８が支持されるとともにチャンバー
１０が封止されるようになっている。ノズル１８には混
合室２０が形成され、略円柱形状に形成されたノズル棒
１９が介装されており、ノズル１８下部には吐出孔２２
が形成され、ノズル１８上部には薬液孔２３、溶媒孔２
４がそれぞれ混合室２０に連通して形成されている。ノ
ズル１８における混合室２０の断面積は薬液孔２３と溶
媒孔２４との断面積の和より大きく形成されている。
【０００５】さらに薬液孔２３には供給管２６、バルブ
２７を介して薬液タンク２８が接続されており、薬液タ
ンク２８内にはＨＦ（フッ化水素）３３が充填され、薬
液タンク２８の外周にはヒータ２８ａが配設されてい
る。また溶媒孔２４には供給管３０、バルブ３１を介し
て溶媒タンク３２が接続されており、溶媒タンク３２内
には水（以下、Ｈ2 Ｏと記す）３４が充填され、溶媒タ
ンク３２の外周にはヒータ３２ａが配設されている。薬
液タンク２８上部と溶媒タンク３２上部とにはそれぞれ
キャリアガス導入管２９、バルブ２９ａが接続されてお
り、キャリアガス導入管２９、バルブ２９ａには図示し
ない窒素（以下、Ｎ2 と記す）ガス等が充填されたキャ
リアガスボンベが接続されている。
２７を介して薬液タンク２８が接続されており、薬液タ
ンク２８内にはＨＦ（フッ化水素）３３が充填され、薬
液タンク２８の外周にはヒータ２８ａが配設されてい
る。また溶媒孔２４には供給管３０、バルブ３１を介し
て溶媒タンク３２が接続されており、溶媒タンク３２内
には水（以下、Ｈ2 Ｏと記す）３４が充填され、溶媒タ
ンク３２の外周にはヒータ３２ａが配設されている。薬
液タンク２８上部と溶媒タンク３２上部とにはそれぞれ
キャリアガス導入管２９、バルブ２９ａが接続されてお
り、キャリアガス導入管２９、バルブ２９ａには図示し
ない窒素（以下、Ｎ2 と記す）ガス等が充填されたキャ
リアガスボンベが接続されている。
【０００６】そしてキャリアガス導入管２９、バルブ２
９ａを介して薬液タンク２８、溶媒タンク３２にそれぞ
れ導入されたＮ2 ガスが、ＨＦベーパー、Ｈ2 Ｏべーパ
ーを伴いながら供給管２６、３０とバルブ２７、３１内
を流れ、それぞれノズル１８の混合室２０に直接的に供
給される。次いで混合室２０で混合されたべーパーは吐
出孔２２よりチャンバー１０内に導入されるようになっ
ている。
９ａを介して薬液タンク２８、溶媒タンク３２にそれぞ
れ導入されたＮ2 ガスが、ＨＦベーパー、Ｈ2 Ｏべーパ
ーを伴いながら供給管２６、３０とバルブ２７、３１内
を流れ、それぞれノズル１８の混合室２０に直接的に供
給される。次いで混合室２０で混合されたべーパーは吐
出孔２２よりチャンバー１０内に導入されるようになっ
ている。
【０００７】このように構成されたベーパー洗浄装置を
用い、ウエハ１４上面に形成された自然酸化膜を洗浄・
除去する場合、まず排気ポンプ１７を駆動させてチャン
バー１０内の圧力を略１５０Torrに設定し、ヒータ２８
ａ、３２ａに通電して薬液タンク２８、溶媒タンク３２
を略５０℃に加熱し、ＨＦ及びＨ2 Ｏのベーパーを発生
させる。次にバルブ２９ａを開いて所定流量に調整した
Ｎ2 ガスを薬液タンク２８、溶媒タンク３２に通流さ
せ、供給管２６、３０に導入されたＨＦべーパー、Ｈ2
Ｏベーパーをそれぞれバルブ２７、３１を介してノズル
１８の混合室２０に供給する。そして混合室２０でＨＦ
ベーパーとＨ2 Ｏベーパーとを混合し、混合されたベー
パーを吐出孔２２からウエハ１４表面に噴出させ、ウエ
ハ１４表面の自然酸化膜を洗浄・除去している。
用い、ウエハ１４上面に形成された自然酸化膜を洗浄・
除去する場合、まず排気ポンプ１７を駆動させてチャン
バー１０内の圧力を略１５０Torrに設定し、ヒータ２８
ａ、３２ａに通電して薬液タンク２８、溶媒タンク３２
を略５０℃に加熱し、ＨＦ及びＨ2 Ｏのベーパーを発生
させる。次にバルブ２９ａを開いて所定流量に調整した
Ｎ2 ガスを薬液タンク２８、溶媒タンク３２に通流さ
せ、供給管２６、３０に導入されたＨＦべーパー、Ｈ2
Ｏベーパーをそれぞれバルブ２７、３１を介してノズル
１８の混合室２０に供給する。そして混合室２０でＨＦ
ベーパーとＨ2 Ｏベーパーとを混合し、混合されたベー
パーを吐出孔２２からウエハ１４表面に噴出させ、ウエ
ハ１４表面の自然酸化膜を洗浄・除去している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記したベーパー洗浄
装置においては、薬液タンク２８及び溶媒タンク３２が
加熱されることによりＨＦベーパー及びＨ2 Ｏベーパー
が発生するが、加熱温度が高い場合にはＨＦベーパー及
びＨ2 Ｏベーパーの発生量がコントロールしにくくなる
ため、加熱温度は略５０℃に設定されている。しかし薬
液タンク２８及び溶媒タンク３２のみが略５０℃に加熱
され、供給管２６、３０バルブ２７、３１及びノズル１
８のベーパー供給系統が加熱されていない場合、ＨＦベ
ーパー及びＨ2 Ｏベーパーが前記ベーパー供給系統内で
凝縮するという課題があった。また、供給管２６、３０
の内径断面積に比べて供給バルブ２７、３１の有効断面
積が小さく、また供給管２６、３０の内径断面積の和に
比べて混合室２０の有効断面積が大きい等、前記ベーパ
