JP5661598B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板を水平に保持した状態で回転させながら基板に処理液を供給することにより所定の液処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。

半導体デバイスの製造工程において、半導体ウエハ等の基板（以下、単に「ウエハ」ともいう）に形成された処理対象膜の上に所定のパターンでレジスト膜が形成され、このレジスト膜をマスクとしてエッチング、イオン注入等の処理が処理対象膜に施されるようになっている。処理後、不要となったレジスト膜はウエハ上から除去される。

レジスト膜の除去方法として、ＳＰＭ処理がよく用いられている。ＳＰＭ処理は、硫酸と過酸化水素水とを混合して得た高温のＳＰＭ（Sulfuric Acid Hydrogen Peroxide Mixture）をレジスト膜に供給することにより行われる。

上記のＳＰＭ処理を行うためのレジスト除去装置の一例が特許文献１に開示されている。特許文献１の装置では、スピンチャックによって保持されて回転するウエハの表面（レジスト膜形成されている面）の中心に、ノズルから既に混合された硫酸および過酸化水素水の混合液、すなわちＳＰＭが供給される。

ウエハの中心にＳＰＭ液を供給した場合、ＳＰＭ液が遠心力によりウエハ中心部から周縁部に流れる過程でウエハがＳＰＭ液から熱を奪うので、ウエハ中心部から遠ざかるほどＳＰＭ液の温度が低くなる傾向にある。また、ウエハの回転により生じる気流により、ウエハ周縁部の近傍ではウエハの温度が低くなる傾向にある。また、硫酸と過酸化水素水との混合反応による発熱は、ＳＰＭ液がウエハ周縁部に到達する頃には小さくなっており、ウエハ周縁部の近傍ではＳＰＭ液の温度が低くなる傾向にある。このため、ＳＰＭ液とレジスト膜の反応速度が、ウエハ中心部で高く、ウエハ周縁部で低くなり、ＳＰＭ処理の面内均一性が確保できない。ウエハ周縁部での十分な反応を確保しようとすると、ウエハ中心部においてレジスト膜の下地膜にダメージを与えるおそれがある。

特開２００７−３５８６６号公報

本発明は、混合すると反応熱を生じる第１処理液と第２処理液の混合液を用いて基板を処理するにあたって、基板温度の面内均一性を高めることができる技術を提供するものである。

本発明は、混合すると反応熱を生じる第１処理液と第２処理液の混合液を用いて基板を処理する基板処理装置において、基板を水平に支持し、回転可能な基板保持部と、前記基板保持部を回転させる回転機構と、基板の中心領域に向けて第１処理液および第２処理液を供給する第１供給部と、前記基板の中心領域を取り囲む環状の周縁領域に向けて第１処理液および第２処理液を供給する第２供給部と、を備え、前記第１供給部には、第１処理液を供給する第１処理液供給管と第２処理液を供給する第２処理液供給管が接続され、前記第２供給部には、第１処理液を供給する第１処理液供給管と第２処理液を供給する第２処理液供給管が接続され、前記第１供給部は、第１処理液と第２処理液との混合液を基板の中心領域に向けて吐出するように構成された中心部吐出口を有しており、前記第２供給部は、基板の周縁領域内の半径方向の異なる位置に向けて第１処理液を吐出する複数の第１吐出口と、基板の周縁領域内の半径方向の異なる位置に向けて第１処理液を吐出する複数の第２吐出口とを有していることを特徴とする基板処理装置を提供する。

また、本発明は、混合すると反応熱を生じる第１処理液と第２処理液の混合液を用いて基板を処理する基板処理方法において、基板を水平姿勢で回転させる基板回転工程と、前記基板の中心領域に向けて、前記第１処理液と前記第２処理液とを混合した後の混合液を供給するとともに、前記中心領域を取り囲む環状の周縁領域に向けて、混合前の前記第１処理液と前記第２処理液とを、これらが前記基板に供給された後に混合されるように別々に供給する処理液供給工程と、を備えたことを特徴とする基板処理方法を提供する。

本発明によれば、基板の半径方向の異なる領域にそれぞれ対応する処理液供給部から処理液を供給しているため、各領域における処理速度を均一化することができ、面内均一性の高い処理を行うことができる。

本発明の実施の形態による液処理装置を含む液処理システムを上方から見た上面図である。 前記液処理装置の側面図である。 図２に示す液処理装置のＡ−Ａ矢視による上面図である。 図２に示す液処理装置のＢ−Ｂ矢視による上面図である。 図２に示す液処理装置における基板保持部およびその周辺に位置する構成要素を示す縦断面図である。 図２に示す液処理装置における天板およびその周辺に位置する構成要素を示す縦断面図である。 図２に示す液処理装置における各ノズルおよび各ノズル支持アームの構成を示す説明図である。 ＳＰＭ液供給用ノズルおよびノズル支持アームの構造を示す長手方向断面図（ａ）および横断方向断面図（ｂ）である。 （ａ）〜（ｄ）は、図２に示す液処理装置により行われるウエハの洗浄処理の一連の工程を順次示す説明図である。 （ｅ）〜（ｈ）は、図２に示す液処理装置により行われるウエハの洗浄処理の一連の工程を順次示す説明図である。 ＳＰＭ液を供給するノズルの他の実施形態を示す概略平面図（ａ）および概略側面図（ｂ）である。 ＳＰＭ液を供給するノズルのさらに他の実施形態を示す概略側面図である。 ＳＰＭ液を供給するノズルのさらに他の実施形態を示す概略側面図である。 ＳＰＭ液を供給するノズルのさらに他の実施形態を示す概略図であって、（ａ）が概略側面図、（ｂ）が概略平面図である。

以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。

まず、本発明による基板処理装置の一実施形態に係る液処理装置を含む液処理システムについて説明する。図１に示すように、液処理システムは、外部から被処理基板としての半導体ウエハ等の基板Ｗ（以下、「ウエハＷ」ともいう）を収容したキャリアを載置するための載置台１０１と、キャリアに収容されたウエハＷを取り出すための搬送アーム１０２と、搬送アーム１０２によって取り出されたウエハＷを載置するための棚ユニット１０３と、棚ユニット１０３に載置されたウエハＷを受け取り、当該ウエハＷを液処理装置１０内に搬送する搬送アーム１０４と、を備えている。図１に示すように、液処理システムには、複数（図示例では４個）の液処理装置１０が設けられている。

次に、液処理装置１０の概略的な構成について説明する。

図２乃至図４に示すように、本実施の形態による液処理装置１０は、ウエハＷが収容され、この収容されたウエハＷの液処理が行われる処理領域すなわちチャンバ２０と、チャンバ２０に隣接して形成された待機領域８０と、を備えている。液処理装置１０の天井部には、チャンバ２０内に清浄空気のダウンフローを形成するファンフィルタユニット（ＦＦＵ）１２が取り付けられている。本実施形態の液処理装置１０では、チャンバ２０および待機領域８０は連通している。図２に示すように、チャンバ２０内には、ウエハＷを水平姿勢で保持して鉛直軸線周りに回転させるための基板保持部２１が設けられており、この基板保持部２１の周囲にはリング状の回転カップ４０が配設されている。回転カップ４０は、ウエハＷの液処理を行う際に当該ウエハＷに供給された後の処理液を受けるために設けられている。基板保持部２１および回転カップ４０の構成の詳細については後に説明する。

図２に示すように、液処理装置１０には、基板保持部２１に保持されたウエハＷに対して上方から処理液を供給するためのノズル（進退ノズル）８２ａおよびこのノズル８２ａを支持ないし担持するノズル支持アーム８２が設けられている。図３に示すように、１つの液処理装置１０には複数（具体的には例えば４つ）のノズル支持アーム８２が設けられており、各ノズル支持アーム８２にそれぞれ１つまたは複数のノズル（８２ａ，１２０，１３０など）が設けられている。図２に示すように、各ノズル支持アーム８２にはアーム支持部８２ｂが設けられており、各アーム支持部８２ｂは図示しない駆動機構によって図２における左右方向に駆動され、これにより、各ノズル支持アーム８２は、付設されたノズル（８２ａ，１２０，１３０など）がウエハＷの上方に位置する進出位置と、ウエハＷの上方から退避した退避位置との間で水平方向に直線運動を行うようになっている（図２および図３における各ノズル支持アーム８２に付けられた矢印を参照）。

図２および図４に示すように、基板保持部２１に保持されたウエハＷを上方から覆うための円形の天板３１が水平方向に移動自在に設けられている。より具体的には、天板３１は、基板保持部２１により保持されたウエハＷを上方から覆う進出位置（図４の実線）と、水平方向において進出位置から退避した位置である退避位置（図４の二点鎖線）との間で往復移動を行うようになっている。天板３１の構成の詳細については後に説明する。

図２および図３に示すように、待機領域８０の底部には、待機領域８０内の雰囲気の排気を行う排気部５８が設けられている。

図３に示すように、液処理装置１０の側壁には、搬送アーム１０４によりチャンバ２０内へウエハＷを搬入したりチャンバ２０からウエハＷを搬出したりするための開口９４ａが設けられており、この開口９４ａには、当該開口９４ａを開閉するためのシャッター９４が設けられている。

次に、図２乃至図４に示すような液処理装置１０の各構成要素の詳細について図５乃至図７を用いて説明する。

まず、基板保持部２１およびその周辺に位置する構成要素を示す縦断面図である図５を参照して、基板保持部２１について説明する。

図５に示すように、基板保持部２１は、ウエハＷを保持するための円板形状の保持プレート２６と、保持プレート２６の上方に設けられた円板形状のリフトピンプレート２２とを備えている。リフトピンプレート２２の上面には、ウエハＷを下方から支持するためのリフトピン２３が周方向に等間隔で３つ（図５では２つのみ表示）設けられている。また、リフトピンプレート２２の下方にはピストン機構２４が周方向に等間隔で３つ（図５では１つのみ表示）設けられており、このピストン機構２４によりリフトピンプレート２２が昇降するようになっている。より具体的には、搬送アーム１０４（図１参照）によりウエハＷをリフトピン２３上に載置したりリフトピン２３上からウエハＷを取り出したりするときには、ピストン機構２４によりリフトピンプレート２２が図５に示すような位置から上方に移動させられ、このリフトピンプレート２２は回転カップ４０よりも上方に位置するようになる。一方、チャンバ２０内でウエハＷの液処理や乾燥処理等を行う際には、ピストン機構２４によりリフトピンプレート２２が図５に示すような下降位置に移動させられ、ウエハＷの周囲に回転カップ４０が位置するようになる。

保持プレート２６には、ウエハＷを側方から支持するための保持部材２５が周方向に等間隔で３つ（図５には２つのみ表示）設けられている。各保持部材２５は、リフトピンプレート２２が上昇位置から図５に示すような下降位置に移動したときにこのリフトピン２３上のウエハＷを側方から支持し、このウエハＷをリフトピン２３からわずかに離間させるようになっている。

リフトピンプレート２２および保持プレート２６の中心部分にはそれぞれ貫通穴が形成されており、これらの貫通穴を通るよう処理液供給管２８が設けられている。この処理液供給管２８は、保持プレート２６の各保持部材２５により保持されたウエハＷの裏面に薬液や純水等の様々な種類の処理液を供給するようになっている。処理液供給管２８はリフトピンプレート２２と連動して昇降するようになっている。処理液供給管２８の上端には、リフトピンプレート２２の貫通穴を塞ぐよう設けられたヘッド部分２８ａが形成されている。処理液供給管２８には処理液供給部２９が接続されており、この処理液供給部２９により処理液供給管２８に様々な種類の処理液（例えば、加熱された純水または常温の純水）が供給されるようになっている。

保持プレート２６には図示しない接続部を介してリング状の回転カップ４０が取り付けられており、回転カップ４０は保持プレート２６と一体的に回転するようになっている。

回転カップ４０の周囲には、ドレインカップ４２および案内カップ４４がそれぞれ設けられている。ドレインカップ４２および案内カップ４４はそれぞれリング状に形成されている。また、ドレインカップ４２および案内カップ４４はそれぞれ上部に開口を有している。ここで、ドレインカップ４２はチャンバ２０内においてその位置が固定されている。一方、案内カップ４４には昇降シリンダ（図示せず）が連結されており、この案内カップ４４は昇降シリンダにより昇降させられるようになっている。

図５に示すように、ドレインカップ４２や案内カップ４４の下方には、第１排出部４６ａおよび第２排出部４６ｂがそれぞれ設けられている。そして、案内カップ４４の上下方向位置に依存して、ウエハＷの液処理を行う際にウエハＷから側方に飛散した処理液が、処理液の種類に基づいて、２つの排出部４６ａ、４６ｂのうちいずれか一つの排出部に選択的に送られるようになっている。具体的には、案内カップ４４が上昇位置（図５に示すような状態）にあるときには、ウエハＷから側方に飛散した所定の処理液、例えば後述するＳＣ−１液が第２排出部４６ｂに送られるようになっている。一方、案内カップ４４が下降位置にあるときには、ウエハＷから側方に飛散した所定の処理液、例えば後述するＳＰＭ液が第１排出部４６ａに送られるようになっている。また、図５に示すように、第１排出部４６ａおよび第２排出部４６ｂには気液分離部４８ａ、４８ｂがそれぞれ接続されている。そして、第１排出部４６ａおよび第２排出部４６ｂにおいて排液のみならず排気も行われるようになっており、図５に示すように、気液分離部４８ａ、４８ｂにおいて第１排出部４６ａおよび第２排出部４６ｂから送られた処理液およびガスが分離されてそれぞれ排液および排気が行われるようになっている。

また、図５に示すように、ドレインカップ４２には、ウエハＷの中心に向かって純水を供給する固定リンスノズル４３が設けられている。この固定リンスノズル４３により、ウエハＷの中心に向かって純水等のリンス液が放物線状に吐出されるようになっている（図５の二点鎖線参照）。なお、後述のように、固定リンスノズル４３は一連の液処理の開始から終了までの間、ウエハＷの表面が乾く可能性があるとき（例えばホットリンス処理からＳＣ−１処理に移行する際に、ノズル支持アームが入れ替わるとき）、それを防止するためにウエハＷ表面に純水を供給する。このため、固定リンスノズル４３は、ある一つのノズル支持アーム８２（例えば８２ｑ）に設けられたある一つのノズル８２ａからの処理液（例えばホットリンス液）の吐出終了の少し前に純水の吐出を開始し、別のノズル支持アーム８２（例えば８２ｒ）に設けられた別のノズルからの処理液（例えばＳＣ−１液）の吐出開始の少し後に純水の吐出を終了する。すなわち、固定リンスノズル４３からの純水の吐出期間の両端は、ノズル支持アーム８２に設けられたノズルからの処理液の吐出期間とオーバーラップしている。このオーバーラップ期間では固定リンスノズル４３からの純水の吐出量を小さくし、それ以外の期間（固定リンスノズル４３だけがウエハＷに液を供給している期間）では固定リンスノズル４３からの純水の吐出量を多くしている。これは、固定リンスノズル４３から放物線を描いてウエハＷ表面に入射した純水がウエハＷ表面で跳ねてウエハＷ周囲へと飛散することを極力防止するためである。

次に、４つのノズル支持アーム８２（８２ｐ〜８２ｓ）のノズル８２ａからそれぞれ吐出される流体の詳細について説明する。

図７（ａ）および図８に示すように、第１のノズル支持アーム８２ｐには硫酸を吐出するための第１ノズル１２０と、過酸化水素水を吐出するための第２ノズル１３０とが組み込まれている。第１のノズル支持アーム８２ｐは、進出位置にあるときに、その先端が、後述するセンターノズルの吐出口からウエハＷに向けて吐出されるＳＰＭ液の流れを妨げないように、ウエハＷの中心位置の真上よりもやや半径方向外側に位置する。第１ノズル１２０は、複数の吐出口１２１を有しており、これら複数の吐出口１２１は、第１のノズル支持アーム８２ｐが進出位置にあるときに、平面視で、ウエハの半径方向に沿って並んでいる。平面視で、隣接する吐出口１２１同士の間の間隔は、半径方向外側にゆくに従って小さくなる。同様に、第２ノズル１３０は、複数の吐出口１３１を有しており、これら複数の吐出口１３１は、第２のノズル支持アーム８２ｐが進出位置にあるときに、平面視で、ウエハＷの半径方向に沿って並んでいる。平面視で、隣接する吐出口１３１同士の間の間隔は、ウエハＷの半径方向外側（すなわち第１のノズル支持アーム８２ｐの基端側）にゆくに従って小さくなる。図示例では、１つの吐出口１２１と１つの吐出口１３１が第１のノズル支持アーム８２ｐの長手方向に関して同じ位置に位置して、対を成している。

第１のノズル支持アーム８２ｐ内を、その長手方向に沿って、硫酸供給路１２２と過酸化水素水供給路１３２とが互いに平行に延びている。各吐出口１２１は硫酸供給路１２２と連通し、各吐出口１３１は過酸化水素水供給路１３２と連通している。硫酸供給路１２２は、第１のノズル支持アーム８２ｐの基端部に接続された管路（この管路には、開閉弁、流量調整弁およびヒータ８３ｄが介設されている）を介して、硫酸供給部８３ｃに接続されている。過酸化水素水供給路１３２は、第１のノズル支持アーム８２ｐの基端部に接続された管路（この管路には、開閉弁および流量調整弁が介設されている）を介して、過酸化水素水供給部８３ｂに接続されている。

硫酸供給部８３ｃおよび過酸化水素水供給部８３ｂからそれぞれ硫酸および過酸化水素水を送り出すことにより、対を成す吐出口１２１および吐出口１３１から、ウエハＷ表面上の同じ位置あるいはウエハＷ表面上の互いに近接した位置に硫酸および過酸化水素水が吐出され、硫酸と過酸化水素水とがウエハ表面上で混合され、ＳＰＭ液が形成される。従って、硫酸と過酸化水素水との混合反応はこれら薬液がウエハ表面に到達した時点あるいはその直後から開始されるので、その分、混合反応による発熱は（硫酸と過酸化水素水とを吐出口から吐出する前に混合する場合と比較して）遅くまで続く。なお、隣接する吐出口１２１同士の間の間隔および隣接する吐出口１３１同士の間の間隔は、ウエハＷの半径方向外側にゆくに従って小さくなり、また、各吐出口１２１の直径は互いに同一であり、かつ各吐出口１３１の直径は互いに同一であるので、ウエハ周縁部に近い位置ほど、硫酸および過酸化水素水の供給量は多くなる。このため、冷えやすいウエハＷ周縁部の温度が他の部分に比べて相対的に低下することを防止ないし抑制することができる。

なお、隣接する吐出口１２１同士の間の間隔および隣接する吐出口１３１同士の間の間隔は、ウエハＷの半径方向外側にゆくに従って徐々に小さくなるものとしたが、これに限定されるものではなく、等間隔で並んだ複数個の吐出口１２１（１３１）のグループを複数設け、各グループにおける隣接する吐出口１２１（１３１）同士の間隔を互いに異ならせてもよい（半径方向外側にあるグループほど隣接する吐出口１２１（１３１）同士の間隔を小さくする）。このようにすれば、図８に示した構成の場合と同様に、ウエハの周縁領域（後述のセンターノズル３２が薬液吐出を受け持つウエハＷの円形の中心領域よりも外側の環状領域）を半径方向外側にある外側領域と半径方向内側にある内側領域とに分割した場合、外側領域への硫酸および過酸化水素水の吐出量が、内側領域への硫酸および過酸化水素水の吐出量よりも多くなる。

図７（ａ）に示すように、第１のノズル支持アーム８２ｐに、乾燥ガスノズル１４０（図１０には図示していない）をさらに組み込むことができる。乾燥ガスノズル１４０には、流量調整弁および開閉弁を介して乾燥ガス供給源１４２（ここではＮ２ガス供給源）が接続されている。乾燥ガスは、例えばＣＤＡ（clean dry air）でもよい。天板３１が進出位置にありウエハＷのＳＰＭ処理が行われているときに、乾燥ガスノズル１４０から乾燥ガス（乾燥したガス）を供給することにより、天板３１とウエハＷとの間の空間の湿度を低減することができる。このような乾燥ガスノズル１４０を設ける場合には、例えば、第１のノズル支持アーム８２ｐの上側部分１４２（図８（ｂ）参照）に、第１のノズル支持アーム８２ｐの長手方向に延びるガス供給路（図示せず）を穿ち、このガス供給路を第１のノズル支持アーム８２ｐの先端側部分の適当な位置で、第１のノズル支持アーム８２ｐの表面に開口させればよい。この場合、ガス供給路には、例えば、流量調整弁および開閉弁を介してＮ２ガス供給部１４１（図７（ａ）参照）を接続することができる。

