TWI539516B - 基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents

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Nobuo Kobayashi
Koichi Hamada
Yoshiaki Kurokawa
Masaaki Furuya
Hideki Mori
Yasushi Watanabe
Yoshinori Hayashi
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Shibaura Mechatronics Corp
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Description

基板處理方法及基板處理裝置 發明領域
本件發明係有關於一種藉由含磷酸之蝕刻液來處理形成有氮化膜之矽製基板的基板處理方法及裝置。
發明背景
習知，曾有文獻提出一種藉由含磷酸(H3PO4)之蝕刻液來處理形成有氮化膜(Si3N4)及氧化膜(SiO2)之矽製半導體晶圓(基板)的基板處理方法(參照專利文獻1)。在該基板處理方法中，係將複數個半導體晶圓投入貯留於蝕刻槽之含磷酸(H3PO4)的蝕刻液中，並對該複數個半導體晶圓中之各半導體晶圓一次總括地進行蝕刻處理。在該蝕刻處理中，蝕刻液中之磷酸作為觸媒發揮作用而除去半導體晶圓之氮化膜(Si3N4)。
而且，經由前述蝕刻處理而殘留於蝕刻處理槽內之使用完畢的蝕刻液會通過承接槽而被移送至再生裝置之處理槽。對貯留有使用完畢的蝕刻液的處理槽內添加相對於前述使用完畢的蝕刻液之量為適量的氫氟酸溶液(HF)，並在處理槽內中，在較高溫的預定溫度環境下，使含有以藉由前述蝕刻處理被除去之氮化物為主體成分之使用完畢 的蝕刻液與氫氟酸溶液(HF)混合後劑型反應而再生磷酸(H3PO4)。該再生之磷酸(H3PO4)會被送回至可於前述蝕刻處理使用的蝕刻液。
藉由上述基板處理方法，可從蝕刻處理後剩餘之使用完畢的蝕刻液再生磷酸，並可將該磷酸送回至可於蝕刻處理使用的蝕刻液，因此可有效利用磷酸，同時可持續進行針對用以除去氮化膜之半導體晶圓的蝕刻處理。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利第4424517號公報
發明概要
然而，在上述基板處理方法中，需要可對多數基板一次總括地進行蝕刻處理的大型蝕刻槽，又，必須將足以對該多數基板一次總括地進行蝕刻處理之多量的使用完畢的蝕刻液貯留於處理槽內，於該處理槽適量添加氫氟酸溶液，在較高溫度的預定溫度環境下讓使用完畢的蝕刻液與氫氟酸溶液進行反應，因此用來將多量之使用完畢的蝕刻液及與其相對多量的氫氟酸溶液保存於預定溫度環境下的設備體積龐大。又，1次再生的磷酸量雖多，但在處理槽內混合到可使多量之使用完畢的蝕刻液整體與氫氟酸溶液整體得以有效率地反應需要較長的時間，故稱不上可有效率地再生磷酸。
本發明係有鑑於上述實情所進行，為提供一種可於極盡可能不使用大型設備下即可於進行蝕刻處理的同時更有效率地再生送回至該蝕刻處理之磷酸的基板處理方法及基板處理裝置。
本發明之基板處理方法係藉由含磷酸之蝕刻液來處理形成有氮化膜之矽製基板，該方法之構成如下，其具有下述步驟：蝕刻處理步驟，係對各單片供給之基板各自供予適量的蝕刻液，以對前述基板進行蝕刻處理，除去氮化膜；磷酸再生步驟，係在預定溫度環境下，將在前述蝕刻處理步驟中處理了預定片數之各單片前述基板的用量之使用完畢的蝕刻液與氫氟酸溶液進行混合，以再生磷酸，其中該氫氟酸溶液的量相對於前述處理了預定片數基板的用量之前述使用完畢的蝕刻液的量為適量；及磷酸回收步驟，係將藉由前述磷酸再生步驟所得之磷酸送回至可於前述蝕刻處理步驟中使用的蝕刻液。
藉由此構成，無需批次式的大型蝕刻槽(設備)即可對各單片基板進行蝕刻處理，並可在預定溫度環境下混合蝕刻處理了預定片數(亦含單片)之各單片基板的用量之使用完畢的蝕刻液、與相對於該使用完畢的蝕刻液的量為適量之氫氟酸溶液，藉由該等使用完畢的蝕刻液與氫氟酸溶液發生反應會再生可送回至蝕刻液的磷酸。
當前述預定片數為單片時，藉由可混合蝕刻處理了單片基板的用量之特別為少量之使用完畢的蝕刻液、與 相對於該使用完畢液的量為適量且特別為少量之氫氟酸溶液之設備，即可再生前述磷酸。
本發明之基板處理方法係藉由含磷酸之蝕刻液來處理形成有氮化膜之矽製基板，該方法之構成如下，其具有下述步驟：蝕刻處理步驟，係將複數個基板投入前述蝕刻液中，以對前述複數個基板之各基板進行蝕刻處理，除去氮化膜；磷酸再生步驟，係使前述蝕刻處理步驟中蝕刻處理後剩餘之使用完畢的蝕刻液及氫氟酸溶液兩者成霧狀或蒸氣狀後，在預定溫度環境下混合，以再生磷酸；及磷酸回收步驟，係將前述磷酸再生步驟所得之磷酸送回至可於前述蝕刻處理步驟中使用的蝕刻液。
藉由此構成，即便於複數個基板之一次總括性蝕刻處理使用多量的蝕刻液，仍可讓使用完畢的蝕刻液及氫氟酸溶液以霧狀或蒸氣狀混合，相互反應，因此無須使用可貯留對複數個基板進行蝕刻處理後所有量之使用完畢的蝕刻液及氫氟酸溶液並進行反應的設施，即可讓使用完畢的蝕刻液與氫氟酸溶液有效率地反應，再生可送回至蝕刻液的磷酸。
