TWI792558B - 處理液供應裝置以及處理液供應方法 - Google Patents

處理液供應裝置以及處理液供應方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI792558B
TWI792558B TW110134092A TW110134092A TWI792558B TW I792558 B TWI792558 B TW I792558B TW 110134092 A TW110134092 A TW 110134092A TW 110134092 A TW110134092 A TW 110134092A TW I792558 B TWI792558 B TW I792558B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
treatment liquid
supply
liquid
adjustment
unit
Prior art date
Application number
TW110134092A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202239481A (zh
Inventor
李茂賢
Original Assignee
韓商细美事有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 韓商细美事有限公司 filed Critical 韓商细美事有限公司
Publication of TW202239481A publication Critical patent/TW202239481A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI792558B publication Critical patent/TWI792558B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D35/00—Filtering devices having features not specifically covered by groups B01D24/00 - B01D33/00, or for applications not specifically covered by groups B01D24/00 - B01D33/00; Auxiliary devices for filtration; Filter housing constructions
    • B01D35/02—Filters adapted for location in special places, e.g. pipe-lines, pumps, stop-cocks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/14—Removing waste, e.g. labels, from cleaning liquid; Regenerating cleaning liquids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)

Abstract

本發明是處理液供應裝置以及處理液供應方法，涉及如下方案：爲了改善通過處理液的基板處理製程中選擇比，處理液供應單元在調整二氧化矽的供應量的同時混合處理液物質並基於基板處理條件調節處理液的濃度和溫度後向基板處理裝置供應，通過與所述處理液供應單元空間上分離的處理液再循環單元回收處理液並調節處理液的水分濃度和溫度後供應再生處理液。

Description

處理液供應裝置以及處理液供應方法
本發明涉及處理液供應裝置以及處理液供應方法，更詳細地涉及如下方案：爲了改善通過處理液的基板處理製程中選擇比，處理液供應單元在調整二氧化矽的供應量的同時混合處理液物質並基於基板處理條件調節處理液的濃度和溫度後向基板處理裝置供應，通過與所述處理液供應單元空間上分離的處理液再循環單元回收處理液並調節處理液的水分濃度和溫度後供應再生處理液。
一般來說，在半導體元件以及顯示面板等的製造程序中，使用各種種類的處理液。這樣的處理液通過處理液供應裝置調節成適合於濃度、溫度以及流量等製程條件，並向處理基板的基板處理裝置供應。此時，處理液供應裝置將一種處理液或混合彼此不同處理液的混合液向基板處理裝置供應。
例如，在清洗或蝕刻製程中，執行如下處理：向形成有氮化矽膜和氧化矽膜的基板的表面供應作爲蝕刻液的磷酸水溶液等處理液，選擇性地去除氮化矽膜。
與氮化矽膜的去除量和氧化矽膜的去除量有關的選擇比以及每單位時間內氮化矽膜的去除量即蝕刻速率當供應到基板的磷酸水溶液等處理液的溫度爲沸點附近時最高。但是，在單片式基板處理裝置中，即使將磷酸水溶液等處理液溫度在槽罐內調節到沸點附近，當爲了執行實質性製程而處理液供應到基板時，處理液的溫度也下降，因此難以將沸點附近的處理液以合理水平供應到基板處理製程中。
另外，當使用磷酸水溶液來進行氮化矽膜和氧化矽膜的選擇性蝕刻處理時，磷酸水溶液中含有的二氧化矽（Silica）是對蝕刻選擇比起到重大作用的因素。
比如磷酸水溶液的處理液中二氧化矽濃度過低，則由於氧化矽膜的蝕刻速度變快，針對氮化矽膜的蝕刻選擇比降低。相反，即使二氧化矽濃度過高，也産生選擇性蝕刻不能合理地形成或過濾器堵塞等各種問題。
因此，當利用磷酸水溶液等處理液執行蝕刻製程時，重要的是將含在處理液中的二氧化矽濃度根據處理目的調整在合理範圍內。
（專利文獻0001）韓國專利公開公布第10-2011-0080270號。
（專利文獻0002）韓國專利公開公布第10-2015-0108329號。
（專利文獻0003）韓國專利授權公告第10-0801656號。
本發明的目的在於解决上述那樣的以往技術的問題，其目的在於提出能够改善基板處理製程的選擇比而將基板處理特性保持恆定的方案。
尤其，其目的在於提出如下方案：在利用含有磷酸水溶液等的處理液的製程中，在供應並回收含有二氧化矽的磷酸水溶液來進行再生時，能够在將二氧化矽的含量保持在合理水平的同時使磷酸水溶液等處理液保持穩定的溫度和濃度。
本發明的解决課題不限於以上所提及的，本領域技術人員會從下面的記載能够明確地理解未被提及的其它解决課題。
爲了完成所述技術課題，根據本發明的處理液供應裝置的一實施例可包括：處理液供應單元，包括向基板處理裝置供應處理液的主供應部以及根據基板處理條件調整處理液並向所述主供應部提供的調整供應部；處理液再循環單元，包括從所述基板處理裝置回收處理液的回收部以及從所述回收部接收回收的處理液而根據再生條件調整處理液並向所述調整供應部提供的處理液再生部；以及控制單元，控制所述處理液供應單元和所述處理液再循環單元的處理液的供應、調整、回收、再生或者廢棄。
作爲一例，所述處理液供應單元還可以包括：二氧化矽供應構件，測定二氧化矽（Silica）的供應量來根據基板處理條件供應二氧化矽，所述調整供應部包括：調整槽罐，調整含有二氧化矽的處理液，並將調整的處理液向所述主供應部供應；以及調整循環管線，使所述調整槽罐的處理液循環，並測定處理液的濃度且調整溫度，所述控制單元根據所述調整循環管線的處理液的磷酸濃度的測定結果，控制磷酸和去離子水（DIW（De-Ionzied Water））的供應或者加熱溫度來調整磷酸濃度。
優選的是，所述處理液供應單元還可以包括：混合構件，將根據基板處理條件混合了磷酸和DIW的磷酸水溶液向所述調整槽罐供應，所述控制單元根據所述調整循環管線的處理液的磷酸濃度的測定結果，供應通過所述混合構件進行的磷酸水溶液來調節磷酸濃度。
更優選的是，所述調整供應部可包括：第一調整供應部和第二調整供應部，向所述主供應部供應處理液。
進而，所述控制單元可控制成所述第一調整供應部和所述第二調整供應部中的任一個調整處理液，另一個向所述主供應部供應處理液或從所述處理液再生部接收處理液。
作爲一例，所述控制單元可控制成，所述第一調整供應部從所述處理液再生部接收再生的處理液，所述第二調整供應部接收新的處理液物質。
作爲一例，所述主供應部還可以包括：主供應槽罐，向所述基板處理裝置供應處理液；以及採樣管線，用於對從所述主供應槽罐供應的處理液進行採樣並測定，所述控制單元根據所述採樣的處理液的二氧化矽濃度的測定結果來控制所述調整供應部的二氧化矽的供應，從而調整二氧化矽濃度或將向所述回收部回收的處理液向外部排放廢棄。
另外，作爲一例，所述處理液再生部可包括：再生槽罐，將從所述回收部接收的處理液的水分濃度調整後向所述處理液供應單元供應；以及再生循環管線，使所述再生槽罐的處理液循環而將處理液過濾，並測定處理液的濃度且調整溫度，所述控制單元根據所述再生循環管線的處理液的水分濃度的測定結果來控制DIW的供應或者加熱溫度，從而調整水分濃度。
進而，所述回收部可包括：回收槽罐，從所述基板處理裝置回收處理液；多個分支管，配置於所述回收槽罐的排出管和所述處理液再生部的引入管之間；以及多個主過濾器，配置於各個所述分支管而過濾處理液。
作爲一例，所述回收部可包括：回收槽罐，從所述基板處理裝置回收處理液；以及排放閥，將所述回收槽罐的處理液向外部排放，所述控制單元基於向所述基板處理裝置供應的處理液的二氧化矽濃度的測定結果或者處理液的再生次數，將回收的處理液向外部排放廢棄。
作爲一例，所述處理液再生部可包括：第一處理液再生部和第二處理液再生部，從所述回收部接收處理液並向所述調整供應部提供調整的處理液。
優選的是，所述控制單元可控制成，所述第一處理液再生部和所述第二處理液再生部中的任一個再生處理液，另一個從所述回收部接收處理液或將再生的處理液向所述調整供應部提供。
作爲一例，所述處理液供應單元可配置於與所述基板處理裝置相同的空間中，所述處理液再循環單元與所述處理液供應單元分離配置於不同的空間。
另外，根據本發明的處理液供應方法的一實施例可包括：處理液供應步驟，使得提供到調整供應部中的處理液通過調整循環管線自循環的同時調整處理液的濃度和溫度，並基於基板處理條件將調整的處理液向主供應部提供；處理液回收步驟，從所述基板處理裝置將使用過的處理液向回收部回收；以及處理液再生步驟，使得從所述回收部提供到所述處理液再生部中的處理液通過再生循環管線自循環的同時基於再生條件進行過濾以及調整，並將再生的處理液向所述調整供應部提供。
作爲一例，所述處理液供應步驟可包括：二氧化矽濃度調節步驟，測定二氧化矽的供應量來根據基板處理條件供應二氧化矽；處理液物質提供步驟，向所述調整供應部的調整槽罐提供含有磷酸和DIW中的一個以上的處理液物質；磷酸濃度測定步驟，使所述調整槽罐的處理液通過所述調整循環管線自循環的同時測定磷酸濃度；以及供應處理液調整步驟，通過基於磷酸濃度測定結果向所述調整槽罐供應磷酸和DIW中的任意一個以上或者進行加熱，調整磷酸濃度。
優選的是，所述處理液物質提供步驟可將通過混合構件混合了磷酸和DIW的磷酸水溶液向所述調整槽罐供應，所述供應處理液調整步驟可將通過所述混合構件混合了磷酸和DIW的磷酸水溶液向所述調整槽罐供應來調整磷酸濃度。
更優選的是，所述處理液物質提供步驟可向第一調整供應部的第一調整槽罐供應再生的處理液，向第二調整供應部的第二調整槽罐供應新的處理液物質。
