JP7292107B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents

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Description

開示の実施形態は、基板処理方法および基板処理装置に関する。
従来、半導体ウェハ（以下、ウェハとも呼称する。）などの基板を洗浄液で洗浄する技術が知られている（特許文献１参照）。
特開２００７－２５８４６２号公報
本開示は、清浄度が低い洗浄液を用いた場合でも、基板から十分にパーティクルを除去することができる技術を提供する。
本開示の一態様による基板処理方法は、第１洗浄工程と、第２洗浄工程とを含む。第１洗浄工程は、第１洗浄液で基板を洗浄する。第２洗浄工程は、前記第１洗浄工程の後に、前記第１洗浄液よりも清浄度が低い第２洗浄液で前記基板を洗浄する。
本開示によれば、清浄度が低い洗浄液を用いた場合でも、基板から十分にパーティクルを除去することができる。
図１は、実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す模式図である。 図２は、実施形態に係る処理ユニットの構成例を示す模式図である。 図３は、実施形態に係る基板処理システムの配管構成を示す模式図である。 図４は、実施形態に係る基板処理の手順を説明するための図である。 図５は、実施形態に係る基板処理における回収液および新液の供給タイミングによる違いについて示した図である。 図６は、実施形態に係るリンス処理におけるＤＩＷと機能水との違いについて示した図である。 図７は、実施形態に係るフィルトレーション処理における回収液の温度の違いについて示した図である。 図８は、実施形態の変形例１に係る基板処理の手順を説明するための図である。 図９は、実施形態の変形例２に係る基板処理の手順を説明するための図である。 図１０は、実施形態の変形例３に係る基板処理の手順を説明するための図である。 図１１は、実施形態の変形例４に係る基板処理システムの配管構成を示す模式図である。 図１２は、実施形態の変形例４に係る基板処理の手順を説明するための図である。 図１３は、実施形態の変形例５に係る基板処理システムの配管構成を示す模式図である。 図１４は、実施形態の変形例５に係る基板処理の手順を説明するための図である。 図１５は、実施形態の変形例６に係る基板処理システムの配管構成を示す模式図である。 図１６は、実施形態の変形例６に係る基板処理の手順を説明するための図である。 図１７は、実施形態に係る基板処理システムが実行する基板処理の手順を示すフローチャートである。
以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理方法および基板処理装置の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す各実施形態により本開示が限定されるものではない。また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率などは、現実と異なる場合があることに留意する必要がある。さらに、図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。
半導体ウェハ（以下、ウェハとも呼称する。）などの基板を洗浄液で洗浄する技術が知られている。かかる洗浄処理では、コストなどの観点から、使用済みの洗浄液を回収して再び洗浄処理に使用する場合がある。
一方で、回収された洗浄液は新しい洗浄液に比べて清浄度が低いことから、洗浄処理の際に基板から十分にパーティクルを除去することが困難であった。
そこで、清浄度が低い洗浄液を用いた場合でも、基板から十分にパーティクルを除去することができる技術が期待されている。
＜基板処理システムの概要＞
最初に、図１を参照しながら、実施形態に係る基板処理システム１の概略構成について説明する。図１は、実施形態に係る基板処理システム１の概略構成を示す図である。なお、基板処理システム１は、基板処理装置の一例である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、実施形態では半導体ウェハＷ（以下、ウェハＷと呼称する。）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。処理ユニット１６は、基板処理部の一例である。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。
処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。かかる処理ユニット１６の詳細については後述する。
また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
さらに、基板処理システム１は、第１洗浄液供給部５と、洗浄液回収部６と、第２洗浄液供給部７とを備える。第１洗浄液供給部５は、ウェハＷの洗浄処理の際に、処理ユニット１６に第１洗浄液を供給する。
洗浄液回収部６は、ウェハＷの洗浄処理に使用された洗浄液を回収する。第２洗浄液供給部７は、ウェハＷの洗浄処理の際に、処理ユニット１６に第２洗浄液を供給する。かかる第２洗浄液は、第１洗浄液よりも清浄度が低い洗浄液である。第１洗浄液供給部５、洗浄液回収部６および第２洗浄液供給部７の詳細については後述する。
上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
＜処理ユニットの構成＞
次に、処理ユニット１６の構成について、図２を参照しながら説明する。図２は、処理ユニット１６の具体的な構成例を示す模式図である。図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、液処理部３０と、上面供給部４０と、回収カップ５０と、下面供給部６０を備える。
