JPH0750282A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体ウェーハウェット処理装置の循環フィル
タリングシステムのフィルター直前で薬液温度を冷却あ
るいは昇温することにより半導体ウェーハが槽から出た
際の析出物の発生、槽内でのゴミの付着を防ぐ。 【構成】循環フィルタリングシステム内の薬液温度をフ
ィルター前温度調節器３で冷却し発生した析出物をフィ
ルター４で除去することで、半導体ウェーハがウェット
処理槽１から出た際の半導体ウェーハの表面の析出物の
発生を防ぎ、半導体装置の歩留り低下を防ぐという効果
を有する。また、薬液温度をフィルター前温度調節器３
で昇温を行い、薬液粘度を低下させフィルター４での粘
性抵抗を低下させて単位時間当たりのフィルタリング回
数を上昇させることにより、ウェット処理槽１の清浄度
が上昇し、半導体ウェーハ表面へのゴミの付着が少なく
なり、半導体装置の歩留り低下を防ぐという効果を有す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置に関し、
特に半導体ウェーハ洗浄、半導体ウェーハウェットエッ
チング、半導体ウェーハフォトレジスト剥離等の半導体
ウェーハウェット処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の循環フィルタリングシステムを持
つウェーハウェット処理装置の構成を図２を用いて説明
する。従来の循環フィルタリングシステムを持つウェー
ハウェット処理装置（以後ウェット処理装置と称す。）
は図２の様にウェット処理槽１，ポンプ２，フィルター
４，温度調節器６，を有している。循環フィルタリング
システムとは、ウェット処理槽内の薬液をポンプにより
吸引し、薬液中のゴミをフィルターにより取り除いた
後、もう一度同じ槽に薬液を戻すシステムであり、ゴミ
の除去に広く用いられている方式である。

【０００３】次に、動作について説明する。ウェット処
理槽１に入っている薬液は、ポンプ２，により吸引さ
れ、フィルター４，に圧送される。フィルター４にて薬
液中のゴミを除去し、ゴミを除去された薬液は温度調節
器６によりウェット処理槽１で使用する薬液温度に温度
調節されてウェット処理槽１，に戻る。

【０００４】従来のこの種のウェット処理装置として
は、フォトレジスト剥離装置、ウェットエッチング装
置、洗浄装置等がある。フォトレジスト有機剥離装置は
フォトレジストを剥離する槽で有機薬液を９０℃〜１４
０℃の温度に上昇させて使用しており、フォトレジスト
の剥離力は薬液の温度による溶解性に律速される。

【０００５】洗浄装置においては、硫酸・リン酸等の高
粘性の薬品を用いる場合があり、循環フィルタリングシ
ステムを適用した場合は、薬液の粘性抵抗により循環流
量が律速されることがあり、一般的には循環効率が悪化
し、フィルタリング性は悪くなる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体製造
装置のウェット処理装置では、半導体ウェーハの洗浄、
ウェットエッチング、フォトレジスト剥離等のウェット
処理時に、薬液中のゴミの溶解度が温度依存性をもつ場
合、ウェット処理槽から半導体ウェーハが出た際に半導
体ウェーハ上に付着している薬液の温度が下がり、薬液
中で溶解していたゴミが半導体ウェーハ上に析出し、半
導体素子形成時に析出物がパターン上に存在した場合は
配線切れ、ショート等の不良を発生させ、歩留り低下を
起こすという問題点があった。

【０００７】また粘度の高い薬液では、粘性抵抗が大き
いためフィルターを薬液が流れにくく、単位時間当たり
のフィルタリング回数が減少し、ウェット処理槽内のゴ
ミの除去率が悪くなり、ゴミが半導体ウェーハ表面に付
着し、半導体素子形成時にパターン上に存在した場合は
配線切れ、ショート等の不良を発生させ歩留り低下を起
こすという問題点があった。

【０００８】本発明の目的は、半導体ウェーハウェット
処理装置の循環フィルタリングシステムのフィルター直
前で薬液温度を冷却あるいは昇温することにより半導体
ウェーハが槽から出た際の析出物の発生、槽内でのゴミ
の付着を防ぐことができる半導体製造装置を提供するこ
とにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は半導体製造装
置、特にウェット処理装置において、フィルター前の薬
液の温度調節部と、フィルター後の温度調節部とを備え
ている。

【００１０】

【作用】本発明のウェット処理装置は、フィルターに入
る前とフィルターから出てきた後の２ヶ所に温度調節器
を備えており、薬液中のゴミの溶解度に温度依存性があ
る場合、薬液をフィルターに入る前の温度調節器にて冷
却し、析出物の析出温度以下で充分に析出物を析出さ
せ、フィルターを通し、再度ウェット処理槽にて使用す
る温度まで昇温させることにより、半導体ウェーハがウ
ェット処理槽から出た際の温度低下による析出物の半導
体ウェーハ表面への発生を防ぐ。

【００１１】また、粘度の高い薬液を使用する場合、薬
液をフィルターに入る前の温度調節器にて昇温させ、粘
度を下げて粘性抵抗を下げてフィルターを通し、再度ウ
ェット処理槽にて使用する温度まで冷却して、循環フィ
ルタリングシステムの循環流量を増加し、単位時間当た
りのフィルタリング回数を上昇させることにより、ウェ
ット処理槽内の清浄度を向上させ、半導体ウェーハ上へ
のゴミの付着を防ぐ。

【００１２】

【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の配管図である。図１に示
す様に半導体ウェーハが処理されるウェット処理槽１，
ポンプ２，フィルター前温度調節器３，フィルター４，
フィルター後温度調節器５，にて構成されている。

【００１３】次に動作について説明する。これは、薬液
中のゴミの溶解度が温度依存性をもつ場合である。半導
体ウェーハを処理したウェット処理槽１，内の薬液はポ
ンプ２，により吸引され、ポンプ２，から送り出された
薬液は、フィルター前温度調節器３にて析出物の析出温
度以下の温度に冷却され、冷却された溶液からの析出物
が、フィルター４にて除去される。析出物除去された薬
液は、フィルター後温度調節器５にてウェット処理槽１
にて使用する温度まで昇温し、ウェット処理槽１に戻
る。これにより、半導体ウェーハがウェット処理槽１か
ら出て次の槽に移る際に、半導体ウェーハ表面に付着し
ている薬液が冷却して発生する析出物を大幅に低減させ
ることができる。

【００１４】次に本発明の他の実施例について説明す
る。装置は図１を使用するが、薬液の粘度が高い場合の
動作について説明する。半導体ウェーハを処理したウェ
ット処理槽１内の高粘度の薬液はポンプ２，により吸引
され、ポンプ２から送り出された薬液は、フィルター前
温度調節器３にて昇温され、薬液粘度が低下し、フィル
ター４を通過する際の粘性抵抗が下がる。フィルター４
によりゴミを除去された薬液は、フィルター後温度調節
器５によりウェット処理槽１にて使用する温度まで冷却
されてウェット処理槽１に戻る。これにより、フィルタ
ー通過時の薬液の粘性抵抗が下がるため、循環フィルタ
リングシシステム内の薬液循環流量が増加し、単位時間
当たりのフィルタリング回数が上昇するため、ウェット
処理槽中の清浄度が向上し、半導体ウェーハ上に付着す
るゴミを大幅に減らすことができる。

【００１５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明はウェット
処理装置においてフィルター直前とフィルター直後に温
度調節器を設け、フィルター直前で薬液を析出物の析出
温度以下に冷却し、析出物を発生させ、フィルタリング
することにより、ウェット処理槽にて処理された半導体
ウェーハがウェット処理槽から出て、半導体ウェーハ表
面に残留した薬液の温度が下がった際の半導体ウェーハ
表面への析出物の発生が防がれるため、半導体素子形成
時にウェーハ表面に依存する析出物による配線切れ、シ
ョート等の不良が発生せず、歩留り低下を防ぐという効
果を有する。

【００１６】また、同構造にてフィルター直前で薬液を
昇温し、薬液の粘度を下げてフィルタリングすることに
より、循環フィルタリングシステムの薬液循環流量が増
加し、単位時間当たりのフィルタリング回数が増加し、
ウェット処理槽内の清浄度が上昇することにより、半導
体ウェーハ表面へのゴミの付着が防がれるため、半導体
素子形成時にウェーハ表面に存在するゴミによる配線切
れ、ショート等の不良が発生せず、歩留り低下を防ぐと
いう効果を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の構成を示す概略図である。

【図２】従来の半導体ウェーハウェット処理装置の構成
を示す概略図である。

【符号の説明】

１ ウェット処理槽 ２ ポンプ ３ フィルター前温度調節器 ４ フィルター ５ フィルター後温度調節器 ６ 温度調節器

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 薬液、水等の循環フィルタリングシステ
   ムを持つ半導体ウェーハウェット処理装置において、フ
   ィルター前の薬液の温度調節部と、フィルター後の薬液
   の温度調節部とを備えることを特徴とする半導体製造装
   置。
2. 【請求項２】 フィルター前の薬液の温度調節部が薬液
   の粘度をさげるため薬液処理温度より高く加熱し、又析
   出物を除去するため冷却する手段を有することを特徴と
   する請求項１記載の半導体製造装置。