KR101927478B1 - 기판 액처리 방법 및 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체용 기판의 식각 및 세정 장치에 관한 것으로, 기판을 회전시키면서 기판 또는 공급하는 처리액 중 적어도 어느 하나를 가열하여 처리면을 제1 온도로 액처리하는 제1 액처리 단계와, 처리액을 공급하여 처리면을 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도로 액처리하는 제2 액처리 단계; 및 린스액을 공급하여 처리면을 세정하는 린스 단계;를 포함한다. 이에 의해 고온 액처리 공정시 처리액의 급격한 냉각에 따라 처리액의 점도 상승으로 인한 파티클을 방지할 수 있으며, 기판의 급격한 냉각에 따른 열변형에 의한 파손을 방지하는 효과가 있다.

Description

기판 액처리 방법 및 장치{LIQUID PROCESSING METHOD FOR SUBSTRATE AND LIQUID PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 반도체용 기판의 식각 및 세정 장치에 관한 것으로, 고온에서 진행되는 기판 액처리 과정에서 처리면에 공급하는 처리액의 온도를 조절하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
반도체 소자 제조를 위해서는 기판 상에 다층의 박막을 형성하는데 있어 식각 및 세정 공정은 필수적이다.
매엽식 습식 식각 및 세정 장치는 기판을 지지하는 척이 설치된 테이블을 회전시키면서, 처리액을 기판에 공급하여 식각, 세정 및 건조 공정을 수행하고, 테이블 둘레에 컵 구조를 갖는 처리액 회수부를 이용하여 처리액을 회수한다.
한편, 기판에 증착된 질화막, 산화막, 금속막 등의 박막이나 포토레지스트 등을 기판으로부터 제거함에 있어 처리 효율을 향상시키기 위한 목적으로, 기판의 상부 또는 테이블의 하부에 히터를 설치하거나, 처리액의 온도를 고온으로 가열하여 분사하거나, 가열 후 분사 직적 처리액 혼합으로 발생하는 반응열을 이용하는 방법으로 고온에서 액처리하였다.
종래에 포토레지스트(Photoresist, PR) 등의 유기물이나 금속 이온 제거에 사용되는 SPM(Sulphuric Peroxide Mixture) 공정은 약액을 150℃ 정도로 가열하고, 혼합시 발열반응에 의한 반응열을 이용하여 기판을 180℃ 정도에서 처리하였다. 그 후 린스액으로 60~80℃ 정도의 탈이온수(DIW)를 공급하여 기판을 세정한 후 건조하였다.
이러한 PR 스트립 공정은 처리 효율이나 공정 속도를 높이기 위해서는 보다 높은 고온 공정이 요구되고, 이에 따라 기판 상부에서 스윙 동작을 하는 히터 등의 가열장치를 사용하여 기판을 가열하였다.
그러나 고온에서 기판의 액처리를 완료한 후 상대적으로 낮은 온도의 탈이온수를 공급하면, 가열된 처리액과 탈이온수의 급격한 온도 차이로 인하여 처리액의 온도가 급속히 낮아짐에 따라 처리액의 점도가 높아져 파티클이 발생한다는 문제점이 있었다.
또한 PR 스트립 공정이 종료된 가열된 기판에 탈이온수를 분사시키면 급격한 온도 차이로 인하여 기판이 파손되거나, 기판의 열변형에 의하여 지지하는 척으로부터 기판 이탈될 수 있는 등의 문제가 있었다.
상술한 배경 기술 상의 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 기판에 처리액을 공급하여 고온으로 액처리한 후 상대적으로 온도가 많이 낮은 린스액을 공급하기 전 기판의 온도를 낮춤으로써 파티클 문제나 기판의 파손을 방지할 수 있는 기판 액처리 방법 및 장치를 제공함에 그 목적이 있다.