ー供給管系統内で断面積が変化し、急に断面積が大きく
なった箇所においては断熱膨張が生じて温度が低下し、
ＨＦベーパー及びＨ2Ｏベーパーが凝縮し易いという課
題があった。またベーパーの凝縮が生じると、所望の混
合比、供給量、均一性を有するＨＦとＨ2 Ｏとの混合ベ
ーパーを得にくいという課題があり、その結果、ウエハ
１４表面にパーティクル（Particle）が付着したり、ウ
エハ１４表面におけるエッチングが不均一になるという
課題があった。
装置においては、薬液タンク２８及び溶媒タンク３２が
加熱されることによりＨＦベーパー及びＨ2 Ｏベーパー
が発生するが、加熱温度が高い場合にはＨＦベーパー及
びＨ2 Ｏベーパーの発生量がコントロールしにくくなる
ため、加熱温度は略５０℃に設定されている。しかし薬
液タンク２８及び溶媒タンク３２のみが略５０℃に加熱
され、供給管２６、３０バルブ２７、３１及びノズル１
８のベーパー供給系統が加熱されていない場合、ＨＦベ
ーパー及びＨ2 Ｏベーパーが前記ベーパー供給系統内で
凝縮するという課題があった。また、供給管２６、３０
の内径断面積に比べて供給バルブ２７、３１の有効断面
積が小さく、また供給管２６、３０の内径断面積の和に
比べて混合室２０の有効断面積が大きい等、前記ベーパ
ー供給管系統内で断面積が変化し、急に断面積が大きく
なった箇所においては断熱膨張が生じて温度が低下し、
ＨＦベーパー及びＨ2Ｏベーパーが凝縮し易いという課
題があった。またベーパーの凝縮が生じると、所望の混
合比、供給量、均一性を有するＨＦとＨ2 Ｏとの混合ベ
ーパーを得にくいという課題があり、その結果、ウエハ
１４表面にパーティクル（Particle）が付着したり、ウ
エハ１４表面におけるエッチングが不均一になるという
課題があった。
【０００９】本発明はこのような課題に鑑みなされたも
のであり、薬液ベーパー、溶媒ベーパー及びこれらの混
合ベーパーの凝縮を阻止することができ、所望の混合
比、供給量、均一性を有する混合ベーパーを被処理物表
面に噴出させることができ、パーティクルの発生やエッ
チングの不均一を軽減することができるベーパー洗浄装
置を提供することを目的としている。
のであり、薬液ベーパー、溶媒ベーパー及びこれらの混
合ベーパーの凝縮を阻止することができ、所望の混合
比、供給量、均一性を有する混合ベーパーを被処理物表
面に噴出させることができ、パーティクルの発生やエッ
チングの不均一を軽減することができるベーパー洗浄装
置を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係るベーパー洗浄装置は、チャンバーに薬液
と溶媒との混合ベーパーを噴出させるノズルを備え、該
ノズルに薬液タンク及び溶媒タンクがそれぞれ供給管及
びバルブを介して接続されたベーパー洗浄装置におい
て、前記ノズル、前記供給管及び前記バルブに加熱手段
が埋設あるいは外装されていることを特徴としている
（１）。
に本発明に係るベーパー洗浄装置は、チャンバーに薬液
と溶媒との混合ベーパーを噴出させるノズルを備え、該
ノズルに薬液タンク及び溶媒タンクがそれぞれ供給管及
びバルブを介して接続されたベーパー洗浄装置におい
て、前記ノズル、前記供給管及び前記バルブに加熱手段
が埋設あるいは外装されていることを特徴としている
（１）。
【００１１】また上記（１）記載のベーパー洗浄装置に
おいて、タンク、供給管及びバルブを経てノズルに至る
供給経路順に、次第に温度が高く設定された加熱手段が
配設されていることを特徴としている（２）。
おいて、タンク、供給管及びバルブを経てノズルに至る
供給経路順に、次第に温度が高く設定された加熱手段が
配設されていることを特徴としている（２）。
【００１２】また本発明に係るベーパー洗浄装置は、チ
ャンバーに薬液と溶媒との混合ベーパーを噴出させるノ
ズルを備え、該ノズルに薬液タンク及び溶媒タンクがそ
れぞれ供給管及びバルブを介して接続されたベーパー洗
浄装置において、前記供給管の内径断面積と前記バルブ
の有効断面積との大きさが略同一に設定され、前記ノズ
ルの有効断面積が前記２本の供給管の内径断面積の略和
の大きさに設定されていることを特徴としている
（３）。
ャンバーに薬液と溶媒との混合ベーパーを噴出させるノ
ズルを備え、該ノズルに薬液タンク及び溶媒タンクがそ
れぞれ供給管及びバルブを介して接続されたベーパー洗
浄装置において、前記供給管の内径断面積と前記バルブ
の有効断面積との大きさが略同一に設定され、前記ノズ
ルの有効断面積が前記２本の供給管の内径断面積の略和
の大きさに設定されていることを特徴としている
（３）。
【００１３】
【作用】本発明者等がタンクより供給管、バルブを経て
ノズルに至るベーパー供給系統にヒータが配設されたベ
ーパー洗浄装置を用いて調査を行った結果、図４（ａ）
に示したように前記タンクの加熱温度と略同一温度に前
記ベーパー供給系統の温度を設定した場合、加熱が行な
われなかったものに比べて、凝縮が生じ難くなることを
知見した。一方、ヒータパワーの変動等により実際のベ
ーパー温度は変動しており、目標設定温度以下になった
箇所Ａではベーパーが凝縮するおそれがあることを突き
止めた。
ノズルに至るベーパー供給系統にヒータが配設されたベ
