JP5813551B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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次に、駆動機構16によりウエハWを回転させる。この状態で、二流体供給機構30AおよびSPM供給機構40Aを動作させ、図3に示すように、DIW/N2二流体を吐出口31から吐出させ、SPM液を吐出口41から吐出させる。DIW/N2二流体とSPM液はウエハWに到達する前に混合され、この混合流体によりウエハW表面の不要なレジスト膜が剥離される。剥離されたレジスト膜は遠心力によりウエハの外方に向かって流れるSPM液およびDIWを混合してなる混合液体と一緒に、ウエハWの外方に流出する。このSPM/二流体洗浄処理の詳細については後述する。
上記のSPM/二流体洗浄処理を所定時間実行した後、ウエハWの回転を継続しつつ、吐出口41からのSPM液の吐出を停止する一方で、吐出口31からのDIW/N2二流体の吐出を継続し、二流体リンス処理を行う。DIW/N2二流体の物理的エネルギーにより、ウエハW表面上に残留しているSPM液、レジスト残渣、反応生成物等が、ウエハW表面から除去されるとともに、遠心力によりウエハの外方に向かって流れるDIWと一緒にウエハWの外方に流出する。なお、DIW/N2二流体は加熱されているため、ウエハWが比較的高温となるSPM/二流体洗浄処理の直後に常温DIWによりリンス処理を行う場合に比べて、ウエハWの熱衝撃を低減することができ、ウエハの反りを防止することができる。
二流体リンス処理を所定時間行った後、ウエハWの回転を継続したまま、吐出口31からのDIW/N2二流体の吐出を停止するとともに、第3ノズル50の吐出口51から、ウエハWの中心部に向けて常温の純水を供給し、DIWリンス処理を行う。これにより、ウエハW表面上に残留している不要な物質がほぼ完全に洗い流される。
DIWリンス処理を所定時間行った後、吐出口51からのDIWの吐出を停止し、ウエハWの回転速度を増し、ウエハW表面上にあるDIWを振り切って、ウエハWを乾燥させる。以上により1枚のウエハWに対する一連の液処理が終了する。その後、前述したウエハ搬入と逆の手順により、処理済みのウエハWが基板処理装置10から搬出される。
・硫酸に対する過酸化水素水の混合比が、流量比(体積比)で、硫酸:過酸化水素水=10:1より小さい(例えば10:1〜20:1)。
・ウエハWに供給されるSPM液流量が1L/min(リットル/分)、或いはそれ以下。
・DIW混合直前におけるSPM液温度が100℃〜180℃(過酸化水素水と混合する前の硫酸温度は例えば140〜150℃)
・DIW流量が100ml/min(ミリリットル/分)、或いはそれ以下。
なお、SPM液流量を1L/min、DIW流量を100ml/minとした場合、DIWを混合後のSPM液温度は約20℃上昇した。
上記の硫酸温度および過酸化水素水混合比は、高い硫酸温度および高い過酸化水素水混合比に依存して高いレジスト除去効率を求める従来の一般的なSPM処理と比較してかなり低いものである。なお、本実施形態において、硫酸供給源43aから供給される硫酸は98%濃硫酸であり、また、過酸化水素水供給源44aから供給される過酸化水素水は30w/v%H2O2であり、この点については一般的なSPM処理と同じである。
10 基板処理装置
12 基板保持部
18 駆動機構
30A 流体供給部(二流体供給部)
40A SPM供給部
30 第1ノズル
31 第1吐出口
40 第2ノズル
41 第2吐出口
46 混合部
Claims (5)
- 基板の表面に形成されたレジスト膜を除去する基板処理方法において、
加圧された純水のミストを含む加熱された流体を前記基板の表面に向けて流すことと、
前記純水のミストを含む流体が前記基板の表面に到達する前に、硫酸および過酸化水素水を混合して得られたSPM液を前記純水のミストを含む流体の流れに合流させて、前記SPM液と前記純水のミストを含む流体との混合流体を前記基板の表面に衝突させることと、
を備え、
前記純水のミストを含む流体は、少なくとも1つの第1吐出口を有する第1ノズルを用いて吐出され、前記SPM液は、少なくとも1つの第2吐出口を有する第2ノズルを用いて吐出され、前記第1吐出口の軸線は前記第2吐出口の軸線と前記基板の表面より上方で交差し、前記純水のミストを含む流体および前記SPM液は、対応する第1吐出口および第2吐出口から吐出された後であってかつ前記基板に到達する前に混合される、基板処理方法。 - 複数の第1吐出口が設けられており、これら複数の第1吐出口は前記基板の中心部から周縁部までの範囲に配列されており、
複数の第2吐出口が設けられており、これら複数の第2吐出口は、各第1吐出口に対応して少なくとも1つずつ設けられている、請求項1に記載の基板処理方法。 - 前記純水のミストを含む流体は、さらにN2ガスを含んでいる請求項1または2に記載の基板処理方法。
- 基板の表面に形成されたレジスト膜を除去する基板処理装置において、
基板を水平に保持する基板保持部と、
前記基板保持部を回転させて前記基板を鉛直軸線周りに回転させる駆動機構と、
加圧された純水のミストを含む流体を供給する流体供給部と、
硫酸と過酸化水素水とを混合してSPM液を生成する混合部を有するSPM供給部と、
前記純水のミストを含む流体を前記基板に向けて吐出する少なくとも1つの第1吐出口を有する第1ノズルと、
前記第1吐出口から吐出されて基板に向かう前記純水のミストを含む流体の流れに向けて前記SPM液を吐出する少なくとも1つの第2吐出口を有する第2ノズルと、
を備え、
前記第1吐出口の軸線は前記第2吐出口の軸線と前記基板の表面より上方で交差し、前記純水のミストを含む流体が前記基板の表面に到達する前に、前記SPM液が前記純水のミストを含む流体の流れに混合される、基板処理装置。 - 複数の第1吐出口が設けられており、これら複数の第1吐出口は前記基板の中心部から周縁部までの範囲に配列されており、
複数の第2吐出口が設けられており、これら複数の第2吐出口は、各第1吐出口に対応して少なくとも1つずつ設けられている、請求項4に記載の基板処理装置。
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