チャンバ２０は、液処理部３０と、上面供給部４０と、回収カップ５０と、下面供給部６０の少なくとも一部とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。
液処理部３０は、保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備え、載置されたウェハＷに液処理を施す。保持部３１は、ウェハＷを水平に保持する。支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。
かかる液処理部３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された保持部３１を回転させ、これにより、保持部３１に保持されたウェハＷを回転させる。
液処理部３０が備える保持部３１の上面には、ウェハＷを側面から保持する保持部材３１ａが設けられる。ウェハＷは、かかる保持部材３１ａによって保持部３１の上面からわずかに離間した状態で水平保持される。なお、ウェハＷは、基板処理が行われる表面を上方に向けた状態で保持部３１に保持される。
上面供給部４０は、ウェハＷの上面（以下、おもて面とも呼称する。）に対して処理流体を供給する。上面供給部４０は、ウェハＷのおもて面側に配置されるノズル４１ａ、４１ｂと、かかるノズル４１ａ、４１ｂを水平に支持するアーム４２と、アーム４２を旋回および昇降させる旋回昇降機構４３とを備える。
ノズル４１ａは、洗浄液供給ライン１１２に接続される。ノズル４１ａからは、洗浄液供給ライン１１２を介して供給される洗浄液がウェハＷのおもて面に吐出される。かかる洗浄液供給ライン１１２を含めた基板処理システム１の配管構成については後述する。
ノズル４１ｂは、機能水供給ライン４４に接続される。ノズル４１ｂからは、機能水供給ライン４４を介して供給される機能水がウェハＷのおもて面に吐出される。かかる機能水とは、アルカリ性を有するリンス液であり、たとえば、アンモニア水や電解イオン水、水素水、オゾン水などである。
機能水供給ライン４４は、上流側から順に機能水供給源４４ａと、バルブ４４ｂと、定圧弁４４ｃと、流量計４４ｄと、バルブ４４ｅとを有する。機能水供給源４４ａは、たとえば、機能水を貯留するタンクである。
定圧弁４４ｃは、流量計４４ｄで計測される機能水の流量に基づいて、機能水供給ライン４４に供給される機能水の流量を調整する。すなわち、定圧弁４４ｃは、流量計４４ｄで計測される機能水の流量に基づいたフィードバック制御を実施する。
また、機能水供給ライン４４は、流量計４４ｄとバルブ４４ｅとの間で分岐し、かかる分岐したラインはバルブ４４ｆを介して下面供給部６０のノズル６１ｂ（図４参照）に接続される。
回収カップ５０は、保持部３１を取り囲むように配置され、保持部３１の回転によってウェハＷから飛散する処理液を捕集する。回収カップ５０の底部には、排液口５１が形成されており、回収カップ５０によって捕集された処理液は、かかる排液口５１から処理ユニット１６の外部へ排出される。また、回収カップ５０の底部には、ＦＦＵ２１から供給される気体を処理ユニット１６の外部へ排出する排気口５２が形成される。
下面供給部６０は、保持部３１および支柱部３２の中空部３２ａに挿通され、ウェハＷの下面（以下、裏面とも呼称する。）に対して処理流体を供給する。下面供給部６０は、ウェハＷの裏面側に配置されるノズル６１ａ、６１ｂ（図４参照）と、かかるノズル６１ａ、６１ｂを水平に支持するアーム６２（図４参照）と、アーム６２を移動させる移動機構６３とを備える。
ノズル６１ａは、分岐ライン１５３に接続される。ノズル６１ａからは、分岐ライン１５３を介して供給される第２洗浄液がウェハＷの裏面に吐出される。分岐ライン１５３の詳細については後述する。
ノズル６１ｂは、機能水供給ライン４４に接続される。ノズル６１ｂからは、機能水供給ライン４４を介して供給される機能水がウェハＷの裏面に吐出される。
＜基板処理システムの配管構成＞
次に、基板処理システム１の配管構成について、図３を参照しながら説明する。図３は、実施形態に係る基板処理システム１の配管構成を示す模式図である。
図３に示すように、実施形態に係る基板処理システム１は、第１洗浄液供給部５と、処理ユニット１６と、洗浄液回収部６と、第２洗浄液供給部７とを備える。
第１洗浄液供給部５は、処理ユニット１６に第１洗浄液を供給する。実施形態において、第１洗浄液は、未使用の新しい洗浄液である。したがって、以下の説明では、第１洗浄液を「新液」とも呼称する。
なお、実施形態に係る洗浄処理に用いられる洗浄液は、ＤＳＰ（純水、硫酸、フッ酸および過酸化水素水の混合液）やＢＨＦ（バッファードフッ酸）、ＤＨＦ（希釈フッ酸）などの酸系洗浄液である。そして、実施形態に係る洗浄処理は、たとえば、ドライエッチングされたウェハＷ表面の残渣であるパーティクルを除去するために実施される。
第１洗浄液供給部５は、第１洗浄液供給ライン１００と、タンク１０１と、循環ライン１０２とを有する。第１洗浄液供給ライン１００は、第１洗浄液をタンク１０１に供給する。
第１洗浄液供給ライン１００は、上流側から順に第１洗浄液供給源１００ａと、バルブ１００ｂとを有する。第１洗浄液供給源１００ａは、たとえば、第１洗浄液（新液）を貯留するタンクである。
タンク１０１は、第１洗浄液供給ライン１００から供給される第１洗浄液を貯留する。循環ライン１０２は、タンク１０１から出て、かかるタンク１０１に戻る循環ラインである。
循環ライン１０２には、タンク１０１を基準として、上流側から順にポンプ１０３と、フィルタ１０４と、ヒータ１０５と、流量計１０６と、バルブ１０７と、バルブ１０８と、定圧弁１０９とが設けられる。
ポンプ１０３は、タンク１０１から出て、循環ライン１０２を通り、タンク１０１に戻る第１洗浄液の循環流を形成する。フィルタ１０４は、循環ライン１０２内を循環する第１洗浄液に含まれるパーティクルなどの汚染物質を除去する。
