JP6861039B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。

基板処理装置は、半導体ウェーハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶用ガラス基板など各種基板に対して種々の表面処理（例えば、エッチング処理やリンス処理など）を行う装置である。この基板処理装置は、処理液（例えば、エッチング液やリンス液などの薬液）を貯留するタンクを備えており、タンク内の処理液を基板の被処理面に供給して基板を処理する。

この基板処理装置のタンク内には、タンク中の処理液を加熱するヒータが設けられている。これは、処理液の温度を所望温度以上に維持するためである。また、タンク外には、タンク内の液量を監視するため、タンク内と通じるＬ字形状の配管が設置され、その配管内の液面がセンサにより検知される。この液面センサは、例えば、タンク内の上限液量及び下限液量を検知するように二つ設けられている。これらの液面センサの検知結果に応じて、タンクに対する液補充動作やその補充動作の停止などの各種動作が制御される。

前述の配管内の処理液温度は、ヒータが存在するタンク内の処理液の温度に比べて低くなる。このため、処理液の温度が低下すると、処理液の飽和量（添加材が処理液に溶解することができる量）が低下するため、配管内の処理液に含まれる添加材が析出し、析出した添加材が配管の内表面に付着する。析出した添加材が配管の内表面に付着すると、その析出物により液面センサが誤検出を起こすことがある。この液面センサの誤検出が生じると、タンク内の処理液の所望液量、例えば、上限液量や下限液量を正確に把握することができなくなる。一例として、液面センサの誤検出により下限液量、すなわち、液不足が把握されない場合には、処理液がタンクに供給されず、ヒータによる空焚きなどが発生し、装置が破損することもある。

なお、液面センサの誤検出は、前述のように析出物が配管の内表面に付着することが原因となって生じるものである。析出物が配管の内表面に付着すると、例えば、液面センサは、配管内の処理液を検出する検出位置に処理液が無い場合でも、処理液を検出したり、その検出位置を間にして配管内の処理液が上下に移動する場合でも、処理液を検出し続けたりすることがある。

特開平６−１５１３９９号公報

本発明が解決しようとする課題は、処理液を貯留するタンク内の所望液量を正確に把握することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。

実施形態に係る基板処理装置は、基板を処理するための処理液を貯留するタンクと、タンクに貯留された処理液が流入するようにタンクに接続され、タンクから流入した処理液の液面がタンク内の処理液の増減に応じて移動するように形成された液面配管と、液面配管内の液面を検出する液面センサと、液面配管内における液面より上の配管空間に気体を供給するための給気配管と、給気配管により気体が配管空間に供給されて液面配管内の液面が移動することに応じ、液面センサの検出結果に基づいて液面センサの誤検出の有無を判断する制御部とを備える。

実施形態に係る基板処理方法は、タンクに貯留された処理液が流入するようにタンクに接続された液面配管内の液面を液面センサにより検出する基板処理方法であって、液面配管内における液面より上の配管空間に給気配管から気体を供給する工程と、給気配管により気体が配管空間に供給されて移動する液面を液面センサにより検出する工程と、液面センサの検出結果に基づいて液面センサの誤検出の有無を判断する工程とを有する。

本発明の実施形態によれば、処理液を貯留するタンク内の所望液量を正確に把握することができる。

第１の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。 第１の実施形態に係る液供給部の概略構成を示す図である。 第１の実施形態に係る液供給部の概略構成を示す側面図である。 第１の実施形態に係る液面センサ検出試験の流れを示すフローチャートである。 第２の実施形態に係る液供給部の概略構成を示す図である。 第３の実施形態に係る液供給部の概略構成を示す図である。 第４の実施形態に係る液供給部の概略構成を示す図である。

＜第１の実施形態＞
第１の実施形態について図１から図４を参照して説明する。

（基本構成）
図１に示すように、第１の実施形態に係る基板処理装置１０は、基板処理部２０と、液供給部３０と、液補充部４０と、制御部５０とを備えている。この基板処理装置１０により用いられる処理液としては、例えば、Ｓｉなどの添加材を含む処理液（例えば、エッチング液やリンス液などの薬液）が挙げられる。