상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 기판 액처리 방법은, 기판을 회전시키면서 처리액을 공급하여 처리면을 액처리하는 기판 액처리 방법에 있어서, 상기 처리액을 공급하면서 상기 기판 또는 공급하는 상기 처리액 중 적어도 어느 하나를 가열하여 상기 처리면을 제1 온도로 액처리하는 제1 액처리 단계; 상기 처리액을 공급하여 상기 처리면을 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도로 액처리하는 제2 액처리 단계; 및 린스액을 공급하여 상기 처리면을 세정하는 린스 단계; 를 포함한다.
바람직하게, 상기 제2 액처리 단계는, 상기 처리액 공급 시간을 상기 제1 액처리 단계에서의 처리액 공급 시간 이하로 설정한다.
바람직하게, 상기 처리액은, 상기 기판 처리면의 식각 공정 또는 PR 스트립 공정에 사용되는 약액이고, 상기 린스액은 탈이온수이다.
바람직하게, 상기 제1, 제2 액처리 단계는, 공급하는 상기 처리액이 동일한 약액이다.
바람직하게, 상기 제1, 제2 액처리 단계 중 적어도 어느 하나의 단계는, 상기 처리액을 액상 또는 미스트 상태로 공급한다.
바람직하게, 상기 제1, 제2 액처리 단계 중 적어도 어느 하나의 단계는, 상기 처리액을 불활성 기체와 혼합하여 2유체로 공급한다.
바람직하게, 상기 처리액은 혼합시 발열반응을 일으키는 2 종 이상의 약액으로 이루어지고, 상기 제1 액처리 단계는, 상기 약액을 혼합한 후 혼합된 약액을 가열하여 상기 처리면에 공급한다.
바람직하게, 상기 제1 액처리 단계는, 상기 처리액을 공급하면서 상기 기판 상부의 히터를 동작시키고, 상기 제2 액처리 단계는, 상기 히터의 동작을 종료한 상태에서 상기 처리액을 공급한다. 이때, 상기 제1, 제2 액처리 단계는, 상기 처리액을 가열한 후 가열된 처리액을 상기 처리면에 공급한다. 또는 상기 처리액은 혼합시 발열반응을 일으키는 2 종 이상의 약액으로 이루어지고, 상기 제1, 제2 액처리 단계는, 상기 약액을 혼합한 후 혼합된 약액을 가열하여 상기 처리면에 공급한다.
바람직하게, 상기 제1, 제2 액처리 단계는, 공급하는 상기 처리액의 온도가 동일하다.
바람직하게, 상기 제1 액처리 단계는, 상기 히터의 동작 전 상기 처리액을 상기 처리면에 먼저 공급한다.
바람직하게, 상기 제1 액처리 단계는, 상기 히터가 상기 기판 상부에 배치되고, 상기 처리면이 하부에 위치하도록 상기 기판을 지지한 상태에서 상기 처리액을 상기 처리면에 공급한다.
바람직하게, 상기 제1 액처리 단계 이후에, 상기 제1 액처리 단계에서 공급되는 처리액의 양을 감소시키는 중간 액처리 단계; 를 더 포함한다. 또는 상기 제1 액처리 단계 이후에, 상기 처리액을 미스트 상태로 공급하는 중간 액처리 단계; 를 더 포함한다. 또는 상기 제1 액처리 단계 이후에, 상기 처리액을 불활성 기체와 혼합하여 2유체로 공급한다.
바람직하게, 상기 린스 단계는, 제3 온도로 상기 린스액을 공급하는 제1 린스 단계; 및 상기 제3 온도보다 낮은 제4온도로 상기 린스액을 공급하는 제2 린스 단계; 를 포함한다. 이때, 제2 온도는, 상온 이상이고 상기 제3 온도 이하이다. 또는 상기 제2 온도는, 상기 제1 온도보다 낮고 상기 제3 온도보다 높다.
본 발명의 다른 측면에 해당하는 기판 액처리 장치는, 기판을 회전시키면서 처리액을 공급하여 처리면을 액처리하는 기판 액처리 장치에 있어서, 상기 처리액을 가열하는 처리액 가열부; 상기 처리액 가열부에 의하여 가열된 처리액을 공급하여 상기 처리면을 제1 온도로 액처리한 후, 상기 처리면을 상기 제1 온도 보다 낮은 제2 온도로 액처리하도록 처리액을 공급하는 처리액 공급부; 및 상기 처리면에 린스액을 공급하는 린스액 공급부; 를 포함한다.
