JP6002262B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
基板処理方法および基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6002262B2 JP6002262B2 JP2015050676A JP2015050676A JP6002262B2 JP 6002262 B2 JP6002262 B2 JP 6002262B2 JP 2015050676 A JP2015050676 A JP 2015050676A JP 2015050676 A JP2015050676 A JP 2015050676A JP 6002262 B2 JP6002262 B2 JP 6002262B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sulfuric acid
- hydrogen peroxide
- spm
- substrate
- nozzle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 66
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 7
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 152
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 68
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 65
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 37
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 20
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 6
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- MHSVJXJTONHWLL-VEDIPHOLSA-N (3e,5r)-5-methyl-3-(oxolan-2-ylidene)oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1[C@@H](C)OC(=O)\C1=C/1OCCC\1 MHSVJXJTONHWLL-VEDIPHOLSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;sulfuric acid Chemical compound OO.OS(O)(=O)=O XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
リンス液供給機構30Aは、その一端が純水供給源31aに接続されるとともに他端がリンス液ノズル30に接続されたリンス液供給路31を有している。リンス液供給路31には、上流側から順に開閉弁31bおよび流量調整弁31cが介設されている。
これによれば、表面硬質層の除去を短時間で行うことができ、また、フィルムロス等に関する面内均一性を高めることができる。
10 基板処理装置
12 基板保持部
16 駆動機構
20 ノズル
20A SPM供給部
21 硫酸供給路
21a 硫酸供給部
21c 硫酸流量調節手段(流量調整弁)
21d ヒータ
22 過酸化水素水供給路
22a 過酸化水素水供給部
22c 過酸化水素水流量調節手段(流量調整弁)
23 分岐路
24 選択手段(開閉弁)
200 制御装置
Claims (4)
- 基板の表面に形成されたレジスト膜を、硫酸および過酸化水素水を混合して生成したSPM液を用いて除去する基板処理方法において、
第1温度のSPM液をノズルから基板に供給する第1工程と、
前記第1工程の後に実行される、前記第1温度より低い第2温度のSPM液をノズルから前記基板に供給する第2工程と、
を備え、
前記第1工程において硫酸と過酸化水素水とが混合される位置から前記ノズルまでの第1経路長が、前記第2工程において硫酸と過酸化水素水とが混合される位置から前記ノズルまでの第2経路長より短いことを特徴とする、基板処理方法。 - 硫酸と過酸化水素を混合した後に次第に増大してゆくSPM液中のカロ酸濃度がほぼ最大値をとる時点で前記ノズルからSPM液が吐出されるように、前記第1経路長および前記第2経路長がそれぞれ調整される、請求項1記載の基板処理方法。
- 前記レジスト膜は、表面にイオン注入がされた表面硬質層を有するレジスト膜であり、
前記第1工程は前記第2工程の前に実行され、
前記第1工程で前記表面硬質層を破壊し、前記第2工程で前記表面硬質層が破壊された後のレジスト膜を除去する、請求項2記載の基板処理方法。 - 硫酸と過酸化水素水とを混合してなるSPM液を基板に供給することにより、前記基板の表面に形成されたレジスト膜を除去する基板処理装置において、
基板を水平に保持する基板保持部と、
前記基板保持部を回転させて基板を鉛直軸線周りに回転させる駆動機構と、
前記基板保持部に保持された基板にSPM液を供給するノズルと、
前記ノズルにSPM液を供給するSPM供給部であって、
硫酸供給部によって供給される硫酸を流すための硫酸供給路と、
過酸化水素水供給部により供給される過酸化水素水を流すための過酸化水素水供給路と、
前記過酸化水素水供給路から分岐するとともに前記ノズルまでの距離が互いに異なる位置において前記硫酸供給路に接続された複数の分岐路と、
前記複数の分岐路から、前記過酸化水素水供給路から前記硫酸供給路に過酸化水素水を流すための少なくとも1つの分岐路を選択するための選択手段と、
を有するSPM供給部と、
制御装置と、を備え、
前記制御装置は、一枚の基板に対して、第1温度のSPM液を前記ノズルから供給する第1工程と、その後に実行される、前記第1温度より低い第2温度のSPM液をノズルから供給する第2工程とを、実行させ、前記SPM供給部を制御して、前記第1工程と前記第2工程とで前記選択手段により選択される分岐路を変更させ、前記第1工程において硫酸と過酸化水素水とが混合される位置から前記ノズルまでの第1経路長が、前記第2工程において硫酸と過酸化水素水とが混合される位置から前記ノズルまでの第2経路長より短い、ことを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015050676A JP6002262B2 (ja) | 2015-03-13 | 2015-03-13 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015050676A JP6002262B2 (ja) | 2015-03-13 | 2015-03-13 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012074263A Division JP5715981B2 (ja) | 2012-03-28 | 2012-03-28 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016171118A Division JP6290338B2 (ja) | 2016-09-01 | 2016-09-01 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015135984A JP2015135984A (ja) | 2015-07-27 |
JP6002262B2 true JP6002262B2 (ja) | 2016-10-05 |
Family
ID=53767597