基板処理部２０は、基板の被処理面に処理液を供給して基板を処理する。この基板処理部２０としては、例えば、枚葉式やバッチ式などの処理装置が用いられる。基板処理部２０は制御部５０に電気的に接続されており、その駆動が制御部５０により制御される。

液供給部３０は、処理液を貯留し、貯留した処理液を基板処理部２０に供給する。この液供給部３０は、供給配管３０ａにより基板処理部２０に接続されており、供給配管３０ａの途中に設けられたポンプ３０ｂの駆動により基板処理部２０に処理液を供給する。ポンプ３０ｂは制御部５０に電気的に接続されており、その駆動が制御部５０により制御される。

液補充部４０は、液供給部３０内の処理液の液量に応じて、液供給部３０に処理液を補充する。この液補充部４０は、補充配管４０ａにより液供給部３０に接続されており、補充配管４０ａの途中に設けられたポンプ４０ｂの駆動により液供給部３０に処理液を補充する。ポンプ４０ｂは制御部５０に電気的に接続されており、その駆動が制御部５０により制御される。

制御部５０は、各部を集中的に制御するマイクロコンピュータと、基板処理に関する基板処理情報や各種プログラムなどを記憶する記憶部（いずれも図示せず）とを備えている。この制御部５０は、記憶部から基板処理情報や各種プログラムを読み出し、読み出した基板処理情報や各種プログラムに基づいて、基板処理部２０の基板処理動作や液供給部３０の液供給動作、液補充部４０の液補充動作など各動作の制御を行う。なお、制御部５０には、アラームや表示器などの報知部５０ａが電気的に接続されている。

（液供給部）
図２及び図３に示すように、液供給部３０は、タンク３１と、ヒータ３２と、複数本（図３の例では二本）の液面配管３３と、複数本（図３の例では二本）の給気配管３４と、複数（図３の例では四個）の液面センサ３５とを有している。

タンク３１は、処理液を貯留する貯留部である。このタンク３１には、開放配管３１ａが接続されている。この開放配管３１ａの途中には、例えば電磁弁などの開閉弁３１ｂが設けられている。この開閉弁３１ｂは制御部５０に電気的に接続されており、その開閉動作が制御部５０により制御される。

ヒータ３２は、タンク３１内の底面に設けられている。このヒータ３２は、タンク３１内の処理液を所望温度以上に加熱し、例えば、制御部５０による制御に応じて処理液温度を所定範囲内に維持する。ヒータ３２は制御部５０に電気的に接続されており、その駆動が制御部５０により制御される。

各液面配管３３は、それぞれ液面配管３３の一端がタンク３１の側面（図２の例では右側面）における底面側の端部に接続されており、その他端がタンク３１の上面に接続されている。すなわち、液面配管３３は、タンク３１に貯留された処理液が流入するようにタンク３１に接続されており、タンク３１から流入した処理液の液面Ｍ１（図２参照）がタンク３１内の処理液の増減に応じて移動するように形成されている。

給気配管３４は、液面配管３３ごとに一つずつ設けられている。この給気配管３４は、液面配管３３の上端部に接続されており、液面配管３３内の液面Ｍ１より上の配管空間に気体（例えば、Ｎ_２ガスなどの不活性ガス）を供給するための配管である。各給気配管３４の途中には、例えば電磁弁などの開閉弁３４ａが個別に設けられている。これらの開閉弁３４ａは制御部５０に電気的に接続されており、それらの開閉動作が制御部５０により制御される。

なお、気体の流量や圧力は、液面配管３３内の配管空間に供給された気体により液面配管３３内の液面Ｍ１が所定距離（全ての液面センサ３５がＯＦＦになる距離）移動するように設定されている。ただし、気体の流量や圧力は、給気配管３４の直径や処理液の粘度などの要因に応じて適宜変更可能である。また、液面配管３３内の配管空間に対する気体の充填（供給）によってタンク３１内の処理液温度が変化することはない。

