CN107275257A - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能够准确地掌握积存处理液的罐内的所希望的液量的基板处理装置以及基板处理方法。实施方式的基板处理装置具备：罐(31)，积存处理液；液面配管(33)，与罐(31)连接，以供在罐(31)中存积的处理液流入，并形成为从罐(31)流入的处理液的液面M1根据罐31内的处理液的增减而移动；液面传感器(35)，检测液面配管(33)内的液面M1；供气配管(34)，用于向液面配管(33)内的液面M1之上的配管空间供给气体；以及控制部(50)，与气体被供气配管(34)向配管空间供给而液面配管(33)内的液面M1移动相应，基于液面传感器(35)的检测结果判断液面传感器(35)有无误检测。

Description

基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
本发明的实施方式涉及基板处理装置以及基板处理方法。
背景技术
基板处理装置是对半导体晶片、光掩模用玻璃基板、液晶用玻璃基板等各种基板进行各种表面处理(例如，蚀刻处理、漂洗处理等)的装置。该基板处理装置具备存积处理液(例如，蚀刻液、漂洗液等药液)的罐，向基板的被处理面供给罐内的处理液来处理基板。
在该基板处理装置的罐内设置有加热罐中的处理液的加热器。这是为了将处理液的温度维持为所希望的温度以上。另外，为了在罐外监视罐内的液量，设置与罐内相通的L形状的配管，通过传感器检测该配管内的液面。该液面传感器例如设置两个以检测罐内的上限液量以及下限液量。根据这些液面传感器的检测结果，控制针对罐的液体补充动作及该补充动作的停止等的各种动作。
上述的配管内的处理液温度与存在加热器的罐内的处理液的温度相比较低。因此，由于当处理液的温度降低时处理液的饱和量(添加材料能够溶解于处理液的量)降低，所以配管内的处理液所含的添加材料析出，析出的添加材料向配管的内表面附着。若析出的添加材料向配管的内表面附着，则有时该析出物引起液面传感器误检测。若发生该液面传感器的误检测、则不能准确地掌握罐内的处理液的所希望的液量，例如上限液量及下限液量。作为一个例子，在由于液面传感器的误检测而不能掌握下限液量即液体不足的情况下，有可能发生不向罐供给处理液、加热器空烧等，装置有时会破损。
此外，液面传感器的误检测如上所述出于析出物附着于配管的内表面的原因而造成。若析出物附着于配管的内表面，则有时例如即使在检测配管内的处理液的检测位置处无处理液的情况下，液面传感器也检测出处理液，或即使在配管内的处理液以检测位置为中间上下移动的情况下，液面传感器也持续检测出处理液。
发明内容
本发明所要解决的课题是提供能够准确地掌握存积处理液的罐内的所希望的液量的基板处理装置以及基板处理方法。
实施方式的基板处理装置具备：罐，存积用于处理基板的处理液；液面配管，与罐连接以供存积在罐中的处理液流入，并形成为从罐流入的处理液的液面根据罐内的处理液的增减而移动；液面传感器，检测液面配管内的液面；供气配管，用于向液面配管内的液面之上的配管空间供给气体；以及控制部，与气体被供气配管向配管空间供给而液面配管内的液面移动相对应地，基于液面传感器的检测结果判断液面传感器有无误检测。
实施方式的基板处理装置具备：罐，存积用于处理基板的处理液；液面配管，与罐连接以供存积在罐中的处理液流入，并形成为从罐流入的处理液的液面根据罐内的处理液的增减而移动；液面传感器，检测液面配管内的液面；供气配管，用于向液面配管内的液面之上的配管空间供给气体；释放配管，用于从配管空间排出气体；以及控制部，反复进行气体对配管空间的供给以及气体从配管空间的排出的控制，以使液面配管内的液面反复移动。
实施方式的基板处理方法通过液面传感器对为了供存积在罐中的处理液流入而连接于罐的液面配管内的液面进行检测，具有：从供气配管向所述液面配管内的所述液面之上的配管空间供给气体的工序；通过液面传感器对气体被供气配管向配管空间供给而移动的液面进行检测的工序；以及基于液面传感器的检测结果判断液面传感器有无误检测的工序。
实施方式的基板处理方法通过液面传感器对为了供存积在罐中的处理液流入而连接于罐的液面配管内的液面进行检测，具有如下工序：反复进行气体对液面配管内的液面之上的配管空间的供给以及气体从配管空间的排出，以使液面配管内的液面反复移动的工序。
根据上述的实施方式所涉及的基板处理装置或者基板处理方法，能够准确地掌握存积处理液的罐内的所希望的液量。
附图说明
图1为表示第1实施方式所涉及的基板处理装置的概略构成的图。