ーパー洗浄装置を用いて調査を行った結果、図４（ａ）
に示したように前記タンクの加熱温度と略同一温度に前
記ベーパー供給系統の温度を設定した場合、加熱が行な
われなかったものに比べて、凝縮が生じ難くなることを
知見した。一方、ヒータパワーの変動等により実際のベ
ーパー温度は変動しており、目標設定温度以下になった
箇所Ａではベーパーが凝縮するおそれがあることを突き
止めた。
【００１４】また、前記ノズル温度を１００〜１２０℃
程度に設定した場合、薬液及び溶媒のベーパーが均一に
混合され易くなり、パーティクルが減少し、エッチング
が均一に行なわれることを見いだした。
程度に設定した場合、薬液及び溶媒のベーパーが均一に
混合され易くなり、パーティクルが減少し、エッチング
が均一に行なわれることを見いだした。
【００１５】また、前記ノズル温度が１００〜１２０℃
程度に設定し、かつ前記ベーパー供給系統の所定箇所に
おいて前記タンクの加熱温度（ベーパー供給量等の関係
から約５０℃）から前記ノズルの加熱温度まで一挙に高
めるようにヒータ温度が設定された場合、前記ベーパー
供給系統の熱量が前記タンク側に影響し、ベーパーの発
生量が不安定となり、ベーパー流量のコントロールが困
難になることを知見した。
程度に設定し、かつ前記ベーパー供給系統の所定箇所に
おいて前記タンクの加熱温度（ベーパー供給量等の関係
から約５０℃）から前記ノズルの加熱温度まで一挙に高
めるようにヒータ温度が設定された場合、前記ベーパー
供給系統の熱量が前記タンク側に影響し、ベーパーの発
生量が不安定となり、ベーパー流量のコントロールが困
難になることを知見した。
【００１６】また、図４（ｂ）に示したように前記ノズ
ル温度が１００〜１２０℃程度に設定され、かつ前記タ
ンクの加熱温度（約５０℃）から前記ノズルの加熱温度
に至るまで次第に高くなるように前記ベーパー供給系統
の温度が設定されている場合、ベーパーの温度が次第に
高められるため、物理現象的に安定したベーパーが生成
されることを知見した。また目標設定温度に関して実際
のベーパー温度が変動した場合でも、凝縮温度より低下
するおそれが少なくなり、ベーパーの凝縮がより一層生
じ難くなることを知見した。
ル温度が１００〜１２０℃程度に設定され、かつ前記タ
ンクの加熱温度（約５０℃）から前記ノズルの加熱温度
に至るまで次第に高くなるように前記ベーパー供給系統
の温度が設定されている場合、ベーパーの温度が次第に
高められるため、物理現象的に安定したベーパーが生成
されることを知見した。また目標設定温度に関して実際
のベーパー温度が変動した場合でも、凝縮温度より低下
するおそれが少なくなり、ベーパーの凝縮がより一層生
じ難くなることを知見した。
【００１７】本発明に係る上記（１）記載のベーパー洗
浄装置によれば、ノズル、供給管及びバルブに加熱手段
が埋設あるいは外装されているので、薬液及び溶媒のベ
ーパーを凝縮温度以上に加熱し得ることとなり、前記し
たノズル、供給管及びバルブ内でベーパーが凝縮するの
が阻止されることとなる。
浄装置によれば、ノズル、供給管及びバルブに加熱手段
が埋設あるいは外装されているので、薬液及び溶媒のベ
ーパーを凝縮温度以上に加熱し得ることとなり、前記し
たノズル、供給管及びバルブ内でベーパーが凝縮するの
が阻止されることとなる。
【００１８】また上記（１）記載のベーパー洗浄装置に
おいてタンク、供給管及びバルブを経てノズルに至る供
給経路順に、次第に温度が高く設定された加熱手段が配
設されている場合には、ベーパーの温度が次第に高めら
れ、物理現象的に安定した薬液及び溶媒のベーパーが発
生し得ることとなる。また設定温度に関して実際のベー
パー温度が変動した場合でも、凝縮温度より低下するお
それが少なくなり、前記したノズル、供給管及びバルブ
内でベーパーが凝縮するのがより一層阻止されることと
なる。
おいてタンク、供給管及びバルブを経てノズルに至る供
給経路順に、次第に温度が高く設定された加熱手段が配
設されている場合には、ベーパーの温度が次第に高めら
れ、物理現象的に安定した薬液及び溶媒のベーパーが発
生し得ることとなる。また設定温度に関して実際のベー
パー温度が変動した場合でも、凝縮温度より低下するお
それが少なくなり、前記したノズル、供給管及びバルブ
内でベーパーが凝縮するのがより一層阻止されることと
なる。
【００１９】また上記（３）記載のベーパー洗浄装置に
よれば、供給管の内径断面積とバルブの有効断面積との
大きさが略同一に設定され、ノズルの有効断面積が２本
の供給管の内径断面積の略和の大きさに設定されている
ので、断面積の急激な拡大に伴う断熱膨張の発生が阻止
され、断熱膨張に伴うベーパーの温度低下が防止される
こととなり、前記したノズル、供給管及びバルブ内でベ
ーパーが凝縮するのが阻止されることとなる。
よれば、供給管の内径断面積とバルブの有効断面積との
大きさが略同一に設定され、ノズルの有効断面積が２本
の供給管の内径断面積の略和の大きさに設定されている
ので、断面積の急激な拡大に伴う断熱膨張の発生が阻止
され、断熱膨張に伴うベーパーの温度低下が防止される
こととなり、前記したノズル、供給管及びバルブ内でベ
ーパーが凝縮するのが阻止されることとなる。