本發明之基板處理裝置係以含磷酸之蝕刻液來處理形成有氮化膜之矽製基板，該裝置之構成如下，其具有：蝕刻處理部，係對各單片供給之基板各自供予適量的蝕刻液，以對前述基板進行蝕刻處理，除去氮化膜；磷酸再生部，係在預定溫度環境下，將在前述蝕刻處理部中處理了預定片數之各單片前述基板的用量之使用完畢的蝕刻 液與氫氟酸溶液，以再生磷酸，其中該氫氟酸溶液的量相對於前述處理了預定片數基板的用量之前述使用完畢的蝕刻液的量為適量；及磷酸回收部，係將藉由前述磷酸再生部所得之磷酸送回至可於前述蝕刻處理部中使用的蝕刻液。
藉由此構成，蝕刻處理部無需批次式的大型蝕刻槽(設備)即可對各單片基板進行蝕刻處理，且磷酸再生部可在預定溫度環境下，混合前述蝕刻處理部中蝕刻處理了預定片數(亦含單片)之各單片基板的用量之使用完畢的蝕刻液、與相對於該使用完畢的蝕刻液的量為適量之氫氟酸溶液，並且由該等使用完畢的蝕刻液與氫氟酸溶液之反應再生可送回至蝕刻液的磷酸。
本發明之基板處理裝置係以含磷酸之蝕刻液來處理形成有氮化膜之矽製基板，該裝置構成如下，其具有下述構件：蝕刻處理部，係將複數個基板投入前述蝕刻液中，以對前述複數個基板之各基板進行蝕刻處理，除去氮化膜；磷酸再生部，係使前述蝕刻處理部中之蝕刻處理後剩餘之使用完畢的蝕刻液及氫氟酸溶液兩者成霧狀或蒸氣狀後，在預定溫度環境下混合以再生磷酸；及磷酸回收部，係將藉由前述磷酸再生步驟所得之磷酸送回至可於前述蝕刻處理步驟中使用的蝕刻液。
藉由此構成，即便在蝕刻處理部中於複數個基板之一次總括性蝕刻處理使用多量的蝕刻液，仍可讓使用完畢的蝕刻液與氫氟酸溶液以霧狀或蒸氣狀混合並在預定溫 度環境下相互反應，因此無須使用可貯留對複數個基板進行了蝕刻處理之所有用量之使用完畢的蝕刻液及氫氟酸溶液並進行反應的設備，即可讓使用完畢的蝕刻液及氫氟酸溶液有效率地反應，再生磷酸。
依據本發明之基板處理方法及基板處理裝置，可於極盡可能不使用大型設備下即於進行蝕刻處理的同時更有效率地再生可送回至該蝕刻處理的磷酸。
10‧‧‧蝕刻液生成槽
11‧‧‧加熱器組件
12‧‧‧磷酸供給部
13‧‧‧水供給部
14‧‧‧二氧化矽供給部
15‧‧‧泵
16‧‧‧切換閥
17‧‧‧濃度檢測器
20‧‧‧蝕刻液貯留槽
21‧‧‧加熱器組件
22a、22b‧‧‧開關閥
23‧‧‧泵
24‧‧‧流量計
25‧‧‧切換閥
26‧‧‧冷卻器
30‧‧‧旋轉處理組件
31‧‧‧處理室
32‧‧‧基板旋轉機構
33‧‧‧分離杯機構
33a‧‧‧外側儲液杯
33b‧‧‧分離件
33c‧‧‧內側儲液杯
34‧‧‧蝕刻液噴出噴嘴
35‧‧‧淋洗液噴出噴嘴
36‧‧‧氫氟酸噴出噴嘴
37a、37b‧‧‧開關閥
38‧‧‧泵
41‧‧‧淋洗液供給部
42‧‧‧氫氟酸供給部
50‧‧‧磷酸回收槽
51‧‧‧加熱器組件
52‧‧‧泵
60‧‧‧再生處理槽
61‧‧‧開關閥
62‧‧‧泵
63‧‧‧使用完畢的蝕刻液噴出噴嘴
64‧‧‧氫氟酸噴出噴嘴
70‧‧‧批次處理槽
71‧‧‧加熱器組件
72‧‧‧開關閥
80‧‧‧再生處理槽
81‧‧‧使用完畢的蝕刻液噴出噴嘴
82‧‧‧氫氟酸噴出噴嘴
84‧‧‧氫氟酸供給部
86a、86b‧‧‧開關閥
100‧‧‧管理控制裝置
圖1係顯示本發明第1實施形態之基板處理裝置的基本構成之圖。
圖2係顯示在圖1所示之基板處理裝置中，正值進行半導體晶圓之蝕刻處理狀態的旋轉處理組件(蝕刻處理部)之圖。
圖3係顯示在圖1所示之基板處理裝置中，正值進行蝕刻處理後的半導體晶圓之淋洗處理狀態的旋轉處理組件之圖。
圖4係顯示在圖1所示之基板處理裝置中，正值使半導體晶圓退出並從使用完畢的蝕刻液再生磷酸之處理的旋轉處理組件(磷酸再生部)之圖。
圖5係顯示在圖1所示之基板處理裝置中，正值進行半導體晶圓之蝕刻處理的同時從使用完畢的蝕刻液再生磷酸之處理狀態的旋轉處理組件(蝕刻處理部、磷酸再生部)之圖。
圖6係顯示本發明第2實施形態之基板處理裝置中主要部位構成之圖。
圖7係顯示本發明第3實施形態之基板處理裝置中主要部位構成之圖。
圖8係顯示本發明第4實施形態之基板處理裝置中主要部位構成之圖。
用以實施發明之形態
以下，利用圖式說明本發明之實施形態。
本發明第1實施形態之基板處理裝置係如圖1所示構成。
圖1中，基板處理裝置具有蝕刻液生成槽10、蝕刻液貯留槽20、旋轉處理組件30(蝕刻處理部、磷酸再生部)及磷酸回收槽50(磷酸回收部)。又，基板處理裝置具有磷酸供給部12、水供給部13及二氧化矽供給部14。對蝕刻液生成槽10，磷酸供給部12係供給預定濃度之磷酸溶液(H3PO4)，水供給部13係供給純水(H2O)，且二氧化矽供給部14係供給膠質二氧化矽(SiO2)。並且蝕刻液生成槽10中設有加熱器組件11。在蝕刻液生成槽10中將自磷酸供給部12、水供給部13及二氧化矽供給部14各自適量供給之磷酸溶液(H3PO4)、純水(H2O)及膠質二氧化矽(SiO2)混合，並藉由加熱器組件11之加熱維持於預定溫度。在預定溫度環境下混合磷酸溶液(H3PO4)、純水(H2O)及膠質二氧化矽(SiO2)並生成含磷酸及矽成分之蝕刻液。
而，從二氧化矽供給部14於蝕刻液(磷酸溶液)添加適量的膠質二氧化矽(SiO2)以調整蝕刻液中之矽濃度，藉此將已形成於經蝕刻處理之半導體晶圓的氮化膜(Si3N4)與氧化膜(SiO2)之選擇比維持在預定範圍。