图2为表示第1实施方式所涉及的供液部的概略构成的图。
图3为表示第1实施方式所涉及的供液部的概略构成的侧视图。
图4为表示第1实施方式所涉及的液面传感器检测试验的流程的流程图。
图5为表示第2实施方式所涉及的供液部的概略构成的图。
图6为表示第3实施方式所涉及的供液部的概略构成的图。
图7为表示第4实施方式所涉及的供液部的概略构成的图。
具体实施方式
＜第1实施方式＞
参照图1至图4说明第1实施方式。
(基本构成)
如图1所示，第1实施方式所涉及的基板处理装置10具备基板处理部20、供液部30、液体补充部40、以及控制部50。作为该基板处理装置10所使用的处理液，例如可列举含Si(硅)等添加材料的处理液(例如，蚀刻液、漂洗液等的药液)。
基板处理部20向基板的被处理面供给处理液来处理基板。作为该基板处理部20，例如可使用单片式或分批式等的处理装置。基板处理部20电连接于控制部50，其驱动通过控制部50控制。
供液部30存积处理液，并向基板处理部20供给所存积的处理液。该供液部30通过供给配管30a连接于基板处理部20，并通过设置在供给配管30a的中途的泵30b的驱动，向基板处理部20供给处理液。泵30b电连接于控制部50，其驱动通过控制部50控制。
液体补充部40根据供液部30内的处理液的液量，向供液部30补充处理液。该液体补充部40通过补充配管40a连接于供液部30，并通过设置在补充配管40a的中途的泵40b的驱动对供液部30补充处理液。泵40b电连接于控制部50，其驱动通过控制部50控制。
控制部50具备集中地控制各部分的微型计算机、以及存储有关基板处理的基板处理信息及各种程序等的存储部(均未图示)。该控制部50从存储部读取基板处理信息及各种程序，并基于读取的基板处理信息及各种程序，进行基板处理部20的基板处理动作、供液部30的液供给动作、液体补充部40的液体补充动作等各动作的控制。此外，控制部50电连接有报警器、显示器等报告部50a。
(供液部)
如图2以及图3所示，供液部30具有罐31、加热器32、多根(在图3的例中为二根)液面配管33、多根(在图3的例中为二根)供气配管34、以及多个(在图3的例中为四个)液面传感器35。
罐31是存积处理液的存积部。在该罐31连接有释放配管31a。在该释放配管31a的中途设置有例如电磁阀等开闭阀31b。该开闭阀31b与控制部50电连接，其开闭动作通过控制部50控制。
加热器32设置于罐31内的底面。该加热器32将罐31内的处理液加热至所希望的温度以上，例如，根据控制部50进行的控制将处理液温度维持在规定范围内。加热器32与控制部50电连接，其驱动通过控制部50控制。
在各液面配管33中，各个液面配管33的一端连接于罐31的侧面(在图2的例中为右侧面)中的底面侧的端部，其另一端连接于罐31的上表面。即，液面配管33以供存积在罐31中的处理液流入的方式连接于罐31，从罐31流入的处理液的液面M1(参照图2)形成为根据罐31内的处理液的增减而移动。
供气配管34按照每个液面配管33而一个一个地设置。该供气配管34与液面配管33的上端部连接，是用于向液面配管33内的液面M1之上的配管空间供给气体(例如，N2气(氨气)等非活性气体)的配管。在各供气配管34的中途分别设置有例如电磁阀等开闭阀34a。这些开闭阀34a与控制部50电连接，这些开闭阀的开闭动作通过控制部50控制。
此外，气体的流量及压力以液面配管33内的液面M1通过向液面配管33内的配管空间供给的气体而移动规定距离(使全部的液面传感器35关断的距离)的方式设定。但是，气体的流量及压力能够根据供气配管34的直径、处理液的粘度等重要因素而适当地变更。另外，针对液面配管33内的配管空间的气体的填充(供给)不会引起罐31内的处理液温度变化。
这里，液面配管33内的配管空间与罐31内的液面之上的罐空间连通。在该液面配管33的上部的水平配管部分的内部设置有具有贯通孔H1的节流部件33a(参照图2)。贯通孔H1的孔直径小于液面配管33的直径。节流部件33a限制向液面配管33内的配管空间供给的气体通过液面配管33的上部的水平配管部分流入罐31内。由此，若液面配管33内的配管空间被气体填充，则液面配管33内的液面M1下降。
液面传感器35按照每个液面配管33两个两个地设置。这些液面传感器35分别检测液面配管33内的液面M1。例如，各液面传感器35分别设于各个位置以掌握上限液量(HH)、补充开始液量(L)、补充停止液量(H)、下限液量(LL)。这些液面传感器35与控制部50电连接，其检测信号被输入到控制部50。作为各液面传感器35，例如使用静电电容传感器等。此外，在本实施方式中，在静电电容传感器为开启的情况下为对处理液(液面M1)正进行检测的状态，在关断的情况下为未对处理液进行检测的状态。
这里，虽然上限液量(HH)用的液面传感器35以及下限液量(LL)用的液面传感器35被固定，但补充开始液量(L)用的液面传感器35以及补充停止液量(H)用的液面传感器35形成为能够在高度方向上移动。由此，用户能够根据需要变更补充开始液量用的液面传感器35以及补充停止液量用的液面传感器35的高度位置，从而调整补充开始液量以及补充停止液量。
此外，上述的液面配管33的根数为二根、液面传感器35按照每个液面配管33两个两个地设置(参照图3)，但不限于此，液面配管33的根数也可以仅为一根。但是，对于一根液面配管33设置四个液面传感器35时，有时发生液面传感器35彼此的间隔较窄的状态。换句话说，上限液量(HH)与补充停止液量(H)的间隔、补充开始液量(L)与下限液量(LL)的间隔变窄，有时各液面传感器35在进行检测的位置处互相干扰。因此，为了防止液面传感器35彼此的干扰，优选将液面配管33的根数设为多根而非一根。
控制部50在通常运行中，基于各液面传感器35的检测结果，掌握罐31内的处理液的液量。例如，控制部50基于各液面传感器35的检测结果，判断液量为上限液量(HH)以上时，通过报告部50a报告该情况并对用户发出警告。另外，控制部50判断液量为补充开始液量(L)以下时，驱动液体补充部40的泵40b，从液体补充部40经由补充配管40a向供液部30补充处理液。之后，判断液量为补充停止液量(H)时，使液体补充部40的泵40b停止，并停止从液体补充部40向供液部30补充处理液。另外，控制部50判断液量为下限液量(LL)以下时，通过报告部50a报告该情况对用户发出警告，并且，停止向基板处理部20供液以及由加热器32进行的加热。之后，控制部50判断液量为补充开始液量(L)以上时，再次开始加热器32进行的加热，判断液量为补充开始液量(L)以上、且处理液的温度在所设定的温度范围内时、再次开始向基板处理部20供液。
另外，上述的控制部50在液面传感器35的检测试验中，打开各供气配管34的各个开闭阀34a，并向各液面配管33内的配管空间供给气体，从而使液面配管33内的液面M1移动，对每个液面传感器35基于液面传感器35的检测结果判断有无液面传感器35的误检测。即，控制部50根据液面配管33内的液面M1的移动，判断液面传感器35是否正常地进行检测。例如，控制部50判断在液面配管33内的液面M1下降至比下限液量(LL)的位置低的位置的状态下，液面传感器35是否成为关断(不检测液面时)。在判断为液面传感器35未成为关断的情况下，判定该液面传感器35存在误检测。另外，控制部50停止上述的气体供给，判断在液面配管33内的液面M1上升至比上限液量(HH)的位置更高的位置的状态下，液面传感器35是否成为开启(检测液面时)。在判断为液面传感器35未成为开启的情况下，判定该液面传感器35存在误检测。
(液面传感器检测试验)
接下来，详细说明上述的基板处理装置10所进行的液面传感器检测试验。
在液面传感器检测试验中，设定上限液量(HH)与下限液量(LL)的由报告部50a进行的警告(报警)、以及不执行装置的动作停止操作的试验模式。另外，在试验模式设定时，停止从供液部30向基板处理部20供给处理液。并且，释放配管31a的开闭阀31b被打开，供液部30的罐31向大气开放。此外，基本上，液面传感器检测试验在基板处理中以外按规定期间执行，或在待机期间执行。但是，在不对基板处理造成负面影响的情况下也可以在基板处理中执行。
如图4所示，在步骤S1中，补充配管40a的泵40b被驱动，处理液被从液体补充部40经由补充配管40a向供液部30的罐31内补充。此时，继续补充动作直至各液面配管33内的液面M1成为上限液量(HH)的位置(参照图3)。然后，当液面配管33内的液面M1成为上限液量(HH)的位置时，停止处理液的补充。由此，全部的液面传感器35的检测试验准备结束。
这里，在处理液的补充动作中，液面M1处于补充开始液量(L)与补充停止液量(H)之间的情况下，液面M1的高度位置有变动，因此继续处理液的供给直至到达上限液量(HH)的位置，而不是以固定的供给量补充处理液。另一方面，在液面传感器检测试验前，罐31内预先填充有规定量的处理液，但在初次的液面传感器检测试验前等罐31内为空的情况下，以液面M1成为上限液量(HH)的位置的规定量、一定的流量，以规定时间向罐31内供给处理液。