ここで、液面配管３３内の配管空間は、タンク３１内の液面より上のタンク空間につながっている。この液面配管３３における上部の水平配管部分の内部には、貫通孔Ｈ１を有するオリフィス部材３３ａ（図２参照）が設けられている。貫通孔Ｈ１の孔直径は、液面配管３３の直径よりも小さい。オリフィス部材３３ａは、液面配管３３内の配管空間に供給された気体が液面配管３３の上部の水平配管部分を通ってタンク３１内に流れ込むことを制限する。これにより、液面配管３３内の配管空間に気体が充填されると、液面配管３３内の液面Ｍ１が下降することになる。

液面センサ３５は、液面配管３３ごとに二つずつ設けられている。これらの液面センサ３５は、それぞれ液面配管３３内の液面Ｍ１を検出する。例えば、各液面センサ３５は、上限液量（ＨＨ）、補充開始液量（Ｌ）、補充停止液量（Ｈ）、下限液量（ＬＬ）を把握するよう、それぞれの位置に個別に設けられている。これらの液面センサ３５は制御部５０に電気的に接続されており、その検出信号が制御部５０に入力される。各液面センサ３５としては、例えば、静電容量センサなどを用いる。なお、本実施形態では、静電容量センサがＯＮである場合に処理液（液面Ｍ１）を検出している状態であり、ＯＦＦである場合に処理液を検出していない状態である。

ここで、上限液量（ＨＨ）用の液面センサ３５及び下限液量（ＬＬ）用の液面センサ３５は固定されているが、補充開始液量（Ｌ）用の液面センサ３５及び補充停止液量（Ｈ）用の液面センサ３５は高さ方向に移動可能に形成されている。これにより、ユーザは、必要に応じて補充開始液量用の液面センサ３５及び補充停止液量用の液面センサ３５の高さ位置を変更し、補充開始液量及び補充停止液量を調整することが可能である。

なお、前述の液面配管３３の本数は二本であり、液面センサ３５は液面配管３３ごとに二つずつ設けられているが（図３参照）、これに限るものではなく、液面配管３３の本数は一本だけでも良い。ただし、一本の液面配管３３に対して四つの液面センサ３５を設けたとき、液面センサ３５同士の間隔が狭い状態が生じる場合がある。つまり、上限液量（ＨＨ）と補充停止液量（Ｈ）との間隔や補充開始液量（Ｌ）と下限液量（ＬＬ）との間隔が狭くなり、各液面センサ３５が検知する位置で干渉し合うことがある。このため、液面センサ３５同士の干渉を防ぐためには、液面配管３３の本数を一本ではなく複数本とすることが望ましい。

制御部５０は、通常運転中において、各液面センサ３５の検出結果に基づいて、タンク３１内の処理液の液量を把握する。例えば、制御部５０は、各液面センサ３５の検出結果に基づいて、液量が上限液量（ＨＨ）以上であると判断すると、その旨を報知部５０ａにより報知してユーザに警告を発する。また、制御部５０は、液量が補充開始液量（Ｌ）以下であると判断すると、液補充部４０のポンプ４０ｂを駆動し、液補充部４０から液供給部３０に補充配管４０ａを介して処理液を補充する。その後、液量が補充停止液量（Ｈ）であると判断すると、液補充部４０のポンプ４０ｂを止め、液補充部４０から液供給部３０への処理液の補充を停止する。また、制御部５０は、液量が下限液量（ＬＬ）以下であると判断すると、その旨を報知部５０ａにより報知してユーザに警告を発し、さらに、基板処理部２０への液供給及びヒータ３２による加熱を停止する。その後、制御部５０は、液量が補充開始液量（Ｌ）以上であると判断すると、ヒータ３２による加熱を再開し、液量が補充開始液量（Ｌ）以上であり、且つ処理液の温度が、設定された温度範囲内になったと判断すると、基板処理部２０への液供給を再開する。

また、前述の制御部５０は、液面センサ３５の検出試験において、各給気配管３４の個々の開閉弁３４ａを開き、各液面配管３３内の配管空間に気体を供給し、液面配管３３内の液面Ｍ１を移動させ、液面センサ３５ごとに、液面センサ３５の検出結果に基づいて液面センサ３５の誤検出の有無を判断する。すなわち、制御部５０は、液面配管３３内の液面Ｍ１の移動に応じて、液面センサ３５が正常に検出するか否かを判断する。例えば、制御部５０は、液面配管３３内の液面Ｍ１が下限液量（ＬＬ）の位置より低い位置まで下降した状態で、液面センサ３５がＯＦＦ（液面不検出時）となるか否かを判断する。液面センサ３５がＯＦＦとならないと判断した場合には、その液面センサ３５の誤検出が有ると判定する。また、制御部５０は、前述の気体供給を停止し、液面配管３３内の液面Ｍ１が上限液量（ＨＨ）の位置より高い位置まで上昇した状態で、液面センサ３５がＯＮ（液面検出時）になるか否かを判断する。液面センサ３５がＯＮにならないと判断した場合には、その液面センサ３５の誤検出が有ると判定する。

（液面センサ検出試験）
次に、前述の基板処理装置１０が行う液面センサ検出試験について詳しく説明する。

液面センサ検出試験では、上限液量（ＨＨ）と下限液量（ＬＬ）における報知部５０ａによる警告（アラーム）、また、装置の動作停止操作を実行しない試験モードが設定される。また、試験モード設定時には、液供給部３０から基板処理部２０への処理液の供給は停止されている。さらに、液供給部３０のタンク３１は、開放配管３１ａの開閉弁３１ｂが開かれて大気開放されている。なお、液面センサ検出試験は、基本的に、基板処理中以外で所定期間ごとに実行されたり、あるいは、待機期間中に実行されたりする。ただし、基板処理に悪影響を与えない場合には基板処理中に実行されても良い。

図４に示すように、ステップＳ１において、補充配管４０ａのポンプ４０ｂが駆動され、処理液が液補充部４０から補充配管４０ａを介して液供給部３０のタンク３１内に補充される。このとき、各液面配管３３内の液面Ｍ１が上限液量（ＨＨ）の位置になるまで（図３参照）、補充動作は継続される。そして、液面配管３３内の液面Ｍ１が上限液量（ＨＨ）の位置となると、処理液の補充が停止される。これにより、全ての液面センサ３５の検出試験準備が完了する。

ここで、処理液の補充動作では、補充開始液量（Ｌ）と補充停止位置（Ｈ）との間に液面Ｍ１がある場合、液面Ｍ１の高さ位置に変動があるため、一定の供給量で処理液を補充するのではなく、上限液量（ＨＨ）の位置に達するまで、処理液の供給が継続される。一方、液面センサ検出試験前、タンク３１内には所定量の処理液が予め充填されているが、初回の液面センサ検出試験前などタンク３１内が空である場合には、液面Ｍ１が上限液量（ＨＨ）の位置になる所定量、一定の流量で所定時間、処理液がタンク３１内に供給される。

ステップＳ２において、各給気配管３４の個々の開閉弁３４ａが開かれ、気体が各液面配管３３内の配管空間に供給される。これにより、各液面配管３３内の配管空間に所定量の気体が充填され、各液面配管３３内の液面Ｍ１は、下限液量（ＬＬ）の位置よりも低い位置まで移動する。なお、このときの気体の流量や圧力は、液面配管３３内の配管空間に供給された気体により液面配管３３内の液面Ｍ１が、下限液量（ＬＬ）の位置よりも低い位置まで移動するように予め設定されている。

ステップＳ３において、各液面配管３３内の液面Ｍ１が下限液量（ＬＬ）の位置よりも低い状態で、全ての液面センサ３５はＯＦＦであるか否かが判断される。全ての液面センサ３５がＯＦＦであると判断されると（ＹＥＳ）、ステップＳ４において、各給気配管３４の個々の開閉弁３４ａが閉じられ、各液面配管３３内の配管空間に対する気体の供給が停止される。これに応じて、各液面配管３３内の配管空間内の気体は、各液面配管３３の上部の水平配管部分、すなわち、オリフィス部材３３ａの貫通孔Ｈ１を通ってタンク３１内に徐々に排出される。これにより、各液面配管３３内の液面Ｍ１は、元の上限位置（ＨＨ）までゆっくりと移動する（下降速度より上昇速度の方が遅い）。