ヒータ１０５は、循環ライン１０２内を循環する第１洗浄液を昇温する。流量計１０６は、循環ライン１０２内を循環する第１洗浄液の流量を計測する。定圧弁１０９は、循環ライン１０２内を循環する第１洗浄液の流量を制御する。
また、タンク１０１は、バルブ１１０を介してドレン部ＤＲに接続され、循環ライン１０２は、バルブ１１１を介してドレン部ＤＲに接続される。これにより、制御部１８（図１参照）は、タンク１０１内や循環ライン１０２内の第１洗浄液を交換する際などに、バルブ１１０、１１１を制御して、タンク１０１内や循環ライン１０２内の第１洗浄液をドレン部ＤＲに排出することができる。
また、循環ライン１０２におけるバルブ１０７とバルブ１０８との間から、洗浄液供給ライン１１２が分岐する。かかる洗浄液供給ライン１１２は、第１洗浄液供給部５と処理ユニット１６との間に介設され、第１洗浄液供給部５でフィルトレーション処理および温度調整処理された第１洗浄液を処理ユニット１６に供給する。
洗浄液供給ライン１１２には、上流側から順に合流部１１３と、流量計１１４と、定圧弁１１５と、バルブ１１６とが設けられる。合流部１１３には、第２洗浄液供給ライン１５２が接続され、後に詳細を説明する第２洗浄液供給部７から第２洗浄液が供給される。
すなわち、洗浄液供給ライン１１２は、第１洗浄液供給部５から第１洗浄液を処理ユニット１６に供給することができるとともに、第２洗浄液供給部７から第２洗浄液を処理ユニット１６に供給することができる。
流量計１１４は、洗浄液供給ライン１１２を通流する第１洗浄液または第２洗浄液の流量を計測する。定圧弁１１５は、洗浄液供給ライン１１２内を通流する第１洗浄液または第２洗浄液の流量を制御する。
また、洗浄液供給ライン１１２は、バルブ１１７を介してドレン部ＤＲに接続される。これにより、制御部１８は、洗浄液供給ライン１１２内の洗浄液を交換する際などに、バルブ１１７を制御して、洗浄液供給ライン１１２内の洗浄液をドレン部ＤＲに排出することができる。
処理ユニット１６の排液口５１（図２参照）は、排出ライン１２０を介して洗浄液回収部６に接続される。これにより、処理ユニット１６内でウェハＷの洗浄処理に使用された洗浄液を洗浄液回収部６に排出することができる。
洗浄液回収部６は、処理ユニット１６内でウェハＷの洗浄処理に使用された洗浄液を回収する。洗浄液回収部６は、排出ライン１２０に繋がるタンク１２１と、循環ライン１２２とを有する。
タンク１２１は、処理ユニット１６で使用済みの洗浄液を貯留する。循環ライン１２２は、タンク１２１から出て、かかるタンク１２１に戻る循環ラインである。
循環ライン１２２には、タンク１２１を基準として、上流側から順にポンプ１２３と、チラー１２４と、フィルタ１２５と、流量計１２６と、バルブ１２７と、バルブ１２８と、定圧弁１２９とが設けられる。
ポンプ１２３は、タンク１２１から出て、循環ライン１２２を通り、タンク１２１に戻る使用済みの洗浄液の循環流を形成する。チラー１２４は、循環ライン１２２内を循環する使用済みの洗浄液を冷却する。
フィルタ１２５は、チラー１２４で冷却された使用済みの洗浄液に含まれるパーティクルなどの汚染物質を除去する。実施形態では、チラー１２４で冷却された使用済みの洗浄液をフィルタ１２５で濾過することにより、使用済みの洗浄液をウェハＷの洗浄処理に再利用することができる。
流量計１２６は、循環ライン１２２内を循環する使用済みの洗浄液の流量を計測する。定圧弁１２９は、循環ライン１２２内を循環する使用済みの洗浄液の流量を制御する。
また、タンク１２１は、バルブ１３０を介してドレン部ＤＲに接続され、循環ライン１２２は、バルブ１３１を介してドレン部ＤＲに接続される。これにより、制御部１８は、タンク１２１内や循環ライン１２２内の使用済みの洗浄液を交換する際などに、バルブ１３０、１３１を制御して、タンク１２１内や循環ライン１２２内の使用済みの洗浄液をドレン部ＤＲに排出することができる。
また、循環ライン１２２におけるフィルタ１２５と流量計１２６との間から、分岐ライン１３２が分岐する。かかる分岐ライン１３２は、洗浄液回収部６と第２洗浄液供給部７との間に介設され、洗浄液回収部６でフィルトレーション処理された使用済みの洗浄液を第２洗浄液供給部７に供給する。
分岐ライン１３２には、上流側から順にバルブ１３３と、フィルタ１３４と、バルブ１３５とが設けられる。フィルタ１３４は、分岐ライン１３２を通流する使用済みの洗浄液に含まれるパーティクルなどの汚染物質を除去する。
第２洗浄液供給部７は、洗浄液回収部６でフィルトレーション処理された使用済みの洗浄液を、第２洗浄液として処理ユニット１６に供給する。かかる第２洗浄液は、洗浄液回収部６でフィルトレーション処理されているが、すでに処理ユニット１６で使用済みの洗浄液であることから、未使用の第１洗浄液よりも清浄度は低い。なお、以下の説明では、第２洗浄液を「回収液」とも呼称する。
第２洗浄液供給部７は、分岐ライン１３２に繋がるタンク１４１と、循環ライン１４２とを有する。タンク１４１は、洗浄液回収部６でフィルトレーション処理された第２洗浄液を貯留する。循環ライン１４２は、タンク１４１から出て、かかるタンク１４１に戻る循環ラインである。
循環ライン１４２には、タンク１４１を基準として、上流側から順にポンプ１４３と、フィルタ１４４と、ヒータ１４５と、流量計１４６と、バルブ１４７と、バルブ１４８と、定圧弁１４９とが設けられる。
ポンプ１４３は、タンク１４１から出て、循環ライン１４２を通り、タンク１４１に戻る第２洗浄液の循環流を形成する。フィルタ１４４は、循環ライン１４２内を循環する第２洗浄液に含まれるパーティクルなどの汚染物質を除去する。
ヒータ１４５は、循環ライン１４２内を循環する第２洗浄液を昇温する。流量計１４６は、循環ライン１４２内を循環する第２洗浄液の流量を計測する。定圧弁１４９は、循環ライン１４２内を循環する第２洗浄液の流量を制御する。
また、タンク１４１は、バルブ１５０を介してドレン部ＤＲに接続され、循環ライン１４２は、バルブ１５１を介してドレン部ＤＲに接続される。これにより、制御部１８は、タンク１４１内や循環ライン１４２内の第２洗浄液を交換する際などに、バルブ１５０、１５１を制御して、タンク１４１内や循環ライン１４２内の第２洗浄液をドレン部ＤＲに排出することができる。
