JP7229394B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Description

開示の実施形態は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

従来、半導体ウェハ（以下、ウェハとも呼称する。）などの基板上に形成される膜に２種類の材料（たとえば、配線材料および拡散防止膜）が含まれる場合に、一方の材料を選択的にエッチングする技術が知られている（特許文献１参照）。

特開２００８－２８５５０８号公報

本開示は、混合液によるエッチング処理の際に、混合液が基板上で突沸することを抑制することができる技術を提供する。

本開示の一態様による基板処理装置は、昇温部と、混合部と、吐出部と、制御部とを備える。昇温部は、硫酸を昇温する。混合部は、昇温された前記硫酸と、水分を含む液体とを混合して混合液を生成する。吐出部は、基板処理部内で基板に前記混合液を吐出する。制御部は、各部を制御する。また、前記制御部は、設定された混合比で混合され、前記基板に吐出される前記混合液の沸点および吐出温度を推定し、推定された前記混合液の沸点および吐出温度に基づいて、前記設定された混合比の良否を判定する。

本開示によれば、混合液によるエッチング処理の際に、混合液が基板上で突沸することを抑制することができる。

図１は、実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す模式図である。 図２は、処理ユニットの具体的な構成例を示す模式図である。 図３は、実施形態におけるエッチング処理の概要を示す図である。 図４は、実施形態に係る混合液供給部の構成を示す図である。 図５は、実施形態における硫酸の温度と硫酸の比重との関係を示す図である。 図６は、実施形態における硫酸の濃度と式（９）の傾きおよび接片との関係を示す図である。 図７は、実施形態における硫酸の循環温度と混合液の吐出温度との関係を示す図である。 図８は、実施形態における混合液のＤＩＷ比率と式（１２）の傾きおよび接片との関係を示す図である。 図９は、実施形態についての実機による評価結果について示す図である。 図１０は、実施形態についての実機による評価結果について示す図である。 図１１は、実施形態に係る基板処理システムが実行する基板処理の手順を示すフローチャートである。 図１２は、実施形態に係る基板処理システムが実行する推定処理および判定処理の手順を示すフローチャートである。

以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置および基板処理方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態により本開示が限定されるものではない。また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率などは、現実と異なる場合があることに留意する必要がある。さらに、図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。

従来、半導体ウェハ（以下、ウェハとも呼称する。）などの基板上に形成される膜に２種類の材料（たとえば、配線材料および拡散防止膜）が含まれる場合に、一方の材料を選択的にエッチングする技術が知られている。そして、一方の材料を高い選択性でエッチングするために、昇温された硫酸などを複数種類混合した混合液をエッチング液として用いる場合がある。

一方で、ユーザが設定した混合比によって生成された混合液の吐出温度が、混合液の沸点と同等になった場合、吐出された混合液が基板上で突沸する場合があった。そして、かかる突沸により飛散した混合液が基板処理部内の各部に付着することにより、基板が汚染される恐れがあった。

そこで、上述の問題点を克服し、混合液によるエッチング処理の際に、混合液が基板上で突沸することを抑制することができる技術が期待されている。

＜基板処理システムの概要＞
最初に、図１を参照しながら、実施形態に係る基板処理システム１の概略構成について説明する。図１は、実施形態に係る基板処理システム１の概略構成を示す図である。なお、基板処理システム１は、基板処理装置の一例である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。

図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。

搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、実施形態では半導体ウェハＷ（以下、ウェハＷと呼称する。）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。

搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。

処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。

搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。

処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。

また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。

処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。

＜処理ユニットの構成＞
次に、処理ユニット１６の構成について、図２を参照しながら説明する。図２は、処理ユニット１６の具体的な構成例を示す模式図である。図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板処理部３０と、液供給部４０と、回収カップ５０とを備える。

チャンバ２０は、基板処理部３０と、液供給部４０と、回収カップ５０とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。

基板処理部３０は、保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備え、載置されたウェハＷに液処理を施す。保持部３１は、ウェハＷを水平に保持する。支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。

かかる基板処理部３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された保持部３１を回転させ、これにより、保持部３１に保持されたウェハＷを回転させる。

基板処理部３０が備える保持部３１の上面には、ウェハＷを側面から保持する保持部材３１１が設けられる。ウェハＷは、かかる保持部材３１１によって保持部３１の上面からわずかに離間した状態で水平保持される。なお、ウェハＷは、基板処理が行われる表面を上方に向けた状態で保持部３１に保持される。

液供給部４０は、ウェハＷに対して処理流体を供給する。液供給部４０は、複数（ここでは２つ）のノズル４１ａ、４１ｂと、かかるノズル４１ａ、４１ｂを水平に支持するアーム４２と、アーム４２を旋回および昇降させる旋回昇降機構４３とを備える。

ノズル４１ａは、吐出部の一例であり、バルブ４４ａおよび流量調整器４５ａを介して混合液供給部６０に接続される。かかる混合液供給部６０の詳細については後述する。

ノズル４１ｂは、バルブ４４ｂおよび流量調整器４５ｂを介してＤＩＷ供給源４６ｂに接続される。ＤＩＷ（DeIonized Water：脱イオン水）は、たとえばリンス処理に用いられる。なお、リンス処理に用いる処理液はＤＩＷに限られない。

ノズル４１ａからは、混合液供給部６０より供給される混合液Ｍ（図３参照）が吐出される。かかる混合液Ｍの詳細については後述する。ノズル４１ｂからは、ＤＩＷ供給源４６ｂより供給されるＤＩＷが吐出される。

回収カップ５０は、保持部３１を取り囲むように配置され、保持部３１の回転によってウェハＷから飛散する処理液を捕集する。回収カップ５０の底部には、排液口５１が形成されており、回収カップ５０によって捕集された処理液は、かかる排液口５１から処理ユニット１６の外部へ排出される。また、回収カップ５０の底部には、ＦＦＵ２１から供給される気体を処理ユニット１６の外部へ排出する排気口５２が形成される。

