WO2019239970A1 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
基板処理方法および基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2019239970A1 WO2019239970A1 PCT/JP2019/022225 JP2019022225W WO2019239970A1 WO 2019239970 A1 WO2019239970 A1 WO 2019239970A1 JP 2019022225 W JP2019022225 W JP 2019022225W WO 2019239970 A1 WO2019239970 A1 WO 2019239970A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- liquid
- unit
- substrate
- pure water
- sulfuric acid
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/26—Acidic compositions for etching refractory metals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
Description
最初に、図1を参照しながら、実施形態に係る基板処理システム1の概略構成について説明する。図1は、実施形態に係る基板処理システム1の概略構成を示す図である。なお、基板処理システム1は、基板処理装置の一例である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。
次に、処理ユニット16の構成について、図2を参照しながら説明する。図2は、処理ユニット16の具体的な構成例を示す模式図である。図2に示すように、処理ユニット16は、チャンバ20と、基板処理部30と、液供給部40と、回収カップ50とを備える。
次に、処理ユニット16におけるウェハWのエッチング処理の詳細について、図3を参照しながら説明する。図3は、実施形態におけるエッチング処理の概要を示す図である。なお、かかるエッチング処理が行われるウェハWの表面上に形成される膜には、材質の異なるタングステン(W)および窒化チタン(TiN)が含まれているものとする。
2H2SO4 → H3SO4 + + HSO4 - ・・(1)
H3SO4 + → H+ + H2SO4 ・・(2)
TiN + 4H+ → Ti3+ + NH4 + ・・(3)
H2O + H2SO4 → H3O+ + HSO4 - ・・(4)
H3O+ → H+ + H2O ・・(5)
次に、基板処理システム1が備える処理液供給部60の構成について、図4を参照しながら説明する。図4は、実施形態に係る処理液供給部60の構成を示す図である。なお、以下に示す処理液供給部60の各部は、制御部18によって制御可能である。
次に、実施形態の基板処理システム1において、タングステンのエッチングレートに対する窒化チタンのエッチングレートの割合(すなわち、エッチングの選択比)が、各種条件によりどのように変化したかを求めた実験結果について説明する。図5は、実施形態に係る処理液Lの温度とエッチングの選択比との関係を示した図である。
つづいて、実施形態においてウェハWに処理液Lを供給する処理の詳細について、図7を参照しながら説明する。図7は、実施形態に係る処理液供給処理の詳細を説明するための図である。
つづいて、実施形態の各種変形例にかかる処理液供給部60の構成について、図8および図9を参照しながら説明する。図8は、実施形態の変形例1に係る処理液供給部60の構成を示す図である。
つづいて、実施形態および変形例1に係る基板処理の手順について、図10および図11を参照しながら説明する。図10は、実施形態に係る基板処理システム1が実行する基板処理の手順を示すフローチャートである。
1 基板処理システム(基板処理装置の一例)
16 処理ユニット
18 制御部
30 基板処理部
40 液供給部
60 処理液供給部
100 濃硫酸供給部
120 純水供給部
140 添加部
141 第1バルブ
142 第2バルブ
Claims (13)
- 濃硫酸で構成される処理液を昇温する昇温工程と、
昇温された前記処理液を基板処理部に載置された基板に供給する液供給工程と、
を含む基板処理方法。 - 前記昇温工程は、前記処理液を130℃以上かつ沸点以下に昇温する請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記処理液は、過酸化水素を含まない請求項1または2に記載の基板処理方法。
- 前記処理液に純水を添加する純水添加工程をさらに含む請求項1~3のいずれか一つに記載の基板処理方法。
- 前記純水添加工程は、前記処理液内の硫酸の濃度が70~97質量%となるように純水を添加する請求項4に記載の基板処理方法。
- 前記液供給工程の後に、前記処理液に添加される純水を前記基板に供給する事後純水供給工程をさらに含む請求項4または5に記載の基板処理方法。
- 前記液供給工程の前に、前記処理液に添加される純水を前記基板に供給する事前純水供給工程をさらに含む請求項4~6のいずれか一つに記載の基板処理方法。
- 前記基板の表面には、タングステンを含む膜が形成される請求項1~7のいずれか一つに記載の基板処理方法。
- 前記基板の表面には、タングステンまたは酸化アルミニウムと、窒化チタンとを含む膜が形成される請求項1~7のいずれか一つに記載の基板処理方法。
- 前記液供給工程は、ドライエッチング後またはCMP処理後の前記基板上の残渣を除去する工程を含む請求項1~8のいずれか一つに記載の基板処理方法。
- 基板に液処理を施す基板処理部と、
濃硫酸供給部と、
前記濃硫酸供給部から供給される濃硫酸で構成される処理液を昇温する昇温機構と、
昇温された前記処理液を前記基板処理部に載置された前記基板に供給する液供給部と、
を備える基板処理装置。 - 純水供給部と、
前記純水供給部から供給される純水を前記処理液に添加する添加部とをさらに備える請求項11に記載の基板処理装置。 - 前記処理液は、過酸化水素を含まない請求項11または12に記載の基板処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/973,554 US11875991B2 (en) | 2018-06-13 | 2019-06-04 | Substrate treatment method and substrate treatment device |
CN201980037284.2A CN112236848A (zh) | 2018-06-13 | 2019-06-04 | 基片处理方法和基片处理装置 |
JP2020525474A JP6987244B2 (ja) | 2018-06-13 | 2019-06-04 | 基板処理方法および基板処理装置 |
KR1020217000067A KR102614888B1 (ko) | 2018-06-13 | 2019-06-04 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018-112512 | 2018-06-13 | ||
JP2018112512 | 2018-06-13 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2019239970A1 true WO2019239970A1 (ja) | 2019-12-19 |
Family
ID=68843378
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2019/022225 WO2019239970A1 (ja) | 2018-06-13 | 2019-06-04 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11875991B2 (ja) |
JP (1) | JP6987244B2 (ja) |
KR (1) | KR102614888B1 (ja) |
CN (1) | CN112236848A (ja) |
TW (1) | TW202002044A (ja) |
WO (1) | WO2019239970A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2021131832A1 (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-01 | ||
JP7403320B2 (ja) | 2020-01-07 | 2023-12-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021190561A (ja) * | 2020-05-29 | 2021-12-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007186746A (ja) * | 2006-01-12 | 2007-07-26 | Osaka Univ | 基板表面の加工方法 |
JP2008071799A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 半導体基板の洗浄方法および洗浄装置 |
JP2012038816A (ja) * | 2010-08-04 | 2012-02-23 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2016119359A (ja) * | 2014-12-19 | 2016-06-30 | 栗田工業株式会社 | 半導体基板の洗浄方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3635026B2 (ja) * | 2000-06-14 | 2005-03-30 | 株式会社サンテックシステム | 硫酸リサイクル装置 |