ステップＳ５において、気体の供給停止から所定時間後、すなわち各液面配管３３内の液面Ｍ１が上限液量（ＨＨ）の位置以上である状態で、各液面センサ３５はＯＮであるか否かが判断される。全ての液面センサ３５がＯＮであると判断されると（ＹＥＳ）、ステップＳ６において、各液面センサ３５の誤検出は無いと判定される。

一方、前述のステップＳ３において、各液面センサ３５がＯＦＦでないと判断されると（ＮＯ）、あるいは、前述のステップＳ５において、各液面センサ３５はＯＮでないと判断されると（ＮＯ）、ステップＳ７において、液面センサ３５の誤検出判断回数（リトライ回数）が所定回数（例えば、三回）であるか否かが判断される。

ステップＳ７において、液戻りの判断回数が所定回数（例えば、三回）でないと判断されると（ＮＯ）、処理がステップＳ２に戻されて、ステップＳ２の処理以降が繰り返される。

一方、ステップＳ７において、液戻りの判断回数が所定回数（例えば、三回）であると判断されると（ＹＥＳ）、ステップＳ８において、各液面センサ３５の誤検出が有ると判定される。この場合には、例えば、各液面センサ３５の誤検出が有ることが報知部５０ａによりユーザに報知される。なお、制御部５０は、誤検出が有る液面センサ３５を特定することが可能であり、その誤検出が起きた液面センサ３５を報知部５０ａによりユーザに報知する。

このような液面センサ検出試験では、各液面配管３３内の配管空間に気体が供給され、液面配管３３内の液面Ｍ１が移動する。これに応じて、液面センサ３５ごとに、液面センサ３５の検出結果に基づいて液面センサ３５の誤検出の有無が判断される。例えば、液面配管３３内の液面Ｍ１が下限液量（ＬＬ）の位置より低い位置まで下降した状態で、液面センサ３５がＯＦＦとなるか否かが判断される。液面センサ３５がＯＦＦとならないと判断されると、その液面センサ３５の誤検出が有ると判定される。さらに、気体供給が停止され、液面配管３３内の液面Ｍ１が上限液量（ＨＨ）の位置より高い位置まで上昇した状態で、各液面センサ３５がＯＮになるか否かが判断される。液面センサ３５がＯＮにならないと判断された場合には、その液面センサ３５の誤検出が有ると判定される。このようにして、液面センサ３５の誤検出を把握することが可能となるので、誤検出が有る液面センサ３５の検出結果に基づいてタンク３１内の液量を求めることは無くなる。これにより、処理液を貯留するタンク３１内の所望液量を正確に把握することができる。

ここで、各液面センサ３５の誤検出が有ると判定された場合には、液面配管３３の内表面に添加材の析出物が付着している状態である。この析出物を除去するためには、例えば、各液面配管３３内の配管空間に対する気体の充填（供給）及び排出を繰り返し、各液面配管３３内の液面Ｍ１を反復的に上下に移動させることが有効である。この場合には、各液面配管３３内の液面Ｍ１の反復的な上下動により、液面配管３３の内周面に付着している析出物を剥がすように取り除くことができる。このため、液面センサ３５の誤検出を抑えることが可能となるので、処理液を貯留するタンク３１内の所望液量を正確に把握することができる。

以上説明したように、第１の実施形態によれば、給気配管３４から液面配管３３内の配管空間に気体を供給し、液面配管３３内の液面Ｍ１を移動させることに応じて、液面センサ３５の検出結果に基づいて液面センサ３５の誤検出の有無を判断することによって、液面センサ３５の誤検出の有無を把握することが可能となる。これにより、誤検出が有る液面センサ３５の検出結果に基づいてタンク３１内の液量を求めることは無くなり、誤検出が無い液面センサ３５の検出結果に基づいてタンク３１内の液量を求めることになる。したがって、処理液を貯留するタンク３１内の所望液量を正確に把握することができる。