なお、実施形態の処理ユニット１６では、ノズルが２つ設けられる例について示したが、処理ユニット１６に設けられるノズルの数は２つに限られない。たとえば、ＩＰＡ（IsoPropyl Alcohol）を供給するＩＰＡ供給源と、かかるＩＰＡ供給源に接続された第３のノズルを設けて、かかる第３のノズルからＩＰＡが吐出されるように構成してもよい。

＜洗浄処理の詳細＞
次に、処理ユニット１６におけるウェハＷのエッチング処理の詳細について、図３を参照しながら説明する。図３は、実施形態におけるエッチング処理の概要を示す図である。なお、かかるエッチング処理が行われるウェハＷの表面上に形成される膜には、材質の異なるタングステン（Ｗ）および窒化チタン（ＴｉＮ）が含まれているものとする。

まず、基板搬送装置１７により、ウェハＷが処理ユニット１６のチャンバ２０内に搬入される。そして、ウェハＷは、基板処理される表面を上方に向けた状態で基板処理部３０の保持部材３１１に保持される。その後、駆動部３３により、保持部材３１１がウェハＷとともに所定の回転数で回転する。

次に、処理ユニット１６では、図３の（ａ）に示すように、混合液Ｍによるエッチング処理が行われる。かかるエッチング処理では、液供給部４０のノズル４１ａがウェハＷの中央上方に移動する。

その後、バルブ４４ａが所定時間開放されることにより、ウェハＷの表面に対して、濃硫酸を含んだ混合液Ｍが供給される。

ここで、実施形態では、所定の温度以上に昇温された混合液ＭがウェハＷに供給される。これにより、混合液Ｍ内で以下の式（１）、（２）の反応が発生する。
２Ｈ_２ＳＯ_４ → Ｈ_３ＳＯ_４ ^＋ ＋ ＨＳＯ_４ ^－ ・・（１）
Ｈ_３ＳＯ_４ ^＋ → Ｈ^＋ ＋ Ｈ_２ＳＯ_４ ・・（２）

そして、上記の反応で発生したＨ^＋が、ウェハＷの表面上に形成される膜に含まれるタングステンおよび窒化チタンのうち、窒化チタンと選択的に下記式（３）のように反応する。
ＴｉＮ ＋ ４Ｈ^＋ → Ｔｉ^３＋ ＋ ＮＨ_４ ^＋ ・・（３）

ここで、式（３）の反応で発生するＴｉ^３＋は混合液Ｍに溶解することから、上記式（１）～（３）の反応に基づいて、混合液Ｍは窒化チタンを選択的にエッチングすることができる。したがって、実施形態によれば、ウェハＷの表面上に形成される膜に含まれるタングステンおよび窒化チタンのうち、窒化チタンを高い選択性でエッチングすることができる。

また、実施形態では、濃硫酸に純水を添加した混合液Ｍでエッチング処理を行うとよい。これにより、混合液Ｍ内で上記式（１）、（２）のほか、以下の式（４）、（５）の反応が発生する。
Ｈ_２Ｏ ＋ Ｈ_２ＳＯ_４ → Ｈ_３Ｏ^＋ ＋ ＨＳＯ_４ ^－ ・・（４）
Ｈ_３Ｏ^＋ → Ｈ^＋ ＋ Ｈ_２Ｏ ・・（５）

かかる式（４）、（５）の反応により、混合液Ｍ内により多くのＨ^＋が供給される。これにより、実施形態では、上記式（３）の反応が促進されることから、混合液Ｍは窒化チタンをさらに選択的にエッチングすることができる。

図３の説明に戻る。次に、処理ユニット１６では、図３の（ｂ）に示すように、ノズル４１ａから硫酸の吐出処理が行われる。この処理は、ノズル４１ａから混合液Ｍの吐出を停止させる際に、硫酸の供給とＤＩＷの供給とを同時に止めてしまうと、配管内で硫酸とＤＩＷとが突沸することにより、ノズル４１ａでの良好な液切れ処理が困難となるために実施される。

具体的には、混合部１４０（図４参照）における硫酸とＤＩＷとの突沸反応が収まるまでの間、硫酸のみをノズル４１ａに供給することにより、その後にノズル４１ａの液切れ処理を実施した場合に問題なく液切れ処理を実施することができる。

なお、図３の（ｂ）に示す硫酸吐出処理では、混合部１４０で硫酸がＤＩＷと反応しないため、混合液Ｍよりも硫酸の温度が低下するとともに、上記式（４）、（５）の反応が起こらない。すなわち、かかる硫酸吐出処理は、ウェハＷのエッチング処理にはほとんど寄与しない。

次に、処理ユニット１６では、図３の（ｃ）に示すように、ＤＩＷによるリンス処理が行われる。かかるリンス処理では、液供給部４０のノズル４１ｂがウェハＷの中央上方に移動し、バルブ４４ｂが所定時間開放されることにより、ウェハＷの表面に対してリンス液である室温のＤＩＷが供給される。

このリンス処理により、ウェハＷ上に残存する混合液Ｍやエッチングされた窒化チタンなどの残渣を除去することができる。なお、リンス処理におけるＤＩＷの温度は、室温でも室温より高い温度でもよい。

つづいて、処理ユニット１６では、ウェハＷを乾燥させる乾燥処理が行われる。かかる乾燥処理では、たとえば、駆動部３３により保持部材３１１を高速回転させることにより、保持部材３１１に保持されるウェハＷ上のＤＩＷを振り切る。なお、ＤＩＷを振り切る代わりに、ＤＩＷをＩＰＡに置換させた後、かかるＩＰＡを振り切ってウェハＷを乾燥させてもよい。

その後、処理ユニット１６では、搬出処理が行われる。搬出処理では、ウェハＷの回転を停止させた後、基板搬送装置１７により、ウェハＷが処理ユニット１６から搬出される。かかる搬出処理が完了すると、１枚のウェハＷについての一連のエッチング処理が完了する。

＜混合液供給部の構成＞
次に、基板処理システム１が備える混合液供給部６０の構成について、図４を参照しながら説明する。図４は、実施形態に係る混合液供給部６０の構成を示す図である。なお、以下に示す混合液供給部６０の各部は、制御部１８によって制御可能である。