在步骤S2中，各供气配管34的各个开闭阀34a被打开，气体被向各液面配管33内的配管空间供给。由此，向各液面配管33内的配管空间填充规定量的气体，各液面配管33内的液面M1移动至比下限液量(LL)的位置低的位置。此外，此时的气体的流量及压力被预先设定成，通过向液面配管33内的配管空间供给的气体使液面配管33内的液面M1移动至比下限液量(LL)的位置低的位置。
在步骤S3中，在各液面配管33内的液面M1低于下限液量(LL)的位置的状态下，判断全部的液面传感器35是否关断。判断全部的液面传感器35为关断时(是)，在步骤S4中，关闭各供气配管34的各自的开闭阀34a，停止对各液面配管33内的配管空间供给气体。据此，各液面配管33内的配管空间内的气体通过各液面配管33的上部的水平配管部分即节流部件33a的贯通孔H1向罐31内缓缓排出。由此，各液面配管33内的液面M1缓慢地移动至原本的上限位置(HH)(与下降速度相比上升速度较慢)。
在步骤S5中，从气体的供给停止起规定时间后，即在各液面配管33内的液面M1为上限液量(HH)的位置以上的状态下，判断各液面传感器35是否开启。判断全部的液面传感器35为开启时(是)，在步骤S6中，判定为各液面传感器35没有误检测。
另一方面，在上述的步骤S3中判断为各液面传感器35未关断时(否)，或在上述的步骤S5中判断为各液面传感器35未开启时(否)，在步骤S7中，判断液面传感器35的误检测判断次数(重试次数)是否是规定次数(例如，三次)。
在步骤S7中，判断为回液的判断次数不是规定次数(例如，三次)时(否)，处理返回步骤S2，重复步骤S2以后的处理。
另一方面，在步骤S7中，判断为回液的判断次数是规定次数(例如，三次)时(是)，在步骤S8中，判定为各液面传感器35存在误检测。此时，例如通过报告部50a向用户报告各液面传感器35存在误检测的情况。此外，控制部50能够确定存在误检测的液面传感器35，并通过报告部50a向用户报告引起该误检测的液面传感器35。
在这样的液面传感器检测试验中，向各液面配管33内的配管空间供给气体，液面配管33内的液面M1移动。据此，对每个液面传感器35基于液面传感器35的检测结果判断有无液面传感器35的误检测。例如，在液面配管33内的液面M1下降至比下限液量(LL)的位置低的位置的状态下，判断液面传感器35是否成为关断。判断为液面传感器35不能成为关断时，判定为该液面传感器35有误检测。进而，停止气体供给，在液面配管33内的液面M1上升至比上限液量(HH)的位置更高的位置的状态下，判断各液面传感器35是否成为开启。在判断为液面传感器35不能成为开启的情况下，判定为该液面传感器35存在误检测。这样，能够掌握液面传感器35的误检测，因此不再基于存在误检测的液面传感器35的检测结果求取罐31内的液量。由此，能够准确地掌握积存处理液的罐31内的所希望的液量。
这里，在判定为各液面传感器35存在误检测的情况下，是液面配管33的内表面附着有添加材料的析出物的状态。为了去除该析出物，例如反复对各液面配管33内的配管空间进行气体的填充(供给)以及排出，使各液面配管33内的液面M1反复地上下移动较为有效。此时，通过各液面配管33内的液面M1反复地上下移动，能够以剥离的方式去除附着在液面配管33的内周面的析出物。因此，由于能够抑制液面传感器35的误检测，从而能够准确地掌握积存处理液的罐31内的所希望的液量。
如以上说明那样，根据第1实施方式，通过从供气配管34向液面配管33内的配管空间供给气体、使液面配管33内的液面M1移动，从而基于液面传感器35的检测结果判断液面传感器35有无误检测，由此能够掌握液面传感器35有无误检测。据此，不再基于存在误检测的液面传感器35的检测结果求取罐31内的液量，成为基于无误检测的液面传感器35的检测结果来求取罐31内的液量。因此，能够准确地掌握积存处理液的罐31内的所希望的液量。
＜第2实施方式＞
参照图5说明第2实施方式。此外，在第2实施方式中说明与第1实施方式的不同点(液面配管的构造)，并省略其他的说明。
如图5所示，第2实施方式所涉及的液面配管33的一端与第1实施方式同样地连接于罐31的侧面(在图5的例中为右侧面)的底面侧的端部，但其另一端与第1实施方式不同，不与罐31的上表面(罐31内的空间)连接，而是连接于供气配管34。
另外，在液面配管33的上端部连接有释放配管33b。此外，释放配管33b的一端连接在液面配管33中的比上限液量(HH)的位置高的位置，该释放配管33b的另一端向大气开放。在该释放配管33b的中途设置有例如电磁阀等开闭阀33c。该开闭阀33c与控制部50电连接，其开闭动作通过控制部50控制。此外，开闭阀33c在来自供气配管34的气体供给时关闭，在气体供给停止后打开。