図７（ｂ）に示すように、４つのノズル支持アーム８２のうち第２のノズル支持アーム８２ｑのノズル８２ａは下向きとなっており、この第２のノズル支持アーム８２ｑのノズル８２ａからはウエハＷにホットリンス処理を施すための純水（ＤＩＷ）等の洗浄液が下方に吐出されるようになっている。より詳細には、第２のノズル支持アーム８２ｑ内にはノズル８２ａに接続された洗浄液供給管８４ａが設けられており、洗浄液供給部８４ｂが流量調整弁および開閉弁を介し、さらに洗浄液を加熱するためのヒータ８４ｃを介して、洗浄液供給管８４ａに接続されている。そして、洗浄液供給部８４ｂから供給された純水等の洗浄液が洗浄液供給管８４ａを介して第２のノズル支持アーム８２ｑのノズル８２ａに送られるようになっている。第２のノズル支持アーム８２ｑが前進位置にある場合、ノズル８２ａはウエハＷの中心の真上に位置する。

図７（ｃ）に示すように、４つのノズル支持アーム８２のうち第３のノズル支持アーム８２ｒのノズル８２ａは下向きとなっており、この第３のノズル支持アーム８２ｒのノズル８２ａからはアンモニア水と過酸化水素水との混合液（以下、「ＳＣ−１液」ともいう）がウエハＷに向かって下方に吐出されるようになっている。より詳細には、第３のノズル支持アーム８２ｒ内にはノズル８２ａに接続された処理液供給管８５ａが設けられており、並列に設けられた過酸化水素水供給部８５ｂおよびアンモニア水供給部８５ｃがそれぞれ流量調整弁および開閉弁を介して処理液供給管８５ａに接続されている。過酸化水素水供給部８５ｂおよびアンモニア水供給部８５ｃから供給された過酸化水素水およびアンモニア水が混合してＳＣ−１液が生成され、このＳＣ−１液が処理液供給管８５ａを介して第３のノズル支持アーム８２ｒのノズル８２ａに送られるようになっている。なお、第３のノズル支持アーム８２ｒのノズル８２ａから吐出されるＳＣ−１液は、第１のノズル支持アーム８２ｐのノズル８２ａから吐出されるＳＰＭ液よりも低温となっており、具体的には例えば８０℃未満となっている。第３のノズル支持アーム８２ｒが前進位置にある場合、ノズル８２ａはウエハＷの中心の真上に位置する。

図７（ｄ）に示すように、４つのノズル支持アーム８２のうち第４のノズル支持アーム８２ｓのノズル８２ａは下向きとなっている。より詳細には、第４のノズル支持アーム８２ｓのノズル８２ａには純水供給管８６ａが接続されており、純水供給管８６ａには純水供給部８６ｂが接続されている。そして、純水供給部８６ｂから純水供給管８６ａを介して供給された純水が下方に吐出されるようになっている。第４のノズル支持アーム８２ｓが前進位置にある場合、ノズル８２ａはウエハＷの中心の真上に位置する。

次に、天板３１およびその周辺に位置する構成要素の詳細の構造について図４および図６を用いて説明する。天板３１は天板保持アーム３５により保持されている。天板保持アーム３５の基端には旋回軸３７が設けられており、天板保持アーム３５は旋回軸３７を中心として回動し、基板保持部２１により保持されたウエハＷを上方から覆う進出位置と、図４の二点鎖線に示すような、水平方向において進出位置から退避した位置である退避位置との間を移動することができる。

天板３１の中央部には、センターノズル３２が設けられている。センターノズル３２の吐出口３２ａは、天板３１が進出位置にあるときに、基板保持部２１により保持されたウエハＷの中心の真上に位置する。センターノズル３２は、その内部に、吐出口３２ａに通じる吐出路３２ｂを有している。吐出路３２ｂには、硫酸供給管３３ａと過酸化水素水供給管３４ａが接続されている。硫酸供給管３３ａには、流量調整弁および開閉弁を介して硫酸供給部３３ｂが接続されている。また、硫酸供給管３３ａには、硫酸を加熱するためのヒータ３３ｃが介設されている。過酸化水素水供給管３４ａには、流量調整弁および開閉弁を介して過酸化水素水供給部３４ｂが接続されている。硫酸供給管３３ａと過酸化水素水供給管３４ａからそれぞれ供給された硫酸および過酸化水素水は、吐出路３２ｂ内で混合された後、吐出口３２ａから混合液すなわちＳＰＭ液として供給される。詳細には、硫酸供給部３３ｂから供給された硫酸は、ヒータ３３ｃにより加熱された後、過酸化水素水と混合され、混合反応により発熱が生じる。このため、センターノズル３２の吐出口３２ａからウエハＷに向かって吐出されるＳＰＭ液の温度は、１００℃以上、好ましくは１７０℃程度の高温となる。なお、図示例においては、センターノズル３２内の吐出路３２ｂ内で硫酸と過酸化水素水を混合しているが、これに限定されるものではなく、センターノズル３２より上流側で硫酸供給管３３ａと過酸化水素水供給管３４ａとを合流させることにより、硫酸と過酸化水素水を混合してもよい。

天板３１に、センターノズル３２に隣接して乾燥ガスノズル３６ａを設けることができる。乾燥ガスノズル３６ａには、流量調整弁および開閉弁を介して乾燥ガス供給源３６ｂ（ここではＮ２ガス供給源）が接続されている。乾燥ガスは、例えばＣＤＡ（clean dry air）でもよい。天板３１が進出位置にありウエハＷのＳＰＭ処理が行われているときに、乾燥ガスノズル３６ａから乾燥ガス（乾燥したガス）を供給することにより、天板３１とウエハＷとの間の空間の湿度を低減することができる。なお、この乾燥ガスノズル３６ａおよび前述した第１のノズル支持アーム８２ｐ内の乾燥ガスノズル１４０は、少なくともいずれか一方が設けられていればよい。

図２および図４に示すように、液処理装置１０の待機領域８０には、天板３１が退避位置に退避したときに当該天板３１を収納する天板収納部３８が設けられている。この天板収納部３８の側方には開口が形成されており、天板３１が進出位置から退避位置に移動したときにこの天板３１は天板収納部３８の側方の開口を介して天板収納部３８内に完全に収納されるようになっている。また、天板収納部３８には排気部３９が設けられており、天板収納部３８内の雰囲気は常に排気部３９により排気されるようになっている。このことにより、ウエハＷの液処理を行う際に天板３１の下面にＳＰＭ液等の処理液の液滴が付着した場合でも、この天板３１が天板収納部３８内に収納されたときにはＳＰＭ液等の処理液の雰囲気は排気部３９により排気されるので、処理液の雰囲気が待機領域８０やチャンバ２０内に流出することはない。天板収納部３８内に、洗浄液を天板３１の下面に噴射して天板３１を洗浄する機構を設けることも好ましい。

図２に示すように、液処理装置１０は、その全体の動作を統括制御するコントローラ２００を有している。コントローラ２００は、液処理装置１０の全ての機能部品（例えば、基板保持部２１、ピストン機構２４、サーボモータ３６等）の動作を制御する。コントローラ２００は、ハードウエアとして例えば汎用コンピュータと、ソフトウエアとして当該コンピュータを動作させるためのプログラム（装置制御プログラムおよび処理レシピ等）とにより実現することができる。ソフトウエアは、コンピュータに固定的に設けられたハードディスクドライブ等の記憶媒体に格納されるか、あるいはＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の着脱可能にコンピュータにセットされる記憶媒体に格納される。このような記憶媒体が図２において参照符号２０１で示されている。プロセッサ２０２は必要に応じて図示しないユーザーインターフェースからの指示等に基づいて所定の処理レシピを記憶媒体２０１から呼び出して実行させ、これによってコントローラ２００の制御の下で液処理装置１０の各機能部品が動作して所定の処理が行われる。コントローラ２００は、図１に示す液処理システム全体を制御するシステムコントローラであってもよい。

次に、上述した液処理装置１０を用いて、ウエハＷの上面にある不要なレジスト膜を除去する洗浄処理の一連の工程について図１０乃至図１２を用いて説明する。以下に示す洗浄処理の一連の工程は、コントローラ２００が液処理装置１０の各機能部品の動作を制御することにより行われる。

まず、図９（ａ）に示すように、天板３１を退避位置に移動させ、この天板３１を天板収納部３８に収納させる。次に、基板保持部２１におけるリフトピンプレート２２および処理液供給管２８を図５に示す位置から上方に移動させ、チャンバ２０の開口９４ａに設けられたシャッター９４を開く。そして、液処理装置１０の外部からウエハＷが搬送アーム１０４により開口９４ａを介してチャンバ２０内に搬入され、このウエハＷがリフトピンプレート２２のリフトピン２３上に載置され、その後、搬送アーム１０４はチャンバ２０から退避する。この際に、各ノズル支持アーム８２はチャンバ２０から退避した退避位置に位置し、待機領域８０で待機している。

次に、リフトピンプレート２２および処理液供給管２８を下方に移動させて図５に示すような下降位置に位置させる。この際に、保持プレート２６に設けられた各保持部材２５が、リフトピン２３上のウエハＷを側方から支持し、このウエハＷをリフトピン２３からわずかに離間させる。

次に、図９（ｂ）に示すように、天板３１を退避位置から進出位置に移動させ、ウエハＷを天板３１によって覆う。

次に、待機領域８０で待機している４つのノズル支持アーム８２のうち第１のノズル支持アーム８２ｐが、ウエハＷの上方に進出する（図９（ｃ）参照）。

次に、基板保持部２１の保持プレート２６およびリフトピンプレート２２を回転させる。これにより、保持プレート２６の保持部材２５により支持されているウエハＷも回転する。そして、ウエハＷが回転した状態で、天板３１に装着されたセンターノズル３２からウエハＷ表面の中心領域に、並びに第１のノズル支持アーム８２ｐの第１のノズル１２０および第２のノズル１３０からウエハＷ表面の周縁領域（中心領域の外側の環状領域を意味する）にＳＰＭ液を供給する。詳細には、硫酸と過酸化水素水が、吐出口３２ａより上流側で混合された後にセンターノズル３２からウエハＷの中心領域に向けて吐出される。従って、ウエハＷの表面に到達した時点では、硫酸と過酸化水素水との混合による反応熱により、ＳＰＭ液の温度は比較的高くなっている（例えば１７０℃以上）。また、第１のノズル支持アーム８２ｐ第１のノズル１２０の吐出口１２１からは８０℃程度に加熱された硫酸がウエハＷ表面の周縁領域に向けて吐出され、また、第２のノズル１３０の吐出口１３１からは常温の過酸化水素水がウエハＷ表面の周縁領域に向けて吐出され、この硫酸および過酸化水素水はウエハ表面上で混合されてＳＰＭ液となる。硫酸および過酸化水素水の混合は、ウエハ表面に到達した時点から開始されるため、混合に伴う発熱はウエハＷに到達した後、比較的長い時間にわたって続く。また、隣接する２つの第１吐出口１２１同士の間隔、並びに隣接する２つの第２吐出口１２２同士の間隔は、第１のノズル支持アーム８２ｐの先端側（ウエハの中央に近い側、すなわち環状領域のうちの内側領域）で広く、基端側（ウエハの周縁に近い側、すなわち環状領域のうちの外側領域）で狭くなっている。このため、ウエハの周縁に近い側で硫酸および過酸化水素水がより多く供給されるので、これらの混合により生じる反応熱量もウエハの周縁に近い側でより多くなる。このため気流より冷えやすいウエハＷの周縁部においても、ウエハＷの中央部と同様にＳＰＭ液とレジスト膜との反応温度が高くなるため、ウエハＷ面内の反応温度が均一化され、均一なＳＰＭ処理を行うことができる。このＳＰＭ処理において、ウエハＷの表面のレジストがＳＰＭ液によって剥離され、ＳＰＭ液とともに剥離されたレジストが、回転するウエハＷの遠心力によって第１排出部４６ａに送られて回収される。具体的には、ウエハＷに対してＳＰＭ処理が行われる際には、案内カップ４４が下降位置に位置するようになっており、従って、ＳＰＭ液および剥離されたレジストは、第１排出部４６ａに送られて回収される。ＳＰＭ処理の間、天板３１とウエハＷとの間に乾燥したガス、例えばＮ２ガスまたはＣＤＡ（クリーンドライエア）を第１のノズル支持アーム８２ｐに設けた乾燥ガスノズル１４０（あるいは天板３１に設けた乾燥ガスノズル３６ａ）から供給することが好ましい。このようにしてウエハＷ表面近傍の空間の湿度を下げることにより、ウエハＷのレジスト膜の下層にＳｉＮ膜が有った場合、望ましくないＳｉＮ膜のフィルムロス（ＳＰＭ液によりエッチングされることによる）を防止ないし抑制することができる。

ウエハＷに対するＳＰＭ処理が終了すると、図９（ｄ）に示すように、第１のノズル支持アーム８２ｐはウエハＷの上方から退避して待機領域８０で待機するようになる。この際に、ウエハＷは回転し続けている。

次に、待機領域８０で待機している４つのノズル支持アーム８２のうち第２のノズル支持アーム８２ｑがウエハＷの上方に進出する（図１０（ｅ）参照）。そして、ウエハＷおよび天板３１が回転した状態で、ウエハＷ上方に進出した第２のノズル支持アーム８２ｑのノズル８２ａからウエハＷの中心に向けて、加熱された純水（例えば、８０℃）を供給する。この際に、ウエハＷの下面（裏面）に向かって処理液供給管２８から加熱された純水を供給する。これにより、ウエハＷに対してホットリンス処理が行われる。