図４に示すように、実施形態に係る混合液供給部６０は、硫酸供給部１００と、純水供給部１２０と、混合部１４０とを備える。

硫酸供給部１００は、混合部１４０に硫酸を供給する。かかる硫酸は、たとえば、濃硫酸である。硫酸供給部１００は、硫酸供給源１０１ａと、バルブ１０１ｂと、流量調整器１０１ｃと、タンク１０２と、循環ライン１０３と、硫酸供給ライン１１０とを有する。

硫酸供給源１０１ａは、バルブ１０１ｂおよび流量調整器１０１ｃを介してタンク１０２に接続される。これにより、硫酸供給源１０１ａは、バルブ１０１ｂおよび流量調整器１０１ｃを介してタンク１０２に硫酸を供給し、タンク１０２に硫酸を貯留することができる。

循環ライン１０３は、タンク１０２から出て、かかるタンク１０２に戻る循環ラインである。かかる循環ライン１０３には、タンク１０２を基準として、上流側から順にポンプ１０４と、フィルタ１０５と、流量調整器１０６と、ヒータ１０７と、熱電対１０８と、切替部１０９とが設けられる。ヒータ１０７は、昇温部の一例である。

ポンプ１０４は、タンク１０２から出て、循環ライン１０３を通り、タンク１０２に戻る硫酸の循環流を形成する。フィルタ１０５は、循環ライン１０３内を循環する硫酸に含まれるパーティクルなどの汚染物質を除去する。流量調整器１０６は、循環ライン１０３を通る硫酸の循環流の流量を調整する。

ヒータ１０７は、循環ライン１０３内を循環する硫酸を加熱する。熱電対１０８は、循環ライン１０３内を循環する硫酸の温度を計測する。したがって、制御部１８は、ヒータ１０７および熱電対１０８を用いることにより、循環ライン１０３内を循環する硫酸の温度を制御することができる。

切替部１０９は、硫酸供給ライン１１０を介して混合液供給部６０の混合部１４０に接続され、循環ライン１０３内を循環する硫酸の向きをタンク１０２または混合部１４０に切り替えることができる。

硫酸供給ライン１１０には、切替部１０９を基準として、上流側から順に流量計１１１と、電動のニードルバルブ１１２と、バルブ１１３と、分岐部１１４とが設けられる。

流量計１１１は、硫酸供給ライン１１０を流れる硫酸の流量を測定する。ニードルバルブ１１２は、硫酸供給ライン１１０を流れる硫酸の流量を調整する。分岐部１１４は、バルブ１１５を介してドレイン部ＤＲに接続される。

そして、制御部１８は、流量計１１１で測定される値を用いてニードルバルブ１１２をフィードバック制御することにより、硫酸を混合部１４０に高精度の流量で供給することができる。

また、タンク１０２には、純水供給源１１６ａと、バルブ１１６ｂと、流量調整器１１６ｃと、バルブ１１６ｄとが設けられる。タンク１０２は、バルブ１１６ｄを介してドレイン部ＤＲに接続され、純水供給源１１６ａは、バルブ１１６ｂおよび流量調整器１１６ｃを介してタンク１０２とバルブ１１６ｄとの間に接続される。

これにより、制御部１８は、タンク１０２内の硫酸を交換する際などに、バルブ１１６ｂ、流量調整器１１６ｃおよびバルブ１１６ｄを制御して、タンク１０２内の濃硫酸を所定の濃度に希釈してからドレイン部ＤＲに排出することができる。

純水供給部１２０は、混合部１４０にＤＩＷを供給する。かかるＤＩＷは、純水の一例であり、また、水分を含む液体の一例である。純水供給部１２０は、純水供給源１２１ａと、バルブ１２１ｂと、流量調整器１２１ｃと、タンク１２２と、純水供給ライン１２３とを有する。

純水供給源１２１ａは、バルブ１２１ｂおよび流量調整器１２１ｃを介してタンク１２２に接続される。これにより、純水供給源１２１ａは、バルブ１２１ｂおよび流量調整器１２１ｃを介してタンク１２２に純水を供給し、タンク１２２に純水を貯留することができる。

純水供給ライン１２３には、タンク１２２を基準として、上流側から順にバルブ１２４と、流量計１２５と、電動のニードルバルブ１２６と、バルブ１２７と、分岐部１２８とが設けられる。

流量計１２５は、純水供給ライン１２３を流れる純水の流量を測定する。ニードルバルブ１２６は、純水供給ライン１２３を流れる純水の流量を調整する。分岐部１２８は、バルブ１２９を介してドレイン部ＤＲに接続される。

そして、制御部１８は、流量計１２５で測定される値を用いてニードルバルブ１２６をフィードバック制御することにより、純水を混合部１４０に高精度の流量で供給することができる。

また、タンク１２２は、バルブ１３０を介してドレイン部ＤＲに接続される。これにより、制御部１８は、タンク１２２内の純水を交換する際などに、バルブ１３０を制御して、タンク１２２内の純水をドレイン部ＤＲに排出することができる。

混合部１４０は、硫酸供給部１００から供給される硫酸と、純水供給部１２０から供給される純水とを混合して、混合液Ｍ（図３参照）を生成する。実施形態において、混合部１４０は、硫酸供給ライン１１０と、純水供給ライン１２３とが合流する箇所に設けられる。

そして、混合部１４０は、混合液供給ライン１６０を介して、処理ユニット１６に接続される。また、混合液供給ライン１６０には、上述したバルブ４４ａおよび流量調整器４５ａが設けられる。これにより、混合液供給部６０は、ユーザによって設定された混合比を有する混合液Ｍを処理ユニット１６に供給することができる。

また、上述のように、硫酸供給部１００にはヒータ１０７が設けられるとともに、混合部１４０では、硫酸と純水が反応することによって混合液Ｍの温度が上昇する。これにより、実施形態の混合液供給部６０は、混合液Ｍを所望の温度に昇温して処理ユニット１６に供給することができる。

たとえば、混合液供給部６０は、硫酸供給部１００のヒータ１０７を用いて濃硫酸の温度を１２０℃程度まで昇温することにより、混合部１４０において混合液Ｍを１５０℃程度まで昇温することができる。

また、図４には図示していないが、循環ライン１０３などには、別途バルブなどが設けられていてもよい。

ここで、実施形態では、硫酸供給部１００から混合部１４０に供給される硫酸の濃度および温度と、混合部１４０で生成される混合液Ｍの混合比とに基づいて、制御部１８（図１参照）が混合液Ｍの沸点を推定する。

また、実施形態では、硫酸供給部１００から混合部１４０に供給される硫酸の温度と、混合部１４０で生成される混合液Ｍの混合比とに基づいて、制御部１８が混合液Ｍの吐出温度を推定する。

そして、制御部１８は、推定された混合液Ｍの沸点と、推定された混合液Ｍの吐出温度とを比較して、ユーザが設定した混合液Ｍの混合比についての良否を判定する。

たとえば、制御部１８は、ユーザが設定した混合比によって生成される混合液Ｍの吐出温度が、混合液Ｍの沸点と同等（たとえば、沸点－吐出温度＜３℃）である場合、ユーザが設定した混合比を「否」と判定する。

なぜなら、混合液Ｍの吐出温度が混合液Ｍの沸点と同等である場合、吐出された混合液ＭがウェハＷ上で突沸する恐れがあるからである。

一方で、制御部１８は、ユーザが設定した混合比によって生成される混合液Ｍの吐出温度が、混合液Ｍの沸点と同等よりも低い（たとえば、沸点－吐出温度≧３℃）である場合）、ユーザが設定した混合比を「良」と判定する。

なぜなら、混合液Ｍの吐出温度が混合液Ｍの沸点と同等よりも低い場合、吐出された混合液ＭがウェハＷ上で突沸する可能性は低いからである。

ここまで説明したように、実施形態では、混合液Ｍを生成する際の各種パラメータを用いて、混合液Ｍの沸点および吐出温度を推定することにより、混合液Ｍによるエッチング処理の際に、混合液ＭがウェハＷ上で突沸することを抑制することができる。

＜推定方法の詳細＞
つづいては、実施形態に係る混合液Ｍの沸点および吐出温度の推定方法の詳細について、図５～図１０を参照しながら説明する。最初に、実施形態に係る混合液Ｍの沸点Ｔ_Ｂの推定方法について説明する。

混合液Ｍの沸点Ｔ_Ｂは、以下の式（６）で算出される。なお、この式（６）において、「Ｆ_ＤＩＷ」とは、混合液ＭにおけるＤＩＷのモル分率のことである。
Ｔ_Ｂ＝－２８２Ｆ_ＤＩＷ＋３５９．４ ・・（６）

また、混合液ＭにおけるＤＩＷのモル分率Ｆ_ＤＩＷは、以下の式（７）で算出される。
Ｆ_ＤＩＷ＝（Ａ_ＤＩＷ／Ｂ_ＤＩＷ）／（（Ａ_ＳＡ／Ｂ_ＳＡ）＋（Ａ_ＤＩＷ／Ｂ_ＤＩＷ）） ・・（７）

この式（７）において、「Ａ_ＤＩＷ」および「Ｂ_ＤＩＷ」とは、混合部１４０に供給されるＤＩＷの重量および分子量のことであり、「Ａ_ＳＡ」および「Ｂ_ＳＡ」とは、混合部１４０に供給される硫酸の重量および分子量のことである。

したがって、上記の式（７）は、以下の式（８）のように変形することができる。
Ｆ_ＤＩＷ＝（Ｃ_ＤＩＷ／１８）／（（Ｃ_ＳＡ・Ｄ_ＳＡ／９８）＋（Ｃ_ＤＩＷ・Ｄ_ＤＩＷ／１８）） ・・（８）

この式（８）において、「Ｃ_ＤＩＷ」および「Ｄ_ＤＩＷ」とは混合部１４０に供給されるＤＩＷの流量および比重のことであり、「Ｃ_ＳＡ」および「Ｄ_ＳＡ」とは混合部１４０に供給される硫酸の流量および比重のことである。

ここで、混合部１４０に供給されるＤＩＷの流量Ｃ_ＤＩＷと、混合部１４０に供給される硫酸の流量Ｃ_ＳＡとは、ユーザが所望する混合液Ｍの混合比に基づいて、かかるユーザによって設定される値である。また、混合部１４０に供給されるＤＩＷの比重Ｄ_ＤＩＷは、このＤＩＷが室温で混合部１４０に供給されることから、Ｄ_ＤＩＷ＝１．０とみなすことができる。

一方で、混合部１４０に供給される硫酸の比重Ｄ_ＳＡは、硫酸供給部１００から供給される硫酸の濃度Ｅ_ＳＡおよび温度Ｔ_ＳＡが装置ごとに異なる場合があることから、別途算出する必要がある。そこで、本願の発明者は、硫酸の比重Ｄ_ＳＡと硫酸の濃度Ｅ_ＳＡおよび温度Ｔ_ＳＡとの関係について、実機による実験から求めた。

図５は、実施形態における硫酸の温度Ｔ_ＳＡと硫酸の比重Ｄ_ＳＡとの関係を示す図であり、複数の硫酸の濃度Ｅ_ＳＡにおける硫酸の温度Ｔ_ＳＡと硫酸の比重Ｄ_ＳＡとの関係について示している。

図５に示すように、同じ濃度Ｅ_ＳＡの硫酸では、硫酸の比重Ｄ_ＳＡが硫酸の温度Ｔ_ＳＡに対する一次方程式の式（９）により近似計算することができる。
Ｄ_ＳＡ＝ａ・Ｔ_ＳＡ＋ｂ ・・（９）

たとえば、硫酸の濃度Ｅ_ＳＡが９４ｗｔ％である場合、式（９）はＤ_ＳＡ＝－０．００１・Ｔ_ＳＡ＋１．８４９９となり、硫酸の濃度Ｅ_ＳＡが８５ｗｔ％である場合、式（９）はＤ_ＳＡ＝－０．００１・Ｔ_ＳＡ＋１．７９９となる。

そこで、本願の発明者は、複数の硫酸の濃度Ｅ_ＳＡそれぞれにおいて式（９）の傾きａと接片ｂとを求め、かかる傾きａおよび接片ｂと、硫酸の濃度Ｅ_ＳＡとの関係について求めた。図６は、実施形態における硫酸の濃度Ｅ_ＳＡと式（９）の傾きａおよび接片ｂとの関係を示す図である。

そして、実施形態では、図６に示す傾きａのプロットに対応する近似曲線Ａ１に基づいて、式（９）の傾きａを以下の式（１０）で算出することができる。
ａ＝－５・１０^－８・Ｅ_ＳＡ ^３＋１・１０^－５・Ｅ_ＳＡ ^２－０．００１４・Ｅ_ＳＡ＋０．０４１９ ・・（１０）

また、実施形態では、図６に示す接片ｂのプロットに対応する近似曲線Ａ２に基づいて、式（９）の接片ｂを以下の式（１１）で算出することができる。
ｂ＝－８・１０^－６・Ｅ_ＳＡ ^３＋０．００２・Ｅ_ＳＡ ^２－０．１４２・Ｅ_ＳＡ＋４．８８１８ ・・（１１）

ここまで説明したように、実施形態では、硫酸の濃度Ｅ_ＳＡおよび温度Ｔ_ＳＡに基づいて、上述の式（９）～（１１）によって硫酸の比重Ｄ_ＳＡが算出可能であることから、上述の式（８）によって混合液ＭにおけるＤＩＷのモル分率Ｆ_ＤＩＷを算出することができる。

したがって、実施形態では、算出されたＤＩＷのモル分率Ｆ_ＤＩＷを上述の式（６）に入力することにより、混合液Ｍの沸点Ｔ_Ｂを算出することができる。

つづいて、実施形態に係る混合液Ｍの吐出温度Ｔ_Ｍの推定方法について説明する。図７は、実施形態における硫酸の温度Ｔ_ＳＡと混合液Ｍの吐出温度Ｔ_Ｍとの関係を示す図であり、複数の混合液ＭのＤＩＷ比率Ｐ_ＤＩＷにおける硫酸の温度Ｔ_ＳＡと混合液Ｍの吐出温度Ｔ_Ｍとの関係について示している。なお、図７に示したデータは、実機による実験から求めたものである。

図７に示すように、同じＤＩＷ比率Ｐ_ＤＩＷの混合液Ｍでは、混合液Ｍの吐出温度Ｔ_Ｍが硫酸の温度Ｔ_ＳＡに対する一次方程式の式（１２）により近似計算が可能である。
Ｔ_Ｍ＝ｃ・Ｔ_ＳＡ＋ｄ ・・（１２）

たとえば、混合液ＭのＤＩＷ比率Ｐ_ＤＩＷが３３％である場合、式（１２）はＴ_Ｍ＝０．４７６３・Ｔ_ＳＡ＋１１７．９５となり、混合液ＭのＤＩＷ比率Ｐ_ＤＩＷが７％である場合、式（１２）はＴ_Ｍ＝０．８２５１・Ｔ_ＳＡ＋４８．１６４となる。

そこで、本願の発明者は、複数の混合液ＭのＤＩＷ比率Ｐ_ＤＩＷそれぞれにおいて式（１２）の傾きｃと接片ｄとを求め、かかる傾きｃおよび接片ｄと、混合液ＭのＤＩＷ比率Ｐ_ＤＩＷとの関係について求めた。図８は、実施形態における混合液ＭのＤＩＷ比率Ｐ_ＤＩＷと式（１２）の傾きｃおよび接片ｄとの関係を示す図である。

そして、実施形態では、図８に示す傾きｃのプロットに対応する近似曲線Ａ３に基づいて、式（１２）の傾きｃを以下の式（１３）で算出することができる。
ｃ＝－１．６１２１・Ｐ_ＤＩＷ＋０．９４０５ ・・（１３）

また、実施形態では、図８に示す接片ｄのプロットに対応する近似曲線Ａ４に基づいて、式（１２）の接片ｄを以下の式（１４）で算出することができる。
ｄ＝－７７８．９７・Ｐ_ＤＩＷ＋６６４．６１・Ｐ_ＤＩＷ＋４．８０８６ ・・（１４）

さらに、混合液ＭのＤＩＷ比率Ｐ_ＤＩＷは、ユーザにより設定されるＤＩＷの流量Ｃ_ＤＩＷと硫酸の流量Ｃ_ＳＡとに基づいて、以下の式（１５）で算出することができる。
Ｐ_ＤＩＷ＝Ｃ_ＤＩＷ／（Ｃ_ＤＩＷ＋Ｃ_ＳＡ） ・・（１５）

ここまで説明したように、実施形態では、ユーザにより設定される混合液Ｍの混合比（すなわち、混合液ＭのＤＩＷ比率Ｐ_ＤＩＷ）と、硫酸の温度Ｔ_ＳＡとに基づいて、上述の式（１２）～（１４）によって混合液Ｍの吐出温度Ｔ_Ｍを算出することができる。

ここで、混合液ＭによるウェハＷのエッチング処理がユーザにより指示された場合、制御部１８は、かかるユーザにより設定されたＤＩＷの流量Ｃ_ＤＩＷおよび硫酸の流量Ｃ_ＳＡに関する情報を取得する。

また、制御部１８は、硫酸供給部１００の硫酸供給源１０１ａなどから、混合部１４０に供給される硫酸の濃度Ｅ_ＳＡに関する情報を取得するとともに、硫酸供給部１００の熱電対１０８から、混合部１４０に供給される硫酸の温度Ｔ_ＳＡに関する情報を取得する。