針對蝕刻液生成槽10設有循環途徑，並且在該循環途徑中設有泵15、切換閥16及濃度檢測器17。於該循環途徑另設有加熱器(省略圖示)，可藉由泵15之運作在蝕刻液生成槽10內之蝕刻液被維持於預定溫度之狀態下，透過切換閥16及濃度檢測器17送回至蝕刻液生成槽10。藉由上述蝕刻液之循環，在蝕刻液生成槽10內將前述磷酸溶液(H3PO4)、純水(H2O)及膠質二氧化矽(SiO2)攪拌混合。又，以設於循環途徑中之濃度檢測器17的濃度檢測資訊為依據，藉由管理控制裝置100監控生成之蝕刻液中的磷酸濃度。切換閥16可切換前述循環途徑與蝕刻液生成槽10至蝕刻液貯留槽20之途徑。在藉由切換閥16而切換成蝕刻液貯留槽20側之途徑的狀態下，以泵15之運作將蝕刻液生成槽10中生成之蝕刻液供給並貯留於蝕刻液貯留槽20。
於蝕刻液貯留槽20設有加熱器組件21，可將由蝕刻液生成槽10供給所貯留之蝕刻液維持於預定溫度。針對蝕刻液貯留槽20設有循環途徑。在該循環途徑中設有開關閥22a、泵23、流量計24、切換閥25、開關閥22b及冷卻器26。又，雖未圖示但在循環途徑之泵23與切換閥25間的途徑部分設有加熱器。在開關閥22a、22b已開放的狀態下，藉由泵23之運作使維持於預定溫度並且貯留於蝕刻液貯留 槽20之蝕刻液通過循環途徑(流量計24、切換閥25、冷卻器26)而被送回至蝕刻液貯留槽20。藉由上述蝕刻液之循環，可將貯留於蝕刻液貯留槽20之蝕刻液的溫度及濃度調整於固定條件。切換閥25可切換前述循環途徑與蝕刻液貯留槽20至旋轉處理組件30的途徑。在藉由切換閥25而切換成旋轉處理組件30側之途徑的狀態下，以泵23之運作將已貯留於蝕刻液貯留槽20之蝕刻液供給至旋轉處理組件30。
旋轉處理組件30(蝕刻處理部、磷酸再生部)具有處理室31，於處理室31內設有使半導體晶圓W旋轉之基板旋轉機構32，以及被配置成與基板旋轉機構32相對之蝕刻液噴出噴嘴34(蝕刻液供給機構)、淋洗液噴出噴嘴35及氫氟酸噴出噴嘴36。又，於處理室31內以配置於基板旋轉機構32周圍的方式設有分離杯機構33(儲液部)。分離杯機構33具有內側儲液杯33c及配置於其外側的外側儲液杯33a，且於內側儲液杯33c與外側儲液杯33a之邊界部設有分離件33b。分離件33b係藉由致動器(省略圖示)在預定範圍內進行上升移動及下降移動。於蝕刻液噴出噴嘴34自前述蝕刻液貯留槽20隔著切換閥25連接有延伸至旋轉處理組件30側之途徑。又，基板處理裝置具有淋洗液供給部41及氫氟酸供給部42，從淋洗液供給部41對淋洗液噴出噴嘴35供給淋洗液(例如純水)，並從氫氟酸供給部42對氫氟酸噴出噴嘴36(氫氟酸供給機構)供給預定濃度之氫氟酸溶液(HF)。
從內側儲液杯33c延伸之途徑係透過開關閥37a及泵38而至磷酸回收槽50。又，從外側儲液杯33a延伸之途 徑係透過開關閥37b而至廢液槽(省略圖示)。
藉由後述之磷酸再生處理而貯留於旋轉處理組件30(磷酸再生部)之儲液杯33c的磷酸溶液(H3PO4)，係藉由泵38之運作透過開關閥37a而被供給至磷酸回收槽50。於磷酸回收槽50設有加熱器組件51，且已貯留於磷酸回收槽50之磷酸溶液係維持在預定溫度。從磷酸回收槽50至蝕刻液生成槽10透過泵52延伸有一途徑，藉由泵52之運作可使磷酸溶液從磷酸回收槽50通過該途徑被送回至蝕刻液生成槽10。
而，如前述之蝕刻液的溫度、流量、濃度等管理以及各泵、各種閥、各切換閥、各種加熱器之運作、旋轉處理組件30之運作及對旋轉處理組件30進行半導體晶圓W的供給及排出之機構等各部的運作係由管理控制裝置100控制。
上述基板處理裝置中，在管理控制裝置100之管理及控制下，以下述方法對半導體晶圓W進行處理。
在蝕刻液生成槽10中混合磷酸溶液(H3PO4)、純水(H2O)及膠質二氧化矽(SiO2)所生成的蝕刻液係被調整成高溫度(例如160℃左右)，同時在預定時序下移至蝕刻液貯留槽20。藉此，蝕刻液貯留槽20可隨時處於貯留有蝕刻液之狀態。已貯留於蝕刻液貯留槽20的蝕刻液被調整成高溫度(例如160℃左右)，並將該已調整成高溫度的蝕刻液供給於旋轉處理組件30。
在旋轉處理組件30(處理室31)中係供給各單片 半導體晶圓W，並對該供給之各半導體晶圓W進行蝕刻處理。具體上如圖2所示，將供給之半導體晶圓W裝設於基板旋轉機構32，藉由基板旋轉機構32使半導體晶圓W旋轉。在半導體晶圓W正值旋轉之狀態下，從蝕刻液噴出噴嘴34噴出由蝕刻液貯留槽20供給之已調整成高溫度(例如160℃左右)的蝕刻液。對旋轉之半導體晶圓W表面給予從蝕刻液噴出噴嘴34噴出之蝕刻液，以對半導體晶圓W進行蝕刻處理。
在該蝕刻處理中，高溫的蝕刻液(含磷酸H3PO4、膠質二氧化矽SiO2及H2O)會對半導體晶圓W發揮作用，則水蒸氣(H2O)與氮化膜(Si3N4)在磷酸溶液存在下會進行反應，故氮化膜(Si3N4)會被除去，而析出磷酸銨([NH4 +]3[PO4 3-])及偏矽酸(H2SiO3)。接著，被供予至前述蝕刻處理之蝕刻液即使用完畢的蝕刻液LETC(含磷酸銨([NH4 +]3[PO4 3-])及偏矽酸(H2SiO3))則因半導體晶圓W之旋轉而飛散，該飛散之蝕刻液LETC則是藉由已調整至上升位置之分離件33b而被導入並貯留於內側儲液杯33c。