본 발명의 또 다른 측면에 해당하는 기판 액처리 장치는, 기판을 회전시키면서 처리액을 공급하여 처리면을 액처리하는 기판 액처리 장치에 있어서, 상기 기판과 이격하여 상기 기판을 가열하는 히터를 구비하는 방사 가열부; 상기 히터에 의하여 상기 기판을 가열하여 상기 처리면을 제1 온도에서 액처리하도록 상기 처리액을 공급한 후, 상기 히터의 동작을 종료한 상태에서 상기 처리면을 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도에서 액처리하도록 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급부; 및 상기 처리면에 린스액을 공급하는 린스액 공급부; 를 포함한다.
본 발명에 의하면, 기판의 고온의 제1 액처리 단계와 상대적으로 저온인 린스액 공급 단계 사이에 중간 온도로 제2 액처리 단계를 수행함으로써, 처리액의 급격한 냉각에 따라 처리액의 점도 상승으로 인한 파티클을 방지할 수 있다. 또한 기판의 급격한 냉각에 따른 열변형에 의한 파손을 방지하는 효과가 있다.
또한 본 발명은 제1, 제2 액처리 단계 사이에 처리액의 공급양을 감소시키거나 처리액을 미스트로 공급하는 중간 액처리 단계를 더 거침으로써 상술한 효과를 더욱 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 기판 액처리 방법을 나타낸 플로차트.
도 2는 본 발명의 제1 실시예가 적용되는 상부 액처리 장치의 구성도.
도 3은 본 발명의 제2 실시예가 적용되는 하부 액처리 장치의 구성도.
본 발명의 구체적인 실시예를 도면을 참조하여 구체적으로 설명한다.
본 발명의 기판 액처리 방법을 도 1을 참고하여 설명하면, 기판을 회전시키면서 처리면에 대하여 원하는 공정 수행을 위한 처리액을 공급하여 고온에서 액처리하는 제1 액처리 단계(S10)와, 제1 액처리 단계(S10)보다 상대적으로 낮은 온도에서 처리액을 공급하여 액처리하는 제2 액처리 단계와, 처리면에 남아 있는 처리액과 이물질을 제거하기 위해 고온과 저온의 린스액을 순차적으로 공급하는 제1, 제2 린스 단계(S13, S14) 및 기판을 건조시키는 건조 단계(S15)로 이루어진다.
이와 같이 구성된 본 발명의 기판 액처리 방법은, 도 2와 같이 기판의 처리면을 상부로 지지한 상태에서 액처리하는 장치(이하, '상부 액처리 장치')뿐만 아니라, 도 3과 같이 기판을 반전시켜 처리면을 하부를 향하여 지지한 상태에서 액처리하는 장치(이하, '하부 액처리 장치') 모두에 적용될 수 있다.
이하에서는 먼저 도 2를 참고하여 상부 액처리 장치에 적용되는 본 발명의 제1 실시예에 의한 기판 액처리 방법에 대하여 설명한다.
상부 액처리 장치는, 기본적으로 테이블(11) 상부에 처리면이 상부에 위치하도록 기판(W)을 이격하여 지지하는 기판 지지부(10), 테이블(11)을 회전시키는 회전축을 구동하는 회전 구동부(20), 처리액 공급 라인에 처리액을 직접 가열하거나 2종 이상의 약액 혼합에 따른 반응열을 이용하는 처리액 가열부(32)와 기판(W) 상부에 처리액 분사 노즐(31)을 구비한 처리액 공급부(30), 기판(W) 상부에 린스액 분사 노즐(41)을 구비한 린스액 공급부(40), 테이블(11) 둘레에 복수의 컵(51, 52)이 구비되어 기판(W)으로부터 배출되는 처리액을 회수하는 처리액 회수부(50) 및 기판(W) 상부에 설치되어 기판 또는 공급되는 처리액에 열을 방사하여 가열하는 방사 가열부(60)로 이루어진다.
상부 액처리 장치의 가열부는 처리액을 직접 가열하는 처리액 가열부(32)와, 기판 또는 공급되는 처리액을 가열하는 방사 가열부(60)로 이루어진다.
상술한 상부 액처리 장치에 적용되는 본 발명의 기판 액처리 방법은 다음과 같은 단계로 이루어진다.
먼저 제1 액처리 단계(S10)는, 기판 또는 공급하는 처리액 중 적어도 어느 하나를 가열하여 상기 처리면을 제1 온도로 액처리한다. 여기서 '제1 온도'라 함은 처리면에 대해 식각 또는 PR 스트립 등의 공정을 수행함에 있어서, 처리액이 처리면과 반응하는 부분에서의 온도를 의미한다. 따라서 엄밀하게는 공급되는 처리액의 온도나 처리 챔버 내부의 온도와 구별된다.
제1 온도로 고온에서 액처리 하기 위해서는, 처리액 공급 라인 상에 처리액 가열부(32)를 구비하거나, 기판 또는 처리액을 가열하도록 기판 상부에 설치된 방사 가열부(60)를 구비할 수 있다.
처리액 가열부(32)는 처리액을 구성하는 약액을 가열하거나, 가열된 약액과 다른 이종의 약액을 혼합할 때 발생하는 반응열을 이용하도록 구성할 수 있다. 예컨대, 처리액으로 SPM액을 공급하는 경우, 약 80℃로 가열된 황산(H2SO4)과 상온의 과산화수소(H2O2)를 혼합실에 공급하여 처리액 분사 노즐(31)을 통해 약 140℃의 SPM을 처리면에 공급할 수 있다. 또는 상온의 황산과 과산화수소를 혼합하여 1차적으로 승온시킨 다음 2차적으로 가열시켜 SPM을 처리면에 공급할 수 있다.
방사 가열부(60)는 적외선 램프 또는 LED 램프로 이루어질 수 있으며, 기판 상부에 고정 설치되거나, 기판의 크기보다 작게 구성하고 스윙 동작하도록 설치된다. 이러한 방사 가열부(60)에 의하연 기판의 온도를 약 250℃까지 승온할 수 있다. 처리액 가열부(32)를 사용하지 않고 방사 가열부(60)만을 사용하는 경우 처리액은 상온에서 공급할 수도 있다.
상술한 처리액 가열부(32) 및/또는 방사 가열부(60)의 동작에 의하여 기판 처리면에 대한 고온 처리가 가능하여 공정 속도가 향상된다.
제2 액처리 단계(S12)는, 제1 액처리 단계에 의한 고온 처리 직후 기판에 린스액을 공급하는 경우 온도차에 의한 파티클 발생과 열변형 문제를 방지하기 위하여 동일한 처리액을 공급하되 제1 온도보다 상대적으로 낮은 제2 온도의 처리액을 공급하여 액처리한다. 여기서 '제2 온도'는 '제1 온도'보다 낮은 온도로서 처리액과 처리면이 반응하는 부분의 온도를 의미한다. 이러한 제2 온도는 기판의 열변형 특성과 처리액의 온도에 따른 점도 특성을 고려하여 결정한다.
제1 액처리 단계(S10)에 비하여 저온에 해당하는 제2 온도로 액처리하기 위해서는, 처리액 공급 전 처리액 가열부(32)의 동작을 종료하거나 가열량을 감소시키는 방법을 사용할 수 있다. 또는 공급되는 처리액의 온도는 그대로 유지하면서 방사 가열부(60)에 설치된 히터의 동작을 종료시키는 방법에 의해 감온시킬 수 있다. 이러한 방법에 의하여 제2 온도는 25℃~150℃로 설정할 수 있다. 즉, 제2 온도는 상온 이상이면서 후술하는 제1 린스 단계(S13)에서의 린스액 온도에 해당하는 제3 온도보다 낮게 설정하거나, 제3 온도보다 높게 설정할 수도 있다.
제2 액처리 단계(S12)에서의 처리액은, 제1 액처리 단계(S13)에서 공급되는 처리액 분사 노즐을 공유하거나, 도시하지는 않았지만 별개의 노즐을 통해 공급할 수도 있다.
제2 액처리 단계(S12)의 처리액 공급은 기판의 열충격을 완화시킬 수 있면 충분하므로, 제1 액처리 단계(S10)의 처리액 공급 시간 이하로 설정한다.
이러한 제2 액처리 단계(S12)는 온도를 단계적으로 하강시켜 여러 단계의 액처리 단계로 세분하여 수행할 수도 있다.
제1, 제2액처리 단계(S10, S12)에서 사용되는 처리액은 처리면의 식각 공정 또는 PR 스트립 공정에 사용되는 약액을 이용하며, 각 단계에서 사용되는 처리액은 동일한 약액으로 이루어진다.
제1, 제2 액처리 단계(S10, S12) 중 적어도 어느 하나의 단계는, 처리액을 액상으로 분사시키는 이외에 처리액을 미스트 상태로 공급하거나, 처리액을 질소와 같은 불활성 기체와 혼합하여 2유체로 공급할 수 있다. 이에 의해 처리액의 사용량을 감소시킬 수 있다.
한편, 상술한 제1, 제2 액처리 단계(S10, 12) 중간에 파티클 발생과 기판의 열변형 문제를 더욱 완화시키기 위한 단계로서 다음과 같은 3 종류의 중간 액처리 단계(S11)를 더 수행할 수 있다.
첫번째로는, 공급되는 처리액의 온도와 상태(액상 또는 미스트 상태)를 그대로 유지하면서 제1 액처리 단계(S10)에서의 처리액 공급량만을 감소시킴으로써, 제2 액처리 단계(S12)에서 공급되는 처리액과의 급속한 온도차 발생을 완화시켜 점도의 급격한 변화에 따른 파티클 발생을 감소시킬 수 있다.
두번째로는, 처리액을 액상으로 분사하는 제1, 제2 액처리 단계(S10, S12) 중간에 처리액을 미스트 형태로 공급할 수 있다.
세번째로는, 처리액을 액상으로 분사하는 제1, 제2 액처리 단계(S10, S12) 중간에 2유체 노즐을 사용하여 처리액을 불활성 기체와 혼합한 2유체로 공급함으로써, 앞서와 같은 효과를 얻을 수도 있다.
상술한 제1, 제2 액처리 단계(S10, S12) 종료 후에는 처리면에 대한 린스 단계로서 다음의 단계를 수행한다.
제1 린스 단계(S13)는, 탈이온수(DIW)와 같은 린스액을 회전하는 기판에 공급하여 처리면에 잔존하는 처리액과 이물질을 세정한다. 이때, 공급되는 린스액의 온도(제3 온도)는 린스액의 끓는점 이하의 온도로 설정한다. 예컨대 제3 온도는 약 70℃로 설정할 수 있다.
이와 같이 고온의 린스액을 공급하는 이유는 세정 효율을 높이면서도 고온 상태의 처리액과 저온의 린스액 접촉에 따른 파티클 발생을 최소화하고, 기판의 열변형을 최소화하기 위함이다.
제2 린스 단계(S14)는, 제1 린스 단계(S13)를 거쳐 세정이 거의 완료되고 열적으로 안정화된 기판에 대하여 상온(약 25℃)의 린스액을 공급한다.
상술한 제1, 제2 린스 단계(S13, S14)가 종료된 기판에 대해서는 기판을 회전시키는 건조 단계(S15)를 거침으로써 모든 액처리 공정을 종료하게 된다.
본 발명의 제2 실시예에 의한 기판 액처리 방법은, 도 3과 같은 하부 액처리 장치에 적용되며, 설명의 편의상 상술한 제1 실시예와 동일한 기능과 작용을 하는 구성요소에 대해서는 동일한 도면 번호를 부여하기로 한다.