作爲一例，所述處理液供應步驟還可以包括：採樣步驟，對從所述主供應部向所述基板處理裝置供應的處理液進行採樣來測定二氧化矽的濃度；以及二氧化矽濃度調整步驟，根據採樣的處理液的二氧化矽濃度的測定結果，調整所述調整供應部的二氧化矽的供應。
另外，作爲一例，所述處理液供應步驟可包括：採樣步驟，對從所述主供應部向所述基板處理裝置供應的處理液進行採樣來測定二氧化矽的濃度，所述處理液回收步驟可包括：回收處理液廢棄步驟，根據採樣的處理液的二氧化矽濃度的測定結果，將從所述基板處理裝置向所述回收部回收的處理液向外部排放廢棄。
進而，所述處理液物質提供步驟可包括：計數步驟，對向所述第一調整供應部的所述第一調整槽罐供應再生的處理液的供應次數進行計數，所述處理液回收步驟可包括：回收處理液廢棄步驟，基於再生次數，將從所述基板處理裝置向所述回收部回收的處理液向外部排放廢棄。
作爲一例，所述處理液回收步驟可包括：廢處理液回收步驟，從基板處理裝置向回收槽罐回收處理液；主過濾步驟，將從所述回收槽罐排出的處理液分配給多個分支管，並通過各個分支管的主過濾器過濾處理液；以及回收處理液提供步驟，將從所述多個分支管排出的處理液向所述處理液再生部提供。
另外，所述處理液再生步驟可包括：磷酸水分濃度測定步驟，使得向再生槽罐提供的處理液通過再生循環管線自循環的同時測定磷酸水分濃度；以及處理液再生步驟，基於磷酸水分濃度測定結果，向所述再生槽罐供應DIW或通過處理液的加熱調整磷酸水分濃度。
作爲一例，所述處理液供應步驟可在第一調整供應部和第二調整供應部中的任一個中調整處理液的溫度和濃度，在另一個中向所述主供應部供應調整的處理液或從所述處理液再生部接收再生的處理液，所述處理液再生步驟可在第一處理液再生部和第二處理液再生部中的任一個中基於處理液再生條件調整處理液的濃度和溫度，在另一個中從所述回收部接收處理液或將再生的處理液向所述調整供應部供應。
根據本發明的處理液供應裝置的優選一實施例可包括：處理液供應單元，包括：調整供應部，包括接收再生的處理液的第一調整供應部和接收新的處理液的第二調整供應部，並使處理液自循環，通過二氧化矽供應構件測定二氧化矽的供應量來選擇性地進行供應，選擇性地供應通過混合構件混合了磷酸和DIW的磷酸水溶液，通過調整循環管線加熱處理液並根據基板處理條件調整處理液而向主供應部提供調整的處理液；以及主供應部，支持向基板處理裝置供應處理液的同時對供應的處理液進行採樣，並根據二氧化矽濃度的測定結果來調整所述調整供應部的二氧化矽的濃度；處理液再循環單元，包括：回收部，從所述基板處理裝置回收處理液，並通過配置於多個分支管的多個主過濾器對回收的處理液進行過濾後向處理液再生部提供；以及多個處理液再生部，使得回收的處理液自循環的同時供應DIW或加熱處理液來根據再生條件再生處理液，並向所述第一調整供應部提供再生的處理液；以及控制單元，控制所述處理液供應單元和所述處理液再循環單元的處理液的供應、調整、回收、再生或者廢棄，並控制成所述第一調整供應部和所述第二調整供應部中的任一個調整處理液，另一個向所述主供應部供應處理液；並且控制成所述多個處理液再生部中的任一個再生處理液，另一個從所述回收部接收處理液或將再生的處理液向所述第一調整供應部提供，所述處理液供應單元和所述處理液再循環單元空間上分離配置。
根據這樣的本發明，能够改善基板處理製程的選擇比而將基板處理特性保持恆定。
進而，在利用含有磷酸水溶液等的處理液的製程中，在供應並回收含有二氧化矽的磷酸水溶液來進行再生時，能够在將二氧化矽的含量保持在合理水平的同時使磷酸水溶液等處理液保持穩定的溫度和濃度。
尤其，通過空間上分離的主裝置（MAIN FAB）和副裝置（SUB FAB）的配置，能够在最小化基板處理設施的空間制約的同時謀求順暢的處理液供應和再生。
根據本發明的一實施例，能够通過多個調整供應部，當選擇性地在任一調整供應部中將處理液按照基板處理條件調整處理液的濃度和溫度的期間，將在另一調整供應部中調整完的處理液向主供應部供應或從處理液再生部接收再生的處理液，因此能够形成連續向基板處理裝置供應處理液。
另外，根據本發明的一實施例，能够通過多個處理液再生部，當選擇性地在任一處理液再生部中基於處理液再生條件調整處理液的濃度和溫度的期間，在另一處理液再生部從回收部接收處理液或將再生的處理液向調整供應部供應，因此能够連續執行處理液的再生。
進而，能够通過多個調整供應部和多個處理液再生部的選擇性工作組合，與連續性處理液供應一起執行連續性處理液再生。
另外，根據本發明的一實施例，根據向基板處理裝置供應的再生處理液的二氧化矽濃度，調整二氧化矽濃度或進行廢棄處理，從而能够保持基於二氧化矽濃度的穩定的選擇比。
爲了說明本發明和本發明的工作上的優點以及通過本發明的實施達到目的，下面例示本發明的優選實施例並參照其進行描述。
首先，在本申請使用的術語僅用於說明特定的實施例，並不是要限定本發明的意圖，單數的表述只要在文脉上沒有明確示意不同，可以包括複數表述。另外，在本申請中，應理解爲“包括”或者“具有”等術語是要指定在說明書中記載的特徵、數字、步驟、工作、構成要件、零件或者它們的組合的存在，而不是預先排除一個或者其以上的其它特徵或數字、步驟、工作、構成要件、零件或者它們的組合的存在或者附加可能性。
在說明本發明時，當判斷爲針對相關公知結構或者功能的具體說明可能使本發明的主旨模糊時，省略其詳細說明。
本發明公開處理液供應裝置和處理液供應方法，爲了改善基板處理製程中選擇比，處理液供應單元在調整二氧化矽的供應量的同時混合處理液物質並基於基板處理條件調節處理液的濃度和溫度後向基板處理裝置供應，通過與所述處理液供應單元空間上分離的處理液再循環單元回收處理液並調節處理液的水分濃度和溫度後供應再生處理液。
圖1是概要示出適用本發明的基板處理設備的俯視圖。
下面要描述的基板處理設備說明能够適用本發明的一個例示性設備，本發明並不局限適用於此，僅是爲了有助於理解能够適用本發明的設備。
參照圖1，基板處理設備1包括索引模組1000和製程處理模組2000。索引模組1000包括裝載埠1200以及傳送架1400。裝載埠1200、傳送架1400以及製程處理模組2000依次排成一列。以下，將裝載埠1200、傳送架1400以及製程處理模組2000排列的方向稱爲第一方向12。而且，將當從上方觀察時與第一方向12垂直的方向稱爲第二方向14，將與包括第一方向12和第二方向14的平面垂直的方向稱爲第三方向16。
在裝載埠1200中安裝收納有基板W的載體1300。裝載埠1200提供多個，這些沿著第二方向14配置成一列。圖1中示出爲提供有四個裝載埠1200。但是，裝載埠1200的數量也可以根據製程處理模組2000的製程效率以及占用空間等條件來增加或减少。在載體1300中形成以支承基板W的邊緣的方式提供的插槽（未圖示）。插槽向第三方向16提供多個。基板W以沿著第三方向16彼此隔開的狀態層疊著位於載體1300內。載體1300可以使用前開式晶圓傳送盒（Front Opening Unified Pod；FOUP）。
製程處理模組2000包括緩衝單元2200、傳送腔室2400以及製程腔室2600。傳送腔室2400配置成其長度方向與第一方向12平行。在第二方向14上，在傳送腔室2400的一側以及另一側分別配置製程腔室2600。位於傳送腔室2400的一側的製程腔室2600和位於傳送腔室2400的另一側的製程腔室2600提供爲以傳送腔室2400爲基準彼此對稱。製程腔室2600中的一部分沿著傳送腔室2400的長度方向配置。另外，製程腔室2600中的一部分配置成彼此層疊。即，在傳送腔室2400的一側，製程腔室2600以A X B（A和B分別是1以上的自然數）的排列配置。在此，A是沿著第一方向12呈一列提供的製程腔室2600的數，B是沿著第三方向16呈一列提供的製程腔室2600的數。當在傳送腔室2400的一側提供4個或者6個製程腔室2600時，製程腔室2600可以以2 X 2或者3 X 2的排列配置。製程腔室2600的數量也可以增加或减少。與上述不同，製程腔室2600可以僅提供於傳送腔室2400的一側。另外，與上述不同，製程腔室2600可以在傳送腔室2400的一側以及兩側以單層提供。
緩衝單元2200配置於傳送架1400和傳送腔室2400之間。緩衝單元2200在傳送腔室2400和傳送架1400之間提供搬送基板W前供基板W停留的空間。緩衝單元2200在其內部提供放置基板W的插槽（未圖示），插槽（未圖示）以彼此間沿著第三方向16隔開的方式提供多個。在緩衝單元2200中，與傳送架1400相面對的面和與傳送腔室2400相面對的面分別開放。
傳送架1400在安裝於裝載埠1200的載體1300和緩衝單元2200之間搬送基板W。在傳送架1400中提供索引軌道1420和索引機械手1440。索引軌道1420提供爲其長度方向與第二方向14平行。索引機械手1440設置於索引軌道1420上，並沿著索引軌道1420向第二方向14直線移動。索引機械手1440具有底座1441、主體1442以及索引臂1443。底座1441設置成能够沿著索引軌道1420移動。主體1442結合於底座1441。主體1442提供爲在底座1441上能够沿著第三方向16移動。另外，主體1442提供爲在底座1441上能够旋轉。索引臂144結合於主體1442，並提供爲能够相對於主體1442前進以及後退移動。索引臂1443提供多個並提供爲各自獨立驅動。索引臂1443配置成以沿著第三方向16彼此隔開的狀態層疊。索引臂1443中的一部分可在從製程處理模組2000向載體1300搬送基板W時使用，另一部分可在從載體1300向製程處理模組2000搬送基板W時使用。其可以防止在索引機械手1440搬入以及搬出基板W的過程中從製程處理前的基板W産生的顆粒附著到製程處理後的基板W。
傳送腔室2400在緩衝單元2200和製程腔室2600之間以及製程腔室2600之間搬送基板W。
在傳送腔室2400中提供導軌2420和主機械手2440。導軌2420配置成其長度方向與第一方向12平行。主機械手2440設置在導軌2420上，並在導軌2420上沿著第一方向12直線移動。主機械手2440具有底座2441、主體2442以及主臂2443。底座2441設置成能够沿著導軌2420移動。主體2442結合於底座2441。主體2442提供爲在底座2441上能够沿著第三方向16移動。另外，主體2442提供爲在底座2441上能够旋轉。主臂2443結合於主體2442，其提供爲能够相對於主體2442前進以及後退移動。主臂2443提供多個並提供爲各自獨立驅動。
主臂2443配置成以沿著第三方向16彼此隔開的狀態層疊。當從緩衝單元2200向製程腔室2600搬送基板W時使用的主臂2443和當從製程腔室2600向緩衝單元2200搬送基板W時使用的主臂2443可以彼此不同。
在製程腔室2600內提供針對基板W執行清洗製程的基板處理裝置10。提供於各個製程腔室2600內的基板處理裝置10可以根據執行的清洗製程的種類而具有不同的結構。選擇性地，各個製程腔室2600內的基板處理裝置10可以具有相同的構造。選擇性地，製程腔室2600可劃分爲多個組，提供於屬相同組的製程腔室2600中的基板處理裝置10具有彼此相同的結構，提供於屬不同組的製程腔室2600中的基板處理裝置10具有彼此不同的結構。例如，當製程腔室2600分爲2個組時，可以在傳送腔室2400的一側提供第一組的製程腔室2600，在傳送腔室2400的另一側提供第二組的製程腔室2600。選擇性地，可在傳送腔室2400的一側以及另一側各自，在下層提供第一組的製程腔室2600，在上層提供第二組的製程腔室2600。第一組的製程腔室2600和第二組的製程腔室2600可以根據各自使用的化學品種類或清洗方式種類來劃分。