JP2005032914A (ja) * | 2003-07-10 | 2005-02-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 酸化ハフニウムのエッチング方法 |
JP5148889B2 (ja) * | 2007-02-09 | 2013-02-20 | 株式会社東芝 | 洗浄方法及び電子デバイスの製造方法 |
JP5347237B2 (ja) | 2007-05-15 | 2013-11-20 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 洗浄用組成物 |
KR100906043B1 (ko) * | 2007-12-04 | 2009-07-03 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자의 세정 방법 |
JP5660279B2 (ja) * | 2009-03-24 | 2015-01-28 | 栗田工業株式会社 | 機能性溶液供給システムおよび供給方法 |
JP5370381B2 (ja) * | 2011-01-25 | 2013-12-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法、液処理装置及び記憶媒体 |
US9513556B2 (en) * | 2012-11-19 | 2016-12-06 | Tokyo Electron Limited | Method and system of process chemical temperature control using an injection nozzle |
KR101980668B1 (ko) * | 2012-11-21 | 2019-05-22 | 삼성전자주식회사 | 식각 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조방법 |
JP5992379B2 (ja) * | 2013-08-23 | 2016-09-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP6420707B2 (ja) * | 2015-04-07 | 2018-11-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
CN107359110A (zh) * | 2017-08-03 | 2017-11-17 | 四川科尔威光电科技有限公司 | 一种用于氮化铝陶瓷基片氧化处理方法 |
WO2019026478A1 (ja) * | 2017-08-03 | 2019-02-07 | Jsr株式会社 | 半導体処理用組成物および処理方法 |
-
2019
- 2019-06-04 US US16/973,554 patent/US11875991B2/en active Active
- 2019-06-04 CN CN201980037284.2A patent/CN112236848A/zh active Pending
- 2019-06-04 JP JP2020525474A patent/JP6987244B2/ja active Active
- 2019-06-04 WO PCT/JP2019/022225 patent/WO2019239970A1/ja active Application Filing
- 2019-06-04 KR KR1020217000067A patent/KR102614888B1/ko active IP Right Grant
- 2019-06-11 TW TW108120018A patent/TW202002044A/zh unknown
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007186746A (ja) * | 2006-01-12 | 2007-07-26 | Osaka Univ | 基板表面の加工方法 |
JP2008071799A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 半導体基板の洗浄方法および洗浄装置 |
JP2012038816A (ja) * | 2010-08-04 | 2012-02-23 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2016119359A (ja) * | 2014-12-19 | 2016-06-30 | 栗田工業株式会社 | 半導体基板の洗浄方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2021131832A1 (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-01 | ||
WO2021131832A1 (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7229394B2 (ja) | 2019-12-27 | 2023-02-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7403320B2 (ja) | 2020-01-07 | 2023-12-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
US11955352B2 (en) | 2020-01-07 | 2024-04-09 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11875991B2 (en) | 2024-01-16 |
US20210257209A1 (en) | 2021-08-19 |
KR102614888B1 (ko) | 2023-12-19 |
JP6987244B2 (ja) | 2021-12-22 |
KR20210020066A (ko) | 2021-02-23 |
TW202002044A (zh) | 2020-01-01 |
CN112236848A (zh) | 2021-01-15 |
JPWO2019239970A1 (ja) | 2021-06-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2019239970A1 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP6420707B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2018026402A (ja) | 液処理方法、基板処理装置及び記憶媒体 | |
JP7345401B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP6914111B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理システムの制御装置 | |
US11955352B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
JP7241594B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2019102600A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP6917807B2 (ja) | 基板処理方法 | |
JP6749405B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP6914143B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置、基板処理システム、基板処理システムの制御装置および半導体基板の製造方法 | |
WO2019235275A1 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
WO2022196384A1 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP7142461B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置および基板処理システム | |
JP7229394B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2012156270A (ja) | 液処理方法、液処理装置及び記憶媒体 | |
US20220301880A1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP2024021036A (ja) | 基板処理装置、供給システム、基板処理方法および供給方法 | |
JP2019009190A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 19819845 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 2020525474 Country of ref document: JP Kind code of ref document: A |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 20217000067 Country of ref document: KR Kind code of ref document: A |
|
122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 19819845 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |