JP2014099528A - 液処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】各処理液が温度の異なる他の処理液からの温度影響を受けにくい液処理装置を提供すること。
【解決手段】実施形態に係る液処理装置は、複数の液処理ユニットと、第１主配管と、第１通流制御機器と、第２主配管と、第２通流制御機器とを備える。液処理ユニットは、基板に処理液を供給して液処理を行う。第１主配管は、第１処理液を液処理ユニットへ供給する。第１通流制御機器は、第１主配管と液処理ユニットとの間に接続される。第２主配管は、第１処理液よりも温度の低い第２処理液を液処理ユニットへ供給する。第２通流制御機器は、第２主配管と液処理ユニットとの間に接続される。そして、第１通流制御機器と第２通流制御機器とがそれぞれ異なるボックスに収容されるとともに、第１通流制御機器を収容するボックスに隣接して第１主配管が配置され、第２通流制御機器を収容するボックスに隣接して第２主配管が配置される。
【選択図】図３

Description

開示の実施形態は、液処理装置に関する。

半導体デバイスやフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造プロセスにおいては、半導体ウェハやガラス基板等の基板に対して処理液を供給して液処理を行うプロセスが多用されている。たとえば、洗浄液による基板の洗浄、メッキ液による基板のメッキ処理、エッチング液によるエッチング処理、現像液による現像処理などが挙げられる。

この種の液処理に使用される液処理装置として、たとえば特許文献１には、基板をスピンチャックに保持し、基板を回転させた状態でウェハに処理液を供給して処理を行う複数の液処理ユニットと、これら液処理ユニットへの搬入出を行う搬送装置とを備えた液処理装置が開示されている。

特開２００５−９３７６９号公報

上記のような液処理装置においては、装置の大型化を避けるために、各種の処理液を供給する配管群が比較的狭い領域にまとめて配置される場合がある。かかる場合において、たとえばＳＰＭ（Sulfuric acid Hydrogen Peroxide Mixture）のように高温で使用される処理液の配管の近くに、ＤＨＦ（希フッ酸）のように常温で使用される処理液やＳＰＭよりも低温で使用される処理液の配管が存在すると、高温で使用される処理液の配管からの放熱によって常温あるいは低温の処理液の温度が上昇してしまうおそれがある。また、常温あるいは低温の処理液に熱を奪われることによって、高温の処理液の温度が低下してしまうおそれもある。

実施形態の一態様は、各処理液が温度の異なる他の処理液からの温度影響を受けにくい液処理装置を提供することを目的とする。

実施形態の一態様に係る液処理装置は、複数の液処理ユニットと、第１主配管と、第１通流制御機器と、第２主配管と、第２通流制御機器とを備える。複数の液処理ユニットは、基板に処理液を供給して液処理を行う。第１主配管は、第１処理液を液処理ユニットへ供給するための配管である。第１通流制御機器は、第１主配管と液処理ユニットとの間に接続される。第２主配管は、第１処理液よりも温度の低い第２処理液を液処理ユニットへ供給するための配管である。第２通流制御機器は、第２主配管と液処理ユニットとの間に接続される。そして、第１通流制御機器と第２通流制御機器とがそれぞれ異なるボックスに収容されるとともに、第１通流制御機器を収容するボックスに隣接して第１主配管が配置され、第２通流制御機器を収容するボックスに隣接して第２主配管が配置される。

実施形態の一態様によれば、各処理液が温度の異なる他の処理液からの温度影響を受けにくい液処理装置を提供することができる。

図１は、第１の実施形態に係る液処理装置の外観構成を示す模式斜視図である。 図２は、第１の実施形態に係る液処理装置の模式平断面図である。 図３は、第１の実施形態に係る液処理装置の模式縦断面図である。 図４は、サイドタワーの模式平断面図である。 図５は、第２通流制御ユニットの構成を示す模式斜視図である。 図６は、液処理ステーションの模式横断面図である。 図７は、液処理ユニットの構成を示す模式側断面図である。 図８は、液処理装置の他の構成例を示す模式平断面図である。 図９は、液処理装置の他の構成例を示す模式平断面図である。

以下、添付図面を参照して、本願の開示する液処理装置の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。

（第１の実施形態）
まず、第１の実施形態に係る液処理装置の概略構成について図１および図２を用いて説明する。図１は、第１の実施形態に係る液処理装置の外観構成を示す模式斜視図である。また、図２は、第１の実施形態に係る液処理装置の模式平断面図である。

なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。また、以下では、Ｘ軸負方向側を液処理装置の前方、Ｘ軸正方向側を液処理装置の後方と規定する。