在下面的實施例中，舉例說明針對製程腔室2600使用含有臭氧的臭氧處理流體、沖洗液以及乾燥氣體之類處理流體而進行基板W清洗、剝離、去除有機殘餘物（organic residue）的基板處理裝置。
圖2是圖1的基板處理裝置的俯視圖，圖3是圖1的基板處理裝置的截面圖。
參照圖2和圖3，基板處理裝置10包括腔室800、處理容器100、基板支承單元200、加熱單元290、噴射單元300、處理液供應單元400、製程排氣部（未圖示）、升降單元600、處理液再循環單元（未圖示）。
腔室800提供密閉的內部空間。在上方設置氣流供應單元810。氣流供應單元810在腔室800內部形成下降氣流。
氣流供應單元810將高濕度外氣過濾並向腔室內部供應。高濕度外氣穿過氣流供應單元810向腔室內部供應並形成下降氣流。下降氣流向基板W的上方提供均勻的氣流，使得在通過處理流體處理基板W表面的過程中産生的污染物質與空氣一起通過處理容器100的回收桶110、120、130排出。
腔室800被水平隔壁814分爲製程區域816和維護區域818。處理容器100和基板支承單元200位於製程區域816。在維護區域818中，除與處理容器100連接的排出管線141、143、145、排氣管線（未圖示）以外，還設置有升降單元600的驅動部、與噴射單元300連接的驅動部、供應管線等。維護區域818與製程區域816隔離。
處理容器100具有上方開放的圓筒形狀，並提供用於處理基板W的製程空間。處理容器100的開放的上面提供爲基板W的搬出以及搬入通道。基板支承單元200位於製程空間。在進行製程時，基板支承單元200在支承基板W的狀態使基板W旋轉。
處理容器100提供在下端部連接有排氣管190的下部空間以形成强制排氣。在處理容器100中，供從旋轉的基板W上飛散的處理液和氣體流入以及吸入的第一至第三回收桶110、120、130以多層配置。
環形的第一至第三回收桶110、120、130具有與一個共同的環形空間相通的排氣口H。
具體地，第一至第三回收桶110、120、130各自包括具有環形的圈狀的底面以及從底面延伸而具有圓筒形狀的側壁。第二回收桶120環繞第一回收桶110，並與第一回收桶110隔開設置。第三回收桶130環繞第二回收桶120，並與第二回收桶120隔開設置。
第一至第三回收桶110、120、130提供供含有從基板W飛散的處理液以及烟氣的氣流流入的第一至第三回收空間RS1、RS2、RS3。第一回收空間RS1被第一回收桶110界定，第二回收空間RS2被第一回收桶110和第二回收桶120之間的隔開空間界定，第三回收空間RS3被第二回收桶120和第三回收桶130之間的隔開空間界定。
第一至第三回收桶110、120、130的各上面是中央部開放。第一至第三回收桶110、120、130形成隨著從連接的側壁前往開放部而與對應底面的距離逐漸增加的傾斜面。從基板W飛散的處理液沿著第一至第三回收桶110、120、130的上面流向回收空間RS1、RS2、RS3內。
流入第一回收空間RS1中的第一處理液通過第一回收管線141向外部的處理液再循環單元（未圖示）排出。流入第二回收空間RS2中的第二處理液通過第二回收管線143向外部的處理液再循環單元（未圖示）排出。流入第三回收空間RS3中的第三處理液通過第三回收管線145向外部的處理液再循環單元（未圖示）排出。
另一方面，處理容器100與改變處理容器100的垂直位置的升降單元600結合。升降單元600使處理容器100向上下方向直線移動。隨著處理容器100上下移動，處理容器100相對於基板支承單元200的相對高度改變。
升降單元600包括支架612、移動軸614以及驅動器616。支架612固定設置於處理容器100的外壁。在支架612固定結合通過驅動器616向上下方向移動的移動軸614。當基板W裝載於旋轉頭210或者從旋轉頭210卸載時，處理容器100下降以使旋轉頭210從處理容器100的上方凸出。另外，當進行製程時，調節處理容器100的高度，以使得根據供應到基板W的處理液的種類，處理液向已設定的回收桶110、120、130流入。處理容器100和基板W之間的相對垂直位置被改變。處理容器100可以使得回收的處理液和污染氣體的種類按照所述各回收空間RS1、RS2、RS3而不同。根據一實施例，升降單元600使處理容器100垂直移動來改變處理容器100和基板支承單元200之間的相對垂直位置。
基板支承單元200包括旋轉頭210、旋轉軸220、驅動部230以及底面噴嘴組件240。
與旋轉頭210連接的旋轉軸220通過驅動部230旋轉，由此，安裝在旋轉頭210上的基板W旋轉。而且，貫通設置於旋轉軸220中的底面噴嘴組件240向基板W的背面噴射處理液。旋轉頭210具有設置成將基板W在向上隔開的狀態下支承的支承部件。支承部件包括在旋轉頭210的上面邊緣部設置成隔開預定間隔凸出的多個卡盤銷211以及在各個卡盤銷211裏側凸出設置的多個支承銷222。旋轉軸220連接於旋轉頭210，是其內部空置的中空軸（Hollow Shaft）形態，將後述驅動部230的旋轉力傳遞於旋轉頭210。
加熱單元290設置於基板支承單元200的內側。加熱單元290可以在進行清洗製程過程中加熱基板W。加熱單元290可以設置於旋轉頭210內。加熱單元290提供爲彼此不同的直徑。加熱單元290可以提供多個。加熱單元290可以提供爲圈狀。作爲一例，加熱單元290可以提供爲多個燈，該燈提供爲圈狀。加熱單元290可以細分爲同心的多個區域。在各個區域中可以提供能够將各個區域單獨地加熱的燈。燈可以提供爲相對於旋轉頭210的中心在不同的半徑距離處同心排列的圈狀。
噴射單元300包括噴嘴支承杆310、噴嘴320、支承軸330以及驅動器340。
支承軸330提供爲其長度方向沿著第三方向16，在支承軸330的下端結合驅動器340。
驅動器340使支承軸330進行旋轉以及升降運動。噴嘴支承杆310與支承軸330的與驅動器340結合的末端的對面垂直結合。噴嘴320設置於噴嘴支承杆310的末端底面。噴嘴320通過驅動器340向製程位置和待機位置移動。製程位置是噴嘴320配置於處理容器100的垂直上方的位置，待機位置是噴嘴320從處理容器100的垂直上方脫離的位置。噴嘴320向基板W上供應處理流體。
處理液供應單元400向噴射單元300供應處理流體。
在這樣的基板處理設備中，可以適用本發明，供應處理液而將使用過的處理液回收並再生，下面，通過本發明的實施例來具體地描述本發明。
本發明可以適用於去除基板表面的膜的濕式蝕刻製程或者清洗製程，在這樣的製程中使用各種處理液，在下面的實施例中，將在基板處理製程中使用的處理液說明爲含有二氧化矽的高溫磷酸水溶液，但其是爲了便於說明所限定的，在本發明中能够使用的處理液可以包括從在基板處理製程中使用的氟化氫（HF）、硫酸（H 3SO 4）、過氧化氫（H 2O 2）、硝酸（HNO 3）、磷酸（H 3PO 4）、臭氧水、SC-1溶液（氫氧化銨（NH 4OH）、過氧化氫（H 2O 2）以及水（H 2O）的混合液）等選擇的至少任一個物質，除此之外，可以包括在基板處理製程中能够使用的各種物質的處理液。
圖4示出根據本發明的處理液供應裝置的一實施例的結構圖。
根據本發明的處理液供應裝置可以劃分爲主裝置（MAIN FAB）和副裝置（SUB FAB），在此，主裝置（MAIN FAB）可包括處理液供應單元400′，副裝置（SUB FAB）可包括處理液再循環單元500′。
在配置基板處理裝置10的空間中，爲了在保持調整完濃度和溫度的處理液的狀態的同時將其供應到基板處理裝置10，主裝置（MAIN FAB）可以與基板處理裝置10在相同空間上有機地連接配置。
而且，副裝置（SUB FAB）也可以爲了供應再生處理液而與主裝置（MAIN FAB）在相同空間上相鄰配置，但優選的是可以與主裝置（MAIN FAB）分離配置於另外的空間。
即，可在與配置通過所述圖1所說明那樣的基板處理裝置10的空間不同的分離的空間配置副裝置（SUB FAB），將使用過的處理液回收並再生，將再生處理液通過再生處理液供應管線向主裝置（MAIN FAB）的處理液供應單元400′供應。
通過這樣的空間上分離的主裝置（MAIN FAB）和副裝置（SUB FAB）的配置，能够在將基板處理設施的空間制約最小化的同時謀求順暢的處理液供應和再生。
根據本發明的處理液供應裝置可以包括處理液供應單元400′、處理液再循環單元500′、控制單元（未圖示）等來構成。
處理液供應單元400′可以包括基於基板處理條件來調整並供應處理液的調整供應部410′以及向基板處理裝置10供應處理液的主供應部470′。
處理液再循環單元500′可以包括從基板處理裝置10回收處理液的回收部510′以及從回收部510′接收被回收的處理液並進行再生處理且向處理液供應單元400′的調整供應部410′提供再生處理液的處理液再生部550′。
而且，控制單元（未圖示）可以控制處理液供應單元400′和處理液再循環單元500′針對處理液的供應、調整、回收、再生或者廢棄。
在所述圖4的實施例中，構成爲，在處理液供應單元400′配置一個調整供應部410′，在處理液再循環單元500′配置一個處理液再生部550′，但是處理液供應單元400′的調整供應部410′的數量和處理液再循環單元500′的處理液再生部550′的數量可以根據需要改變。
圖5示出根據本發明的處理液供應裝置的另一實施例的結構圖。
所述圖5的實施例的基本結構配置與所述圖4的實施例類似，但是處理液供應單元400包括並列配置的兩個調整供應部410，處理液再循環單元500包括並列配置的兩個處理液再生部550。
可以通過這樣的多個調整供應部410的並列配置，任一調整供應部410向主供應部470供應基於基板處理條件調整了濃度和溫度的處理液，同時另一調整供應部410基於基板處理條件針對處理液執行濃度和溫度調整。
另外，可以通過多個處理液再生部550的並列配置，任一處理液再生部550從回收部510接收使用過的處理液並進行再生，同時另一處理液再生部550將再生的處理液向多個調整供應部410中的任一個供應。
通過這樣的多個調整供應部410和多個處理液再生部550的結構，能够形成連續的處理液調整和再生，同時將調整的處理液向基板處理裝置連續供應，從而能够進一步提高處理液供應效率。
下面，通過實施例來描述處理液供應單元400和處理液再循環單元500的具體結構。所述圖5的實施例是以所述圖4的實施例爲基礎，因此參照圖6至圖10來說明所述圖5的實施例的詳細結構。
圖6示出根據本發明的處理液供應裝置中處理液供應單元的一實施例的結構圖。
處理液供應單元400包括向基板處理裝置10供應處理液的主供應部470以及根據基板處理條件調整處理液並向主供應部470供應調整的處理液的調整供應部410。
調整供應部410可以包括第一調整供應部430和第二調整供應部450。另外，可以在第一調整供應部430和第二調整供應部450各自設置供應二氧化矽的二氧化矽供應構件420。
二氧化矽供應構件420包括供應二氧化矽的二氧化矽供應部421以及用於按照基板處理條件將從二氧化矽供應部421供應的二氧化矽的供應量進行測定並向第一調整供應部430和第二調整供應部450各自供應定量的二氧化矽的二氧化矽測定管423。另外，設置用於對從二氧化矽供應部421向二氧化矽測定管423的二氧化矽的供應進行限制的二氧化矽調整閥422以及用於將二氧化矽測定管423中測定的定量的二氧化矽向第一調整供應部430和第二調整供應部450各自選擇性地供應的二氧化矽供應閥424。
而且，在第一調整供應部430中可以設置存儲處理液的第一調整槽罐440、將磷酸或者DIW等處理液物質向第一調整槽罐440供應的各個物質供應構件441、442以及提供用於將存儲在第一調整槽罐440中的處理液排出的壓力的惰性氣體供應構件443。在此，惰性氣體可以適用氮氣（N 2）。
並且，在第一調整供應部430中可以設置用於使第一調整槽罐440的處理液自循環的同時將處理液按照基板處理條件進行調整的第一調整循環管線431。在第一調整循環管線431中可以配置用於使第一調整槽罐440的處理液循環的第一混合管線泵432、對循環的處理液進行加熱的第一混合管線加熱器433、用於對處理液的濃度或者溫度等進行測定的測定構件等。在此，測定構件可以包括測定磷酸水溶液的磷酸濃度的第一磷酸濃度計434和測定磷酸水溶液的溫度的溫度計（未圖示）等。第一混合管線泵432優選的是適用耐藥品性强的泵，作爲一例，在少量的處理液傳送中可以適用隔膜泵（Diaphragm pump），在大容量的處理液傳送中可以適用波紋管泵（Bellows pump）以及磁力泵（Magnetic Pump）。或者，也可以適用用於使一定量的混合液精密地循環的計量泵（Metering pump）。
另外，雖未在所述圖6中示出，但可以設置用於通過第一調整循環管線431使處理液自循環或向調整處理液供應管411排出調整的處理液的控制閥。在此，所述控制閥可以適用三通閥（three way valve）或者四通閥（four way valve）等。比如，當使處理液自循環時，可關閉控制閥而使處理液向第一調整循環管線431循環，當供應調整的處理液時，可打開控制閥而向調整處理液供應管411排出調整的處理液。
其次，第二調整供應部450可以包括與第一調整供應部430類似的結構，在第二調整供應部450中可以設置第二調整槽罐460、供應磷酸或者DIW等處理液的各個物質供應構件461、462以及提供用於將存儲在第二調整槽罐460中的處理液排出的壓力的惰性氣體供應構件463。
並且，在第二調整供應部450中可以設置用於使第二調整槽罐460的處理液自循環的第二調整循環管線451，在第二調整循環管線451中可以配置第二混合管線泵452、第一混合管線加熱器453、作爲測定構件的第二磷酸濃度計454、溫度計等。
另外，在第二調整供應部450中也可以設置用於通過第二調整循環管線451使處理液自循環或向調整處理液供應管411排出調整的處理液的控制閥。
這樣的第一調整供應部430和第二調整供應部450並列配置而能够各自獨立地同時或者不同時工作，第一調整供應部430和第二調整供應部450可以將處理液按照基板處理條件調整後選擇性地向調整處理液供應管411供應調整的處理液。
在調整處理液供應管411中，爲了調整的處理液的供應量測定以及流量測定，可以設置流量計（flowmeter）（未圖示）。
在調整供應部410中調整的處理液從第一調整供應部430或者第二調整供應部450中的任意一個以上選擇性地向調整處理液供應管411排出並提供於主供應部470。
這樣的調整供應部410的工作通過控制單元控制，所述控制單元控制二氧化矽供應構件420根據基板處理條件測定二氧化矽的供應量而向第一調整供應部430和第二調整供應部450選擇性地供應定量的二氧化矽，另外，控制各個物質供應管441、442、461、462選擇性地供應相應物質，並進行選擇性地通過第一調整循環管線431和第二調整循環管線451使處理液自循環的同時調節磷酸濃度和溫度的控制。
優選的是，所述控制單元進行如下控制：第一調整供應部430和第二調整供應部450中的任一個調整處理液，另一個向主供應部470供應處理液或從處理液再生部550接收處理液。
其次，關於主供應部470，主供應部470可以設置有存儲調整的處理液的主供應槽罐480、將DIW等處理液物質向主供應槽罐480供應的物質供應構件481以及提供用於將存儲在主供應槽罐480中的處理液排出的壓力的惰性氣體供應構件483。
另外，主供應部470設置有從主供應槽罐480將調整的處理液向基板處理裝置10供應的處理液供應管471以及用於從主供應槽罐480向處理液供應管471供應處理液的處理液供應管泵491。在處理液供應管471中也可以設置用於對向基板處理裝置10供應的處理液進行最終過濾的處理液供應管過濾器493。
另外，在處理液供應管471中，爲了向基板處理裝置10供應的處理液的供應量測定以及流量測定，也可以設置流量計（未圖示）。
並且，主供應部470可以包括用於對從主供應槽罐480供應的處理液進行採樣的採樣管線473以及對採樣管線473的處理液進行測定的測定構件，在此，測定構件可以包括用於對包含在處理液中的二氧化矽濃度進行測定的二氧化矽濃度計475。
而且，可以設置用於根據試樣處理液的測定結果來回收沒有合理地調整的處理液的供應處理液回收管線490。
供應處理液回收管線490可以連接成能够基於測定的二氧化矽濃度將處理液向主供應槽罐480回收，也可以根據需要，在供應處理液回收管線490配置排放閥，將超過已設定的二氧化矽濃度的處理液，向外部排出而進行廢棄處理。
這樣的主供應部470的工作通過控制單元控制，所述控制單元進行從主供應槽罐480向基板處理裝置10通過處理液供應管471供應處理液的控制，同時對通過採樣管線473供應的處理液進行採樣來檢查是否合理地調整處理液。比如，可以測定二氧化矽濃度或測定處理液的溫度等，基於其結果來控制向調整供應部410供應二氧化矽或者加熱溫度。另外，當採樣的處理液不能滿足基板處理條件的一定水平範圍時，所述控制單元也可以將向基板處理裝置10供應的處理液通過供應處理液回收管線490回收或向外部排放廢棄。
在根據本發明的處理液供應裝置中，處理液供應單元可以進行各種變形，通過變形的處理液供應單元的實施例來描述。
在說明變形的處理液供應單元的實施例時，關於與前面描述的所述圖6的處理液供應單元的實施例相同的結構，省略對其的說明。
首先，可以變更供應處理液物質的結構，在所述圖6的實施例中，設置有用於將磷酸或者DIW等處理液物質向第一調整槽罐440或者第二調整槽罐460直接供應的各個物質供應構件441、442、461、462，與此不同，可以設置將根據基板處理條件混合磷酸和DIW的磷酸水溶液向調整槽罐440、460供應的混合構件。
即，混合構件接收磷酸或者DIW等處理液物質而生成將其混合的磷酸水溶液並將其向調整槽罐440、460供應，從而能够生成新的處理液或形成處理液的調整。
關於此，圖7以及圖8示出根據本發明的處理液供應裝置中處理液供應單元的另一實施例的結構圖。
在所述圖7的情况下，調整供應部410a作爲混合構件包括混合攪拌器412，在供應磷酸或者DIW等處理液物質的各個物質供應構件413、414的處理液物質供應管線上配置混合攪拌器412。
混合攪拌器412從各個物質供應構件413、414接收磷酸和DIW等處理液物質並混合磷酸和DIW來生成磷酸水溶液。而且，混合攪拌器412根據基板處理條件向第一調整供應部430a的第一調整槽罐440a和第二調整供應部450a的第二調整槽罐460a選擇性地供應磷酸水溶液。
即，從混合攪拌器412將磷酸水溶液向第一調整槽罐440a和第二調整槽罐460a供應，而不是從第一調整槽罐440a和第二調整槽罐460a個別地接收各個物質來混合成磷酸水溶液。
其次，在所述圖8的情况下，調整供應部410b作爲混合構件包括混合槽罐415，在混合槽罐415配置供應磷酸或者DIW等處理液物質的各個物質供應構件416、417。另外，在混合槽罐415中可以設置提供用於將混合的磷酸水溶液排出並供應的壓力的惰性氣體供應構件418。
混合槽罐415從各個物質供應構件416、417接收磷酸和DIW等處理液物質並混合磷酸和DIW來生成磷酸水溶液。而且，混合槽罐415根據基板處理條件向第一調整供應部430b的第一調整槽罐440b和第二調整供應部450b的第二調整槽罐460b選擇性地供應磷酸水溶液。
即，從混合槽罐415將磷酸水溶液向第一調整槽罐440b和第二調整槽罐460b供應，而不是從第一調整槽罐440b和第二調整槽罐460b個別地接收各個物質來混合磷酸水溶液。
如此，第一調整供應部和第二調整供應部根據基板處理條件接收磷酸水溶液，從而處理液調整變得更容易，能够縮短調整時間，因此能够有效地執行連續的處理液供應。
進而，處理液供應單元也可以構成爲多個調整供應部各自執行不同功能，關於此，圖9示出根據本發明的處理液供應裝置中處理液供應單元的另一實施例的結構圖。
在所述圖9的實施例中，構成爲，第一調整供應部430c從處理液再生部550接收再生處理液，第二調整供應部450c接收新的處理液。
第一調整供應部430c從處理液再生部550接收再生處理液並存儲於第一調整槽罐440c，同時通過第一調整循環管線431使處理液自循環來調整處理液的濃度和溫度，將調整的處理液向主供應部470提供。
與此不同地，第二調整供應部450c接收新的處理液物質並存儲於第二調整槽罐460c，同時通過第二調整循環管線451使處理液自循環來調整處理液的濃度和溫度，將調整的處理液向主供應部470提供。
進而，第一調整供應部430c也可以將再生處理液調整後將其向第二調整供應部450c供應。
通過這樣的本發明的各種處理液供應單元，能够調節適合於基板處理條件的二氧化矽濃度、磷酸濃度、處理液溫度等而以最佳的狀態將處理液向基板處理裝置供應。
其次，關於處理液再循環單元500，參照圖10示出的根據本發明的處理液供應裝置中處理液再循環單元的一實施例的結構圖來描述。
處理液再循環單元500也可以與前面描述的處理液供應單元400空間上分離而配置爲不同設備。即，爲了消除基板處理設施的空間制約，可以將處理液再循環單元500構成爲與處理液供應單元400不同的分離的裝置，在空間上不同的部位配置處理液再循環單元500。
處理液再循環單元500可以包括從基板處理裝置10回收使用過的廢處理液的回收部510以及對回收部510回收的廢處理液進行再生並向處理液供應單元400的調整供應部410供應的處理液再生部550。
回收部510可以包括從基板處理裝置供應廢處理液的廢處理液供應管520以及與廢處理液供應管520連接並臨時存儲廢處理液的回收槽罐530。
另外，回收部510可以具備用於將存儲在回收槽罐530中的廢處理液向處理液再生部550供應的回收處理液供應管540以及用於將存儲在回收槽罐530中的廢處理液向回收處理液供應管540排出的回收管泵541。
在回收部510中也可以設置有用於將回收在回收槽罐530中的廢處理液向外部排放廢棄的排放閥537以及廢處理液排出管539，也可以設置有用於對回收的處理液的二氧化矽濃度進行測定的二氧化矽濃度計(未圖示)。優選的是，排放閥537可以適用三通閥，選擇性地將從回收槽罐530排出的處理液向回收處理液供應管540傳送或向廢處理液排出管539排出。