【００２０】したがって所望の混合比、供給量、均一性
を有する薬液、溶媒の混合ベーパーを被処理物表面に噴
出し得ることとなり、エッチングの均一性が高められる
とともにパーティクルの発生が防止されることとなる。
を有する薬液、溶媒の混合ベーパーを被処理物表面に噴
出し得ることとなり、エッチングの均一性が高められる
とともにパーティクルの発生が防止されることとなる。
【００２１】
【実施例及び比較例】以下、本発明に係るベーパー洗浄
装置の実施例を図面に基づいて説明する。なお、従来例
と同一機能を有する構成部品には同一の符号を付すこと
とする。図１は本発明に係るベーパー洗浄装置の実施例
１を模式的に示した断面図であり、図１に示した装置の
構成は加熱手段を除いて図６に示した従来のベーパー洗
浄装置と同様であるため、ここでは詳細な説明は省略
し、従来のものと相違する箇所についてのみその構成を
説明する。図中１８はノズルを示しており、ノズル１８
内の混合室２０、吐出孔２２外面にはノズルヒータ４１
が埋設されている。またノズル１８には供給管２６、３
０が接続されており、供給管２６にはバルブ２７を介し
て薬液タンク２８が接続され、供給管３０にはバルブ３
１を介して溶媒タンク３２が接続されている。供給管２
６、３０とバルブ２７、３１とには、それぞれ供給管ヒ
ータ４２、４４とバルブヒータ４３、４５とが外装され
ており、各ヒータは薬液タンク２８からノズル１８に至
る供給経路順に、また溶媒タンク３２からノズル１８に
至る供給経路順に次第に温度が高く設定されるようにな
っている。
装置の実施例を図面に基づいて説明する。なお、従来例
と同一機能を有する構成部品には同一の符号を付すこと
とする。図１は本発明に係るベーパー洗浄装置の実施例
１を模式的に示した断面図であり、図１に示した装置の
構成は加熱手段を除いて図６に示した従来のベーパー洗
浄装置と同様であるため、ここでは詳細な説明は省略
し、従来のものと相違する箇所についてのみその構成を
説明する。図中１８はノズルを示しており、ノズル１８
内の混合室２０、吐出孔２２外面にはノズルヒータ４１
が埋設されている。またノズル１８には供給管２６、３
０が接続されており、供給管２６にはバルブ２７を介し
て薬液タンク２８が接続され、供給管３０にはバルブ３
１を介して溶媒タンク３２が接続されている。供給管２
６、３０とバルブ２７、３１とには、それぞれ供給管ヒ
ータ４２、４４とバルブヒータ４３、４５とが外装され
ており、各ヒータは薬液タンク２８からノズル１８に至
る供給経路順に、また溶媒タンク３２からノズル１８に
至る供給経路順に次第に温度が高く設定されるようにな
っている。
【００２２】このように構成されたベーパー洗浄装置を
用いてウエハ１４表面に形成された酸化膜を洗浄・除去
する場合、まず排気ポンプ１７を駆動させてチャンバー
１０内の圧力を略１５０Torrに設定し、またヒータ２８
ａ、３２ａに通電して薬液タンク２８、溶媒タンク３２
を略５０℃に加熱してＨＦ及びＨ2 Ｏのベーパーを発生
させる。同時にノズルヒータ４１に通電してノズル１８
を略１００℃に加熱し、また供給管ヒータ４２、４４と
バルブヒータ４３、４５とを供給経路順に略５０℃から
略１００℃まで次第に高くなるように設定する。次にバ
ルブ２９ａを用いて所定流量に調整されたＮ2 ガスを薬
液タンク２８、溶媒タンク３２に通流させ、供給管２
６、３０にそれぞれ導入されたＨＦベーパー、Ｈ2 Ｏベ
ーパーをバルブ２７、３１を介してノズル１８の混合室
２０に直接的に供給する。そして混合室２０においてＨ
ＦベーパーとＨ2 Ｏベーパーとを混合して吐出孔２２か
らウエハ１４表面に噴出させ、ウエハ１４表面の自然酸
化膜を洗浄・除去する。
用いてウエハ１４表面に形成された酸化膜を洗浄・除去
する場合、まず排気ポンプ１７を駆動させてチャンバー
１０内の圧力を略１５０Torrに設定し、またヒータ２８
ａ、３２ａに通電して薬液タンク２８、溶媒タンク３２
を略５０℃に加熱してＨＦ及びＨ2 Ｏのベーパーを発生
させる。同時にノズルヒータ４１に通電してノズル１８
を略１００℃に加熱し、また供給管ヒータ４２、４４と
バルブヒータ４３、４５とを供給経路順に略５０℃から
略１００℃まで次第に高くなるように設定する。次にバ
ルブ２９ａを用いて所定流量に調整されたＮ2 ガスを薬
液タンク２８、溶媒タンク３２に通流させ、供給管２
６、３０にそれぞれ導入されたＨＦベーパー、Ｈ2 Ｏベ
ーパーをバルブ２７、３１を介してノズル１８の混合室
２０に直接的に供給する。そして混合室２０においてＨ
ＦベーパーとＨ2 Ｏベーパーとを混合して吐出孔２２か
らウエハ１４表面に噴出させ、ウエハ１４表面の自然酸
化膜を洗浄・除去する。
【００２３】以下に、実施例１に係るベーパー洗浄装置
を用いてウエハ１４表面に形成された自然酸化膜を洗浄
・除去した際、ウエハ１４表面に付着したパーティクル
数及びウエハ１４表面のエッチング均一性を測定した結
果について説明する。また比較例として図１に示した装
置を用い、薬液タンク２８、溶媒タンク３２のみを略５
０℃に加熱し、ノズル１８、供給管２６、３０、バルブ
２７、３１は加熱せずに洗浄処理を行った場合について
説明する。