なお、ウエハＷに対するＳＰＭ処理（図９（ｃ）参照）とホットリンス処理（図１０（ｅ）参照）との間には、以下に示すような中間処理工程が行われるようになっている。この中間処理工程は、第１の中間処理工程、振切処理工程、および第２の中間処理工程から構成されている。具体的には、まず、第１の中間処理工程において、ＳＰＭ液の液温未満かつリンス液の液温よりも高い温度の第１の中間処理液をウエハＷの表面に供給する。より詳細には、図７（ａ）に示すような第１のノズル支持アーム８２ｐにおいて、硫酸供給部８３ｃ側の開閉弁を開放状態としたまま過酸化水素水供給部８３ｂ側の開閉弁だけを閉止状態として、ヒータ８３ｄで加熱した硫酸だけを第１のノズル支持アーム８２ｐの第１のノズル１２０の吐出口１２１からウエハＷの表面に向けて所定時間吐出させる。また、センターノズル３２からも同様に加熱した硫酸だけをウエハの表面に向けて所定時間吐出させる。このときに、過酸化水素水が供給されないために、過酸化水素水と硫酸との化学反応が生じず、ウエハＷの表面には、ＳＰＭ液の液温（例えば、１７０℃）未満で、かつ、リンス液（純水）の液温（例えば、８０℃）以上の温度（例えば、１４０℃）の硫酸が供給されることになる。この第１の中間処理工程を行うことで、ウエハＷの温度をＳＰＭ処理における温度からリンス処理における温度へと急激に下降させるのではなく、その中間の温度に徐々に下降させることができる。その結果、ウエハＷの急激な温度変化に伴う熱変形を防止することができる。これにより、ウエハＷを基板保持部２１により良好に保持することができる。

次に、ウエハＷを回転させることで、ウエハＷの表面から硫酸を振り切って除去する振切処理工程を行う。この際に、ＳＰＭ処理および第１の中間処理工程よりも高速でウエハＷを所定時間回転させる。その後、第１の中間処理液（硫酸）の液温未満かつリンス液の液温以上の温度の第２の中間処理液をウエハＷの裏面に供給する第２の中間処理工程を実行する。より詳細には、処理液供給部２９から処理液供給管２８に、第１の中間処理液（硫酸）の液温（例えば、１４０℃）未満かつリンス液の液温（例えば、８０℃）以上の温度（例えば、８０℃）の純水を供給することにより、この処理液供給管２８のヘッド部分２８ａからウエハＷの裏面に８０℃の純水が吐出されるようになる。この第２の中間処理工程を行うことで、ウエハＷの裏面からこのウエハＷの温度をリンス処理における温度近傍へゆるやかに下降させることができる。特に、ウエハＷの裏面に純水を供給しているために、ウエハＷの表面に第１の中間処理液（硫酸）が残留していたとしてもリンス液（純水）との急激な化学反応の発生を抑制することができ、これにより、化学反応に伴う反応生成物の飛散を防止してウエハＷ周辺の空間の汚染を防止することができる。

以上のように、ウエハＷに対するＳＰＭ処理とホットリンス処理との間に、第１の中間処理工程、振切処理工程、および第２の中間処理工程から構成されている中間処理工程を行うことにより、ＳＰＭ液とリンス液（純水）との急激な化学反応の発生を抑制することができ、これにより、化学反応に伴う反応生成物の飛散を防止してウエハ周辺の空間の汚染を防止することができる。

ウエハＷに対するホットリンス処理が終了すると、図１０（ｆ）に示すように、第２のノズル支持アーム８２ｑはウエハＷ上方から退避して待機領域８０で待機するようになる。この際に、ウエハＷは回転し続けている。また、第２のノズル支持アーム８２ｑがウエハＷの上方から退避する前から、固定リンスノズル４３によりウエハＷの中心に向かって純水（例えば、８０℃）が供給されるようになる。固定リンスノズル４３によりウエハＷの表面に液膜が形成されるので、ウエハＷの表面が露出せず、ウエハＷの表面にパーティクルが付着することを防止することができる。

その後、図１０（ｇ）に示すように、天板３１を進出位置から退避位置に移動させ、この天板３１を天板収納部３８に収納させる。ここで、天板収納部３８内の雰囲気は常に排気部３９により排気されるようになっているため、ウエハＷのＳＰＭ処理を行う際に天板３１の下面にＳＰＭ液等の処理液の液滴が付着した場合でも、この天板３１が天板収納部３８内に収納されたときにはＳＰＭ液等の処理液の雰囲気は排気部３９により排気されるので、ＳＰＭ液の雰囲気が待機領域８０やチャンバ２０内に流出することはない。

その後、待機領域８０で待機している４つのノズル支持アーム８２のうち第３のノズル支持アーム８２ｒがウエハＷの上方に進出する（図１０（ｈ）参照）。そして、ウエハＷを回転させたままでウエハＷの上方に進出した第３のノズル支持アーム８２ｒのノズル８２ａからウエハＷの中心に向けてＳＣ−１液を供給する。これによって、ウエハＷの表面に残るレジスト残渣を取り除くことができる。なお、ＳＣ−１液により液処理が行われる際には、案内カップ４４が上昇位置に位置するようになっており、従ってＳＣ−１液およびレジスト残渣は、第２排出部４６ｂに送られて排出される。

ウエハＷに対するＳＣ−１液による液処理が終了すると、第３のノズル支持アーム８２ｒはウエハＷ上方から退避して待機領域８０で待機するようになる（図１０（ｇ）と同じ状態）。この際に、ウエハＷは回転し続けている。その後、待機領域８０で待機している４つのノズル支持アーム８２のうち第４のノズル支持アーム８２ｓがウエハＷの上方に進出する（図１０（ｈ）と同じ状態）。そして、ウエハＷが回転した状態で、ウエハＷ上方に進出した第４のノズル支持アーム８２ｓのノズル８２ａからウエハＷの中心に向けて、常温の純水を供給する。この際に、ウエハＷの下面（裏面）に向かって処理液供給管２８から常温の純水を供給する。このことにより、ウエハＷに対して常温リンス処理が行われる。その後、第４のノズル支持アーム８２ｓを待機領域８０まで退避させ、ウエハＷを高速回転させることにより、ウエハＷの乾燥処理が行われる。

ウエハＷの乾燥処理が終了すると、基板保持部２１におけるリフトピンプレート２２および処理液供給管２８を図５に示す位置から上方に移動させることと、チャンバ２０の開口９４ａに設けられたシャッター９４を開く。そして、開口９４ａを介して液処理装置１０の外部から搬送アーム１０４がチャンバ２０内に入り、リフトピンプレート２２のリフトピン２３上にあるウエハＷが搬送アーム１０４に移載される。その後、搬送アーム１０４により取り出されたウエハＷは液処理装置１０の外部に搬送される。このようにして、一連のウエハＷの液処理が完了する。

上記の実施形態では、センターノズル３２から吐出前に硫酸と過酸化水素水が混合されて反応熱により既に高温になっているＳＰＭ液（硫酸と過酸化水素水との混合液）をウエハＷ表面の中心領域に供給している。このＳＰＭ液は遠心力により半径方向外側に広がる過程においてウエハＷに熱を奪われて冷えてゆくが、この半径方向外側に広がってゆく途中のＳＰＭ液に対して硫酸および過酸化水素水が添加されるように、第１のノズル１２０および第２のノズル１３０から硫酸および過酸化水素水が別々にウエハＷ表面の環状の周縁領域（中心領域より外側の領域）に供給される。添加された新鮮な硫酸および過酸化水素水は混合反応を引き起こすため、半径方向外側に広がってゆくＳＰＭ液の温度が半径方向外側にゆくに従って低下することが回避される。これにより、気流の影響により特に冷えやすいウエハＷ周縁近傍においても、ＳＰＭ液の温度が低下することが防止できる。温度の面内均一化の効果は、処理液が硫酸および過酸化水素水の混合液であるＳＰＭ液の場合に限らず、混合すると反応熱を生じる任意の処理液の組み合わせにおいて達成することができる。例えば、硫酸と硝酸の混合液であるいわゆる「混酸」において基板を処理する場合においても有益である。