並且，在回收部510中可以設置用於在通過回收處理液供應管540向處理液再生部550供應廢處理液時過濾異物等的主過濾器535。
進而，在將高溫的廢處理液通過主過濾器535過濾時，隨著樹脂類過濾器針對高溫處理液的物性下降，用於合理過濾的容許壓力範圍下降。因此，可能發生針對廢處理液的一定水平以上的供應量不能合理地執行過濾的問題。
為了消除這樣的問題，在本發明中，可在回收處理液供應管540的中端設置多個分支管，多個分支管的每個配置主過濾器。即，將回收槽罐530的排出管和處理液再生部550的引入管之間的回收處理液供應管540配置為多個分支管，每個分支管配置單獨的主過濾器，從而通過由各個主過濾器分配並過濾處理液的供應量，能够提高過濾效果。
回收部510的工作通過控制單元控制，控制單元可以進行如下控制：在回收部510的回收槽罐530臨時保管廢處理液，同時將回收槽罐530的廢處理液向處理液再生部550供應或向外部排放廢棄。優選的是，可以進行根據處理液再生部550的第一處理液再生部560和第二處理液再生部580的運轉狀態向任一個供應廢處理液的控制。
其次，描述處理液再生部550。
可在回收部510中回收的廢處理液過濾後向處理液再生部550供應，在處理液再生部550中再生處理成能够使用的合理水平的處理液。
處理液再生部550可以包括第一處理液再生部560和第二處理液再生部580。第一處理液再生部560包括存儲從回收部510供應的處理液的第一再生槽罐570，從回收處理液供應管540供應的處理液可以通過第一回收處理液供應閥543控制向第一再生槽罐570的供應。
在第一處理液再生部560中可以設置向第一再生槽罐570供應DIW的處理液物質供應管571以及提供用於將存儲在第一再生槽罐570中的處理液排出的壓力的惰性氣體供應構件573。在此，惰性氣體可以適用氮氣（N 2）。
並且，在第一處理液再生部560中可以設置用於使第一再生槽罐570的處理液自循環的同時再生處理處理液的第一再生循環管線561，在第一再生循環管線561中可以配置用於使第一再生槽罐570的處理液循環的第一再生管線泵562、用於對循環的處理液進行加熱的第一再生管線加熱器563、用於測定處理液的濃度或者溫度等的測定構件等。在此，測定構件可以包括測定處理液的磷酸水分濃度的第一磷酸濃度計564以及測定處理液的溫度的溫度計（未圖示）等。
另外，可以設置用於通過第一再生循環管線561使處理液自循環或向再生處理液供應管551排出再生的處理液的第一再生液供應閥566。在此，第一再生液供應閥566可以適用三通閥（three way valve）或者四通閥（four way valve）等選擇性地使處理液向第一再生循環管線561循環或向再生處理液供應管551排出再生處理液。
並且，在第一再生循環管線561中設置用於使處理液自循環的同時進行過濾的第一副過濾器565。
第二處理液再生部580可以包括與第一處理液再生部560類似的結構，在第二處理液再生部580中可以設置第二再生槽罐590、供應DIW等處理液的物質供應構件591以及提供用於將存儲在第二再生槽罐590中的處理液排出的壓力的惰性氣體供應構件593。
而且，在第二處理液再生部580中可以設置用於使第二再生槽罐590的處理液自循環的第二再生循環管線581，在第二再生循環管線581中可以配置第二再生管線泵582、第二再生管線加熱器583、作爲測定構件的第二磷酸濃度計584、溫度計等。
這樣的第一處理液再生部560和第二處理液再生部580並列配置而能够各自獨立地同時或者不同時工作，第一處理液再生部560和第二處理液再生部580可以將處理液按照再生條件再生處理後選擇性地向再生處理液供應管551排出再生的處理液。
在再生處理液供應管561中，爲了再生的處理液的供應量測定以及流量測定，可以設置流量計（flowmeter）（未圖示）。
在處理液再生部550中再生的處理液可以通過再生處理液供應管551向調整供應部410提供。當調整供應部410包括第一調整供應部和第二調整供應部時，處理液再生部550可以將再生的處理液根據狀况向第一調整供應部和第二調整供應部選擇性地供應，優選的是可以僅向第一調整供應部供應。
進而，也可以設置回收從處理液再生部550通過再生處理液供應管551向調整供應部410供應的處理液的回收管線555。可在再生處理液供應管551中配置用於控制向調整供應部410供應再生處理液的再生處理液供應閥553，另外，可以配置用於向回收管線555回收再生處理液的再生處理液回收閥557。在此，再生處理液供應閥553和再生處理液回收閥557也可以用一個三通閥替代。
這樣的處理液再生部550的工作通過控制單元控制，所述控制單元控制成從回收部510向第一處理液再生部560或者第二處理液再生部580中的任意一個以上選擇性地供應廢處理液，同時控制成各個物質供應管571、591選擇性地供應DIW等相應物質，並控制成通過第一再生循環管線561和第二再生循環管線581使處理液自循環的同時調節磷酸水分濃度和溫度，再生處理液。
優選的是，所述控制單元可以如下控制：第一處理液再生部560和第二處理液再生部580中的任一個再生處理液，另一個將再生的處理液向調整供應部410供應或從回收部510接收廢處理液。
另外，本發明提出通過在上面描述的根據本發明的處理液供應裝置供應處理液的處理液供應方法。
根據本發明的處理液供應方法概要地包括：使得提供於調整供應部中的處理液通過整循環管線自循環的同時調整處理液的濃度和溫度並將基於基板處理條件調整的處理液向主供應部提供的處理液供應步驟；對從基板處理裝置向回收部回收的處理液進行過濾並向處理液再生部提供的處理液回收步驟；以及使得提供於處理液再生部中的處理液通過再生循環管線自循環的同時基於再生條件進行過濾以及調整，將再生的處理液向調整供應部提供的處理液再生步驟。
參照前面描述的處理液供應裝置來說明這樣的根據本發明的處理液供應方法。
當供應新的處理液時，基於基板處理條件，二氧化矽供應構件測定二氧化矽的供應量以定量的二氧化矽調節二氧化矽的濃度（S110），基於基板處理條件將定量的二氧化矽和磷酸、DIW等處理液物質向調整供應部的調整槽罐供應（S130）。此時，也可以通過上面描述的混合構件將磷酸水溶液向調整供應部的調整槽罐供應。
而且，使得存儲在調整供應部的調整槽罐中的處理液自循環（S150），同時測定磷酸濃度和處理液溫度，基於基板處理條件向調整槽罐供應磷酸或者DIW中的任意一個以上或將處理液加熱來調整處理液的磷酸濃度和溫度（S170）。
若調整處理液以適合於基板處理條件，則調整供應部將調整的處理液向主供應部供應，主供應部向基板處理裝置供應調整的處理液（S190）。此時，可以是，主供應部對向基板處理裝置供應的處理液進行採樣，測定二氧化矽濃度並檢查是否被供應合理水平的處理液。如果處理液不能滿足合理水平，則可以向調整供應部供應二氧化矽或供應磷酸或者DIW，或者也可以進一步加熱處理液，未達到一定水平的處理液也可以中斷向基板處理裝置供應而回收。並且，具有接近一定水平的二氧化矽濃度的處理液也可以在基板處理裝置中使用後，在回收部中進行廢棄處理。
而且，基板處理裝置通過被供應的處理液執行基板處理製程（S200）。
回收部回收執行基板處理裝置的製程後排出的廢處理液（S310），並經過過濾後向處理液再生部供應（S330）。
處理液再生部在再生槽罐中存儲回收處理液並使其自循環（S410），同時測定處理液的磷酸水分濃度和溫度，基於處理液的再生條件供應DIW或加熱處理液來調整處理液的濃度和溫度（S430），同時執行處理液的再生。
而且，處理液再生部將再生的處理液向調整供應部供應（S450）而謀求處理液的再利用。當設置有多個調整供應部時，處理液再生部也可以僅向預先設定的調整供應部供應再生處理液。
若從處理液再生部供應再生處理液，則調整供應部通過前面描述的處理液供應過程（S100）向再生處理液以定量供應二氧化矽，根據需要，供應磷酸或者DIW的同時進行加熱處理來將處理液調整爲符合基板處理條件。
調整的處理液通過主供應部向基板處理裝置供應而執行基板處理製程（S200），針對在基板處理製程中使用過的處理液，重新經過回收過程（S300）和處理液再生過程（S400）而繼續再利用，或基於二氧化矽濃度或者再生次數進行廢棄處置。
通過根據本發明的處理液供應裝置的具體工作的執行來描述這樣的根據本發明的處理液供應方法。
首先，參照圖12以及圖13的實施例來說明根據本發明的從處理液供應裝置的處理液供應單元供應處理液物質的過程。
在所述圖12的實施例中，處理液供應單元將磷酸和DIW各個處理液物質向調整槽罐直接供應。
在本發明中，爲了合理地調整含在處理液中的二氧化矽的濃度，設置二氧化矽供應構件420，可以通過二氧化矽供應構件420供應基於基板處理條件的定量的二氧化矽。
控制單元可以通過二氧化矽供應構件420的二氧化矽測定管423按照基板處理條件測定定量的二氧化矽並向第一調整供應部430的第一調整槽罐440或者第二調整供應部450的第二調整槽罐460供應。在此，供應的二氧化矽的定量是可以當將磷酸水溶液用作處理液而對氮化矽膜和氧化矽膜進行選擇性蝕刻處理時考慮蝕刻選擇比來設定。
另外，控制單元可以控制各個物質供應構件441、442、461、462向第一調整供應部430的第一調整槽罐440以及第二調整供應部450的第二調整槽罐460分別供應磷酸和DIW等，選擇性地在第一調整槽罐440和第二調整槽罐460中生成含有二氧化矽的磷酸水溶液的處理液或調整處理液的磷酸濃度。優選的是，磷酸和水可以在85%和15%的比例範圍內混合而生成磷酸水溶液，根據狀况，磷酸和水的比例可以進行各種設定。
與所述圖12的實施例相比，在所述圖13的實施例中，處理液供應單元將磷酸和DIW在混合構件中進行混合而將磷酸水溶液向調整槽罐供應。
通過二氧化矽供應構件420將二氧化矽的濃度調整後供應的內容與所述圖12的實施例類似，因此省略對其的說明。
作爲混合構件，可以適用混合攪拌器412，通過配置在各個物質供應管線上的混合攪拌器412供應磷酸和DIW等而生成磷酸水溶液的處理液。控制單元根據基板處理條件控制物質供應構件413、414以及混合攪拌器412而生成基於基板處理條件的磷酸水溶液，將生成的磷酸水溶液向第一調整供應部430a的第一調整槽罐440a和第二調整供應部450a的第二調整槽罐460a選擇性地供應。
可以是，第一調整槽罐440a和第二調整槽罐460a從混合攪拌器412接收磷酸水溶液，生成含有二氧化矽的磷酸水溶液的處理液或調整處理液的磷酸濃度。
如此，供應磷酸水溶液，從而第一調整供應部430a和第二調整供應部450a更容易調整磷酸濃度，能够縮短處理液的調整時間。
參照通過圖14以及圖15所示的根據本發明的處理液供應裝置進行的處理液供應過程的一實施例來描述通過所述圖12或者圖13的實施例接收處理液物質並按照基板處理條件調整濃度和溫度後將處理液向基板處理裝置供應且回收使用過的處理液並進行再生的過程。
所述圖14示出初始將新的處理液基於基板處理條件調整後供應並回收使用過的處理液而基於再生條件進行再生的過程。
控制單元可以通過二氧化矽供應構件420的二氧化矽測定管423按照基板處理條件測定定量的二氧化矽並向第一調整供應部430的第一調整槽罐440供應。另外，控制單元可以通過控制各個物質供應構件441、442向第一調整供應部430的第一調整槽罐440供應磷酸和DIW等而生成含有二氧化矽的磷酸水溶液的處理液。在此，磷酸和DIW的供應也可以通過上面描述的混合構件以磷酸水溶液向第一調整槽罐440供應。
而且，控制單元可以利用第一調整循環管線431使磷酸水溶液的處理液自循環的同時加熱處理液來調整爲170 ~ 180℃的高溫磷酸水溶液的處理液。此時，利用第一調整循環管線431使處理液自循環的同時進行加熱，由此含有的水可能蒸發，可以測定處理液的磷酸濃度並根據需要追加供應DIW。
在執行這樣的處理液生成和調整過程而第二調整供應部450按照基板處理條件調整一定水平的高溫磷酸水溶液的處理液的狀態下，控制單元可以控制成將第二調整供應部450的調整的磷酸水溶液的處理液向主供應部470的主供應槽罐480供應。
若向主供應部470的主供應槽罐480供應一定水平的處理液，則控制單元控制各泵和閥以將主供應槽罐480的處理液向基板處理裝置10供應。
優選的是，可在通過基板處理裝置10供應磷酸水溶液的處理液的同時，通過採樣管線473對處理液進行採樣來檢測二氧化矽的濃度。如果檢測到的二氧化矽的濃度不滿足基板處理條件，則控制單元可以控制二氧化矽供應構件420以調整第二調整槽罐460的二氧化矽濃度，調整向主供應槽罐480供應的處理液的二氧化矽濃度。並且，當向基板處理裝置10供應的處理液未達到基板處理條件的一定水平時，控制單元也可以中斷處理液的供應並回收通過供應處理液回收管線490供應中的處理液。
基板處理裝置10通過從主供應部470供應的含有二氧化矽的高溫磷酸水溶液的處理液執行基板處理製程。而且，在基板處理裝置10中使用的磷酸水溶液的處理液向回收部510的回收槽罐530回收。
控制單元可以進行如下控制：也可以在回收槽罐530中將回收的處理液存儲至一定水平，或者將向回收槽罐530回收的處理液立即向處理液再生部550供應。
此時，控制單元控制成根據第一處理液再生部560和第二處理液再生部580的運轉狀態向任一個供應回收槽罐530的處理液，比如可以控制成如所述圖14中那樣在第二處理液再生部580執行處理液的再生處理的期間，向第一處理液再生部560的第一再生槽罐570供應回收槽罐530的處理液。
當從回收部510將回收的處理液向處理液再生部550供應時，供應通過主過濾器535將異物等過濾後回收的處理液，爲了謀求基於處理液的供應量的主過濾器的過濾效率，也可以將從回收槽罐530排出的處理液分配給多個分支管（未圖示），通過配置於各個分支管中的主過濾器對分配的處理液進行過濾。
若向第一處理液再生部560的第一再生槽罐570供應處理液，則控制單元既可以使得將處理液存儲至一定水平的水平，或者也可以使得在接收回收的處理液的同時立即通過第一再生循環管線561使處理液自循環來執行再生處理。
控制單元可以進行如下控制：在第一處理液再生部560從回收槽罐530接收回收的處理液的期間，執行存儲在第二處理液再生部580的第二再生槽罐590中的處理液的再生處理作業。
爲此，控制單元可以控制成使得存儲在第二處理液再生部580的第二再生槽罐590中的處理液通過第二再生循環管線581自循環的同時加熱並執行過濾。並且，控制單元可以進行如下控制：對在第二再生循環管線581中循環的磷酸水溶液的處理液測定磷酸水分濃度，基於其磷酸水分濃度向第二再生槽罐590供應DIW或加熱第二再生循環管線581的處理液。比如可以調整爲在第二再生循環管線581中循環的處理液能够以50%的比例分別含有磷酸和水，更優選的是可以調整爲以85%和15%的比例含有磷酸和水。含在這樣的處理液中的磷酸和水的比例可以根據狀况合理地進行變更設定。
可以經過這樣的過程執行新的磷酸水溶液的處理液供應過程和使用過的磷酸水溶液的處理液再生過程。
所述圖15示出將再生的處理液基於基板處理條件調整後供應且回收使用過的處理液而基於再生條件來再生的過程。
在將回收的處理液在第二處理液再生部580中按照再生條件再生的狀態下，控制單元可以控制成從第二處理液再生部580的第二再生槽罐590將再生的處理液向調整供應部410供應。
此時，控制單元控制成考慮第一調整供應部430和第二調整供應部450的運轉狀態向任一個供應再生的處理液，比如可以如所述圖15中那樣在第一調整供應部430將調整的處理液向主供應部470供應的期間，控制單元可以控制成第二處理液再生部580向第二調整供應部450的第二調整槽罐460供應再生的處理液。
優選的是，可以通過配置於再生處理液供應管561的流量計（未圖示）測量向第二調整槽罐460供應的處理液，當在第二調整槽罐460中存儲有一定水平以上的處理液時，控制單元也可以控制成將通過回收管線555向第二調整槽罐460供應的處理液重新向處理液再生部550回收。
第二調整供應部450從第二處理液再生部580接收再生的處理液並將其按照基板處理條件調整，爲此，控制單元可以如下控制：存儲在第二調整槽罐460中的磷酸水溶液的處理液通過第二調整循環管線451自循環的同時加熱並測定磷酸濃度，根據測定結果將磷酸或者DIW向第二調整槽罐460供應。
在第二調整供應部450接收再生的處理液而執行再生處理的期間，第一調整供應部430向主供應部470供應基於基板處理條件調整的處理液，主供應部470將調整的處理液向基板處理裝置10供應。
可在基板處理裝置10中使用過的處理液重新向回收部510的回收槽罐530回收，在回收部510中過濾後向處理液再生部550供應。
圖16以及圖17示出根據本發明的通過處理液供應裝置進行處理液供應過程的另一實施例，表示適用在所述圖9中描述的處理液供應單元的實施例時的處理液供應過程。
在說明所述圖16以及所述圖17的實施例時，省略與前面說明的所述圖14以及所述圖15的實施例重複部分的說明。
在所述圖16以及所述圖17的實施例中，第一調整供應部430c從處理液再生部550接收再生處理液並將其按照基板處理條件調整後供應，第二調整供應部450c接收新的處理液物質並生成新的處理液且按照基板處理條件調整後供應。
首先，描述所述圖16的實施例，第二調整供應部450c生成新的處理液物質並調整後向主供應部470供應，從主供應部470向基板處理裝置10供應處理液。
在第二調整供應部450c供應新的處理液的期間，控制單元進行如下控制：第一調整供應部430c從第二處理液再生部580接收再生的處理液，通過第一調整循環管線431使磷酸水溶液的處理液自循環的同時測定磷酸濃度並進行加熱，向第一調整槽罐440c供應磷酸或者DIW等而調整磷酸水溶液的處理液的磷酸濃度和溫度。
而且，在基板處理裝置10中使用過的處理液向回收部510的回收槽罐530回收，控制單元控制成將回收的處理液向第一處理液再生部560供應而執行再生處理。
在通過所述圖16的實施例，第一調整供應部430c接收再生處理液並按照基板處理條件調整處理液的狀態下，如所述圖17的實施例那樣，控制單元控制成第一調整供應部430c向主供應部470供應調整的處理液，從第一調整供應部430c供應的處理液從主供應部470向基板處理裝置10供應。
並且，在第一調整供應部430c向主供應部470供應調整的處理液的期間，控制單元控制成向第二調整供應部450c供應新的處理液物質並執行處理液的調整。
另外，在第一調整供應部430c向主供應部470供應調整的處理液的期間，控制單元控制成第一處理液再生部560接收向回收部510的回收槽罐530回收的處理液，第二處理液再生部580通過第二再生循環管線581使處理液自循環的同時執行處理液的再生。
當第一處理液再生部560供應再生的處理液時也向第一調整供應部430c供應再生處理液。
進而，第一調整供應部430c也可以將從處理液再生部550接收的再生處理液調整後向第二調整供應部450c供應，由此也可以將再生處理液和新的處理液混合並向基板處理裝置供應。
另外，在本發明中，當回收處理液而重複再生並供應時，也可以根據再生次數或二氧化矽的濃度將回收的處理液進行廢棄處理，關於此，圖18示出根據本發明的通過處理液供應裝置的實施例進行的處理液廢棄過程。
在第一調整供應部430c從處理液再生部550接收再生處理液並按照基板處理條件調整處理液後，向主供應部470供應調整的處理液，主供應部470將從第一調整供應部430c供應的處理液向基板處理裝置10時，若將相同的再生處理液調整並重複供應的次數達到已設定的數值，則控制單元可以將從第一調整供應部430c供應的處理液在基板處理裝置10使用後，向回收部510的回收槽罐530回收而通過排放閥537向廢處理液排出管539排出，從而進行廢棄處理。
爲此，在第一調整供應部430c中可以設置對從處理液再生部550接收再生處理液的次數或者向主供應部470供應處理液的次數進行計數的計數器（未圖示），控制單元可以基於第一調整供應部430c的所述計數器確定處理液的廢棄處理與否，當廢棄處理後再生新的處理液時，可以將計數複位並形成新的計數。
當基於處理液的再生次數確定廢棄處理時，除此之外，也可以基於再生處理液中含有的二氧化矽的濃度來確定廢棄處理，當主供應部470將從第一調整供應部430c供應的處理液向基板處理裝置10供應時，作爲通過採樣管線473進行的處理液的採樣，可測定二氧化矽濃度，若向基板處理裝置10供應的處理液具有超過已設定的極值的二氧化矽濃度，則控制單元將相應處理液在基板處理裝置10中使用後，向回收部510的回收槽罐530回收並通過排放閥537向廢處理液排出管539排出，從而進行廢棄處理。
如在上面所描述那樣，在本發明中，能够通過多個調整供應部，當選擇性地在任一調整供應部中將處理液按照基板處理條件調整處理液的濃度和溫度的期間，將在另一調整供應部中調整完的處理液向主供應部供應或從處理液再生部接收再生的處理液，因此能够形成連續向基板處理裝置供應處理液。
另外，在本發明中，能够通過多個處理液再生部，當選擇性地在任一處理液再生部中基於處理液再生條件調整處理液的濃度和溫度的期間，在另一處理液再生部從回收部接收處理液或將再生的處理液向調整供應部供應，因此能够連續執行處理液的再生。
以上說明只不過是例示說明了本發明的技術構思，本發明所屬技術領域中具有通常知識的人員應可以在不脫離本發明的實質性特徵的範圍內進行各種修改以及變形。因此，本發明中記載的實施例是用於說明的，而不是用於限定本發明的技術構思，本發明的技術構思不限定於這樣的實施例。本發明的保護範圍應通過所附申請專利範圍來解釋，與其等同範圍內的所有技術構思應解釋爲包括在本發明的權利範圍中。