を用いてウエハ１４表面に形成された自然酸化膜を洗浄
・除去した際、ウエハ１４表面に付着したパーティクル
数及びウエハ１４表面のエッチング均一性を測定した結
果について説明する。また比較例として図１に示した装
置を用い、薬液タンク２８、溶媒タンク３２のみを略５
０℃に加熱し、ノズル１８、供給管２６、３０、バルブ
２７、３１は加熱せずに洗浄処理を行った場合について
説明する。
【００２４】図２は自然酸化膜を洗浄・除去した後、ウ
エハ１４表面に付着したパーティクルの数を測定した結
果を示したグラフであり、測定番号１〜２は比較例の場
合、測定番号３〜４は実施例１の場合をそれぞれ示して
いる。図２から明らかなように、比較例の場合のパーテ
ィクル数が略６０〜８０個であるのに比べ、実施例１の
場合のパーティクル数は２０個未満になっており、実施
例１の装置を用いた場合にはパーティクル数を大幅に減
少させることができる。
エハ１４表面に付着したパーティクルの数を測定した結
果を示したグラフであり、測定番号１〜２は比較例の場
合、測定番号３〜４は実施例１の場合をそれぞれ示して
いる。図２から明らかなように、比較例の場合のパーテ
ィクル数が略６０〜８０個であるのに比べ、実施例１の
場合のパーティクル数は２０個未満になっており、実施
例１の装置を用いた場合にはパーティクル数を大幅に減
少させることができる。
【００２５】図３は自然酸化膜を洗浄・除去した後、ウ
エハ１４表面のエッチング均一性を測定した結果を示し
た図であり、（ａ）は実施例１の場合、（ｂ）は比較例
の場合をそれぞれ示している。図３から明らかなよう
に、比較例の場合のエッチング均一性が±７％であるの
に比べ、実施例１の場合のエッチング均一性は±３．６
％であり、実施例１の装置を用いた場合にはエッチング
処理をより一層均一に行なうことができる。
エハ１４表面のエッチング均一性を測定した結果を示し
た図であり、（ａ）は実施例１の場合、（ｂ）は比較例
の場合をそれぞれ示している。図３から明らかなよう
に、比較例の場合のエッチング均一性が±７％であるの
に比べ、実施例１の場合のエッチング均一性は±３．６
％であり、実施例１の装置を用いた場合にはエッチング
処理をより一層均一に行なうことができる。
【００２６】なお実施例１では、ノズルヒータ４１はノ
ズル１８内部に埋設されているが、ノズル１８外部に外
装されたものを用いることもでき、また供給管ヒータ４
２、４４、バルブヒータ４３、４５はそれぞれ供給管２
６、３０、バルブ２７、３１の外部に外装されている
が、これらの内部に埋設されたものを用いることもでき
る。
ズル１８内部に埋設されているが、ノズル１８外部に外
装されたものを用いることもでき、また供給管ヒータ４
２、４４、バルブヒータ４３、４５はそれぞれ供給管２
６、３０、バルブ２７、３１の外部に外装されている
が、これらの内部に埋設されたものを用いることもでき
る。
【００２７】また実施例１では薬液３３にＨＦ、溶媒３
４にＨ2 Ｏを用いたが、薬液３３にＨＣｌ（塩化水
素）、溶媒３４にＩＰＡ（IsoPropyl Alcohol)を用いて
も実施例１の場合と略同様の効果を得ることができる。
４にＨ2 Ｏを用いたが、薬液３３にＨＣｌ（塩化水
素）、溶媒３４にＩＰＡ（IsoPropyl Alcohol)を用いて
も実施例１の場合と略同様の効果を得ることができる。
【００２８】上記結果から明らかなように実施例１に係
るベーパー洗浄装置では、供給管２６、３０、バルブ２
７、３１、ノズル１８のベーパー供給系統にそれぞれ供
給管ヒータ４２、４４、バルブヒータ４３、４５、ノズ
ルヒータ４１の加熱手段が埋設あるいは外装され、これ
らの加熱手段の温度が薬液タンク２８、溶媒タンク３２
からノズル１８に至る供給経路順に次第に高くなるよう
に設定されているので、ＨＦ及びＨ2 Ｏのベーパーを常
に凝縮温度以上に加熱することができ、ベーパーの温度
が次第に高められるため、物理現象的に安定したベーパ
ーを発生させることができ、供給系統内でベーパーが凝
縮するのを阻止することができる。したがって所望の混
合比、供給量、均一性を有するＨＦ、Ｈ2 Ｏの混合ベー
パーをウエハ１４表面に噴出させることができ、エッチ
ングの均一性を高めることができるとともにパーティク
ルの発生を防止することができる。
るベーパー洗浄装置では、供給管２６、３０、バルブ２
７、３１、ノズル１８のベーパー供給系統にそれぞれ供
給管ヒータ４２、４４、バルブヒータ４３、４５、ノズ
ルヒータ４１の加熱手段が埋設あるいは外装され、これ
らの加熱手段の温度が薬液タンク２８、溶媒タンク３２
からノズル１８に至る供給経路順に次第に高くなるよう
に設定されているので、ＨＦ及びＨ2 Ｏのベーパーを常
に凝縮温度以上に加熱することができ、ベーパーの温度
が次第に高められるため、物理現象的に安定したベーパ
ーを発生させることができ、供給系統内でベーパーが凝
縮するのを阻止することができる。したがって所望の混
合比、供給量、均一性を有するＨＦ、Ｈ2 Ｏの混合ベー
パーをウエハ１４表面に噴出させることができ、エッチ
ングの均一性を高めることができるとともにパーティク
ルの発生を防止することができる。
【００２９】図５は本発明に係るベーパー洗浄装置の実
施例２に用いられるノズル及び供給管を模式的に示した
図であり、（ａ）はノズル及び供給管断面図、（ｂ）は
（ａ）におけるＡＡ線断面図、（ｃ）は（ａ）における
ＢＢ線断面図、（ｄ）は（ａ）におけるＣＣ線断面図、
（ｅ）は（ａ）におけるＤＤ線断面図を示している。図
中１８はノズルを示しており、ノズル１８には混合室２
０が形成され、混合室２０には略円錐台形状に形成され
たノズル棒１９が介装されている。ノズル１８右端部に
は吐出孔２２が形成され、ノズル１８左端部には薬液孔
２３、溶媒孔２４が混合室２０に連通して形成されてお
り、薬液孔２３、溶媒孔２４にはそれぞれ供給管２６、
３０が接続されている。供給管２６、３０の内径断面積
はそれぞれｓ1 、ｓ2 （ｓ1 ＋ｓ2 ＝Ｓ1 ）の大きさに
形成され（図５（ｂ））、ノズル１８の混合室２０から
吐出孔２２に至る有効断面積はそれぞれＳ2 、Ｓ3 、Ｓ
4の大きさに形成されている（図５（ｃ）、図５
（ｄ）、図５（ｅ））。また図示していないが、供給管
２６、３０に接続されたバルブ２７、３１の有効断面積
はそれぞれｓ3 、ｓ4 の大きさに形成されている。そし
て、供給管２６と供給管３０の内径断面積の和Ｓ1 とノ
ズル１８の有効断面積Ｓ2 、Ｓ3 、Ｓ4 とが略同一の大
きさＳに設定され、供給管２６、３０の内径断面積ｓ
1 、ｓ2 とバルブ２７、３１の有効断面積ｓ3 、ｓ4 と
は略同一の大きさｓに設定されている（Ｓ1 ≒Ｓ2 ≒Ｓ
3 ≒Ｓ4 ≒Ｓ、ｓ1 ≒ｓ2 ≒ｓ3 ≒ｓ4 ≒ｓ）。また、
供給管２６、３０、バルブ２７、３１、ノズル１８以外
の構成は、従来の図１に示したものと略同一に構成され
ている。
施例２に用いられるノズル及び供給管を模式的に示した
図であり、（ａ）はノズル及び供給管断面図、（ｂ）は
（ａ）におけるＡＡ線断面図、（ｃ）は（ａ）における
ＢＢ線断面図、（ｄ）は（ａ）におけるＣＣ線断面図、
（ｅ）は（ａ）におけるＤＤ線断面図を示している。図
中１８はノズルを示しており、ノズル１８には混合室２
０が形成され、混合室２０には略円錐台形状に形成され
たノズル棒１９が介装されている。ノズル１８右端部に
は吐出孔２２が形成され、ノズル１８左端部には薬液孔
２３、溶媒孔２４が混合室２０に連通して形成されてお
り、薬液孔２３、溶媒孔２４にはそれぞれ供給管２６、
３０が接続されている。供給管２６、３０の内径断面積
はそれぞれｓ1 、ｓ2 （ｓ1 ＋ｓ2 ＝Ｓ1 ）の大きさに
形成され（図５（ｂ））、ノズル１８の混合室２０から
吐出孔２２に至る有効断面積はそれぞれＳ2 、Ｓ3 、Ｓ
4の大きさに形成されている（図５（ｃ）、図５
（ｄ）、図５（ｅ））。また図示していないが、供給管
２６、３０に接続されたバルブ２７、３１の有効断面積
はそれぞれｓ3 、ｓ4 の大きさに形成されている。そし
て、供給管２６と供給管３０の内径断面積の和Ｓ1 とノ
ズル１８の有効断面積Ｓ2 、Ｓ3 、Ｓ4 とが略同一の大
きさＳに設定され、供給管２６、３０の内径断面積ｓ
1 、ｓ2 とバルブ２７、３１の有効断面積ｓ3 、ｓ4 と
は略同一の大きさｓに設定されている（Ｓ1 ≒Ｓ2 ≒Ｓ
3 ≒Ｓ4 ≒Ｓ、ｓ1 ≒ｓ2 ≒ｓ3 ≒ｓ4 ≒ｓ）。また、
供給管２６、３０、バルブ２７、３１、ノズル１８以外
の構成は、従来の図１に示したものと略同一に構成され
ている。
【００３０】このように構成されたベーパー洗浄装置を
用いてウエハ１４表面に形成された酸化膜を洗浄・除去
した場合、実施例１の装置を用いた場合と略同様の効果
を得ることができた。
用いてウエハ１４表面に形成された酸化膜を洗浄・除去
した場合、実施例１の装置を用いた場合と略同様の効果
を得ることができた。
【００３１】上記結果から明らかなように実施例２に係
るベーパー洗浄装置では、供給管２６、３０の内径断面
積ｓ1 、ｓ2 とバルブ２７、３１の有効断面積ｓ3 、ｓ
4 とが略同一に設定され、ノズル１８の有効断面積Ｓ
2 、Ｓ3 、Ｓ4 が２本の供給管２６、３０の内径断面積
ｓ1 、ｓ2 の略和Ｓ1 の大きさに設定されているので、
断面積の急激な拡大に伴う断熱膨張の発生を阻止するこ
とができ、断熱膨張に伴うベーパーの温度低下を防止す
ることができ、ノズル１８、供給管２６、３０及びバル
ブ２７、３１内でベーパーが凝縮するのを阻止すること
ができる。したがって所望の混合比、供給量、均一性を
有するＨＦ、Ｈ2 Ｏの混合ベーパーをウエハ１４表面に
噴出させることができ、エッチングの均一性を高めるこ
とができるとともにパーティクルの発生を防止すること
ができる。
るベーパー洗浄装置では、供給管２６、３０の内径断面
積ｓ1 、ｓ2 とバルブ２７、３１の有効断面積ｓ3 、ｓ
4 とが略同一に設定され、ノズル１８の有効断面積Ｓ
2 、Ｓ3 、Ｓ4 が２本の供給管２６、３０の内径断面積
ｓ1 、ｓ2 の略和Ｓ1 の大きさに設定されているので、
断面積の急激な拡大に伴う断熱膨張の発生を阻止するこ
とができ、断熱膨張に伴うベーパーの温度低下を防止す
ることができ、ノズル１８、供給管２６、３０及びバル
ブ２７、３１内でベーパーが凝縮するのを阻止すること
ができる。したがって所望の混合比、供給量、均一性を
有するＨＦ、Ｈ2 Ｏの混合ベーパーをウエハ１４表面に
噴出させることができ、エッチングの均一性を高めるこ
とができるとともにパーティクルの発生を防止すること
ができる。
【００３２】
【発明の効果】以上詳述したように本発明に係るベーパ
ー洗浄装置（１）にあっては、ノズル、供給管及びバル
ブに加熱手段が埋設あるいは外装されているので、薬液
及び溶媒のベーパーを凝縮温度以上に加熱することがで
き、前記したノズル、供給管及びバルブ内でベーパーが
凝縮するのを阻止することができる。
ー洗浄装置（１）にあっては、ノズル、供給管及びバル
ブに加熱手段が埋設あるいは外装されているので、薬液
及び溶媒のベーパーを凝縮温度以上に加熱することがで
き、前記したノズル、供給管及びバルブ内でベーパーが
凝縮するのを阻止することができる。
【００３３】また上記ベーパー洗浄装置（１）におい
て、タンク、供給管及びバルブを経てノズルに至る供給
経路順に、次第に温度が高く設定された加熱手段が配設
されている場合には、ベーパーの温度が次第に高められ
るため、物理現象的に安定した前記薬液及び溶媒のベー
パーを発生させることができる。また設定温度に関して
実際のベーパー温度が変動した場合でも、凝縮温度より
低下するおそれを少なくすることができ、前記したノズ
ル、供給管及びバルブ内でベーパーが凝縮するのをより
一層確実に阻止することができる。
て、タンク、供給管及びバルブを経てノズルに至る供給
経路順に、次第に温度が高く設定された加熱手段が配設
されている場合には、ベーパーの温度が次第に高められ
るため、物理現象的に安定した前記薬液及び溶媒のベー
パーを発生させることができる。また設定温度に関して
実際のベーパー温度が変動した場合でも、凝縮温度より
低下するおそれを少なくすることができ、前記したノズ
ル、供給管及びバルブ内でベーパーが凝縮するのをより
一層確実に阻止することができる。
【００３４】また本発明に係るベーパー洗浄装置（３）
にあっては、供給管の内径断面積とバルブの有効断面積
との大きさが略同一に設定され、ノズルの有効断面積が
２本の供給管の内径断面積の略和の大きさに設定されて
いるので、前記断面積の急激な拡大に伴う断熱膨張の発
生を阻止することができ、前記断熱膨張に伴うベーパー
の温度低下を防止することができ、前記したノズル、供
給管及びバルブ内で前記ベーパーが凝縮するのを阻止す
ることができる。
にあっては、供給管の内径断面積とバルブの有効断面積
との大きさが略同一に設定され、ノズルの有効断面積が
２本の供給管の内径断面積の略和の大きさに設定されて
いるので、前記断面積の急激な拡大に伴う断熱膨張の発
生を阻止することができ、前記断熱膨張に伴うベーパー
の温度低下を防止することができ、前記したノズル、供
給管及びバルブ内で前記ベーパーが凝縮するのを阻止す
ることができる。
【００３５】したがって、所望の混合比、供給量、均一
性を有する薬液、溶媒の混合ベーパーを被処理物表面に
噴出させることができ、エッチングの均一性を高めるこ
とができるとともにパーティクルの発生を防止すること
ができる。
性を有する薬液、溶媒の混合ベーパーを被処理物表面に
噴出させることができ、エッチングの均一性を高めるこ
とができるとともにパーティクルの発生を防止すること
ができる。
【図１】本発明に係るベーパー洗浄装置の実施例１を模
式的に示した断面図である。
式的に示した断面図である。
【図２】酸化膜を洗浄・除去した後、ウエハ表面に発生
したパーティクルの数を測定した結果を示したグラフで
あり、測定番号１〜２は比較例の場合、測定番号３〜４
は実施例１の場合をそれぞれ示している。
したパーティクルの数を測定した結果を示したグラフで
あり、測定番号１〜２は比較例の場合、測定番号３〜４
は実施例１の場合をそれぞれ示している。
【図３】酸化膜を洗浄・除去した後、ウエハ表面のエッ
チング均一性を測定した結果を示した図であり、（ａ）
は実施例１の場合、（ｂ）は比較例の場合をそれぞれ示
している。
チング均一性を測定した結果を示した図であり、（ａ）
は実施例１の場合、（ｂ）は比較例の場合をそれぞれ示
している。
【図４】薬液及び溶媒の供給系統に加熱装置が配設され
たベーパー洗浄装置において、加熱温度の設定値、実際
のベーパー温度分布及び凝縮温度との関係を模式的に示
したグラフであり、（ａ）は全ての供給系統がタンクの
加熱温度と同一温度に設定された場合、（ｂ）はタンク
からノズルに至るにしたがい、次第に温度が高く設定さ
れた場合をそれぞれ示している。
たベーパー洗浄装置において、加熱温度の設定値、実際
のベーパー温度分布及び凝縮温度との関係を模式的に示
したグラフであり、（ａ）は全ての供給系統がタンクの
加熱温度と同一温度に設定された場合、（ｂ）はタンク
からノズルに至るにしたがい、次第に温度が高く設定さ
れた場合をそれぞれ示している。
【図５】実施例２に係るベーパー洗浄装置に用いられる
ノズルを模式的に示した図であり、（ａ）はノズル断面
図、（ｂ）は（ａ）におけるＡＡ線断面図、（ｃ）は
（ａ）におけるＢＢ線断面図、（ｄ）は（ａ）における
ＣＣ線断面図、（ｅ）は（ａ）におけるＤＤ線断面図を
示している。
ノズルを模式的に示した図であり、（ａ）はノズル断面
図、（ｂ）は（ａ）におけるＡＡ線断面図、（ｃ）は
（ａ）におけるＢＢ線断面図、（ｄ）は（ａ）における
ＣＣ線断面図、（ｅ）は（ａ）におけるＤＤ線断面図を
示している。
【図６】従来のドライ洗浄処理に用いられるベーパー洗
浄装置を模式的に示した断面図である。
浄装置を模式的に示した断面図である。
１０ チャンバー １８ ノズル ２８ 薬液タンク ３２ 溶媒タンク ２６、３０ 供給管 ２７、３１ バルブ ４１ ノズルヒータ ４２、４４ 供給管ヒータ ４３、４５ バルブヒータ
Claims (3)
- 【請求項１】 チャンバーに薬液と溶媒との混合ベーパ
ーを噴出させるノズルを備え、該ノズルに薬液タンク及
び溶媒タンクがそれぞれ供給管及びバルブを介して接続
されたベーパー洗浄装置において、前記ノズル、前記供
給管及び前記バルブに加熱手段が埋設あるいは外装され
ていることを特徴とするベーパー洗浄装置。 - 【請求項２】 タンク、供給管及びバルブを経てノズル
に至る供給経路順に、次第に温度が高く設定された加熱
手段が配設されていることを特徴とする請求項１記載の
ベーパー洗浄装置。 - 【請求項３】 チャンバーに薬液と溶媒との混合ベーパ
ーを噴出させるノズルを備え、該ノズルに薬液タンク及
び溶媒タンクがそれぞれ供給管及びバルブを介して接続
されたベーパー洗浄装置において、前記供給管の内径断
面積と前記バルブの有効断面積との大きさが略同一に設
定され、前記ノズルの有効断面積が前記２本の供給管の
内径断面積の略和の大きさに設定されていることを特徴
とするベーパー洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34572092A JPH06196469A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | ベーパー洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34572092A JPH06196469A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | ベーパー洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06196469A true JPH06196469A (ja) | 1994-07-15 |
Family
ID=18378511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34572092A Pending JPH06196469A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | ベーパー洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06196469A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6212789B1 (en) | 1998-06-19 | 2001-04-10 | Canon Sales Co., Inc. | Semiconductor device manufacturing system |
| JP2016167568A (ja) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| CN106486341A (zh) * | 2015-09-01 | 2017-03-08 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置 |
| CN113169043A (zh) * | 2018-12-12 | 2021-07-23 | 朗姆研究公司 | 用于处理半导体衬底的方法及设备 |
-
1992
- 1992-12-25 JP JP34572092A patent/JPH06196469A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6212789B1 (en) | 1998-06-19 | 2001-04-10 | Canon Sales Co., Inc. | Semiconductor device manufacturing system |
| JP2016167568A (ja) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| CN106486341A (zh) * | 2015-09-01 | 2017-03-08 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置 |
| CN106486341B (zh) * | 2015-09-01 | 2021-03-05 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置 |
| CN113169043A (zh) * | 2018-12-12 | 2021-07-23 | 朗姆研究公司 | 用于处理半导体衬底的方法及设备 |
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