また、上記の実施形態においては、ウエハＷ表面の環状の周縁領域（円形の中心領域の外側の領域）のうち、半径方向内側の領域である内側領域よりも、半径方向外側の領域である外側領域において、硫酸および過酸化水素水の供給量が多くなっている。これにより、気流の影響により特に冷えやすいウエハＷ周縁近傍におけるＳＰＭ液の温度低下をより確実に防止することができる。

また、上記の実施形態においては、ウエハＷの上方でウエハＷに対向するように天板３１を配置した状態でＳＰＭ処理が行われるため、ウエハＷ全体の温度低下を防止することができ、より効率良くＳＰＭ処理を行うことができる。

なお、本実施の形態による液処理装置は、上記の態様に限定されるものではなく、様々の変更を加えることができる。

例えば、図６に破線で示すように、天板３１のウエハＷの周縁部に対向する位置に、ウエハの周縁部を加熱する加熱機構１５０を設けてもよい。加熱機構１５０は、例えばＬＥＤランプにより構成することができる。ＬＥＤランプとして、ウエハＷを加熱するために適した波長、具体的には例えば８８０ｎｍの波長の光を放射するものを用いることが好ましい。この場合、天板３１は、８８０ｎｍの波長の光を良く透過する材料であってＳＰＭによる腐食に耐えうる材料、例えば、石英またはテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）から構成することができる。

上記実施形態においては、ＳＰＭ液を供給するためのノズル（第１のノズル１２０および第２のノズル１３０）を第１のノズル支持アーム８２ｐに設けたが、これに限定されない。

例えば、図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、第５のノズル支持アーム８２ｔを追加して、第１のノズル支持アーム８２ｐに設けられるとともにウエハＷ半径方向に並んだ複数の吐出口を有する第１のノズル１２４（硫酸供給用ノズル）および複数の吐出口を有する第２のノズル１３４（過酸化水素水供給用ノズル）にウエハＷ表面の周縁領域のうちの内側領域（図１３（ｂ）の領域Ｐｉ）へのＳＰＭ液の供給を受け持たせ、第５のノズル支持アーム８２ｔに設けられるとともにウエハＷ半径方向に並んだ複数の吐出口を有する第１のノズル１２５（硫酸供給用ノズル）およびウエハＷ半径方向に並んだ複数の吐出口を有する第２のノズル１３５（過酸化水素水供給用ノズル）にウエハＷ表面の周縁領域のうちの外側領域（図１１（ｂ）の領域Ｐｏ）へのＳＰＭ液の供給を受け持たせてもよい。この場合、ウエハＷ表面の中心領域（図１１（ｂ）の領域Ｃ）へのＳＰＭ液の供給は、上記の実施形態と同様に天板３１に設けたセンターノズル３２により行う。なお、図１１（ｂ）では、図面作成の便宜上、第１のノズル支持アーム８２ｐと第５のノズル支持アーム８２ｔとが異なる高さに位置しているように表示されているが、実際には同じ高さに位置している。第１のノズル支持アーム８２ｐの第１のノズル１２４および第２のノズル１３４への硫酸および過酸化水素水の供給と、第５のノズル支持アーム８２ｔの第１のノズル１２５および第２のノズル１３５への硫酸および過酸化水素水の供給とは別々の薬液供給機構を用いて互いに独立して制御することができるようになっている。従って、ウエハＷ表面の周縁領域の外側領域Ｐｏと内側領域Ｐｉに供給されるＳＰＭ液（硫酸および過酸化水素水）の流量の比率を自在に調整することができ、言い換えれば流量のゾーン制御を行うことができ、これにより、温度の面内均一性を高めるような調整が容易となる。また、ウエハＷ半径方向に関する第１のノズル支持アーム８２ｐと第５のノズル支持アーム８２ｔの相対的位置関係を調整することが可能となるので、この点からも、温度の面内均一性を高めるような調整が容易となる。なお、この場合も、図１〜図１０に示した実施形態と同様に、ウエハＷ表面の周縁領域の内側領域Ｐｉへの硫酸および過酸化水素水の供給流量よりも、外側領域Ｐｏへの供給流量を多くすることが好ましい。

また例えば、図１２に示すように、第１のノズル支持アーム８２ｐの先端側にウエハＷ半径方向に並んだ複数の吐出口を有する第１の先端側ノズル１２６（硫酸供給用ノズル）およびウエハＷ半径方向に並んだ複数の吐出口を有する第２の先端側ノズル１３６（過酸化水素水供給用ノズル）を設け、基端側にウエハＷ半径方向に並んだ複数の吐出口を有する第１の先端側ノズル１２７（硫酸供給用ノズル）およびウエハＷ半径方向に並んだ複数の吐出口を有する第２の先端側ノズル１３７（過酸化水素水供給用ノズル）を設けることができる。各ノズル１２６、１２７、１３６、１３７には別々の薬液供給機構により薬液（硫酸または過酸化水素水）が供給され、各ノズル１２６、１２７、１３６、１３７への薬液供給流量の比率を自在に調整することができ、図１３に示す実施形態と同様にゾーン制御を行うことができる。これにより、温度の面内均一性を高めるような調整が容易となる。

また例えば、先に説明した実施形態において天板３１に設けていたセンターノズル３２を廃して、ウエハＷの中心領域Ｃに（吐出前に混合された）硫酸および過酸化水素水の混合液（ＳＰＭ液）を供給するノズル（以下、センターノズル２００と称する）をノズル支持アーム８２に設けることができる。ＳＰＭ処理時には、このセンターノズル２００と、ウエハＷの周縁領域Ｐｉ，Ｐoに硫酸および過酸化水素水を混合せずに別々に吐出するノズル（第１ノズル１２０、第２ノズル１３０）とが同時にウエハＷに薬液を供給する。このような変形実施形態について、図１３および図１４を参照して、図１〜図１０に示した実施形態との相違点を中心に説明する。図１３および図１４において、図１〜図１０に示した構成要素と同じ構成要素については同一符号を付して重複説明は省略する。また、図１３および図１４において、天板３１の表示は省略しており、また、ノズル支持アーム８２内に設けることができる乾燥ノズル１４０（図７（ａ）参照）の記載は省略している。

図１３（ａ）、（ｂ）に示す変形実施形態においては、ウエハＷの周縁領域Ｐｉ，Ｐoに硫酸および過酸化水素水を混合せずに別々に吐出するノズル（第１ノズル１２０、第２ノズル１３０）が設けられたノズル支持アーム８２（８２ｐ）に、ウエハＷの中心領域ＣへのＳＰＭ液（吐出口から吐出される前に硫酸および過酸化水素水が混合されたもの）の吐出を行うノズル（センターノズル）２００を設けている。図１３（ａ）に示す変形実施形態においては、硫酸および過酸化水素水を混合せずに別々に吐出するノズルである第１ノズル１２０および第２ノズル１３０のための薬液供給機構と同じ薬液供給機構を用いて、センターノズル２００への硫酸および過酸化水素水の供給を行っている。具体的には、第１ノズル１２０の吐出口１２１および第２ノズルの吐出口１３１に硫酸および過酸化水素水をそれぞれ供給するためにノズル支持アーム８２（８２ｐ）内を長手方向に延びる硫酸供給路１２２および過酸化水素水供給路１３２に、センターノズル２００の吐出口２０１が接続されている。図１３（ｂ）に示す変形実施形態においては、センターノズル２００に硫酸および過酸化水素水を供給するための薬液供給機構を、第１ノズル１２０および第２ノズル１３０に硫酸および過酸化水素水を供給するための薬液供給機構と別個に設けている。この場合には、硫酸供給路１２２および過酸化水素水供給路１３２とは別の薬液供給路がノズル支持アーム８２（８２ｐ）内に設けられる。なお、図１３（ｂ）では、センターノズル２００に供給される硫酸と過酸化水素水は混合された後、ノズル支持アーム８２に設けられた１つの供給路内に導入され、この１つの供給路に接続された吐出口２０１から供給されるようになっているが、これに限定されるものではなく、ノズル支持アーム８２内に硫酸供給路および過酸化水素水供給路を設けて、これらの供給路をノズル支持アーム８２内で合流させた後に、吐出口２０１に接続するようにしてもよい。

図１４（ａ）（ｂ）に示す変形実施形態においては、図７（ａ）および図８に示した第１ノズル１２０および第２ノズル１３０を具備したノズル支持アーム８２ｐがそのまま用いられ、これに加えてセンターノズル２００のみを担持するノズル支持アーム８２ｔ’が用いられる。ノズル支持アーム８２ｔ’は進出位置にあるとき、センターノズル２００の吐出口２０１がウエハＷの中心Ｏｗの真上に位置するように構成される。

なお、図１３および図１４の変形実施形態においても、他の実施形態と同様に、ウエハＷ表面の環状の周縁領域（円形の中心領域Ｃの外側の領域）のうち、半径方向内側の領域である内側領域Ｐｉよりも、半径方向外側の領域である外側領域Ｐｏにおいて、硫酸および過酸化水素水の供給量が多くなるように各ノズルは構成されている。

２１ 基板保持部
３１ 天板
３２、２００ センターノズル（第１供給部）
１２０、１２４、１２５、１２６、１２７ 第１のノズル（第２供給部）
１３０、１３４、１３５、１３６、１３７ 第２のノズル（第２供給部）
１５０ 加熱機構（ＬＥＤランプ）

Claims (14)

1. 混合すると反応熱を生じる第１処理液と第２処理液の混合液を用いて基板を処理する基板処理装置において、
   基板を水平に支持し、回転可能な基板保持部と、
   前記基板保持部を回転させる回転機構と、
   基板の中心領域に向けて第１処理液および第２処理液を供給する第１供給部と、
   前記基板の中心領域を取り囲む環状の周縁領域に向けて第１処理液および第２処理液を供給する第２供給部と、
   を備え、
   前記第１供給部には、第１処理液を供給する第１処理液供給管と第２処理液を供給する第２処理液供給管が接続され、
   前記第２供給部には、第１処理液を供給する第１処理液供給管と第２処理液を供給する第２処理液供給管が接続され、
   前記第１供給部は、第１処理液と第２処理液との混合液を基板の中心領域に向けて吐出するように構成された中心部吐出口を有しており、
   前記第２供給部は、基板の周縁領域内の半径方向の異なる位置に向けて第１処理液を吐出する複数の第１吐出口と、基板の周縁領域内の半径方向の異なる位置に向けて第２処理液を吐出する複数の第２吐出口とを有しており、
   基板の処理を行う際に、前記第１供給部及び前記第２供給部の両方から第１処理液及び第２処理液の両方を供給することを特徴とする基板処理装置。
2. 前記第２供給部は、前記基板の周縁領域を半径方向外側にある外側領域と半径方向内側にある内側領域とに分割した場合、前記外側領域への第１処理液および第２処理液の吐出量が、前記内側領域への第１処理液および第２処理液の吐出量よりも多くなるように構成されるか、あるいは制御されることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 基板が処理されているときに、基板の上方で基板に対向する位置に位置する天板を設けたことを特徴とする、請求項１または２に記載の基板処理装置。
4. 前記天板の基板周縁部に対応する位置に加熱機構を設けたことを特徴とする、請求項３に記載の基板処理装置。
5. 前記加熱機構はＬＥＤランプからなることを特徴とする、請求項４に記載の基板処理装置。
6. 前記天板と基板との間に乾燥したガスを導入する乾燥ガス導入口を設けたことを特徴とする、請求項３から５のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
7. 前記第１の処理液は硫酸であり、前記第２の処理液は過酸化水素水であることを特徴とする、請求項１から６のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
8. 混合すると反応熱を生じる第１処理液と第２処理液の混合液を用いて基板を処理する基板処理方法において、
   基板を水平姿勢で回転させる基板回転工程と、
   前記基板の中心領域に向けて、前記第１処理液と前記第２処理液とを混合した後の混合液を供給するとともに、この混合液を供給しているときに、前記中心領域を取り囲む環状の周縁領域に向けて、混合前の前記第１処理液と前記第２処理液とを、これらが前記基板に供給された後に混合されるように別々に供給する処理液供給工程と、
   を備えたことを特徴とする基板処理方法。
9. 前記処理液供給工程において、前記基板の周縁領域を半径方向外側にある外側領域と半径方向内側にある内側領域とに分割した場合、前記外側領域に向けた第１処理液および第２処理液の供給量が、前記内側領域に向けた第１処理液および第２処理液の供給量よりも多くなるように、前記第１および第２処理液が供給されることを特徴とする、請求項８に記載の基板処理方法。
10. 前記混合液により前記基板が処理されているときに、前記基板の上方で前記基板に対向する位置に天板を配置することを特徴とする、請求項８または９に記載の基板処理方法。
11. 前記混合液により前記基板が処理されているときに、加熱機構を用いて、前記天板の基板周縁部に対応する位置を加熱することを特徴とする、請求項１０に記載の基板処理方法。
12. 前記加熱機構はＬＥＤランプからなることを特徴とする、請求項１１に記載の基板処理方法。
13. 前記混合液により前記基板が処理されているときに、前記天板と基板との間に乾燥したガスを導入することを特徴とする、請求項１０から１２のうちのいずれか一項に記載の基板処理方法。
14. 前記第１の処理液は硫酸であり、前記第２の処理液は過酸化水素水であることを特徴とする、請求項８から１３のうちのいずれか一項に記載の基板処理方法。

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