これにより、制御部１８は、上記の算出式を用いて、混合液Ｍの沸点Ｔ_Ｂおよび吐出温度Ｔ_Ｍを推定することができる。したがって、実施形態によれば、上記の算出式により推定された混合液Ｍの沸点Ｔ_Ｂおよび吐出温度Ｔ_Ｍに基づいて、ユーザが設定した混合液Ｍの混合比についての良否を判定することができる。

図９および図１０は、実施形態についての実機による評価結果について示す図である。図９および図１０では、上記の手法により推定される混合液Ｍの沸点Ｔ_Ｂの計算値と、ノズル４１ａから吐出される混合液Ｍの吐出温度Ｔ_Ｍの実測値とを比較するとともに、ノズル４１ａから吐出される際に混合液Ｍで突沸があったか否かについても示している。

図９および図１０に示すように、混合液Ｍの吐出温度Ｔ_Ｍの実測値が沸点Ｔ_Ｂの計算値と同等（たとえば、Ｔ_Ｂ－Ｔ_Ｍ＜３℃）である場合、混合液Ｍで突沸が発生している。

一方で、混合液Ｍの吐出温度Ｔ_Ｍの実測値が沸点Ｔ_Ｂの計算値と同等よりも低い（たとえば、Ｔ_Ｂ－Ｔ_Ｍ≧３℃）である場合）、混合液Ｍで突沸が発生していない。このように、図９および図１０で示す評価結果から、実施形態に係る推定処理が妥当なものであるとみなすことができる。

また、実施形態では、推定された混合液Ｍの吐出温度Ｔ_Ｍが基板処理システム１の仕様制限温度（たとえば、１６０℃）を超えていた場合、制御部１８は、ユーザが設定した混合比を「否」と判定する。なお、かかる基板処理システム１の使用制限温度は、あらかじめ記憶部１９に記憶されている。

一方で、推定された混合液Ｍの吐出温度Ｔ_Ｍが基板処理システム１の仕様制限温度以下である場合、制御部１８は、ユーザが設定した混合比を「良」と判定する。

このように、実施形態では、混合液Ｍの吐出温度Ｔ_Ｍと基板処理システム１の仕様制限温度とを比較することにより、混合液Ｍによるエッチング処理の際に、過剰に温度が上昇した混合液Ｍによって基板処理システム１が破損することを抑制することができる。

なお、実施形態に係る制御部１８で実行可能である処理は、ユーザが設定した混合比についての良否判定処理に限られない。たとえば、制御部１８は、ユーザにより設定された混合液Ｍの処理温度と、上述のように推定された吐出温度Ｔ_Ｍとを比較することにより、混合液Ｍの処理時間を調整してもよい。

たとえば、制御部１８は、ユーザにより設定された混合液Ｍの処理温度よりも推定された吐出温度Ｔ_Ｍが低い場合、混合液Ｍによるエッチング処理において、エッチングレートが減少するとみなすことができる。

そこで、この場合、制御部１８は、ユーザにより設定された処理時間よりも長くなるように実際の処理時間を調整する。これにより、実施形態では、所望のエッチング量を確保することができる。

一方で、ユーザにより設定された混合液Ｍの処理温度よりも推定された吐出温度Ｔ_Ｍが高い場合、制御部１８は、混合液Ｍによるエッチング処理において、エッチングレートが増加するとみなすことができる。

そこで、この場合、制御部１８は、ユーザにより設定された処理時間よりも短くなるように実際の処理時間を調整する。これにより、実施形態では、所望のエッチング量を確保することができる。

すなわち、実施形態では、ユーザにより設定された混合液Ｍの処理温度と推定された吐出温度Ｔ_Ｍとを比較して、混合液Ｍの処理時間を調整することにより、所望のエッチング量を確保することができる。

なお、ここまで説明した実施形態では、上記の式（６）～（１５）によって混合液Ｍの沸点Ｔ_Ｂおよび吐出温度Ｔ_Ｍを推定する例について示したが、沸点Ｔ_Ｂおよび吐出温度Ｔ_Ｍは、計算式で算出して推定する場合に限られない。

たとえば、硫酸の濃度Ｅ_ＳＡ、温度Ｔ_ＳＡおよび流量Ｃ_ＳＡと、ＤＩＷの流量Ｃ_ＤＩＷと、混合液Ｍの沸点Ｔ_Ｂおよび吐出温度Ｔ_Ｍとの関係が入力されたデータベースをあらかじめ準備し、記憶部１９に記憶させておく。

次に、制御部１８は、基板処理システム１内の各部から混合液Ｍを生成する際の各種パラメータを取得する。そして、取得された各種パラメータに基づいて記憶部１９に記憶されたデータベースを参照することにより、制御部１８は、混合液Ｍの沸点Ｔ_Ｂおよび吐出温度Ｔ_Ｍを推定することができる。

また、ここまで説明した実施形態では、硫酸とともに混合液Ｍを構成する液体として純水（ＤＩＷ）を示したが、硫酸とともに混合液Ｍを構成する液体は純水に限られない。

たとえば、実施形態では、硫酸とともに混合液Ｍを構成する液体として、過酸化水素水を用いてもよい。すなわち、実施形態では、硫酸および過酸化水素水（水分＋過酸化水素）で混合液Ｍを構成してもよいし、硫酸、過酸化水素水および各種の添加剤で混合液Ｍを構成してもよい。

また、実施形態では、硫酸とともに混合液Ｍを構成する液体として、機能水（たとえば、オゾン水や水素水）を用いてもよい。すなわち、実施形態では、硫酸およびオゾン水（水分＋オゾン）で混合液Ｍを構成してもよいし、硫酸および水素水（水分＋水素）で混合液Ｍを構成してもよいし、硫酸、機能水および各種の添加剤で混合液Ｍを構成してもよい。

このように、水分を含む各種液体を硫酸に混ぜた混合液Ｍで基板処理を実施する場合、混合液Ｍを生成する際に硫酸と水分とが反応して混合液Ｍの温度が上昇することから、ウェハＷに吐出される際に混合液Ｍが突沸する恐れがある。