在该液面配管33中也与第1实施方式同样地，气体被填充至液面配管33内的配管空间的话、则液面配管33内的液面M1移动。此时，向液面配管33内供给的气体与第1实施方式不同，不向罐31侧排气而是作用于液面配管33内的液面M1。因此，若气体的流量及压力等与第1实施方式相同，则液面配管33内的液面M1的移动速度比第1实施方式快。由此，在液面传感器检测试验中，由于能够缩短液面配管33内的液面M1的移动的等待时间，因此能够缩短液面传感器检测试验的试验时间。
如以上说明那样，根据第2实施方式，能够获得与第1实施方式相同的效果。并且，通过不使液面配管33的一端与罐31内的空间连接而是使释放配管33b与液面配管33连接，从而使供给至液面配管33内的配管空间的气体不向罐31内排气而是作用于液面配管33内的液面M1，由此能够缩短液面传感器检测试验的试验时间。
＜第3实施方式＞
参照图6说明第3实施方式。此外，在第3实施方式中说明与第1实施方式的不同点(加热部)，并省略其他的说明。
如图6所示，第3实施方式所涉及的供液部30具备加热器等加热部36。加热部36设置于液面配管33的外周，对液面配管33内的处理液进行加热并将处理液温度维持在规定范围内。由此，能够抑制液面配管33内的处理液的温度降低，能够抑制添加材料的析出。加热部36与控制部50电连接，其驱动通过控制部50控制。
但是，即使进行上述的温度控制，有时液面配管33内的处理液所含的添加材料也析出并附着于液面配管33的内表面。因此，控制部50例如在判断为液面传感器35存在误检测的情况下与在判断为液面传感器35无误检测的情况下相比，提高加热部36对处理液的加热温度。由此，能够以更高的温度加热液面配管33内的处理液，能够使附着于液面配管33的内表面的析出物溶于处理液而被去除。
如以上说明那样，根据第3实施方式，能够获得与第1实施方式相同的效果。并且，通过在液面配管33设置加热部36，能够对液面配管33内的处理液进行加热并将处理液温度维持在规定范围内，因此能够抑制液面配管33内的处理液所含的添加材料析出而附着在液面配管33的内表面。并且，判断为液面传感器35存在误检测的情况与判断为液面传感器35无误检测的情况相比，提高加热部36对处理液的加热温度，从而能够以更高温度的加热液面配管33内的处理液，能够使附着于液面配管33的内表面的析出物溶于处理液而被去除。
此外，在上述的第3实施方式中例示了设置加热部36，但不限于此，例如也可以设置使液面配管33内的处理液振动的振动部(参照图6中的附图标记36)来替换加热部36，或者也可以设置这两者。通过由振动部使液面配管33内的处理液振动，能够去除附着在液面配管33的内表面的析出物。例如，控制部50仅在判断为液面传感器35存在误检测的情况下，通过振动部使处理液振动。或者，控制部50也能够为了抑制析出物向液面配管33的内表面附着，通过振动部使处理液一直振动，并在判断为液面传感器35存在误检测的情况下，与判断为液面传感器35无误检测的情况相比，提高振动部对处理液的振动频率。此时，能够以更高的振动频率使液面配管33内的处理液振动，并可靠地去除在液面配管33的内表面附着的析出物。
＜第4实施方式＞
参照图7说明第4实施方式。此外，在第4实施方式中说明与第1实施方式的不同点(循环部)，并省略其他的说明。
如图7所示，第4实施方式的供液部30具备能够进行压送的循环部37。循环部37例如是泵等，并连接于罐31内。该循环部37与控制部50电连接，其驱动通过控制部50控制。循环部37推动封闭状态的罐31内的处理液，使液面配管33内的处理液向罐31内返回并循环。罐31内的处理液从液面配管33的下侧的开口向液面配管33内流入。流入的处理液在液面配管33内向上升的方向流动，并从液面配管33的上侧的开口流入并返回罐31内。由此，在液面配管33内产生处理液的流动。
这样的循环动作被定期地执行。由此，处理液定期地通过液面配管33内而循环，液面配管33内的处理液移动。通过该处理液的流动，能够阻止析出物向液面配管33的内表面附着。另外，由于在罐31内被加热了的处理液向液面配管33内流入，因此也能够成为对液面配管33内进行加热，能够使液面配管33内的析出物溶于处理液而被去除。并且，也能够抑制液面配管33内的处理液所含的添加材料析出并附着于液面配管33的内表面。
但是，即使定期进行上述的循环控制，有时液面配管33内的处理液所含的添加材料也析出并附着于液面配管33的内表面。因此，控制部50例如在判断为液面传感器35存在误检测的情况下，与在判断为液面传感器35无误检测的情况下相比，增强由循环部37压出罐31内的处理液的力，提高进行循环的处理液的流速。由此，能够以更快的流速使液面配管33内的处理液循环，能够去除附着于液面配管33的内表面的析出物。
如以上说明那样，根据第4实施方式，能够获得与第1实施方式相同的效果。并且，通过在罐31设置循环部37，能够使液面配管33内的处理液向罐31内返回并循环，因此能够抑制液面配管33内的处理液所含的添加材料析出并附着于液面配管33的内表面。并且，在判断为液面传感器35存在误检测的情况下，与在判断为液面传感器35无误检测的情况下相比，提高基于循环部37的处理液的流速，从而能够以更快的流速使液面配管33内的处理液循环，能够去除附着于液面配管33的内表面的析出物。
＜其他的实施方式＞
在上述的各实施方式中，例示了设置多个液面传感器35(在图3的例中为四个)，但不限于此，例如，也可以仅设置上限液量(HH)用以及下限液量(LL)用的二个液面传感器35，另外，也可以仅设置下限液量(LL)用的一个液面传感器35，其个数不特别进行限定。另外，也可以无需将全部的液面传感器35设为检测试验对象，而仅将容易产生误检测的液面传感器35设为检测试验对象。此时，无需必须执行上述的图4中的步骤S1的液体补充，只要检测试验对象的液面传感器35为开启状态，则能够省略步骤S1的液体补充。
另外，在上述的各实施方式中，例示了通过与气体对液面配管33的配管空间的供给相应地基于液面传感器35的开启、关断判断液面传感器35有无误检测，但不限于此。例如，也能够根据由于针对液面配管33的配管空间的气体填充而暂时下降了的液面M1返回原本的位置的液体的返回时间，来判断液面传感器35有无误检测。液体的返回时间根据附着于液面配管33的内表面的析出物的量而变化，例如，析出物的量越多液体的返回时间越长。因此，若液体的返回时间在规定时间内，则判定为析出物的量为规定量(不产生液面传感器35的误检测的析出物的量)以下、液面传感器35无误检测。另一方面，液体的返回时间不在规定时间内的情况下，判定为析出物的量多于上述的规定量、液面传感器35存在误检测。此外，液体的返回时间与析出物的量的相关关系预先通过实验等而求出，基于该相关关系设定上述的规定时间。
以上，说明了本发明的几种实施方式，但这些实施方式仅作为例子进行提示，无意限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种方式来实施，在不脱离发明的要旨的范围内，能够进行各种的省略、替换、变更。这些实施方式及其变形包含于发明的范围及要旨中，并且包含于权利要求所记载的发明及其等效的范围中。

Claims (11)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
罐，存积用于处理基板的处理液；
液面配管，与所述罐连接以供存积在所述罐中的处理液流入，并形成为从所述罐流入的处理液的液面根据所述罐内的处理液的增减而移动；
液面传感器，检测所述液面配管内的所述液面；
供气配管，用于向所述液面配管内的所述液面之上的配管空间供给气体；以及
控制部，与所述气体被所述供气配管向所述配管空间供给而所述液面配管内的所述液面移动相对应地，基于所述液面传感器的检测结果判断所述液面传感器有无误检测。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
还具备用于从所述配管空间排出气体的释放配管，
所述控制部在判断为所述液面传感器存在误检测的情况下，执行反复进行气体对所述配管空间的供给以及气体从所述配管空间的排出的控制，以使所述液面配管内的所述液面反复移动。
3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
还具备加热部，对所述液面配管内的所述处理液进行加热。
4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部在判断为所述液面传感器存在误检测的情况下，与判断为所述液面传感器无误检测的情况相比，提高所述加热部对所述处理液的加热温度。
5.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
还具备振动部，使所述液面配管内的所述处理液振动。
6.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部在判断为所述液面传感器存在误检测的情况下，与判断为所述液面传感器无误检测的情况相比，提高所述振动部对所述处理液的振动频率。