また、循環ライン１４２におけるバルブ１４７とバルブ１４８との間から、第２洗浄液供給ライン１５２が分岐する。かかる第２洗浄液供給ライン１５２は、第２洗浄液供給部７と洗浄液供給ライン１１２の合流部１１３との間に介設され、第２洗浄液供給部７で温度調整処理された第２洗浄液を洗浄液供給ライン１１２に供給する。
また、第２洗浄液供給ライン１５２から分岐ライン１５３が分岐する。かかる分岐ライン１５３は、処理ユニット１６の下面供給部６０（図２参照）に接続され、第２洗浄液供給部７で温度調整処理された第２洗浄液をかかる下面供給部６０に供給する。
分岐ライン１５３には、上流側から順に流量計１５４と、定圧弁１５５と、バルブ１５６とが設けられる。流量計１５４は、分岐ライン１５３内を循環する第２洗浄液の流量を計測する。定圧弁１５５は、分岐ライン１５３内を循環する第２洗浄液の流量を制御する。
＜基板処理＞
つづいて、実施形態に係る基板処理の詳細について、図４～図７を参照しながら説明する。図４は、実施形態に係る基板処理の手順を説明するための図である。
ドライエッチングされたウェハＷに対して、基板処理システム１（図２参照）は、図４の（ａ）に示すように、ノズル４１ａを制御して、第１洗浄液（新液）でウェハＷのおもて面を洗浄する第１洗浄処理を実施する。かかる第１洗浄処理によって、基板処理システム１は、ウェハＷのおもて面に付着するパーティクルを除去することができる。
なお、かかる第１洗浄処理の際、基板処理システム１は、ノズル６１ａを制御して、第２洗浄液（回収液）でウェハＷの裏面を洗浄する。これにより、基板処理システム１は、ウェハＷの裏面に付着するパーティクルを除去することができる。
次に、基板処理システム１は、図４の（ｂ）に示すように、ノズル４１ａを制御して、第２洗浄液（回収液）でウェハＷのおもて面を洗浄する第２洗浄処理を実施する。かかる第２洗浄処理によって、基板処理システム１は、第１洗浄処理で除去することができなかったおもて面のパーティクルを除去することができる。
なお、かかる第２洗浄処理の際、基板処理システム１は、引き続き第２洗浄液（回収液）でウェハＷの裏面を洗浄する。
次に、基板処理システム１は、図４の（ｃ）に示すように、ノズル４１ｂを制御して、機能水でウェハＷのおもて面をリンスするリンス処理を実施する。かかるリンス処理によって、基板処理システム１は、ウェハＷのおもて面に残る洗浄液を除去することができる。
なお、かかるリンス処理の際、基板処理システム１は、ノズル６１ｂを制御して、機能水でウェハＷの裏面をリンスする。これにより、基板処理システム１は、ウェハＷの裏面に残る洗浄液を除去することができる。
最後に、基板処理システム１は、液処理部３０（図２参照）を制御して、ウェハＷの乾燥処理（たとえば、スピン乾燥）を実施する（図示は省略）。
ここまで説明したように、実施形態では、ウェハＷのおもて面に付着するパーティクルを除去する際に、最初に清浄度の高い新液でウェハＷのおもて面を洗浄し、つづいて清浄度の低い回収液でウェハＷのおもて面を洗浄する。
ここで、ウェハＷの洗浄処理において新液と回収液とを使い分ける場合に、両方の洗浄液を供給するタイミングとウェハＷに残るパーティクルとの関係について示す。図５は、実施形態に係る基板処理における回収液および新液の供給タイミングによる違いについて示した図である。
なお、図５の例は、ウェハＷのおもて面に吐出される洗浄液の流量が１５００（ｍＬ／ｍｉｎ）に設定され、ウェハＷの裏面に吐出される洗浄液の流量が１０００（ｍＬ／ｍｉｎ）に設定され、洗浄液による処理時間が３０秒に設定された場合の結果である。
図５に示すように、洗浄処理のすべての期間（３０秒）にわたって回収液を用いた場合には、かかる回収液の清浄度が低いことから、洗浄後にウェハＷに残るパーティクルの数が多くなっている。
また、洗浄処理の最初の期間（２３秒）で回収液を用い、次の期間（７秒）で新液を用いた場合にも、洗浄後にウェハＷに残るパーティクルの数は、すべての期間にわたって回収液を用いた場合とほとんど変化がない。
これは、最初の期間で清浄度の低い回収液を用いると、この最初の期間でウェハＷ上にパーティクルがしっかりと付着してしまうことから、次の期間で新液を用いたとしても、しっかりと付着したパーティクルを除去することが困難であるためであると推測される。
一方、上述の実施形態で示したように、最初の期間（５秒）で新液を用い、次の期間（２３秒）で回収液を用い、最後の期間（２秒）で新液を用いると、新液を用いた長さ自体は変わらないにもかかわらず、ウェハＷに残るパーティクルの数が大きく減少している。
これは、最初の期間で清浄度の高い新液を用いることにより、ウェハＷ上にパーティクルがしっかりと付着してしまうのを抑制できることから、パーティクルを効率よく除去できるためであると推測される。
このように、実施形態では、洗浄処理の最初の期間で清浄度の高い新液を用い、次の期間で清浄度の低い回収液を用いることにより、清浄度が低い回収液を用いた場合でも、ウェハＷのおもて面から十分にパーティクルを除去することができる。
また、実施形態では、洗浄処理に回収液を用いることができることから、洗浄処理に必要となる新液の量を低減することができる。したがって、実施形態によれば、洗浄処理のコストを低減することができる。
なお、図４に示したように、実施形態に係る洗浄処理では、ウェハＷの裏面にはおもて面に比べて付着するパーティクルの量が少ないことから、裏面を清浄度の低い回収液で洗浄したとしても実用上問題はない。
また、ウェハＷの裏面をすべての期間にわたって回収液で洗浄することにより、洗浄処理に必要となる新液の量をさらに低減することができることから、洗浄処理のコストをさらに低減することができる。
また、実施形態では、リンス処理に機能水を用いるとよい。図６は、実施形態に係るリンス処理におけるＤＩＷと機能水との違いについて示した図である。