しかしながら、実施形態では、混合液Ｍの沸点Ｔ_Ｂおよび吐出温度Ｔ_Ｍを推定し、沸点Ｔ_Ｂおよび吐出温度Ｔ_Ｍに基づいて、設定された混合比の良否を判定することができることから、ウェハＷに吐出される際に混合液Ｍが突沸することを抑制することができる。

実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）は、昇温部（ヒータ１０７）と、混合部１４０と、吐出部（ノズル４１ａ）と、制御部１８とを備える。昇温部（ヒータ１０７）は、硫酸を昇温する。混合部１４０は、昇温された硫酸と、水分を含む液体（ＤＩＷ）とを混合して混合液Ｍを生成する。吐出部（ノズル４１ａ）は、基板処理部３０内で基板（ウェハＷ）に混合液Ｍを吐出する。制御部１８は、各部を制御する。また、制御部１８は、設定された混合比で混合され、基板（ウェハＷ）に吐出される混合液Ｍの沸点Ｔ_Ｂおよび吐出温度Ｔ_Ｍを推定し、推定された混合液Ｍの沸点Ｔ_Ｂおよび吐出温度Ｔ_Ｍに基づいて、設定された混合比の良否を判定する。これにより、混合液Ｍによるエッチング処理の際に、混合液ＭがウェハＷ上で突沸することを抑制することができる。

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、制御部１８は、混合液Ｍの沸点Ｔ_Ｂを混合液Ｍにおける液体（ＤＩＷ）のモル分率に基づいて推定する。これにより、混合液Ｍの沸点Ｔ_Ｂを高い精度で推定することができる。

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、制御部１８は、混合液Ｍの吐出温度Ｔ_Ｍを、昇温部（ヒータ１０７）で昇温される硫酸の温度Ｔ_ＳＡと、混合液Ｍの混合比とに基づいて推定する。これにより、混合液Ｍの吐出温度Ｔ_Ｍを高い精度で推定することができる。

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、制御部１８は、設定された混合比が否と判定された場合、基板処理部３０への基板（ウェハＷ）の搬入を停止する。これにより、混合液ＭがウェハＷ上で突沸し、かかるウェハＷが汚染されることを抑制することができる。

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、制御部１８は、設定された処理温度と推定された吐出温度Ｔ_Ｍとを比較することにより、混合液Ｍの処理時間を調整する。これにより、混合液Ｍによるエッチング処理において、所望のエッチング量を確保することができる。

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、液体は、純水（ＤＩＷ）である。これにより、ウェハＷの表面上に形成される膜に含まれるタングステンおよび窒化チタンのうち、窒化チタンを高い選択性でエッチングすることができる。

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、液体は、過酸化水素水を含む。これにより、ウェハＷを効率よくエッチング処理することができる。

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、液体は、機能水を含む。これにより、ウェハＷを効率よくエッチング処理することができる。

＜処理の手順＞
つづいて、実施形態に係る基板処理の手順について、図１１および図１２を参照しながら説明する。図１１は、実施形態に係る基板処理システム１が実行する基板処理の手順を示すフローチャートである。

最初に、制御部１８は、硫酸供給部１００のヒータ１０７などを制御して、循環ライン１０３を循環する硫酸を所定の温度Ｔ_ＳＡに昇温する昇温処理を実施する（ステップＳ１０１）。

次に、制御部１８は、硫酸供給部１００および純水供給部１２０を制御して、混合部１４０に硫酸および純水を供給することにより、混合部１４０で混合液Ｍを生成する生成処理を実施する（ステップＳ１０２）。

次に、制御部１８は、基板処理システム１内の各部から混合液Ｍを生成する際の各種パラメータを取得して、混合液Ｍの沸点Ｔ_Ｂおよび吐出温度Ｔ_Ｍを推定する推定処理を実施する（ステップＳ１０３）。

最後に、制御部１８は、推定された混合液Ｍの沸点Ｔ_Ｂおよび吐出温度Ｔ_Ｍに基づいて、ユーザが設定した混合液Ｍの混合比についての良否を判定する判定処理を実施し（ステップＳ１０４）、処理を完了する。

図１２は、実施形態に係る基板処理システムが実行する推定処理および判定処理の手順を示すフローチャートである。最初に、制御部１８は、混合液Ｍの混合比と硫酸の温度Ｔ_ＳＡおよび濃度Ｅ_ＳＡとを取得する（ステップＳ２０１）。

具体的には、制御部１８は、ユーザにより設定されたＤＩＷの流量Ｃ_ＤＩＷおよび硫酸の流量Ｃ_ＳＡに関する情報を取得することにより、混合液Ｍの混合比に関する情報を取得する。

また、制御部１８は、硫酸供給部１００の硫酸供給源１０１ａなどから、混合部１４０に供給される硫酸の濃度Ｅ_ＳＡに関する情報を取得するとともに、硫酸供給部１００の熱電対１０８から、混合部１４０に供給される硫酸の温度Ｔ_ＳＡに関する情報を取得する。

次に、制御部１８は、取得された硫酸の濃度Ｅ_ＳＡ、温度Ｔ_ＳＡおよび混合液Ｍの混合比（すなわち、硫酸の流量Ｃ_ＳＡおよびＤＩＷの流量Ｃ_ＤＩＷ）に基づいて、混合液Ｍの沸点Ｔ_Ｂを推定する（ステップＳ２０２）。

また、制御部１８は、取得された硫酸の温度Ｔ_ＳＡおよび混合液Ｍの混合比（すなわち、硫酸の流量Ｃ_ＳＡおよびＤＩＷの流量Ｃ_ＤＩＷ）に基づいて、混合液Ｍの吐出温度Ｔ_Ｍを推定する（ステップＳ２０３）。なお、かかるステップＳ２０２とステップＳ２０３とは、順序が逆になってもよいし、同時に実施されてもよい。