如此一來，當針對單片半導體晶圓W之蝕刻處理結束時，從蝕刻液噴出噴嘴34噴出蝕刻液即會停止，如圖3所示，在分離件33b已調整至下降位置的狀態下從淋洗液噴出噴嘴35噴出由淋洗液供給部41供給之淋洗液(例如純水)。旋轉之半導體晶圓W的表面可藉由從淋洗液噴出噴嘴35噴出之淋洗液被洗淨。該洗淨藉由基板旋轉機構32高速旋轉之半導體晶圓W而飛散的淋洗液則越過內側儲液杯 33c，與既已貯留於內側儲液杯33c之使用完畢的蝕刻液LETC分離並被回收至外側儲液杯33a。
半導體晶圓W之淋洗處理一結束即停止從淋洗液噴出噴嘴35噴出淋洗液，並使該半導體晶圓W經過乾燥等步驟後從處理室31退出。接著，處理室31內即成為內側儲液杯33c貯留有處理了單片半導體晶圓W的用量之使用完畢的蝕刻液LETC的狀態。
其後，如圖4所示，從氫氟酸供給部42供給相對於已貯留於內側儲液杯33c之處理了單片半導體晶圓的用量之使用完畢的蝕刻液LETC之量為適量之氫氟酸溶液(HF)，並將之從氫氟酸噴出噴嘴36噴出。前述相對於處理了單片半導體晶圓W的用量之使用完畢的蝕刻液LETC供給的氫氟酸溶液(HF)的量係預先以實驗等決定。
從氫氟酸噴出噴嘴36噴出之氫氟酸溶液(HF)係以霧狀或者藉由其高溫環境而使一部分或全部成蒸氣，被給予至因貯留有高溫(例如160℃左右)之使用完畢的蝕刻液LETC而成高溫環境的內側儲液杯33c。在內側儲液杯33c中，使用完畢的蝕刻液LETC(含磷酸銨([NH4 +]3[PO4 3-])及偏矽酸(H2SiO3))與氫氟酸溶液(HF)係在預定的高溫環境下進行混合並反應，使氟化物成分氣散(變成氣體狀而散發)而以溶液的樣態再生磷酸(H3PO4)。
如上述，在旋轉處理組件30(處理室31)之內側儲液杯33c中所再生的磷酸溶液(H3PO4)係在開關閥37a已開放之狀態下，藉由泵38(參照圖1)運作而供給至磷酸回收槽 50。前述磷酸溶液(H3PO4)之再生處理及其磷酸溶液自旋轉處理組件30(內側儲液杯33c)至磷酸回收槽50的輸送係於每一次單片半導體晶圓W之蝕刻處理結束後進行。而且，依序貯留於磷酸回收槽50之磷酸溶液(H3PO4)係藉由加熱器組件51調整成預定溫度，並且在預定時序下藉由泵52之運作送回至蝕刻液生成槽10。
依據上述基板處理裝置，無需批次式的大型蝕刻槽即可藉由旋轉處理組件30各以單片進行半導體晶圓W之蝕刻處理。又，在旋轉處理組件30中係於半導體晶圓W之蝕刻處理結束後，對貯留於內側儲液杯33c之處理了單片半導體晶圓W的用量之使用完畢的蝕刻液LETC給予相對於該使用完畢的蝕刻液LETC的量為適量之氫氟酸溶液，因此無須另設大型設備，利用旋轉處理組件30即可使處理了單片半導體晶圓的用量之使用完畢的蝕刻液LECT與適量氫氟酸溶液有效率地進行反應，再生磷酸(H3PO4)。尤其，原本即已調整成高溫(例如160℃左右)之使用完畢的蝕刻液LETC在內側儲液杯33c中亦處於高溫度狀態，因此可以霧狀或蒸氣狀供予氫氟酸溶液，藉此提高使用完畢的蝕刻液LETC及氫氟酸溶液的反應性。接著，藉由貯留有高溫狀態的使用完畢的蝕刻液LETC的內側儲液杯33c內之高溫環境，可輕易地使反應後的氟化物成分(例如H2SiF6)及氨成分(NH3)立即氣散，可更有效率地再生磷酸。
而，在前述第1實施形態(參照圖2~圖4)之基板處理裝置中，雖對貯留於旋轉處理組件30之內側儲液杯33c 之處理了單片半導體晶圓W的用量之使用完畢的蝕刻液LETC，給予相對於該使用完畢的蝕刻液LETC的量為適量之氫氟酸溶液，但本發明不受此限定。例如，亦可在旋轉處理組件30中，在各以單片依序蝕刻處理2片以上之預定片數的半導體晶圓W之過程中，對已貯留於內側儲液杯33c之使用完畢的蝕刻液LETC，給予該預定片數之半導體晶圓W之蝕刻處理所需且相對於該使用完畢的蝕刻液LETC的量為適量之氫氟酸溶液。而，前述預定片數係規定在已混有蝕刻處理了該預定片數半導體晶圓W的用量之使用完畢的蝕刻液LETC與相對於該使用完畢的蝕刻液LETC的量為適量之氫氟酸溶液LHF的整體量不超過內側儲液杯33c容量的範圍內。
以上述方法對處理了預定片數之各單片半導體晶圓W之使用完畢的蝕刻液LETC，混合相對於該使用完畢的蝕刻液LETC的量為適量之氫氟酸溶液時，將使用完畢的蝕刻液LETC依序貯留於旋轉處理組件30之內側儲液杯33c，直至前述預定片數之半導體晶圓W的蝕刻處理完成為止。因此，從防止內側儲液杯33c之前述使用完畢的蝕刻液LETC的溫度在添加氫氟酸溶液之前降低的觀點看來，宜於內側儲液杯33c設置加熱器。
在上述基板處理裝置中，例如圖5所示，亦可在旋轉處理組件30內再生磷酸溶液(H3PO4)(第1實施形態之變形例)。
在旋轉處理組件30中，在已將分離件33b調整於 上升位置之狀態下，使相對於處理了單片半導體晶圓W的用量之使用完畢的蝕刻液的量為適量之氫氟酸溶液LHF(HF)預先貯留於內側儲液杯33c。在此狀態下，在旋轉處理組件30中對藉由基板旋轉機構32旋轉之半導體晶圓W，從蝕刻液噴出噴嘴34噴灑由蝕刻液貯留槽20供給之已調整成高溫度(例如160℃左右)的蝕刻液，進行半導體晶圓W之蝕刻處理。在該過程中，從旋轉之半導體晶圓W表面飛散之使用完畢的蝕刻液係進入既已貯留有氫氟酸溶液LHF(HF)之內側儲液杯33c，在內側儲液杯33c中使用完畢的蝕刻液LETC與氫氟酸溶液LHF會混合並與前述同樣地進行反應而再生磷酸(H3PO4)。