なお、図６の例は、図５の例と同様の条件に加えて、機能水として濃度３（ｐｐｍｗ）、温度２５℃の希釈アンモニア水を用い、ウェハＷのおもて面および裏面に吐出されるＤＩＷおよび機能水の流量が１５００（ｍＬ／ｍｉｎ）に設定された場合の結果である。
図６に示すように、リンス処理にＤＩＷを用いた場合に比べて、リンス処理に機能水を用いることにより、ウェハＷに残るパーティクルの数を低減することができる。
この結果は、以下のような理由であると推測される。ゼータ電位の観点において、アルカリ性である機能水をリンス処理に用いることにより、ウェハＷ上に残留するパーティクルの表面を負に帯電させることができる。
そして、シリコンで構成されるウェハＷの表面は負に帯電していることから、実施形態では、機能水によって負に帯電したパーティクルの付着を抑制することができる。
なお、実施形態では、リンス処理を機能水で実施した場合について示したが、リンス処理をアルカリ性の処理液（たとえば、ＳＣ１（アンモニアと過酸化水素水の混合液））で実施してもよい。
これにより、パーティクルを負に帯電させる効果に加えて、ウェハＷの表面酸化膜を微少エッチングすることにより、かかる表面酸化膜上に付着するパーティクルを除去する効果を得ることができる。したがって、リンス処理をアルカリ性のエッチング液で実施することにより、ウェハＷに残るパーティクルの数をさらに低減することができる。
また、実施形態では、洗浄液（たとえば、回収液）のフィルトレーション処理を室温（２５℃）よりも低い温度で実施するとよい。図７は、実施形態に係るフィルトレーション処理における回収液の温度の違いについて示した図である。
なお、図７の例は、ウェハＷのおもて面に吐出される洗浄液の流量が１５００（ｍＬ／ｍｉｎ）に設定され、ウェハＷの裏面に吐出される洗浄液の流量が１０００（ｍＬ／ｍｉｎ）に設定され、洗浄液による処理時間が２５０秒に設定された場合の結果である。
図７に示すように、フィルトレーション処理を室温（２５℃）で実施した場合に比べて、室温よりも低い温度（２０℃、１８℃）でフィルトレーション処理を実施することより、ウェハＷに残るパーティクルの数を低減することができる。
この結果は、以下のような理由であると推測される。室温よりも低い温度（以下、単に「低温」とも呼称する。）でのフィルトレーション処理では、室温でのフィルトレーション処理に比べて、フィルタ１２５（図３参照）内のメンブレンが収縮する。
これにより、かかるメンブレンの口径が狭くなることから、フィルタ１２５でより小さなパーティクルを捕集することができる。したがって、実施形態によれば、フィルタ１２５のフィルトレーション能力を向上させることができる。
また、低温でのフィルトレーション処理では、室温でのフィルトレーション処理に比べて、フィルタ１２５のメンブレンから溶出するパーティクルの量を低減することができる。これによっても、フィルタ１２５のフィルトレーション能力を向上させることができる。
＜各種変形例＞
つづいて、実施形態の各種変形例について、図８～図１６を参照しながら説明する。図８は、実施形態の変形例１に係る基板処理の手順を説明するための図である。なお、以降の例においては、図４に示した実施形態と同様の処理については説明を省略する。
ドライエッチングされたウェハＷに対して、基板処理システム１（図２参照）は、図８の（ａ）に示すように、ノズル４１ａを制御して、第１洗浄液（新液）でウェハＷのおもて面を洗浄する。次に、基板処理システム１は、図８の（ｂ）に示すように、ノズル４１ａを制御して、第２洗浄液（回収液）でウェハＷのおもて面を洗浄する。
次に、基板処理システム１は、図８の（ｃ）に示すように、ノズル４１ａを制御して、第１洗浄液（新液）でウェハＷのおもて面を洗浄する。そして、基板処理システム１は、図８の（ｄ）に示すように、ノズル４１ｂを制御して、機能水でウェハＷのおもて面をリンスする。最後に、基板処理システム１は、ウェハＷの乾燥処理を実施する（図示は省略）。
すなわち、変形例１では、実施形態に係る第２洗浄処理とリンス処理との間に第１洗浄液による洗浄処理を追加する。これにより、第２洗浄処理で除去することができなかったおもて面のパーティクルを除去することができる。
したがって、変形例１によれば、清浄度が低い回収液を用いた場合でも、ウェハＷのおもて面からさらに十分にパーティクルを除去することができる。
図９は、実施形態の変形例２に係る基板処理の手順を説明するための図である。ドライエッチングされたウェハＷに対して、基板処理システム１（図２参照）は、図９の（ａ）に示すように、ノズル４１ａを制御して、第１洗浄液（新液）でウェハＷのおもて面を洗浄する。
次に、基板処理システム１は、図９の（ｂ）に示すように、ノズル４１ｂを制御して、機能水でウェハＷのおもて面をリンスする。そして、基板処理システム１は、図９の（ｃ）に示すように、ノズル４１ａを制御して、第１洗浄液（新液）でウェハＷのおもて面を洗浄する。
次に、基板処理システム１は、図８の（ｄ）に示すように、ノズル４１ｂを制御して、機能水でウェハＷのおもて面をリンスする。最後に、基板処理システム１は、ウェハＷの乾燥処理を実施する（図示は省略）。
すなわち、変形例２では、第１洗浄液による２回の洗浄処理の間にリンス処理を追加する。これにより、第１洗浄液による最初の洗浄処理で除去することができなかったおもて面のパーティクルを除去することができる。したがって、変形例２によれば、ウェハＷのおもて面から十分にパーティクルを除去することができる。
図１０は、実施形態の変形例３に係る基板処理の手順を説明するための図である。ドライエッチングされたウェハＷに対して、基板処理システム１（図２参照）は、図１０の（ａ）に示すように、ノズル４１ａを制御して、第１洗浄液（新液）でウェハＷのおもて面を洗浄する。
次に、基板処理システム１は、図１０の（ｂ）に示すように、ノズル４１ｂを制御して、機能水でウェハＷのおもて面をリンスする。そして、基板処理システム１は、図１０の（ｃ）に示すように、ノズル４１ａを制御して、第２洗浄液（回収液）でウェハＷのおもて面を洗浄する。