次に、制御部１８は、推定された混合液Ｍの吐出温度Ｔ_Ｍが、推定された混合液Ｍの沸点Ｔ_Ｂと同等であるか否かを判定する（ステップＳ２０４）。そして、混合液Ｍの吐出温度Ｔ_Ｍが沸点Ｔ_Ｂと同等でない場合（ステップＳ２０４，Ｎｏ）、制御部１８は、推定された混合液Ｍの吐出温度Ｔ_Ｍが、基板処理システム１の使用制限温度よりも高いか否かを判定する（ステップＳ２０５）。

そして、吐出温度Ｔ_Ｍが基板処理システム１の使用制限温度よりも高くない場合（ステップＳ２０５，Ｎｏ）、制御部１８は、推定された混合液Ｍの吐出温度Ｔ_Ｍが、ユーザによりあらかじめ設定される処理温度と等しいか否かを判定する（ステップＳ２０６）。

そして、混合液Ｍの吐出温度Ｔ_Ｍがかかる処理温度と等しくない場合（ステップＳ２０６，Ｎｏ）、制御部１８は、混合液Ｍによる処理時間を調整する（ステップＳ２０７）。そして、制御部１８は、混合液Ｍによる基板処理を実施して（ステップＳ２０８）、処理を完了する。

一方で、ステップＳ２０６において、混合液Ｍの吐出温度Ｔ_Ｍがあらかじめ設定される処理温度と等しい場合（ステップＳ２０６，Ｙｅｓ）、上述のステップＳ２０８の処理に進む。

また、ステップＳ２０４において、混合液Ｍの吐出温度Ｔ_Ｍが沸点Ｔ_Ｂと同等である場合（ステップＳ２０４，Ｙｅｓ）、制御部１８は、混合液Ｍによる基板処理を停止し（ステップＳ２０９）、処理を完了する。たとえば、制御部１８は、ステップＳ２０９において、基板処理部３０へのウェハＷの搬入を停止する。

また、ステップＳ２０５において、混合液Ｍの吐出温度Ｔ_Ｍが基板処理システム１の使用制限温度よりも高い場合（ステップＳ２０５，Ｙｅｓ）、上述のステップＳ２０９の処理に進む。

実施形態に係る基板処理方法は、昇温工程（ステップＳ１０１）と、生成工程（ステップＳ１０２）と、推定工程（ステップＳ１０３）と、判定工程（ステップＳ１０４）とを含む。昇温工程（ステップＳ１０１）は、硫酸を昇温する。生成工程（ステップＳ１０２）は、昇温された硫酸と、水分を含む液体（ＤＩＷ）とを混合して混合液Ｍを生成する。推定工程（ステップＳ１０３）は、設定された混合比で混合され、基板（ウェハＷ）に吐出される混合液Ｍの沸点Ｔ_Ｂおよび吐出温度Ｔ_Ｍを推定する。判定工程（ステップＳ１０４）は、推定された混合液Ｍの沸点Ｔ_Ｂおよび吐出温度Ｔ_Ｍに基づいて、設定された混合比の良否を判定する。これにより、混合液Ｍによるエッチング処理の際に、混合液ＭがウェハＷ上で突沸することを抑制することができる。

以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。たとえば、上記の実施形態では、基板上に形成される複数の膜のうち、一方の膜をエッチングする工程だけでなく、基板上を洗浄する工程にもこの技術を適用することができる。

たとえば、タングステンの膜が基板上に形成されている時に、ドライエッチング後の残渣除去やＣＭＰ（Chemical-Mechanical Polishing）処理後の残渣除去を行う場合などにも適用可能である。

また、上記の実施形態では、混合液ＭでウェハＷをエッチングした後、リンス処理する例について示したが、エッチングした後の処理はリンス処理に限られず、どのような処理を行ってもよい。

今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

Ｗ ウェハ
１ 基板処理システム（基板処理装置の一例）
１６ 処理ユニット
１８ 制御部
３０ 基板処理部
４１ａ ノズル（吐出部の一例）
６０ 混合液供給部
１００ 硫酸供給部
１０７ ヒータ（昇温部の一例）
１２０ 純水供給部
１４０ 混合部
Ｔ_Ｂ 沸点
Ｔ_Ｍ 吐出温度
Ｅ_ＳＡ 硫酸の濃度

Claims (9)

1. 硫酸を昇温する昇温部と、
   昇温された前記硫酸と、水分を含む液体とを混合して混合液を生成する混合部と、
   基板処理部内で基板に前記混合液を吐出する吐出部と、
   各部を制御する制御部と、
   を備え、
   前記制御部は、
   設定された混合比で混合され、前記基板に吐出される前記混合液の沸点および吐出温度を推定し、
   推定された前記混合液の沸点および吐出温度に基づいて、前記設定された混合比の良否を判定する
   基板処理装置。
2. 前記制御部は、
   前記混合液の沸点を前記混合液における前記液体のモル分率に基づいて推定する
   請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記制御部は、
   前記混合液の吐出温度を、前記昇温部で昇温される前記硫酸の温度と、前記混合液の混合比とに基づいて推定する
   請求項１または２に記載の基板処理装置。
4. 前記制御部は、
   前記設定された混合比が否と判定された場合、前記基板処理部への前記基板の搬入を停止する
   請求項１～３のいずれか一つに記載の基板処理装置。
5. 前記制御部は、
   設定された処理温度と推定された前記吐出温度とを比較することにより、前記混合液の処理時間を調整する
   請求項１～４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
6. 前記液体は、純水である
   請求項１～５のいずれか一つに記載の基板処理装置。
7. 前記液体は、過酸化水素水を含む
   請求項１～５のいずれか一つに記載の基板処理装置。
8. 前記液体は、機能水を含む
   請求項１～５のいずれか一つに記載の基板処理装置。
9. 硫酸を昇温する昇温工程と、
   昇温された前記硫酸と、水分を含む液体とを混合して混合液を生成する生成工程と、
   設定された混合比で混合され、基板に吐出される前記混合液の沸点および吐出温度を推定する推定工程と、
   推定された前記混合液の沸点および吐出温度に基づいて、前記設定された混合比の良否を判定する判定工程と、
   を含む基板処理方法。

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