7.如权利要求1至6中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述液面配管的一端连接于所述罐，以使所述罐内的所述处理液向所述液面配管流入，
所述液面配管的另一端连接于所述罐内的所述处理液的液面之上的空间，
所述基板处理装置还具备循环部，使所述罐内的所述处理液向所述液面配管流入并循环。
8.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部在判断为所述液面传感器存在误检测的情况下，与判断为所述液面传感器无误检测的情况相比，提高所述循环部对所述处理液的流速。
9.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
罐，存积用于处理基板的处理液；
液面配管，与所述罐连接以供存积在所述罐中的处理液流入，并形成为从所述罐流入的处理液的液面根据所述罐内的处理液的增减而移动；
液面传感器，检测所述液面配管内的所述液面；
供气配管，用于向所述液面配管内的所述液面之上的配管空间供给气体；
释放配管，用于从所述配管空间排出气体；以及
控制部，执行反复进行所述气体对所述配管空间的供给以及气体从所述配管空间的排出的控制，以使所述液面配管内的所述液面反复移动。
10.一种基板处理方法，通过液面传感器对为了供存积在罐中的处理液流入而连接于所述罐的液面配管内的液面进行检测，所述基板处理方法的特征在于，具有：
从供气配管向所述液面配管内的所述液面之上的配管空间供给气体的工序；
通过液面传感器对所述气体被所述供气配管向所述配管空间供给而移动的所述液面进行检测的工序；以及
基于所述液面传感器的检测结果判断所述液面传感器有无误检测的工序。
11.一种基板处理方法，通过液面传感器对为了供存积在罐中的处理液流入而连接于所述罐的液面配管内的液面进行检测，所述基板处理方法的特征在于，具有如下工序：
反复进行气体对所述液面配管内的所述液面之上的配管空间的供给以及气体从所述配管空间的排出，以使所述液面配管内的所述液面反复移动。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112178461A (zh) * 2019-07-01 2021-01-05 夏普株式会社 贮液装置
CN114446841A (zh) * 2022-04-12 2022-05-06 广州粤芯半导体技术有限公司 供酸装置及湿刻系统
TWI800586B (zh) * 2018-01-04 2023-05-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
CN116936421A (zh) * 2023-09-15 2023-10-24 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 晶圆生产设备和晶圆生产工艺
TWI831656B (zh) * 2018-01-04 2024-02-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6119709A (en) * 1998-09-28 2000-09-19 Tokyo Electron Ltd. Feeding apparatus and replenishing method of processing solution
US7082348B1 (en) * 1999-10-05 2006-07-25 Abb Ab Computer based method and system for controlling an industrial process
KR20100046836A (ko) * 2008-10-28 2010-05-07 세메스 주식회사 약액 공급장치 및 방법

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1034057A (ja) * 1996-07-25 1998-02-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH1090038A (ja) * 1996-09-12 1998-04-10 Sony Corp 液面検出装置