＜第２の実施形態＞
第２の実施形態について図５を参照して説明する。なお、第２の実施形態では、第１の実施形態との相違点（液面配管の構造）について説明し、その他の説明を省略する。

図５に示すように、第２の実施形態に係る液面配管３３の一端は、第１の実施形態と同様、タンク３１の側面（図５の例では右側面）における底面側の端部に接続されているが、その他端は、第１の実施形態と異なり、タンク３１の上面（タンク３１内の空間）に接続されておらず、給気配管３４に接続されている。

また、液面配管３３の上端部には、開放配管３３ｂが接続されている。なお、開放配管３３ｂの一端は液面配管３３における上限液量（ＨＨ）の位置よりも高い位置に接続されており、その開放配管３３ｂの他端は大気に開放されている。この開放配管３３ｂの途中には、例えば電磁弁などの開閉弁３３ｃが設けられている。この開閉弁３３ｃは制御部５０に電気的に接続されており、その開閉動作が制御部５０により制御される。なお、開閉弁３３ｃは、給気配管３４からの気体供給時には閉じられ、気体供給停止後には開けられる。

この液面配管３３でも、第１の実施形態と同じように、気体が液面配管３３内の配管空間に充填されると、液面配管３３内の液面Ｍ１は移動する。このとき、液面配管３３内に供給された気体は、第１の実施形態と異なり、タンク３１側に排気されず、液面配管３３内の液面Ｍ１に作用する。このため、気体の流量や圧力などが第１の実施形態と同じであれば、液面配管３３内の液面Ｍ１の移動速度は第１の実施形態よりも速くなる。これにより、液面センサ検出試験において、液面配管３３内の液面Ｍ１の移動の待ち時間を短くすることが可能となるので、液面センサ検出試験の試験時間を短縮することができる。

以上説明したように、第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、液面配管３３の一端をタンク３１内の空間に接続せず、液面配管３３に開放配管３３ｂを接続することによって、液面配管３３内の配管空間に供給された気体はタンク３１内に排気されずに液面配管３３内の液面Ｍ１に作用するため、液面センサ検出試験の試験時間を短縮することができる。

＜第３の実施形態＞
第３の実施形態について図６を参照して説明する。なお、第３の実施形態では、第１の実施形態との相違点（加熱部）について説明し、その他の説明を省略する。

図６に示すように、第３の実施形態に係る液供給部３０は、ヒータなどの加熱部３６を備えている。加熱部３６は、液面配管３３の外周に設けられており、液面配管３３内の処理液を加熱して処理液温度を所定範囲内に維持する。これにより、液面配管３３内の処理液の温度低下を抑制することが可能となり、添加材の析出を抑えることができる。加熱部３６は制御部５０に電気的に接続されており、その駆動が制御部５０により制御される。

ただし、前述の温度制御を行う場合でも、液面配管３３内の処理液に含まれる添加材が析出して液面配管３３の内表面に付着することがある。このため、制御部５０は、例えば、液面センサ３５の誤検出が有ると判断した場合には、液面センサ３５の誤検出が無いと判断した場合に比べ、加熱部３６による処理液の加熱温度を上げる。これにより、液面配管３３内の処理液をより高い温度で加熱し、液面配管３３の内表面に付着する析出物を処理液中に溶かして除去することができる。

以上説明したように、第３の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、液面配管３３に加熱部３６を設けることによって、液面配管３３内の処理液を加熱して処理液温度を所定範囲内に維持することが可能となるので、液面配管３３内の処理液に含まれる添加材が析出して液面配管３３の内表面に付着することを抑えることができる。さらに、液面センサ３５の誤検出が有ると判断した場合には、液面センサ３５の誤検出が無いと判断した場合に比べ、加熱部３６による処理液の加熱温度を上げることで、液面配管３３内の処理液をより高い温度で加熱し、液面配管３３の内表面に付着する析出物を処理液中に溶かして除去することができる。