如此一來，在旋轉處理組件30之內側儲液杯33c內中，少量之使用完畢的蝕刻液(處理了單片基板的用量之使用完畢的蝕刻液)與少量之氫氟酸即有所反應，因此無須另外大型的設備，可利用旋轉處理組件30有效率地使處理了單片半導體晶圓的用量之使用完畢的蝕刻液與適量氫氟酸溶液LHF進行反應，而再生磷酸(H3PO4)。尤其，由於是對已貯留於內側儲液杯33c之氫氟酸溶液LHF給予高溫度之使用完畢的蝕刻液，因此使用完畢的蝕刻液LETC及氫氟酸溶液的反應性高，藉由高溫狀態之使用完畢的蝕刻液LETC之噴出所形成的高溫環境可使氟化物成分及氨成分輕易地立即氣散，可更有效率地再生磷酸。
而，在前述變形例之基板處理裝置(圖5參照)中係對旋轉處理組件30之內側儲液杯33c預先貯留有相對於 處理了單片半導體晶圓W的用量之使用完畢的蝕刻液LETC的量為適量之氫氟酸溶液LHF，但本發明不受此限定。例如，亦可將相對於處理了預定片數之2片以上的半導體晶圓W的用量之使用完畢的蝕刻液LETC的量為適量之氫氟酸溶液LHF，預先貯留於旋轉處理組件30之內側儲液杯33c，並於每一次處理各單片半導體晶圓W時，將該使用完畢的蝕刻液LETC投至已貯留於內側儲液杯33之前述氫氟酸溶液LHF，直至預定片數之半導體晶圓W的處理結束為止。前述預定片數係規定在已混有氫氟酸溶液LHF及該使用完畢的蝕刻液LETC的整體量不超過內側儲液杯33c容量的範圍，且該氫氟酸溶液LHF相對於處理了該預定片數之半導體晶圓W之使用完畢的蝕刻液LETC的量為適量。
本發明之第2實施形態之基板處理裝置的主要部位係如圖6所示構成。在該基板處理裝置中，並非在旋轉處理組件30內進行磷酸再生而是在旋轉處理組件30的外部進行磷酸再生。
圖6中，於旋轉處理組件30之後段設有再生處理槽60。於再生處理槽60設有使用完畢的蝕刻液噴出噴嘴63(使用完畢的蝕刻供給機構)。於使用完畢的蝕刻液噴出噴嘴63連接有自旋轉處理組件30之內側儲液杯33c延伸的途徑，且於該途徑上設有開關閥37a及泵38。又，再生處理槽60與磷酸回收槽50(參照圖1)係藉由途徑而相連接，在該途徑中設有開關閥61及泵62。該基板處理裝置與前述例(參照圖1)同樣地具有氫氟酸供給部42(氫氟酸供給機構)，並從該 氫氟酸供給部42對再生處理槽60而非對旋轉處理組件30供給氫氟酸溶液(HF)。
而，由於是從氫氟酸供給部42對再生處理槽60供給氫氟酸溶液(HF)，因此於旋轉處理組件30未如前述例(參照圖1)設有氫氟酸噴出噴嘴36。又，該基板處理裝置與圖1所示例同樣地具有生成蝕刻液之機構(含蝕刻液生成槽10、磷酸供給部12、水供給部13、二氧化矽供給部14)、貯留蝕刻液並將之送至旋轉處理組件30之機構(含蝕刻液貯留槽20)、及貯留所再生之磷酸溶液並將之送回蝕刻液生成槽10之機構(含磷酸回收槽50)。
在上述本發明之第2實施形態之基板處理裝置中，相對於處理了單片半導體晶圓W的用量之蝕刻液的量，氫氟酸溶液LHF(HF)的量係決定為例如於已處理形成於半導體晶圓W之氮化膜(Si3N4)時，相對於已溶入蝕刻液中之Si成分的濃度氟(F)之當量為6倍左右之量(適量)，並將該量(適量)之氫氟酸溶液LHF(HF)預先貯留於再生處理槽60。在此狀態下，旋轉處理組件30中半導體晶圓W之蝕刻處理一結束，便將開關閥37a切換成開狀態，藉由泵38之運作將貯留於內側儲液杯33c之高溫狀態(例如160℃左右)的使用完畢的蝕刻液LETC供給至再生處理槽60。在再生處理層60中，從旋轉處理組件30供給的使用完畢的蝕刻液LETC係由使用完畢的蝕刻液噴出噴嘴63噴出。該高溫狀態之使用完畢的蝕刻液係以霧狀或者藉由該高溫而使一部分或全部成蒸氣狀後，供予至已貯留於再生處理槽60之氫氟酸溶 液LHF。在再生處理槽60中係在預定高溫環境下混合使用完畢的蝕刻液LETC與氫氟酸溶液LHF並使其進行反應，使氟化物成分及氨成分氣散而再生磷酸(H3PO4)。
而，在使用完畢的蝕刻液LETC與氫氟酸溶液LHF易於混合的觀點上，適量的氫氟酸溶液(HF)宜以盡量在寬廣的表面積狀態且盡量淺層的狀態貯留於再生處理槽60中。
在預計藉由再生處理槽60中之使用完畢的蝕刻液LETC與氫氟酸溶液LHF之混合而再生出磷酸的時序點上開放開關閥61，使再生處理槽60中所再生之磷酸溶液(H3PO4)藉由泵62之運作供給至磷酸回收槽50(參照圖1)。而且，以與前述同樣的方式將之從磷酸回收槽50送回至蝕刻液生成槽10。開關閥61之開放時序係預先以實驗等決定。
藉由上述基板處理裝置，與第1實施形態(參照圖1至圖4)同樣地無須批次式的大型蝕刻槽，即可藉由旋轉處理組件30各以單片進行半導體晶圓W之蝕刻處理。又，對預先貯留有氫氟酸溶液LHF之再生處理槽60，供給已貯留於旋轉處理組件30之內側儲液杯33c中處理了單片半導體晶圓W的用量的量之使用完畢的蝕刻液LETC，在再生處理槽60中讓使用完畢的蝕刻液LETC與氫氟酸溶液LHF進行反應而再生磷酸，因此可使用大小得以貯留處理了單片份之半導體晶圓W的用量之使用完畢的蝕刻液LETC及相對適量之氫氟酸溶液LHF程度的再生處理槽60，讓使用完畢的蝕刻液LETC與氫氟酸溶液LHF有效率地進行反應，再生 磷酸。尤其，係將高溫度之使用完畢的蝕刻液LETC以霧狀或蒸氣狀供予至已貯留於再生處理槽60之氫氟酸溶液LHF，因此使用完畢的蝕刻液LETC及氫氟酸溶液LHF的反應性高，藉由利用高溫狀態之使用完畢的蝕刻液LETC之噴出所形成的高溫環境可使氟化物成分及氨成分輕易地立即氣散，可更有效率地再生磷酸。
而，在前述第2實施形態(參照圖6)之基板處理裝置中係將已貯留於旋轉處理組件30之內側儲液杯33c中處理了單片半導體晶圓W的用量之使用完畢的蝕刻液LETC，以霧狀或蒸氣狀供予至相對於已貯留於再生處理槽60之前述使用完畢的蝕刻液LETC為適量之氫氟酸溶液LHF，但本發明不受此限定。例如，亦可將相對於蝕刻處理了預定片數之2片以上半導體晶圓W的用量之使用完畢的蝕刻液LETC的量為適量之氫氟酸溶液，預先貯留於再生處理槽60，並將旋轉處理組件30中在前述各以單片依序蝕刻處理預定片數之半導體晶圓W的過程中貯留於內側儲液杯33c的使用完畢的蝕刻液LETC，以霧狀或蒸氣狀供予至已貯留於再生處理槽60之前述氫氟酸溶液。前述預定片數係規定在蝕刻處理了該預定片數之半導體晶圓W的用量之使用完畢的蝕刻液LETC的量不超過內側儲液杯33c容量的範圍內。
此時，從防止已預先貯留於內側儲液杯33c之使用完畢的蝕刻液LETC的溫度降低之觀點看來，亦以內側儲液杯33c設有加熱器為佳。
又，在前述第2實施形態之基板處理裝置中係預先將氫氟酸溶液LHF(HF)貯留於再生處理槽60內，並將已貯留於旋轉處理組件30之內側儲液杯33c的使用完畢的蝕刻液LETC以霧狀或蒸氣狀噴出至再生處理槽60內，但本發明不受此限。例如，亦可將已貯留於旋轉處理組件30之內側儲液杯33c的使用完畢的蝕刻液LETC預先供給並貯留於再生處理槽60，在此狀態下使氫氟酸溶液LHF以霧狀或蒸氣狀噴出至再生處理槽60內。此時，在使用完畢的蝕刻液LETC與氫氟酸溶液LHF易於混合的觀點上，處理了單片半導體晶圓的用量之使用完畢的蝕刻液LETC宜盡量以寬廣的表面積狀態且盡量淺層的狀態貯留在再生處理槽60中。
本發明之第3實施形態之基板處理裝置的主要部位係如圖7所示構成。該基板處理裝置亦是在設於旋轉處理組件30外部的再生處理槽60中進行磷酸再生，而非在旋轉處理組件30內進行磷酸再生。具備圖7所示之主要部位的基板處理裝置在再生處理槽60設有氫氟酸噴出噴嘴64(氫氟酸供給機構)，並且在此點上與第2實施形態之基板處理裝置(參照圖6)相異。
於此基板處理裝置中，在旋轉處理組件30中半導體晶圓W之蝕刻處理一結束便將開關閥37a切換成開狀態，並藉由泵38之運作將已貯留於內側儲液杯33c的使用完畢的蝕刻液LETC供給至再生處理槽60，並且同時從氫氟酸供給部42將氫氟酸溶液(HF)供給至再生處理槽60。在再生處理槽60中，從旋轉處理組件30供給之高溫狀態(例如160 ℃左右)之使用完畢的蝕刻液LETC，係從使用完畢的蝕刻液噴出噴嘴63以霧狀或者藉由其高溫而使一部分或全部成蒸氣狀噴出，同時從氫氟酸噴嘴64以液狀且理想為霧狀噴出從氫氟酸供給部42供給之氫氟酸溶液(HF)。而且，在該高溫環境下使高溫狀態的霧狀或蒸氣狀之使用完畢的蝕刻液LETC、與利用該高溫狀態之使用完畢的蝕刻液LETC噴出所形成之高溫環境而使全部或一部分蒸氣化的氫氟酸溶液混合並反應，使氟化物成分及氨成分氣散而再生磷酸(H3PO4)。
而，在易於混合而得以呈現高反應性的觀點上，成霧狀之使用完畢的蝕刻液LETC及氫氟酸溶液(HF)的各粒徑以盡可能短徑為佳。
依據此基板處理裝置，與第1實施形態(參照圖1至圖4)及第2實施形態(參照圖6)同樣地無須批次式的大型蝕刻槽，藉由旋轉處理組件30即可各以單片半導體晶圓W進行蝕刻處理。又，在再生處理槽60中係使已貯留於旋轉處理組件30之內側儲液杯33c中處理了單片半導體晶圓W的用量的量之使用完畢的蝕刻液LETC、與相對於該蝕刻液的量為適量之氫氟酸溶液LHF成霧狀或蒸氣狀後進行反應而再生磷酸，因此與第2實施形態同樣地可使用較小的再生處理槽60，有效率地讓使用完畢的蝕刻液LETC與氫氟酸溶液LHF進行反應，再生磷酸。尤其，於再生處理槽60中係在預定高溫環境下使霧狀或蒸氣狀之使用完畢的蝕刻液LETC與氫氟酸溶液LHF混合，因此反應性高且藉由高溫環 境可使氟化物成分及氨成分輕易地立即氣散，使其更有效率地進行反應而再生磷酸。
而，在前述第3實施形態(參照圖7)之基板處理裝置中，已貯留於旋轉處理組件30之內側儲液杯33c中處理了單片半導體晶圓W的用量之使用完畢的蝕刻液LETC、與相對於該使用完畢的蝕刻液LETC的量為適量之氫氟酸溶液LHF係在再生處理槽60內以霧狀或蒸氣狀混合後進行反應，但本發明不受此限定。例如，亦可在旋轉處理組件30中，在各以單片依序蝕刻處理2片以上預定片數之半導體晶圓W的過程中，使已貯留於內側儲液杯33c之使用完畢的蝕刻液LETC、與相對於該使用完畢的蝕刻液LETC的量為適量之氫氟酸溶液LHF在再生處理槽60內以霧狀或蒸氣狀混合後進行反應。前述預定片數係規定在蝕刻處理了該預定片數之半導體晶圓W的用量之使用完畢的蝕刻液LETC的量不超過內側儲液杯33c容量的範圍內。
此時，從防止已預先貯留於內側儲液杯33c之使用完畢的蝕刻液LETC之溫度降低的觀點看來，亦以內側儲液杯33c設有加熱器為佳。
本發明之第4實施形態之基板處理裝置的主要部位係如圖8所示構成。該基板處理裝置並非如前述各基板裝置各以單片處理半導體晶圓W的單晶圓處理式，而是將複數個半導體晶圓W一次總括處理的批次式。
圖8中，該基板處理裝置具有批次處理槽70(蝕刻處理部)及再生處理槽80。批次處理槽70係連接於蝕刻液生 成槽(相當於圖1中之蝕刻液生成槽10)，可將磷酸溶液(H3PO4)、純水(H2O)及膠質二氧化矽(SiO2)混合，生成蝕刻液。而且，從蝕刻生成槽對批次處理槽70供給並貯留足以蝕刻處理預定片數之半導體晶圓W的充分的蝕刻液。於批次處理槽70設有加熱器組件71，可將貯留之蝕刻液維持在預定溫度。
基板處理裝置更具有氫氟酸供給部84。於再生處理槽80設有使用完畢的蝕刻液噴出噴嘴81及氫氟酸噴出噴嘴82。使用完畢的蝕刻液噴出噴嘴81係透過批次處理槽70及開關閥72連接，且氫氟酸噴出噴嘴82連接至氫氟酸供給部84。又，從再生處理槽80底部延伸之2途徑中之一途徑係透過開關閥86a連接至磷酸回收槽(相當於圖1所示之磷酸回收槽50)，另一途徑則透過開關閥86b連接至廢液槽。
以此基板處理裝置，在批次處理槽70中係對預定片數之半導體晶圓W一次總括地進行蝕刻處理。針對以預定片數為單位進行的半導體晶圓W重複進行蝕刻處理之過程中，例如係以將各半導體晶圓W之蝕刻率維持在預定範圍的方式，在預定時序點上對批次處理槽70供給從蝕刻液生成槽新生成的蝕刻液。又，藉由在預定時序點上將開關閥72開放預定時間，以從批次處理槽70對再生處理槽80供給使用完畢的蝕刻液LETC。
在再生處理槽80中，係從使用完畢的蝕刻液噴出噴嘴81以霧狀或者藉由該高溫而一部分或全部成為蒸氣狀噴出由批次處理槽70在預定時序點上以預定時間供給之高 溫狀態(例如160℃左右)之使用完畢的蝕刻液LETC，並且同步從氫氟酸噴出噴嘴82以液狀或理想為霧狀噴出由氫氟酸供給部84供給之氫氟酸溶液LHF。而且，在該高溫環境下使該等霧狀或蒸氣狀的使用完畢的蝕刻液LETC、與利用該高溫狀態之使用完畢的蝕刻液LETC噴出所形成之高溫環境而使全部或一部分蒸氣化的氫氟酸溶液LHF混合後進行反應，使氟化物成分及氨成分氣散而再生磷酸(H3PO4)。
在再生處理槽80中所再生之磷酸溶液係供給至磷酸回收槽，並從磷酸回收槽進一步送回至蝕刻生成槽。
依據上述基板處理裝置，在批次處理槽70中即使於預定片數之半導體晶圓W的一次總括性蝕刻處理使用多量的蝕刻液，仍可在再生處理槽80中讓使用完畢的蝕刻液LETC與氫氟酸溶液LHF以霧狀或蒸氣狀混合後相互反應，因此無須使用可貯留對複數個半導體晶圓W進行蝕刻處理後之總量的使用完畢的蝕刻液LETC及氫氟酸溶液LHF並使該等進行反應的設備，即可讓使用完畢的蝕刻液與氫氟酸溶液有效率地進行反應，再生磷酸。
而，在第2實施形態(參照圖6)、第3實施形態(參照圖7)及第4實施形態(參照圖8)中，係從使用完畢的蝕刻液噴出噴嘴63、81以霧狀或蒸氣狀噴出使用完畢的蝕刻液LETC，但使用完畢的蝕刻液LETC無須以霧狀或蒸氣狀噴出，亦可以原本的液狀噴出。
10‧‧‧蝕刻液生成槽
11‧‧‧加熱器組件
12‧‧‧磷酸供給部
13‧‧‧水供給部
14‧‧‧二氧化矽供給部
15‧‧‧泵
16‧‧‧切換閥
17‧‧‧濃度檢測器
20‧‧‧蝕刻液貯留槽
21‧‧‧加熱器組件
22a、22b‧‧‧開關閥
23‧‧‧泵
24‧‧‧流量計
25‧‧‧切換閥
26‧‧‧冷卻器
30‧‧‧旋轉處理組件
31‧‧‧處理室
32‧‧‧基板旋轉機構
33‧‧‧分離杯機構
33a‧‧‧外側儲液杯
33b‧‧‧分離件
33c‧‧‧內側儲液杯
34‧‧‧蝕刻液噴出噴嘴
35‧‧‧淋洗液噴出噴嘴
36‧‧‧氫氟酸噴出噴嘴
37a、37b‧‧‧開關閥
38‧‧‧泵
41‧‧‧淋洗液供給部
42‧‧‧氫氟酸供給部
50‧‧‧磷酸回收槽
51‧‧‧加熱器組件
52‧‧‧泵
100‧‧‧管理控制裝置

Claims (15)

  1. 一種基板處理方法，係藉由含磷酸之蝕刻液來處理形成有氮化膜之矽製基板，該方法具有下述步驟：蝕刻處理步驟，係對各單片供給之基板各自供予蝕刻液，以對前述基板進行蝕刻處理，除去氮化膜；磷酸再生步驟，係在預定溫度環境下將在前述蝕刻處理步驟中處理了預定片數之各單片前述基板的用量之使用完畢的蝕刻液與氫氟酸溶液進行混合，以再生磷酸；及磷酸回收步驟，係將藉由前述磷酸再生步驟所得之磷酸送回至可於前述蝕刻處理步驟中使用的蝕刻液；並且，前述磷酸再生步驟係使前述使用完畢的蝕刻液與前述氫氟酸溶液當中之至少任一者成霧狀或蒸氣狀後來混合。
  2. 如請求項1之基板處理方法，其中前述磷酸再生步驟係在預定溫度環境下將在前述蝕刻處理步驟中處理了單片前述基板的用量之使用完畢的蝕刻液與氫氟酸溶液進行混合，以再生磷酸。
  3. 如請求項1之基板處理方法，其中前述蝕刻處理步驟係使各單片供給之基板各自旋轉，並對前述旋轉之基板表面供予蝕刻液，以對前述基板進行蝕刻處理；前述磷酸再生步驟係將被供予至前述旋轉之基板表面的蝕刻液從該基板表面飛散後之使用完畢的蝕刻 液供予至氫氟酸溶液，直至前述蝕刻處理步驟中前述預定片數基板的處理結束為止。
  4. 如請求項2之基板處理方法，其中前述蝕刻處理步驟係使各單片供給之基板各自旋轉，並對前述旋轉之基板表面供予蝕刻液，以對前述基板進行蝕刻處理；前述磷酸再生步驟係將被供予至前述旋轉之基板表面的蝕刻液從該基板表面飛散後之使用完畢的蝕刻液供予至氫氟酸溶液。
  5. 一種基板處理方法，係藉由含磷酸之蝕刻液來處理形成有氮化膜之矽製基板，該方法具有下述步驟：蝕刻處理步驟，係將複數個基板投入前述蝕刻液中，以對前述複數個基板之各基板進行蝕刻處理，除去氮化膜；磷酸再生步驟，係使前述蝕刻處理步驟中蝕刻處理後剩餘之使用完畢的蝕刻液與氫氟酸溶液兩者成霧狀或蒸氣狀後，在預定溫度環境下混合，以再生磷酸；及磷酸回收步驟，係將藉由前述磷酸再生步驟所得之磷酸送回至可於前述蝕刻處理步驟中使用的蝕刻液。
  6. 一種基板處理裝置，係以含磷酸之蝕刻液來處理形成有氮化膜之矽製基板者，該裝置具有：蝕刻處理部，係對各單片供給之基板各自供予蝕刻液，以對前述基板進行蝕刻處理，除去氮化膜；磷酸再生部，係在預定溫度環境下將在前述蝕刻處理部中處理了預定片數之各單片前述基板的用量之使 用完畢的蝕刻液與氫氟酸溶液進行混合，以再生磷酸；及磷酸回收部，係將藉由前述磷酸再生部所得之磷酸送回至可於前述蝕刻處理部使用的蝕刻液；並且，前述磷酸再生部係使前述使用完畢的蝕刻液與前述氫氟酸溶液當中之至少任一者成霧狀或蒸氣狀後來混合。
  7. 如請求項6之基板處理裝置，其中前述磷酸再生部係在預定溫度環境下將在前述蝕刻處理部中處理了單片前述基板的用量之使用完畢的蝕刻液與氫氟酸溶液進行混合，以再生磷酸。
  8. 如請求項6或7之基板處理裝置，其中前述蝕刻處理部具有：基板旋轉機構，係使各自單片供給之基板各自旋轉；蝕刻液供給機構，係對藉由前述基板旋轉機構旋轉之前述基板表面供予適量的前述蝕刻液；及儲液部，係貯留被供予至前述旋轉之基板表面的前述蝕刻液從該基板表面飛散後之使用完畢的蝕刻液；又前述磷酸再生部具有：氫氟酸供給機構，係於使前述蝕刻處理部中蝕刻處理結束的前述基板從該蝕刻處理部退出後，對貯留於前述蝕刻處理部中前述儲液部之使用完畢的蝕刻液供予氫氟酸溶液。
  9. 如請求項6或7之基板處理裝置，其中前述蝕刻處理部具有：基板旋轉機構，係使各自單片供給之基板各自旋轉；蝕刻液供給機構，係對藉由前述基板旋轉機構旋轉之前述基板表面供予適量的前述蝕刻液；及儲液部，係貯留被供予至前述旋轉之基板表面的前述蝕刻液從該基板表面飛散後之使用完畢的蝕刻液；又前述磷酸再生部具有：再生處理槽；氫氟酸供給機構，係對前述再生處理槽供給氫氟酸溶液；及使用完畢的蝕刻液供給機構，係對前述再生處理槽供給貯留於前述蝕刻處理部中前述儲液部之前述使用完畢的蝕刻液。
  10. 如請求項9之基板處理裝置，其中前述使用完畢的蝕刻液供給機構具有一機構，該機構係使前述使用完畢的蝕刻液成霧狀或蒸氣狀後供給至前述再生處理槽者，且前述再生處理槽已貯留有由前述氫氟酸供給機構供給的前述氫氟酸溶液。
  11. 如請求項9之基板處理裝置，其中前述氫氟酸供給機構具有一機構，該機構係使前述氫氟酸溶液成霧狀或蒸氣狀後供給至前述再生處理槽者，且前述再生處理槽已貯留有由前述使用完畢的蝕刻液供給機構供給之前述使 用完畢的蝕刻液。
  12. 如請求項9之基板處理裝置，其中前述使用完畢的蝕刻液供給機構具有一機構，該機構係使前述使用完畢的蝕刻液成霧狀或蒸氣狀後供給至前述再生處理槽者；前述氫氟酸供給機構具有一機構，該機構係使前述氫氟酸溶液成霧狀或蒸氣狀後供給至前述再生處理槽者；並且，係在前述再生處理槽中使霧狀或蒸氣狀的前述使用完畢的蝕刻液與霧狀或蒸氣狀的氫氟酸溶液混合。
  13. 如請求項6或7之基板處理裝置，其中前述蝕刻處理部具有：基板旋轉機構，係使各自單片供給之基板各自旋轉；蝕刻液供給機構，係對藉由前述基板旋轉機構旋轉之前述基板表面供予前述蝕刻液；及儲液部，係貯留被供予至前述旋轉之基板表面的前述蝕刻液從該基板表面飛散後之使用完畢的蝕刻液；又前述磷酸再生部係形成於前述蝕刻處理部內，並且，係對已預先貯留於前述蝕刻處理部中前述儲液部的氫氟酸溶液供予前述被供予至旋轉之基板表面的蝕刻液從該基板表面飛散後之使用完畢的蝕刻液。
  14. 一種基板處理裝置，係以含磷酸之蝕刻液來處理形成有 氮化膜之矽製基板者，該裝置具有：蝕刻處理部，係將複數個基板投入前述蝕刻液中，以對前述複數個基板之各基板進行蝕刻處理，除去氮化膜；磷酸再生部，係使前述蝕刻處理部中蝕刻處理後剩餘之使用完畢的蝕刻液與氫氟酸溶液兩者成霧狀或蒸氣狀後，在預定溫度環境下混合，以再生磷酸；及磷酸回收部，係將藉由前述磷酸再生部所得之磷酸送回至可於前述蝕刻處理部中使用的蝕刻液。
  15. 如請求項14之基板處理裝置，其中前述磷酸再生部具有：再生處理槽；使用完畢的蝕刻液供給機構，係使來自前述蝕刻處理部之使用完畢的蝕刻液成霧狀或蒸氣狀後供給至前述再生處理槽；及氫氟酸供給機構，係使前述氫氟酸溶液成霧狀或蒸氣狀後供給至前述再生處理槽；並且，其係在前述再生處理槽中使霧狀或蒸氣狀的前述使用完畢的蝕刻液與霧狀或蒸氣狀的氫氟酸溶液混合。
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