하부 액처리 장치는 기본적으로 기판(W)의 처리면이 하부를 향하도록 기판을 지지한 상태에서, 회전축(20) 내부를 통해 처리액과 린스액이 공급되며, 테이블(11) 중앙 상부에 처리액 분사 노즐(33)과 린스액 분사 노즐(43)이 구비되며, 기판 상부에는 방사 가열부(60)를 구성하는 히터가 설치된다. 이와 같이 구성된 하부 액처리 장치는 히터가 기판을 직접 가열하여 고온 처리가 용이하고, 처리 공간이 테이블 상부와 기판 처리면 사이의 제한된 공간으로 한정됨에 따라 처리액의 사용양을 저감할 수 있을 뿐만 아니라 처리 효율이 높다.
이러한 하부 액처리 장치를 이용한 기판 액처리 방법은 기본적으로 상술한 제1 실시예와 동일하며, 이하에서는 하부 액처리 장치에 적용함에 있어서 독특한 기술적 특징을 중심으로 설명한다.
먼저 제1 액처리 단계(S10)는, 방사 가열부(60)의 히터를 동작시켜 기판을 직접 가열하면서 테이블(11) 상부의 처리액 분사 노즐(33)로부터 처리액을 처리면에 공급한다. 이때, 처리액 분사 노즐(33)로 처리액이 분사되기 전 제1 실시예와 마찬가지로 처리액 가열부(미도시)에 의해 처리액을 가열시킬 수도 있다.
중간 액처리 단계(S11)는, 처리액의 공급량을 감소시키거나, 테이블 상부에 설치된 처리액 분사 노즐(33)을 통해 처리액을 미스트 형태로 분사하거나, 2유체 노즐(34)을 통해 처리액을 불활성 가스와 함께 2유체로 분사할 수 있다. 이러한 중간 액처리 단계(S11)는 선택적으로 수행된다.
제2 액처리 단계(S12)는, 방사 가열부(60)의 히터 동작을 종료시킨 후 처리액 분사 노즐(33)을 통해 제1 액처리 단계(S12)와 동일한 처리액을 처리면에 공급한다.
제1, 제2 린스 단계(S13, S14)는 테이블(11) 상부의 린스액 분사 노즐(43)를 통해 고온과 상온의 린스액을 순서대로 공급한 후, 건조 단계(S15)를 거침으로써 액처리 공정을 종료한다.
이상에서는 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나 본 발명의 권리범위는 실시예에 한정되지 않고 특허청구범위에 기재된 기술적 사상을 중심으로 파악되어야 한다. 또한 본 발명의 권리범위는 특허청구범위에 기재된 구성요소에 대한 변형물 또는 균등물에까지 미침은 자명하다 할 것이다.
10 : 기판 지지부 11 : 테이블
20 : 회전 구동부 30 : 처리액 공급부
31, 33 : 처리액 분사 노즐 32 : 처리액 가열부
34 : 2유체 노즐 40 : 린스액 공급부
41, 43 : 린스액 분사 노즐 50 : 처리액 회수부
60 : 방사 가열부

Claims (22)

  1. 기판을 회전시키면서 식각 공정 또는 PR 스트립 공정에 사용되는 처리액을 공급하여 처리면을 액처리하는 기판 액처리 방법에 있어서,
    상기 처리면이 하부를 향하도록 상기 기판을 지지한 상태에서 상기 처리액을 공급하면서 상기 기판과 이격하여 상기 기판 상부에 배치된 히터가 상기 기판 상부를 직접 가열하여 상기 처리면을 제1 온도로 액처리하는 제1 액처리 단계;
    상기 처리면이 하부를 향하도록 상기 기판을 지지한 상태에서 상기 처리액과 동일한 약액을 공급하면서 상기 히터의 동작을 종료하여 상기 처리면을 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도로 액처리하는 제2 액처리 단계; 및
    린스액을 공급하여 상기 처리면을 세정하는 린스 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 액처리 단계는, 상기 처리액 공급 시간을 상기 제1 액처리 단계에서의 처리액 공급 시간 이하로 설정하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  3. 삭제
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 린스액은 탈이온수인 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  5. 삭제
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1, 제2 액처리 단계 중 적어도 어느 하나의 단계는, 상기 처리액을 액상 또는 미스트 상태로 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1, 제2 액처리 단계 중 적어도 어느 하나의 단계는, 상기 처리액을 불활성 기체와 혼합하여 2유체로 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 처리액은 혼합시 발열반응을 일으키는 2 종 이상의 약액으로 이루어지고,
    상기 제1 액처리 단계는, 상기 약액을 혼합한 후 혼합된 약액을 가열하여 상기 처리면에 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  9. 삭제