1:基板處理設備 10:基板處理裝置 12:第一方向 14:第二方向 16:第三方向 100:處理容器 110:第一回收桶 120:第二回收桶 130:第三回收桶 141:第一回收管線 143:第二回收管線 145:第三回收管線 190:排氣管 200:基板支承單元 210:旋轉頭 211:卡盤銷 220:旋轉軸 222:支承銷 230:驅動部 240:底面噴嘴組件 290:加熱單元 300:噴射單元 310:噴嘴支承杆 320:噴嘴 330:支承軸 340:驅動器 400、400′:處理液供應單元 410、410′、410a、410b:調整供應部 411:調整處理液供應管 412:混合攪拌器 413、414:物質供應構件 415:混合槽罐 416、417:物質供應構件 418:惰性氣體供應構件 420:二氧化矽供應構件 421:二氧化矽供應部 422:二氧化矽調整閥 423:二氧化矽測定管 424:二氧化矽供應閥 430、430a、430b、430c:第一調整供應部 431:第一調整循環管線 432:第一混合管線泵 433:第一混合管線加熱器 434:第一磷酸濃度計 440、440a、440b、440c:第一調整槽罐 441、442:物質供應構件 443:惰性氣體供應構件 450、450a、450b、450c:第二調整供應部 451:第二調整循環管線 452:第二混合管線泵 453:第一混合管線加熱器 454:第二磷酸濃度計 460、460a、460b、460c:第二調整槽罐 461、462:物質供應構件 463:惰性氣體供應構件 470，470′:主供應部 471:處理液供應管 473:採樣管線 475:二氧化矽濃度計 480:主供應槽罐 481:物質供應構件 483:惰性氣體供應構件 490:供應處理液回收管線 491:處理液供應管泵 493:處理液供應管過濾器 500、500′:處理液再循環單元 510、510′:回收部 520:廢處理液供應管 530:回收槽罐 531:回收管泵 535:主過濾器 537:排放閥 539:廢處理液排出管 540:回收處理液供應管 543:第一回收處理液供應閥 550、550′:處理液再生部 551:再生處理液供應管 553:再生處理液供應閥 555:回收管線 557:再生處理液回收閥 560:第一處理液再生部 561:第一再生循環管線 562:第一再生管線泵 563:第一再生管線加熱器 564:第一磷酸濃度計 565:第一副過濾器 566:第一再生液供應閥 570:第一再生槽罐 571:處理液物質供應管 573:惰性氣體供應構件 580:第二處理液再生部 581:第二再生循環管線 582:第二再生管線泵 583:第二再生管線加熱器 584:第二磷酸濃度計 590:第二再生槽罐 591:物質供應構件 593:惰性氣體供應構件 600:升降單元 612:支架 614:移動軸 616:驅動器 800:腔室 810:氣流供應單元 814:水平隔壁 816:製程區域 818:維護區域 1000:索引模組 1200:裝載埠 1300:載體 1400:傳送架 1420:索引軌道 1440:索引機械手 1441:底座 1442:主體 1443:索引臂 2000:製程處理模組 2200:緩衝單元 2400:傳送腔室 2420:導軌 2440:主機械手 2441:底座 2442:主體 2443:主臂 2600:製程腔室 H:排氣口 RS1:第一回收空間 RS2:第二回收空間 RS3:第三回收空間 W:基板
圖1是概要示出適用本發明的基板處理設備的俯視圖。
圖2示出適用本發明的基板處理設備中基板處理裝置的俯視圖。
圖3示出適用本發明的基板處理設備的基板處理裝置的截面圖。
圖4示出根據本發明的處理液供應裝置的一實施例的結構圖。
圖5示出根據本發明的處理液供應裝置的另一實施例的結構圖。
圖6示出根據本發明的處理液供應裝置中處理液供應單元的一實施例的結構圖。
圖7示出根據本發明的處理液供應裝置中處理液供應單元的另一實施例的結構圖。
圖8示出根據本發明的處理液供應裝置中處理液供應單元的另一實施例的結構圖。
圖9示出根據本發明的處理液供應裝置中處理液供應單元的另一實施例的結構圖。
圖10示出根據本發明的處理液供應裝置中處理液再循環單元的一實施例的結構圖。
圖11示出根據本發明的處理液供應方法的一實施例的流程圖。
圖12以及圖13示出根據本發明的處理液供應裝置的處理液供應單元的實施例中供應處理液物質的過程。
圖14以及圖15示出根據本發明的通過處理液供應裝置進行的處理液供應過程的一實施例。
圖16以及圖17示出根據本發明的通過處理液供應裝置進行處理液供應過程的另一實施例。
圖18示出根據本發明的通過處理液供應裝置的實施例進行的處理液廢棄過程。
10:基板處理裝置
400:處理液供應單元
410:調整供應部
470:主供應部
500:處理液再循環單元
510:回收部
550:處理液再生部

Claims (24)

  1. 一種處理液供應裝置，包括： 處理液供應單元，包括向基板處理裝置供應處理液的主供應部以及根據基板處理條件調整處理液並向該主供應部提供的調整供應部； 處理液再循環單元，包括從該基板處理裝置回收處理液的回收部以及從該回收部接收回收的處理液而根據再生條件調整處理液並向該調整供應部提供的處理液再生部；以及 控制單元，控制該處理液供應單元和該處理液再循環單元的處理液的供應、調整、回收、再生或者廢棄。
  2. 根據請求項1所述的處理液供應裝置，其中，該處理液供應單元還包括： 二氧化矽供應構件，測定二氧化矽的供應量來根據基板處理條件供應二氧化矽， 該調整供應部包括： 調整槽罐，調整含有二氧化矽的處理液，並將調整的處理液向該主供應部供應；以及 調整循環管線，使該調整槽罐的處理液循環，並測定處理液的濃度且調整溫度， 該控制單元根據該調整循環管線的處理液的磷酸濃度的測定結果，控制磷酸和DIW的供應或者加熱溫度來調整磷酸濃度。
  3. 根據請求項2所述的處理液供應裝置，其中，該處理液供應單元還包括： 混合構件，將根據基板處理條件混合了磷酸和DIW的磷酸水溶液向該調整槽罐供應， 該控制單元根據該調整循環管線的處理液的磷酸濃度的測定結果，供應通過該混合構件進行的磷酸水溶液來調節磷酸濃度。
  4. 根據請求項2或3所述的處理液供應裝置，其中，該調整供應部包括： 第一調整供應部和第二調整供應部，向該主供應部供應處理液。
  5. 根據請求項4所述的處理液供應裝置，其中，該控制單元控制成該第一調整供應部和該第二調整供應部中的任一個調整處理液，另一個向該主供應部供應處理液或從該處理液再生部接收處理液。
  6. 根據請求項4所述的處理液供應裝置，其中，該控制單元控制成，該第一調整供應部從該處理液再生部接收再生的處理液，該第二調整供應部接收新的處理液物質。
  7. 根據請求項2所述的處理液供應裝置，其中，該主供應部還包括： 主供應槽罐，向該基板處理裝置供應處理液；以及 採樣管線，用於對從該主供應槽罐供應的處理液進行採樣並測定， 該控制單元根據該採樣的處理液的二氧化矽濃度的測定結果來控制該調整供應部的二氧化矽的供應，從而調整二氧化矽濃度或將該回收部回收的處理液向外部排放廢棄。
  8. 根據請求項1所述的處理液供應裝置，其中，該處理液再生部包括： 再生槽罐，將從該回收部接收的處理液的水分濃度調整後向該處理液供應單元供應；以及 再生循環管線，使該再生槽罐的處理液循環而將處理液過濾，並測定處理液的濃度且調整溫度， 該控制單元根據該再生循環管線的處理液的水分濃度的測定結果來控制DIW的供應或者加熱溫度，從而調整水分濃度。
  9. 根據請求項8所述的處理液供應裝置，其中，該回收部包括： 回收槽罐，從該基板處理裝置回收處理液； 多個分支管，配置於該回收槽罐的排出管和該處理液再生部的引入管之間；以及 多個主過濾器，配置於各個該分支管而過濾處理液。
  10. 根據請求項7所述的處理液供應裝置，其中，該回收部包括： 回收槽罐，從該基板處理裝置回收處理液；以及 排放閥，將該回收槽罐的處理液向外部排放， 該控制單元基於向該基板處理裝置供應的處理液的二氧化矽濃度的測定結果或者處理液的再生次數，將回收的處理液向外部排放廢棄。
  11. 根據請求項4所述的處理液供應裝置，其中，該處理液再生部包括： 第一處理液再生部和第二處理液再生部，從該回收部接收處理液並向該調整供應部提供調整的處理液。
  12. 根據請求項11所述的處理液供應裝置，其中，該控制單元控制成，該第一處理液再生部和該第二處理液再生部中的任一個再生處理液，另一個從該回收部接收處理液或將再生的處理液向該調整供應部提供。
  13. 根據請求項1所述的處理液供應裝置，其中，該處理液供應單元配置於與該基板處理裝置相同的空間中，該處理液再循環單元與該處理液供應單元分離配置於不同的空間。
  14. 一種處理液供應方法，包括： 處理液供應步驟，使得提供到調整供應部中的處理液通過調整循環管線自循環的同時調整處理液的濃度和溫度，並基於基板處理條件將調整的處理液向主供應部提供； 處理液回收步驟，從該基板處理裝置將使用過的處理液向回收部回收；以及 處理液再生步驟，使得從該回收部提供到該處理液再生部中的處理液通過再生循環管線自循環的同時基於再生條件進行過濾以及調整，並將再生的處理液向該調整供應部提供。
  15. 根據請求項14所述的處理液供應方法，其中，該處理液供應步驟包括： 二氧化矽濃度調節步驟，測定二氧化矽的供應量來根據基板處理條件供應二氧化矽； 處理液物質提供步驟，向該調整供應部的調整槽罐提供含有磷酸和DIW中的一個以上的處理液物質； 磷酸濃度測定步驟，使該調整槽罐的處理液通過該調整循環管線自循環的同時測定磷酸濃度；以及 供應處理液調整步驟，通過基於磷酸濃度測定結果向該調整槽罐供應磷酸和DIW中的任意一個以上或者進行加熱，調整磷酸濃度。
  16. 根據請求項15所述的處理液供應方法，其中， 該處理液物質提供步驟將通過混合構件混合了磷酸和DIW的磷酸水溶液向該調整槽罐供應， 該供應處理液調整步驟將通過該混合構件混合了磷酸和DIW的磷酸水溶液向該調整槽罐供應來調整磷酸濃度。
  17. 根據請求項14所述的處理液供應方法，其中，該處理液物質提供步驟向第一調整供應部的第一調整槽罐供應再生的處理液，向第二調整供應部的第二調整槽罐供應新的處理液物質。
  18. 根據請求項14所述的處理液供應方法，其中，該處理液供應步驟還包括： 採樣步驟，對從該主供應部向該基板處理裝置供應的處理液進行採樣來測定二氧化矽的濃度；以及 二氧化矽濃度調整步驟，根據採樣的處理液的二氧化矽濃度的測定結果，調整該調整供應部的二氧化矽的供應。
  19. 根據請求項14所述的處理液供應方法，其中，該處理液供應步驟包括： 採樣步驟，對從該主供應部向該基板處理裝置供應的處理液進行採樣來測定二氧化矽的濃度， 該處理液回收步驟包括： 回收處理液廢棄步驟，根據採樣的處理液的二氧化矽濃度的測定結果，將從該基板處理裝置向該回收部回收的處理液向外部排放廢棄。
  20. 根據請求項17所述的處理液供應方法，其中，該處理液物質提供步驟包括： 計數步驟，對向該第一調整供應部的該第一調整槽罐供應再生的處理液的供應次數進行計數， 該處理液回收步驟包括： 回收處理液廢棄步驟，基於再生次數，將從該基板處理裝置向該回收部回收的處理液向外部排放廢棄。
  21. 根據請求項14所述的處理液供應方法，其中，該處理液回收步驟包括： 廢處理液回收步驟，從基板處理裝置向回收槽罐回收處理液； 主過濾步驟，將從該回收槽罐排出的處理液分配給多個分支管，並通過各個分支管的主過濾器過濾處理液；以及 回收處理液提供步驟，將從該多個分支管排出的處理液向該處理液再生部提供。
  22. 根據請求項14所述的處理液供應方法，其中，該處理液再生步驟包括： 磷酸水分濃度測定步驟，使得向再生槽罐提供的處理液通過再生循環管線自循環的同時測定磷酸水分濃度；以及 處理液再生步驟，基於磷酸水分濃度測定結果，向該再生槽罐供應DIW或通過處理液的加熱調整磷酸水分濃度。
  23. 根據請求項14所述的處理液供應方法，其中，該處理液供應步驟在第一調整供應部和第二調整供應部中的任一個中調整處理液的溫度和濃度，在另一個中向該主供應部供應調整的處理液或從該處理液再生部接收再生的處理液， 該處理液再生步驟在第一處理液再生部和第二處理液再生部中的任一個中基於處理液再生條件調整處理液的濃度和溫度，在另一個中從該回收部接收處理液或將再生的處理液向該調整供應部供應。