JP2002206957A (ja) 2001-01-11 2002-07-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液貯留装置
JP2002289571A (ja) * 2001-03-23 2002-10-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR101312237B1 (ko) * 2005-04-25 2013-09-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 비어 있음 검출 능력을 갖는 라이너 기반의 액체 저장 및분배 시스템
JP4863260B2 (ja) * 2005-11-30 2012-01-25 東京エレクトロン株式会社 液面検出装置及びそれを備えた液処理装置
TWI439571B (zh) * 2007-01-15 2014-06-01 Shibaura Mechatronics Corp Sulfuric acid electrolysis device, electrolysis method and substrate processing device
TWI459489B (zh) * 2008-03-17 2014-11-01 Acm Res Shanghai Inc 用於處理單片半導體工件的溶液製備設備和方法
JP5323661B2 (ja) * 2009-12-07 2013-10-23 東京エレクトロン株式会社 枚葉式の基板液処理装置における循環ラインの液交換方法
JP6502633B2 (ja) * 2013-09-30 2019-04-17 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
CN104979236B (zh) * 2014-04-11 2017-09-26 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种化学液供给装置及其供给方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6119709A (en) * 1998-09-28 2000-09-19 Tokyo Electron Ltd. Feeding apparatus and replenishing method of processing solution
US7082348B1 (en) * 1999-10-05 2006-07-25 Abb Ab Computer based method and system for controlling an industrial process
KR20100046836A (ko) * 2008-10-28 2010-05-07 세메스 주식회사 약액 공급장치 및 방법

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI800586B (zh) * 2018-01-04 2023-05-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
TWI831656B (zh) * 2018-01-04 2024-02-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
CN112178461A (zh) * 2019-07-01 2021-01-05 夏普株式会社 贮液装置
CN114446841A (zh) * 2022-04-12 2022-05-06 广州粤芯半导体技术有限公司 供酸装置及湿刻系统
CN114446841B (zh) * 2022-04-12 2022-07-29 广州粤芯半导体技术有限公司 供酸装置及湿刻系统
CN116936421A (zh) * 2023-09-15 2023-10-24 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 晶圆生产设备和晶圆生产工艺
CN116936421B (zh) * 2023-09-15 2023-12-01 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 晶圆生产设备和晶圆生产工艺

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