JP2019057677A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
<基板処理装置>
図1は、基板処理装置1の構成の一例を概略的に示す図である。基板処理装置1は、基板Wの表面に処理液を供給して、当該処理液に基づく処理を基板Wに対して行う装置である。この基板処理装置1は基板保持部10と第1液供給部20と第2液供給部30と混合液供給部40と制御部50とを備えている。なお、基板処理装置1は不図示の筐体(チャンバ)も備えている。この筐体には、不図示のシャッタが設けられており、当該シャッタが開いているときに、この開いたシャッタを介して基板Wが筐体の外部から筐体の内部へと搬入されたり、あるいは、筐体の内部の基板Wが筐体の外部へと搬出されたりする。
図2は、基板処理装置1の動作の一例を示すフローチャートである。ステップS1にて、表面にレジストが形成された基板Wを配置する。具体的には、制御部50がノズル移動機構44,65を制御して、ノズル43,64をそれぞれの待機位置で停止させている状態で、筐体のシャッタを開く。そして、不図示の搬送ロボットが、基板Wを載置したハンドを基板処理装置1(筐体)の内部に進入させることにより、基板Wを基板保持部10の上に受け渡す。その後、搬送ロボットが空のハンドを基板処理装置1から引き抜く。これにより、基板Wが基板保持部10によって保持される。
上述の例では、制御部50が過酸化水素水を一旦停止(中断)することにより、混合液と過酸化水素水との境界部において気体層を形成した。しかしながら、気体層の形成のために、必ずしも過酸化水素水の供給を中断する必要は無い。
第1の実施の形態においては、硫酸と過酸化水素水との化学反応に起因して生じる気体を利用して、過酸化水素水と混合液との境界部に気体層を形成した。第2の実施の形態では、この気体とは別の気体を別途に混合液供給部40に供給することにより、気体層を形成することを企図する。
制御部50は、開閉弁73を開いている期間(つまり気体供給期間:ステップS51B)において、過酸化水素水の流量を低減してもよい。具体的には、制御部50は開閉弁23の閉止と同時あるいはその直後に、流量調整部34を制御して過酸化水素水の流量を低減させてもよい。これによれば、過酸化水素水による境界部への押圧が抑制されるので、気体供給部70から供給される気体が境界部でまとまりやすく、気体層を形成しやすい。
上述の例では、第1液として硫酸を採用し、第2液として過酸化水素水を採用した。しかしながら、第1液と第2液との組み合わせはこれに限らない。例えば第1液および第2液の組み合わせとして、リン酸および水の組み合わせ(この場合、混合液は熱リン酸)を採用できる。この場合、基板処理装置1は熱リン酸を基板Wの表面に供給して、基板Wの表面をエッチングすることができる。第1液および第2液の組み合わせとしては、硫酸およびオゾン水の組み合わせ(この場合、混合液は硫酸オゾン(硫酸にオゾンガスを溶解させて生成した液体))を採用することもできる。この場合、基板処理装置1は硫酸オゾン水を基板Wの表面に供給して基板Wの表面を洗浄することができる。
10 基板保持手段(基板保持部)
22 第1液供給配管
23,33 開閉手段(開閉弁)
32 第2液供給配管
40 混合液供給手段(混合液供給部)
41 混合部
43 ノズル
43a 吐出口
70 気体供給配手段(気体供給部)
S1,S3〜S6 工程(ステップ)
Claims (8)
- 基板を処理する基板処理方法であって、
硫酸と過酸化水素水との混合液を、配管を介してノズルから基板へ向けて吐出する第1工程と、
前記第1工程の後に、過酸化水素水を、前記配管を介して前記ノズルから基板へ向けて吐出する第2工程と
を備え、
前記第1工程は、
(A)前記混合液を前記配管に導入開始する混合液導入開始工程と、
(B)(A)の後に、前記硫酸の前記配管への導入停止する混合液導入停止工程と、
(C)前記混合液と前記過酸化水素水との境界部に気体層を形成する気体層形成工程と、
(D)(B)と同時またはその直後に、前記配管へ導入する前記過酸化水素水の流量を低下させ又は流量をゼロとする緩和工程と
を含む、基板処理方法。 - 請求項1に記載の基板処理方法であって、
(D)において、前記過酸化水素水の流量を中断期間に亘ってゼロとし、
前記中断期間は、前記基板の表面に、液体によって覆われていない液切れ領域が生じない程度の時間に設定される、基板処理方法。 - 基板を処理する基板処理方法であって、
硫酸と過酸化水素水との混合液を、配管を介してノズルから基板へ向けて吐出する第1工程と、
前記第1工程の後に、過酸化水素水を、前記配管を介して前記ノズルから基板へ向けて吐出する第2工程と
を備え、
前記第1工程は、
(A)前記混合液を前記配管に導入開始する混合液導入開始工程と、
(B)(A)の後に、前記硫酸の前記配管への導入停止する混合液導入停止工程と、
(C)(B)と同時またはその直後に、前記配管へ気体を導入して、前記混合液と前記過酸化水素水との境界部に気体層を形成する気体層形成工程と
を含む、基板処理方法。 - 請求項3に記載の基板処理方法であって、
前記第1工程は、
(D)(B)と同時またはその直後に、前記配管へ導入する前記過酸化水素水の流量を低下させ又は流量をゼロとする緩和工程を更に含む、基板処理方法。 - 請求項3または請求項4に記載の基板処理方法であって、
前記気体は不活性ガスである、基板処理方法。 - 請求項1から請求項5のいずれか一つに記載の基板処理方法であって、
前記混合液において、前記硫酸の体積が前記過酸化水素水の体積よりも大きい混合比で前記硫酸と前記過酸化水素水とが混合されている、基板処理方法。 - 基板を保持する基板保持手段と、
硫酸を供給する第1液供給手段と、
過酸化水素水を可変の流量で供給する第2液供給手段と、
前記第1液供給手段および前記第2液供給手段からそれぞれ導入された前記硫酸および前記過酸化水素水の混合液が流れる配管と、前記配管からの前記混合液を前記基板の表面に吐出するノズルとを有する第3液供給手段と、
前記第1液供給手段および前記第2液供給手段にそれぞれ前記硫酸および前記過酸化水素水を供給させて前記基板に前記混合液を吐出した後に、前記第1液供給手段に前記硫酸の供給を停止させ、前記混合液と前記過酸化水素水との境界部に気体層を形成し、前記硫酸の供給の停止と同時又はその直後において前記第2液供給手段に前記過酸化水素水の流量を低下またはゼロにさせる制御手段と
を備える、基板処理装置。 - 基板を保持する基板保持手段と、
硫酸を供給する第1液供給手段と、
過酸化水素水を可変の流量で供給する第2液供給手段と、
前記第1液供給手段および前記第2液供給手段からそれぞれ導入された前記硫酸および前記過酸化水素水の混合液が流れる配管と、前記配管からの前記混合液を前記基板の表面に吐出するノズルとを有する第3液供給手段と、
前記配管内に気体を供給する気体供給手段と、
前記第1液供給手段および前記第2液供給手段にそれぞれ前記硫酸および前記過酸化水素水を供給させて前記基板に前記混合液を吐出した後に、前記第1液供給手段に前記硫酸の供給を停止させ、前記硫酸の供給の停止と同時又はその直後において前記気体供給手段に前記配管内に気体を供給させて前記混合液と前記過酸化水素水の境界部に気体層を形成する制御手段と
を備える、基板処理装置。
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