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015050676A Active JP6002262B2 (ja) | 2015-03-13 | 2015-03-13 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6002262B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016219842A (ja) * | 2016-09-01 | 2016-12-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6808423B2 (ja) * | 2016-09-28 | 2021-01-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および処理液供給方法 |
US20180366354A1 (en) * | 2017-06-19 | 2018-12-20 | Applied Materials, Inc. | In-situ semiconductor processing chamber temperature apparatus |
CN116759348B (zh) * | 2023-08-18 | 2023-11-14 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 补充h2o2液体的控制方法、其控制装置和其控制系统 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4475705B2 (ja) * | 1999-09-27 | 2010-06-09 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板の処理方法及びその装置 |
JP2005228790A (ja) * | 2004-02-10 | 2005-08-25 | Mitsubishi Electric Corp | レジスト除去方法およびレジスト除去装置ならびに半導体ウエハ |
JP4799084B2 (ja) * | 2005-09-01 | 2011-10-19 | ソニー株式会社 | レジスト剥離方法およびレジスト剥離装置 |
JP4413880B2 (ja) * | 2006-03-17 | 2010-02-10 | パナソニック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2007266497A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Kurita Water Ind Ltd | 半導体基板洗浄システム |
JP2008246319A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2010225789A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2011228438A (ja) * | 2010-04-19 | 2011-11-10 | Panasonic Corp | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 |
JP5715981B2 (ja) * | 2012-03-28 | 2015-05-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
-
2015
- 2015-03-13 JP JP2015050676A patent/JP6002262B2/ja active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016219842A (ja) * | 2016-09-01 | 2016-12-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015135984A (ja) | 2015-07-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5715981B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
KR102541745B1 (ko) | 습식 에칭 방법, 기판 액처리 장치 및 기억 매체 | |
JP5885989B2 (ja) | 液処理装置、液処理方法および記憶媒体 | |
JP6002262B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
TWI631996B (zh) | Substrate processing method and substrate processing device | |
JP2006108304A (ja) | 基板処理装置 | |
JP5837787B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2006344907A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP6914111B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理システムの制御装置 | |
JP2011129651A (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、および、プログラム | |
JP2008258437A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
US20150323250A1 (en) | Substrate processing apparatus, deposit removing method of substrate processing apparatus and recording medium | |
KR20180054598A (ko) | 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체 | |
JP6290338B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP4439956B2 (ja) | レジスト剥離方法およびレジスト剥離装置 | |
JP2016063093A (ja) | 基板液処理装置および基板液処理方法 | |
JP2012129496A (ja) | 液処理方法、その液処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び液処理装置 | |
JP2005268308A (ja) | レジスト剥離方法およびレジスト剥離装置 | |
JP5208586B2 (ja) | 基板処理方法 | |
JP2004172493A (ja) | レジスト剥離方法およびレジスト剥離装置 | |
JP6993151B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP5813551B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
WO2016152371A1 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2013110324A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2004303967A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A132 Effective date: 20160219 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160407 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160805 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160902 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6002262 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |