JP2016219842A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板の表面に形成されたレジスト膜を、硫酸および過酸化水素水を混合して生成したSPM液を用いて除去する基板処理方法は、第1温度の硫酸に過酸化水素水を第1の混合比で混合することにより生成したSPM液をノズルから基板に供給する第1工程と、第1工程の前または後に実行される第2工程であって、第2温度の硫酸に過酸化水素水を第2混合比で混合することにより生成したSPM液をノズルから前記基板に供給する第2工程と、を備えている。少なくとも、前記第1温度と第2温度とが互いに異なっているか、あるいは前記第1混合比と前記第2混合比が互いに異なっている。
【選択図】図1
Description
リンス液供給機構30Aは、その一端が純水供給源31aに接続されるとともに他端がリンス液ノズル30に接続されたリンス液供給路31を有している。リンス液供給路31には、上流側から順に開閉弁31bおよび流量調整弁31cが介設されている。
これによれば、表面硬質層の除去を短時間で行うことができ、また、フィルムロス等に関する面内均一性を高めることができる。
10 基板処理装置
12 基板保持部
16 駆動機構
20 ノズル
20A SPM供給部
21 硫酸供給路
21a 硫酸供給部
21c 硫酸流量調節手段(流量調整弁)
21d ヒータ
22 過酸化水素水供給路
22a 過酸化水素水供給部
22c 過酸化水素水流量調節手段(流量調整弁)
23 分岐路
24 選択手段(開閉弁)
200 制御装置
Claims (11)
- 基板の表面に形成されたレジスト膜を、硫酸および過酸化水素水を混合して生成したSPM液を用いて除去する基板処理方法において、
第1温度の硫酸に過酸化水素水を第1の混合比で混合することにより生成したSPM液をノズルから基板に供給する第1工程と、
第1工程の前または後に実行される第2工程であって、第2温度の硫酸に過酸化水素水を第2混合比で混合することにより生成したSPM液をノズルから前記基板に供給する第2工程と、
を備え、
少なくとも、前記第1温度と第2温度とが互いに異なっているか、あるいは前記第1混合比と前記第2混合比が互いに異なっていることを特徴とする、基板処理方法。 - 前記第1工程において硫酸と過酸化水素水とが混合される位置から前記ノズルまでの第1経路長が、前記第2工程において硫酸と過酸化水素水とが混合される位置から前記ノズルまでの第2経路長と異なる、請求項1記載の基板処理方法。
- 硫酸と過酸化水素を混合した後に次第に増大してゆくSPM液中のカロ酸濃度がほぼ最大値をとる時点で前記ノズルからSPM液が吐出されるように、前記第1経路長および前記第2経路長がそれぞれ調整される、請求項2記載の基板処理方法。
- 前記第1工程において前記ノズルからSPM液を前記基板の周縁部に向けて吐出させ、前記第2工程において前記ノズルからSPM液を前記基板の中心部に向けて吐出させ、
少なくとも、前記第1温度が前記第2温度より高いか、若しくは前記第1混合比が混合比が前記第2混合比より高い、
請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記第1工程から前記第2工程に移行する際に、前記ノズルがSPM液を吐出しながら移動する、請求項4記載の基板処理方法。
- 前記第1工程において硫酸と過酸化水素水とが混合される位置から前記ノズルまでの第1経路長が、前記第2工程において硫酸と過酸化水素水とが混合される位置から前記ノズルまでの第2経路長より短い、請求項4または5記載の基板処理方法。
- 前記レジスト膜は、表面にイオン注入がされた表面硬質層を有するレジスト膜であり、 前記第1工程は前記第2工程の前に実行され、
少なくとも、前記第1温度が前記第2温度より高いか、若しくは前記第1混合比が混合比が前記第2混合比より高い、
請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記第1工程で前記表面硬質層を破壊し、前記第2工程で前記表面硬質層が破壊された後のレジスト膜を除去する、請求項7記載の基板処理方法。
- 前記第1工程において硫酸と過酸化水素水とが混合される位置から前記ノズルまでの第1経路長が、前記第2工程において硫酸と過酸化水素水とが混合される位置から前記ノズルまでの第2経路長より短い、請求項7または8記載の基板処理方法。
- 硫酸と過酸化水素水とを混合してなるSPM液を基板に供給することにより、前記基板の表面に形成されたレジスト膜を除去する基板処理装置において、
基板を水平に保持する基板保持部と、
前記基板保持部を回転させて基板を鉛直軸線周りに回転させる駆動機構と、
前記基板保持部に保持された基板にSPM液を供給するノズルと、
前記ノズルにSPM液を供給するSPM供給部であって、
硫酸供給部によって供給される硫酸を流すための硫酸供給路と、
硫酸を加熱するヒータと、
前記硫酸供給路を流れる硫酸の流量を調節する硫酸流量調節手段と、
過酸化水素水供給部により供給される過酸化水素水を流すための過酸化水素水供給路と、
前記過酸化水素水供給路を流れる過酸化水素水の流量を調節する過酸化水素水流量調節手段と、
前記過酸化水素水供給路から分岐するとともに前記ノズルまでの距離が互いに異なる位置において前記硫酸供給路に接続された複数の分岐路と、
前記複数の分岐路から、前記過酸化水素水供給路から前記硫酸供給路に過酸化水素水を流すための少なくとも1つの分岐路を選択するための選択手段と、
を有するSPM供給部と、
制御装置と、を備え、
前記制御装置は、一枚の基板の処理中において、前記ヒータの設定温度を変化させるか、または、硫酸と過酸化水素水との混合比を変化させるように、前記SPM供給部を制御することを特徴とする基板処理装置。 - 前記制御装置は、一枚の基板の処理中において、前記ヒータの設定温度が変化したか、または、硫酸と過酸化水素水との混合比が変化したときに、前記選択手段により選択される分岐路が変更されるように、前記SPM供給部を制御する、請求項10記載の基板処理装置。
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