JP5715981B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Description
10 基板処理装置
12 基板保持部
16 駆動機構
20 ノズル
20A SPM供給部
21 硫酸供給路
21a 硫酸供給部
21c 硫酸流量調節手段(流量調整弁)
21d ヒータ
22 過酸化水素水供給路
22a 過酸化水素水供給部
22c 過酸化水素水流量調節手段(流量調整弁)
23 分岐路
24 選択手段(開閉弁)
200 制御装置
Claims (5)
- 基板の表面に形成されたレジスト膜を、硫酸および過酸化水素水を混合して生成したSPM液を用いて除去する基板処理方法において、
第1温度の硫酸に過酸化水素水を第1の混合比で混合することにより生成したSPM液をノズルから基板に供給する第1工程と、
第1工程の前または後に実行される第2工程であって、第2温度の硫酸に過酸化水素水を第2混合比で混合することにより生成したSPM液をノズルから前記基板に供給する第2工程と、
を備え、
前記レジスト膜は、表面にイオン注入がされた表面硬質層を有するレジスト膜であり、
前記第1工程は前記第2工程の前に実行され、
少なくとも、前記第1温度が前記第2温度より高いか、若しくは前記第1混合比が前記第2混合比より高いことを特徴とする、基板処理方法。 - 前記第1工程で前記表面硬質層を破壊し、前記第2工程で前記表面硬質層が破壊された後のレジスト膜を除去する、請求項1記載の基板処理方法。
- 前記第1工程において硫酸と過酸化水素水とが混合される位置から前記ノズルまでの第1経路長が、前記第2工程において硫酸と過酸化水素水とが混合される位置から前記ノズルまでの第2経路長より短い、請求項1または2記載の基板処理方法。
- 硫酸と過酸化水素水とを混合してなるSPM液を基板に供給することにより、前記基板の表面に形成された表面にイオン注入がされた表面硬質層を有するレジスト膜を除去する基板処理装置において、
基板を水平に保持する基板保持部と、
前記基板保持部を回転させて基板を鉛直軸線周りに回転させる駆動機構と、
前記基板保持部に保持された基板にSPM液を供給するノズルと、
前記ノズルにSPM液を供給するSPM供給部であって、
硫酸供給部によって供給される硫酸を流すための硫酸供給路と、
硫酸を加熱するヒータと、
前記硫酸供給路を流れる硫酸の流量を調節する硫酸流量調節手段と、
過酸化水素水供給部により供給される過酸化水素水を流すための過酸化水素水供給路と、
前記過酸化水素水供給路を流れる過酸化水素水の流量を調節する過酸化水素水流量調節手段と、
前記過酸化水素水供給路から分岐するとともに前記ノズルまでの距離が互いに異なる位置において前記硫酸供給路に接続された複数の分岐路と、
前記複数の分岐路から、前記過酸化水素水供給路から前記硫酸供給路に過酸化水素水を流すための少なくとも1つの分岐路を選択するための選択手段と、
を有するSPM供給部と、
制御装置と、を備え、
前記制御装置は、前記SPM供給部を制御して、一枚の基板に対して、第1温度の硫酸に過酸化水素水を第1の混合比で混合することにより生成したSPM液を前記ノズルから基板に供給し、その後に第2温度の硫酸に過酸化水素水を第2混合比で混合することにより生成したSPM液を前記ノズルから前記基板に供給し、このとき、前記ヒータの設定温度を変化させるか、または、硫酸と過酸化水素水との混合比を変化させることにより、少なくとも、前記第1温度が前記第2温度より高いか、若しくは前記第1混合比が前記第2混合比より高いようにすることを特徴とする基板処理装置。 - 前記制御装置は、一枚の基板の処理中において、前記ヒータの設定温度が変化したか、または、硫酸と過酸化水素水との混合比が変化したときに、前記選択手段により選択される分岐路が変更されるように、前記SPM供給部を制御する、請求項4記載の基板処理装置。
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