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1, 제2 액처리 단계는, 상기 처리액을 가열한 후 가열된 처리액을 상기 처리면에 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 처리액은 혼합시 발열반응을 일으키는 2 종 이상의 약액으로 이루어지고,
    상기 제1, 제2 액처리 단계는, 상기 약액을 혼합한 후 혼합된 약액을 가열하여 상기 처리면에 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1, 제2 액처리 단계는, 공급하는 상기 처리액의 온도가 동일한 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 액처리 단계는, 상기 히터의 동작 전 상기 처리액을 상기 처리면에 먼저 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  14. 삭제
  15. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 액처리 단계 이후에, 상기 제1 액처리 단계에서 공급되는 처리액의 양을 감소시키는 중간 액처리 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  16. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 액처리 단계 이후에, 상기 처리액을 미스트 상태로 공급하는 중간 액처리 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  17. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 액처리 단계 이후에, 상기 처리액을 불활성 기체와 혼합하여 2유체로 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  18. 청구항 1에 있어서,
    상기 린스 단계는,
    제3 온도로 상기 린스액을 공급하는 제1 린스 단계; 및
    상기 제3 온도보다 낮은 제4온도로 상기 린스액을 공급하는 제2 린스 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  19. 청구항 18에 있어서,
    상기 제2 온도는, 상온 이상이고 상기 제3 온도 이하인 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  20. 청구항 18에 있어서,
    상기 제2 온도는, 상기 제1 온도보다 낮고 상기 제3 온도보다 높은 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  21. 기판을 회전시키면서 식각 공정 또는 PR 스트립 공정에 사용되는 처리액을 공급하여 처리면을 액처리하는 기판 액처리 장치에 있어서,
    상기 처리액을 가열하는 처리액 가열부;
    상기 기판과 이격하여 상기 기판을 가열하는 히터를 구비하는 방사 가열부;
    상기 방사 가열부의 히터를 동작시켜 상기 기판을 직접 가열하면서, 상기 처리액 가열부에 의한 가열된 처리액을 공급하여 상기 처리면을 제1 온도로 액처리한 후, 상기 처리면을 상기 제1 온도 보다 낮은 제2 온도로 액처리하도록 상기 히터의 동작을 종료한 상태에서 상기 처리액과 동일한 약액의 처리액을 공급하는 처리액 공급부; 및
    상기 처리면에 린스액을 공급하는 린스액 공급부; 를 포함하되,
    상기 처리액 가열부는, 상기 히터가 상기 기판 상부에 배치되고,
    상기 처리액 공급부는, 상기 처리면이 하부를 향하도록 상기 기판을 지지한 상태에서 상기 처리액을 상기 처리면에 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  22. 기판을 회전시키면서 식각 공정 또는 PR 스트립 공정에 사용되는 처리액을 공급하여 처리면을 액처리하는 기판 액처리 장치에 있어서,
    상기 기판과 이격하여 상기 기판 상부에 배치된 히터를 구비하는 방사 가열부;
    상기 히터에 의하여 상기 기판 상부를 직접 가열하여 상기 처리면을 제1 온도에서 액처리하도록 상기 처리액을 공급한 후, 상기 처리면을 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도에서 액처리하도록 상기 히터의 동작을 종료한 상태에서 상기 처리액과 동일한 약액의 처리액을 공급하는 처리액 공급부; 및
    상기 처리면에 린스액을 공급하는 린스액 공급부; 를 포함하되,
    상기 처리액 가열부는, 상기 히터가 상기 기판 상부에 배치되고,
    상기 처리액 공급부는, 상기 처리면이 하부를 향하도록 상기 기판을 지지한 상태에서 상기 처리액을 상기 처리면에 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
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