なお、前述の第３の実施形態においては、加熱部３６を設けることを例示したが、これに限るものではなく、例えば、加熱部３６に換えて、液面配管３３内の処理液を振動させる振動部（図６中の符号３６参照）を設けることも可能であり、あるいは、それらの両者を設けることも可能である。振動部により液面配管３３内の処理液を振動させることで、液面配管３３の内表面に付着した析出物を除去することができる。例えば、制御部５０は、液面センサ３５の誤検出が有ると判断した場合だけ、振動部により処理液を振動させる。あるいは、制御部５０は、液面配管３３の内表面に析出物が付着することを抑制するため、振動部により処理液を常に振動させておき、液面センサ３５の誤検出が有ると判断した場合、液面センサ３５の誤検出が無いと判断した場合に比べ、振動部による処理液の振動数を上げることも可能である。この場合には、液面配管３３内の処理液をより高い振動数で振動させ、液面配管３３の内表面に付着した析出物を確実に除去することができる。

＜第４の実施形態＞
第４の実施形態について図７を参照して説明する。なお、第４の実施形態では、第１の実施形態との相違点（循環部）について説明し、その他の説明を省略する。

図７に示すように、第４の実施形態に係る液供給部３０は、圧送を可能とする循環部３７を備えている。循環部３７は、例えばポンプなどであり、タンク３１内に接続されている。この循環部３７は制御部５０に電気的に接続されており、その駆動が制御部５０により制御される。循環部３７は、密閉状態のタンク３１内の処理液を押し、液面配管３３内の処理液をタンク３１内に戻して循環させる。タンク３１内の処理液は、液面配管３３の下側の開口から液面配管３３内に流入する。流入した処理液は、液面配管３３内を上昇する方向に流れ、液面配管３３の上側の開口からタンク内３１に流入して戻る。これにより、液面配管３３内には、処理液の流れが生じる。

このような循環動作は定期的に実行される。これにより、定期的に、処理液が液面配管３３内を通って循環し、液面配管３３内の処理液は移動することになる。この処理液の流動により、液面配管３３の内表面に析出物が付着することを阻止することができる。また、タンク３１内で加熱された処理液が液面配管３３内に流入するため、液面配管３３内を加熱することも可能となり、液面配管３３内の析出物を処理液中に溶かして除去することができる。さらに、液面配管３３内の処理液に含まれる添加材が析出して液面配管３３の内表面に付着することも抑えることができる。

ただし、前述の循環制御を定期的に行う場合でも、液面配管３３内の処理液に含まれる添加材が析出して液面配管３３の内表面に付着することがある。このため、制御部５０は、例えば、液面センサ３５の誤検出が有ると判断した場合には、液面センサ３５の誤検出が無いと判断した場合に比べ、循環部３７によりタンク３１内の処理液を押し出す力を強くし、循環する処理液の流速を上げる。これにより、液面配管３３内の処理液をより速い流速で循環させ、液面配管３３の内表面に付着する析出物を除去することができる。

以上説明したように、第４の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、タンク３１に循環部３７を設けることによって、液面配管３３内の処理液をタンク３１内に戻して循環させることが可能になるので、液面配管３３内の処理液に含まれる添加材が析出して液面配管３３の内表面に付着することを抑えることができる。さらに、液面センサ３５の誤検出が有ると判断した場合には、液面センサ３５の誤検出が無いと判断した場合に比べ、循環部３７による処理液の流速を上げることで、液面配管３３内の処理液をより速い流速で循環させ、液面配管３３の内表面に付着する析出物を除去することができる。

＜他の実施形態＞
前述の各実施形態においては、液面センサ３５を複数個（図３の例では四つ）設けることを例示したが、これに限るものではなく、例えば、上限液量（ＨＨ）用及び下限液量（ＬＬ）用の二つの液面センサ３５だけを設けることも可能であり、また、下限液量（ＬＬ）用の一つ液面センサ３５だけを設けることも可能であり、その個数は特に限定されるものではない。また、全ての液面センサ３５を検出試験対象とする必要はなく、誤検出が生じやすい液面センサ３５だけを検出試験対象とすることも可能である。この場合には、前述の図４中のステップＳ１の液補充は必ずしも実行する必要はなく、検出試験対象の液面センサ３５がＯＮ状態であれば、ステップＳ１の液補充を省略することが可能である。