次に、基板処理システム１は、図１０の（ｄ）に示すように、ノズル４１ｂを制御して、機能水でウェハＷのおもて面をリンスする。最後に、基板処理システム１は、ウェハＷの乾燥処理を実施する（図示は省略）。
すなわち、変形例３では、実施形態に係る第１洗浄処理と第２洗浄処理との間にリンス処理を追加する。これにより、第１洗浄処理で除去することができなかったおもて面のパーティクルを除去することができる。
したがって、変形例３によれば、清浄度が低い回収液を用いた場合でも、ウェハＷのおもて面からさらに十分にパーティクルを除去することができる。
図１１は、実施形態の変形例４に係る基板処理システム１の配管構成を示す模式図である。図１１に示すように、変形例４に係る基板処理システム１は、洗浄液回収部６から処理ユニット１６に第２洗浄液を供給する第２洗浄液供給ライン１３６が設けられる点が上述の実施形態と異なる。そこで、以降の例では、図３に示した実施形態と同じ部位には同じ符号を付して、説明を省略する。
第２洗浄液供給ライン１３６は、分岐ライン１３２におけるフィルタ１３４とバルブ１３５との間から分岐する。また、第２洗浄液供給ライン１５２には合流部１５７が設けられ、かかる合流部１５７に第２洗浄液供給ライン１３６が接続される。
これにより、変形例４に係る基板処理システム１は、洗浄液回収部６において低温でフィルトレーション処理された回収液を、低温のままで処理ユニット１６に供給することができる。
図１２は、実施形態の変形例４に係る基板処理の手順を説明するための図である。ドライエッチングされたウェハＷに対して、基板処理システム１（図１１参照）は、図１２の（ａ）に示すように、ノズル４１ａを制御して、高温の第１洗浄液（新液）でウェハＷのおもて面を洗浄する。かかる高温の新液は、第１洗浄液供給部５のヒータ１０５（図１１参照）で新液を昇温することにより生成することができる。
このように、高温の新液でウェハＷのおもて面を洗浄することにより、洗浄液としてＤＳＰを用いる場合など、かかる洗浄液でウェハＷの表面がエッチングされる場合に、エッチングレートを増加させることができる。
次に、基板処理システム１は、図１２の（ｂ）に示すように、ノズル４１ａを制御して、低温の第２洗浄液（回収液）でウェハＷのおもて面を洗浄する。かかる低温の回収液は、洗浄液回収部６から第２洗浄液供給ライン１３６を介して供給される。
このように、低温の回収液でウェハＷのおもて面を洗浄することにより、洗浄液でウェハＷの表面がエッチングされる場合に、エッチングレートを減少させることができる。これにより、高温の新液での洗浄処理と低温の回収液での洗浄処理とを合わせて、トータルのエッチング量を所与の値に揃えることができる。
次に、基板処理システム１は、図１２の（ｃ）に示すように、ノズル４１ｂを制御して、機能水でウェハＷのおもて面をリンスする。最後に、基板処理システム１は、ウェハＷの乾燥処理を実施する（図示は省略）。
図１３は、実施形態の変形例５に係る基板処理システム１の配管構成を示す模式図である。図１３に示すように、変形例５に係る基板処理システム１は、第１洗浄液供給部５の循環ライン１０２にヒータ１０５ではなくチラー１１８が設けられる点が実施形態と異なる。
かかるチラー１１８は、循環ライン１０２におけるポンプ１０３とフィルタ１０４との間に設けられ、循環ライン１０２内を循環する第１洗浄液（新液）を冷却する。
変形例５では、チラー１１８を用いることにより、室温よりも低い温度で第１洗浄液のフィルトレーション処理を実施することができる。したがって、変形例５によれば、第１洗浄液の清浄度をさらに向上させることができることから、ウェハＷに残るパーティクルの数をさらに低減することができる。
また、変形例５では、第１洗浄液供給部５において低温でフィルトレーション処理された新液を、低温のままで処理ユニット１６に供給することができる。
図１４は、実施形態の変形例５に係る基板処理の手順を説明するための図である。ドライエッチングされたウェハＷに対して、基板処理システム１（図１３参照）は、図１４の（ａ）に示すように、ノズル４１ａを制御して、低温の第１洗浄液（新液）でウェハＷのおもて面を洗浄する。かかる低温の新液は、第１洗浄液供給部５から供給される。
このように、低温の新液でウェハＷのおもて面を洗浄することにより、洗浄液としてＤＳＰを用いる場合など、かかる洗浄液でウェハＷの表面がエッチングされる場合に、ウェハＷ上にパーティクルが付着しにくい状態にすることができる。
次に、基板処理システム１は、図１４の（ｂ）に示すように、ノズル４１ａを制御して、高温の第２洗浄液（回収液）でウェハＷのおもて面を洗浄する。かかる高温の回収液は、第２洗浄液供給部７のヒータ１４５で回収液を昇温することにより生成することができる。
このように、高温の回収液でウェハＷのおもて面を洗浄することにより、洗浄液でウェハＷの表面がエッチングされる場合に、エッチングレートを増加させることができる。これにより、低温の新液での洗浄処理と高温の回収液での洗浄処理とを合わせて、トータルのエッチング量を所与の値に揃えることができる。
次に、基板処理システム１は、図１４の（ｃ）に示すように、ノズル４１ｂを制御して、機能水でウェハＷのおもて面をリンスする。最後に、基板処理システム１は、ウェハＷの乾燥処理を実施する（図示は省略）。
ここまで説明した実施形態および各種変形例では、第１洗浄液として未使用の洗浄液（すなわち、新液）を用いた場合について示したが、実施形態に係る第１洗浄液は未使用の洗浄液に限られない。
図１５は、実施形態の変形例６に係る基板処理システム１の配管構成を示す模式図である。図１５に示すように、変形例６に係る基板処理システム１は、分岐ライン１３２が合流部１５７のみに接続されるとともに、排出ライン１２０から分岐ライン１３７が分岐して、かかる分岐ライン１３７が第２洗浄液供給部７に接続される点が変形例４と異なる。
分岐ライン１３７は、排出ライン１２０を介して処理ユニット１６と第２洗浄液供給部７のタンク１４１との間に介設される。かかる分岐ライン１３７を設けることにより、処理ユニット１６で使用済みの洗浄液を第２洗浄液供給部７に直接供給することができる。
したがって、変形例６によれば、処理ユニット１６で使用済みの洗浄液を、第２洗浄液供給部７において室温または室温よりも高い温度（以下、単に「高温」とも呼称する。）でフィルトレーション処理することができる。
また、変形例６では、分岐ライン１３２が合流部１５７に接続されることにより、洗浄液回収部６において低温でフィルトレーション処理された回収液を、処理ユニット１６に直接供給することができる。
図１６は、実施形態の変形例６に係る基板処理の手順を説明するための図である。ドライエッチングされたウェハＷに対して、基板処理システム１（図１５参照）は、図１６の（ａ）に示すように、ノズル４１ａを制御して、低温でフィルトレーションされた回収液でウェハＷのおもて面を洗浄する。
次に、基板処理システム１は、図１６の（ｂ）に示すように、ノズル４１ａを制御して、室温でフィルトレーション処理された回収液でウェハＷのおもて面を洗浄する。そして、基板処理システム１は、図１６の（ｃ）に示すように、ノズル４１ｂを制御して、機能水でウェハＷのおもて面をリンスする。最後に、基板処理システム１は、ウェハＷの乾燥処理を実施する（図示は省略）。
ここで、変形例６では、低温でフィルトレーションされた回収液のほうが、室温でフィルトレーションされた回収液よりも清浄度が高い。すなわち、変形例６では、低温でフィルトレーションされた回収液が第１洗浄液となり、室温でフィルトレーションされた回収液が第２洗浄液となる。
かかる変形例６においても、最初に清浄度の高い第１洗浄液で洗浄処理を実施し、つづいて清浄度の低い第２洗浄液で洗浄処理を実施する。これにより、室温でフィルトレーション処理された清浄度の低い回収液を用いた場合でも、ウェハＷのおもて面から十分にパーティクルを除去することができる。
また、変形例６では、洗浄処理のすべての期間にわたって回収液を用いることができることから、洗浄処理に必要となる新液の量をさらに低減することができる。したがって、変形例６によれば、洗浄処理のコストをさらに低減することができる。
このように、本開示では、第２洗浄液よりも清浄度の高い洗浄液を第１洗浄液として用いることができる。たとえば、低温でフィルトレーション処理した新液を第１洗浄液として用い、室温または高温でフィルトレーション処理した新液を第２洗浄液として用いてもよい。
また、低温でフィルトレーション処理した新液を第１洗浄液として用い、低温、室温または高温でフィルトレーション処理した回収液を第２洗浄液として用いてもよい。
また、室温または高温でフィルトレーション処理した新液を第１洗浄液として用い、低温、室温または高温でフィルトレーション処理した回収液を第２洗浄液として用いてもよい。また、室温でフィルトレーション処理した回収液を第１洗浄液として用い、高温でフィルトレーション処理した回収液を第２洗浄液として用いてもよい。
実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）は、基板処理部（処理ユニット１６）と、第１洗浄液供給部５と、洗浄液回収部６と、第２洗浄液供給部７とを備える。基板処理部（処理ユニット１６）は、基板（ウェハＷ）を処理する。第１洗浄液供給部５は、基板処理部（処理ユニット１６）に未使用の洗浄液を供給する。洗浄液回収部６は、基板処理部（処理ユニット１６）で使用された洗浄液を回収する。第２洗浄液供給部７は、洗浄液回収部６で回収された使用済みの洗浄液を基板処理部（処理ユニット１６）に供給する。これにより、清浄度が低い回収液を用いた場合でも、ウェハＷから十分にパーティクルを除去することができる。
また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）は、基板処理部（処理ユニット１６）と、第１洗浄液供給部５と、洗浄液回収部６と、第２洗浄液供給部７とを制御する制御部１８をさらに備える。制御部１８は、第１洗浄液供給部５から未使用の洗浄液を供給した後に、第２洗浄液供給部７から使用済みの洗浄液を供給する。これにより、清浄度が低い回収液を用いた場合でも、ウェハＷから十分にパーティクルを除去することができる。
また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、洗浄液回収部６は、回収された洗浄液を濾過するフィルタ１２５を有し、フィルタ１２５は、回収された洗浄液を室温よりも低い温度で濾過する。これにより、ウェハＷに残るパーティクルの数を低減することができる。
＜基板処理の手順＞
つづいて、実施形態に係る基板処理の手順について、図１７を参照しながら説明する。図１７は、実施形態に係る基板処理システム１が実行する基板処理の手順を示すフローチャートである。
最初に、制御部１８は、第１洗浄液供給部５および処理ユニット１６を制御して、第１洗浄液でウェハＷを洗浄する第１洗浄処理を実施する（ステップＳ１０１）。次に、制御部１８は、第２洗浄液供給部７および処理ユニット１６を制御して、第１洗浄液よりも清浄度が低い第２洗浄液でウェハＷを洗浄する第２洗浄処理を実施する（ステップＳ１０３）。
次に、制御部１８は、機能水供給ライン４４および処理ユニット１６を制御して、機能水によるウェハＷのリンス処理を実施する（ステップＳ１０３）。そして、制御部１８は、液処理部３０を制御して、ウェハＷの乾燥処理を実施する（ステップＳ１０４）。かかるステップＳ１０４が終了すると、一連の処理が完了する。
実施形態に係る基板処理方法は、第１洗浄工程（ステップＳ１０１）と、第２洗浄工程（ステップＳ１０２）とを含む。第１洗浄工程（ステップＳ１０１）は、第１洗浄液で基板（ウェハＷ）を洗浄する。第２洗浄工程（ステップＳ１０２）は、第１洗浄工程（ステップＳ１０１）の後に、第１洗浄液よりも清浄度が低い第２洗浄液で基板（ウェハＷ）を洗浄する。これにより、清浄度が低い洗浄液を用いた場合でも、ウェハＷから十分にパーティクルを除去することができる。
また、実施形態に係る基板処理方法において、第１洗浄液は、未使用の洗浄液であり、第２洗浄液は、使用済みの洗浄液である。これにより、洗浄処理に必要となる新液の量を低減することができることから、洗浄処理のコストを低減することができる。
また、実施形態に係る基板処理方法において、第２洗浄液は、使用された後に室温よりも低い温度で濾過された洗浄液である。これにより、第２洗浄液の清浄度を向上させることができることから、ウェハＷに残るパーティクルの数を低減することができる。
また、実施形態に係る基板処理方法において、第１洗浄液は、未使用のまま室温よりも低い温度で濾過された洗浄液である。これにより、第１洗浄液の清浄度をさらに向上させることができることから、ウェハＷに残るパーティクルの数をさらに低減することができる。
また、実施形態に係る基板処理方法において、第１洗浄液は、使用された後に室温よりも低い温度で濾過された洗浄液であり、第２洗浄液は、使用された後に室温以上の温度で濾過された洗浄液である。これにより、洗浄処理の全期間で回収液を用いることができることから、洗浄処理に必要となる新液の量をさらに低減することができる。
また、実施形態に係る基板処理方法は、第２洗浄工程（ステップＳ１０２）の後に、基板（ウェハＷ）を機能水でリンスするリンス工程（ステップＳ１０３）をさらに含む。これにより、ウェハＷに残るパーティクルの数を低減することができる。
また、実施形態に係る基板処理方法において、第１洗浄工程（ステップＳ１０１）は、室温以上の温度の第１洗浄液で基板（ウェハＷ）を洗浄し、第２洗浄工程（ステップＳ１０２）は、室温よりも低い温度の第２洗浄液で基板（ウェハＷ）を洗浄する。これにより、トータルのエッチング量を所与の値に揃えることができる。
また、実施形態に係る基板処理方法において、第１洗浄工程（ステップＳ１０１）は、室温よりも低い温度の第１洗浄液で基板（ウェハＷ）を洗浄し、第２洗浄工程（ステップＳ１０２）は、室温以上の温度の第２洗浄液で基板（ウェハＷ）を洗浄する。これにより、トータルのエッチング量を所与の値に揃えることができる。
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上記の実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。たとえば、上記の実施形態では、洗浄液にＤＳＰなどの酸系洗浄液を用いた場合について示したが、実施形態に係る洗浄液は酸系洗浄液に限られない。
また、上記の実施形態では、第１洗浄液と第２洗浄液とが清浄度の異なる同じ種類の洗浄液である場合について示したが、第１洗浄液と第２洗浄液とが清浄度および種類のいずれも異なる洗浄液であってもよい。
今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
Ｗ ウェハ（基板の一例）
１ 基板処理システム（基板処理装置の一例）
５ 第１洗浄液供給部
６ 洗浄液回収部
７ 第２洗浄液供給部
１６ 処理ユニット（基板処理部の一例）
１８ 制御部
１２５ フィルタ

Claims (10)

  1. 第１洗浄液で基板を洗浄する第１洗浄工程と、
    前記第１洗浄工程の後に、前記第１洗浄液よりも清浄度が低い第２洗浄液で前記基板を洗浄する第２洗浄工程と、
    を含み、
    前記第１洗浄液は、未使用の洗浄液であり、
    前記第２洗浄液は、使用済みの洗浄液である
    基板処理方法。
  2. 前記第２洗浄液は、使用された後に室温よりも低い温度で濾過された洗浄液である
    請求項１に記載の基板処理方法。
  3. 前記第１洗浄液は、未使用のまま室温よりも低い温度で濾過された洗浄液である
    請求項１または２に記載の基板処理方法。
  4. 第１洗浄液で基板を洗浄する第１洗浄工程と、
    前記第１洗浄工程の後に、前記第１洗浄液よりも清浄度が低い第２洗浄液で前記基板を洗浄する第２洗浄工程と、
    を含み、
    前記第１洗浄液は、使用された後に室温よりも低い温度で濾過された洗浄液であり、
    前記第２洗浄液は、使用された後に室温以上の温度で濾過された洗浄液である
    基板処理方法。
  5. 前記第２洗浄工程の後に、前記基板を機能水でリンスするリンス工程
    をさらに含む請求項１～４のいずれか一つに記載の基板処理方法。
  6. 前記第１洗浄工程は、室温以上の温度の前記第１洗浄液で前記基板を洗浄し、
    前記第２洗浄工程は、室温よりも低い温度の前記第２洗浄液で前記基板を洗浄する
    請求項１～５のいずれか一つに記載の基板処理方法。
  7. 前記第１洗浄工程は、室温よりも低い温度の前記第１洗浄液で前記基板を洗浄し、
    前記第２洗浄工程は、室温以上の温度の前記第２洗浄液で前記基板を洗浄する
    請求項１～５のいずれか一つに記載の基板処理方法。
  8. 基板を処理する基板処理部と、
    前記基板処理部に未使用の洗浄液を供給する第１洗浄液供給部と、
    前記基板処理部で使用された洗浄液を回収する洗浄液回収部と、
    前記洗浄液回収部で回収され、前記未使用の洗浄液よりも清浄度が低い使用済みの洗浄液を前記基板処理部に供給する第２洗浄液供給部と、
    を備える基板処理装置。
  9. 前記基板処理部と、前記第１洗浄液供給部と、前記洗浄液回収部と、前記第２洗浄液供給部とを制御する制御部をさらに備え、
    前記制御部は、前記第１洗浄液供給部から前記未使用の洗浄液を供給した後に、前記第２洗浄液供給部から前記使用済みの洗浄液を供給する
    請求項８に記載の基板処理装置。
  10. 前記洗浄液回収部は、回収された洗浄液を濾過するフィルタを有し、
    前記フィルタは、回収された洗浄液を室温よりも低い温度で濾過する
    請求項８または９に記載の基板処理装置。
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