  24. 一種處理液供應裝置，包括： 處理液供應單元，包括：調整供應部，包括接收再生的處理液的第一調整供應部和接收新的處理液的第二調整供應部，並使處理液自循環，通過二氧化矽供應構件測定二氧化矽的供應量來選擇性地進行供應，選擇性地供應通過混合構件混合了磷酸和DIW的磷酸水溶液，通過調整循環管線加熱處理液並根據基板處理條件調整處理液而向主供應部提供調整的處理液；以及主供應部，支持向基板處理裝置供應處理液的同時對供應的處理液進行採樣，並根據二氧化矽濃度的測定結果來調整該調整供應部的二氧化矽的濃度； 處理液再循環單元，包括：回收部，從該基板處理裝置回收處理液，並通過配置於多個分支管的多個主過濾器對回收的處理液進行過濾後向處理液再生部提供；以及多個處理液再生部，使得回收的處理液自循環的同時供應DIW或加熱處理液來根據再生條件再生處理液，並向該第一調整供應部提供再生的處理液；以及 控制單元，控制該處理液供應單元和該處理液再循環單元的處理液的供應、調整、回收、再生或者廢棄，並控制成該第一調整供應部和該第二調整供應部中的任一個調整處理液，另一個向該主供應部供應處理液；並且控制成該多個處理液再生部中的任一個再生處理液，另一個從該回收部接收處理液或將再生的處理液向該第一調整供應部提供， 該處理液供應單元和該處理液再循環單元空間上分離配置。
TW110134092A 2020-12-18 2021-09-13 處理液供應裝置以及處理液供應方法 TWI792558B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200178505A KR20220088561A (ko) 2020-12-18 2020-12-18 처리액 공급 장치 및 처리액 공급 방법
KR10-2020-0178505 2020-12-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202239481A TW202239481A (zh) 2022-10-16
TWI792558B true TWI792558B (zh) 2023-02-11

Family

ID=82021563

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110134092A TWI792558B (zh) 2020-12-18 2021-09-13 處理液供應裝置以及處理液供應方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220199432A1 (zh)
JP (1) JP7303850B2 (zh)
KR (1) KR20220088561A (zh)
CN (1) CN114724974A (zh)
TW (1) TWI792558B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010232520A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液供給装置および処理液供給方法
KR101395220B1 (ko) * 2010-08-17 2014-05-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치
US20150262737A1 (en) * 2014-03-17 2015-09-17 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method using substrate processing apparatus
TWI539516B (zh) * 2013-09-30 2016-06-21 Shibaura Mechatronics Corp 基板處理方法及基板處理裝置
WO2020105403A1 (ja) * 2018-11-21 2020-05-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002217165A (ja) * 2001-01-18 2002-08-02 Nisso Engineering Co Ltd 半導体ウエハ用液処理装置及び液処理方法
KR100801656B1 (ko) 2006-07-24 2008-02-05 세메스 주식회사 처리액 공급 방법
JP5173500B2 (ja) * 2008-03-11 2013-04-03 大日本スクリーン製造株式会社 処理液供給装置およびそれを備えた基板処理装置
KR20110080270A (ko) 2010-01-05 2011-07-13 세메스 주식회사 약액 공급 장치
JP2013207207A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Tokyo Electron Ltd 基板液処理装置及び基板液処理方法
JP6302708B2 (ja) * 2013-03-29 2018-03-28 芝浦メカトロニクス株式会社 ウェットエッチング装置
JP2015195306A (ja) * 2014-03-31 2015-11-05 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置
JP6320869B2 (ja) * 2014-07-29 2018-05-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7292107B2 (ja) * 2019-05-27 2023-06-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP7349876B2 (ja) * 2019-10-17 2023-09-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および装置洗浄方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010232520A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液供給装置および処理液供給方法
KR101395220B1 (ko) * 2010-08-17 2014-05-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치
TWI539516B (zh) * 2013-09-30 2016-06-21 Shibaura Mechatronics Corp 基板處理方法及基板處理裝置
US20150262737A1 (en) * 2014-03-17 2015-09-17 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method using substrate processing apparatus
WO2020105403A1 (ja) * 2018-11-21 2020-05-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW202239481A (zh) 2022-10-16
JP7303850B2 (ja) 2023-07-05
KR20220088561A (ko) 2022-06-28
JP2022097363A (ja) 2022-06-30
US20220199432A1 (en) 2022-06-23
CN114724974A (zh) 2022-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI709169B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
TWI736934B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
KR102189980B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR102319966B1 (ko) 액 공급 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법
KR101395220B1 (ko) 기판 처리 장치
JP7263295B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR101344930B1 (ko) 기판처리장치
TWI792558B (zh) 處理液供應裝置以及處理液供應方法
KR20120023296A (ko) 기판처리장치
KR101736851B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102265121B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20130015639A (ko) 약액공급유닛
KR20160083285A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102240493B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR102666204B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102335473B1 (ko) 기판 처리 장치 및 그의 온도 제어 방법
KR102347975B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102180009B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR101842120B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101993730B1 (ko) 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법
KR102267173B1 (ko) 배기 유닛, 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
KR101955592B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20220047517A (ko) 기판 처리 장치
KR102134431B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20230099585A (ko) 기판 처리 장치 및 방법