また、前述の各実施形態においては、液面配管３３の配管空間に対する気体の供給に応じ、液面センサ３５のＯＮ、ＯＦＦに基づいて液面センサ３５の誤検出の有無を判断することを例示したが、これに限るものではない。例えば、液面配管３３の配管空間に対する気体充填により一旦下降した液面Ｍ１が元の位置に戻ってくる液の戻り時間に応じて、液面センサ３５の誤検出の有無を判断することも可能である。液の戻り時間は、液面配管３３の内表面に付着する析出物の量に応じて変化し、例えば、析出物の量が多くなるほど長くなる。このため、液の戻り時間が所定時間内であれば、析出物の量が所定量（液面センサ３５の誤検出が発生しない析出物の量）以下であり、液面センサ３５の誤検出は無いと判定する。一方、液の戻り時間が所定時間内でない場合には、析出物の量が前述の所定量より多く、液面センサ３５の誤検出が有ると判定する。なお、液の戻り時間と析出物の量との相関関係は予め実験などによって求められており、この相関関係に基づいて前述の所定時間は設定されている。

以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１０ 基板処理装置
３１ タンク
３３ 液面配管
３３ｂ 開放配管
３４ 給気配管
３５ 液面センサ
３６ 加熱部
３７ 循環部
５０ 制御部

Claims (9)

1. 基板を処理するための処理液を貯留するタンクと、
   前記タンクに貯留された処理液が流入するように前記タンクに接続され、前記タンクから流入した処理液の液面が前記タンク内の処理液の増減に応じて移動するように形成された液面配管と、
   前記液面配管内の前記液面を検出する液面センサと、
   前記液面配管内における前記液面より上の配管空間に気体を供給するための給気配管と、
   前記給気配管により前記気体が前記配管空間に供給されて前記液面配管内の前記液面が移動することに応じ、前記液面センサの検出結果に基づいて前記液面センサの誤検出の有無を判断する制御部と、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
2. 前記配管空間から気体を排出するための開放配管をさらに備え、
   前記制御部は、前記液面センサの誤検出が有ると判断した場合、前記液面配管内の前記液面が繰り返し移動するよう、前記配管空間に対する気体の供給及び前記配管空間からの気体の排出を繰り返す制御を行うことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記液面配管内の前記処理液を加熱する加熱部をさらに備えることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記制御部は、前記液面センサの誤検出が有ると判断した場合、前記液面センサの誤検出が無いと判断した場合に比べ、前記加熱部による前記処理液の加熱温度を上げることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
5. 前記液面配管内の前記処理液を振動させる振動部をさらに備えることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
6. 前記制御部は、前記液面センサの誤検出が有ると判断した場合、前記液面センサの誤検出が無いと判断した場合に比べ、前記振動部による前記処理液の振動数を上げることを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
7. 前記液面配管の一端は、前記タンク内の前記処理液が前記液面配管に流入するように前記タンクに接続されており、
   前記液面配管の他端は、前記タンク内における前記処理液の液面より上の空間に接続されており、
   前記タンク内の前記処理液を前記液面配管に流して循環させる循環部をさらに備えることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
8. 前記制御部は、前記液面センサの誤検出が有ると判断した場合、前記液面センサの誤検出が無いと判断した場合に比べ、前記循環部による前記処理液の流速を上げることを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
9. タンクに貯留された処理液が流入するように前記タンクに接続された液面配管内の液面を液面センサにより検出する基板処理方法であって、
   前記液面配管内における前記液面より上の配管空間に給気配管から気体を供給する工程と、
   前記給気配管により前記気体が前記配管空間に供給されて移動する前記液面を液面センサにより検出する工程と、
   前記液面センサの検出結果に基づいて前記液面センサの誤検出の有無を判断する工程と、
   を有することを特徴とする基板処理方法。

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