図１に示すように、第１の実施形態に係る液処理装置１は、載置ステーション３と、搬入出ステーション４と、受渡ステーション５と、液処理ステーション６と、サイドタワー７とを備える。これらは、液処理装置１の前方から後方へ、載置ステーション３、搬入出ステーション４、受渡ステーション５、液処理ステーション６およびサイドタワー７の順で隣接して配置される。なお、液処理ステーション６は、第１筐体部の一例であり、サイドタワー７は、第２筐体部の一例である。

載置ステーション３は、複数枚（たとえば、２５枚）のウェハＷを水平状態で収容するキャリアＣが載置される場所であり、たとえば４個のキャリアＣが搬入出ステーション４の前壁に密着させた状態で左右に並べて載置される。

搬入出ステーション４は、載置ステーション３の後方に配置され、内部に基板搬送装置４１を備える（図２参照）。かかる搬入出ステーション４では、基板搬送装置４１が、載置ステーション３に載置されたキャリアＣと受渡ステーション５との間でウェハＷの搬送を行う。

受渡ステーション５は、搬入出ステーション４の後方に配置され、受渡台５１を備える（図２参照）。かかる受渡ステーション５では、受渡台５１を介し、搬入出ステーション４の基板搬送装置４１と、後述する液処理ステーション６の基板搬送装置６１との間でウェハＷの受け渡しが行われる。

液処理ステーション６は、受渡ステーション５の後方に配置される。かかる液処理ステーション６には、Ｙ軸方向中央部に基板搬送装置６１が配置され、かかる基板搬送装置６１の左右両側にそれぞれ複数（ここでは、３個ずつ）の液処理ユニット２が前後方向に並べて配置される（図２参照）。かかる液処理ステーション６では、基板搬送装置６１が、受渡ステーション５の受渡台５１と各液処理ユニット２との間でウェハＷの搬送を行い、各液処理ユニット２が、ウェハＷに対して液処理を行う。

液処理ユニット２は、ウェハＷに処理液を供給することにより、ウェハＷに対して所定の液処理を行う装置である。ここでは、液処理ユニット２が、ウェハＷの洗浄を行う基板洗浄装置である場合の例について説明するが、液処理ユニットは、基板洗浄装置に限定されない。

液処理ステーション６の後方にはサイドタワー７が配置される。サイドタワー７の構成については後述する。

また、液処理装置１は、制御部９を備える。制御部９は、液処理装置１の動作を制御する装置である。かかる制御部９は、たとえばコンピュータであり、図示しない記憶部を備える。記憶部には、液処理等の各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部９は記憶部に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって液処理装置１の動作を制御する。

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体に記録されていたものであって、その記録媒体から制御部９の記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記録媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

液処理装置１では、まず、搬入出ステーション４の基板搬送装置４１が、載置ステーション３に載置されたキャリアＣから１枚のウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡ステーション５の受渡台５１に載置する。受渡台５１に載置されたウェハＷは、液処理ステーション６の基板搬送装置６１によって搬送され、いずれかの液処理ユニット２に搬入される。

液処理ユニット２に搬入されたウェハＷは、かかる液処理ユニット２によって基板洗浄処理を施された後、基板搬送装置６１により液処理ユニット２から搬出され、受渡台５１に再び載置される。そして、受渡台５１に載置された処理済のウェハＷは、搬入出ステーション４の基板搬送装置４１によってキャリアＣに戻される。

ここで、従来の液処理装置では、液処理ユニットへ処理液を供給するための配管や処理液の流量を調整するための通流制御機器は、液処理ユニットの下方にまとめて配置されていた。このため、高温で使用される処理液の配管と、常温あるいは上記高温で使用される処理液よりも低温で使用される処理液の配管とが近接して設けられる場合があり、高温の処理液の配管からの放熱によって常温あるいは低温の処理液の温度が上昇してしまうおそれがあった。たとえば、常温の処理液である希フッ酸（ＤＨＦ）は、温度が上昇することによってエッチングレートが変化してしまうおそれがある。

そこで、第１の実施形態に係る液処理装置１では、高温の処理液の供給系統と、常温あるいは低温の処理液の供給系統とを分離して配置することで、常温あるいは低温の処理液の温度上昇を防止することとした。

以下では、高温の処理液の供給系統である第１供給系統および常温あるいは低温の処理液の供給系統である第２供給系統の配置について具体的に説明する。図３は、第１の実施形態に係る液処理装置１の模式縦断面図である。

図３に示すように、第１供給系統は、高温の処理液である硫酸（Ｈ２ＳＯ４）を液処理ユニット２へ供給するための第１主配管８１と、第１主配管８１と液処理ユニット２との間に接続され、硫酸の流量調整等を行う第１通流制御ユニットが収容される第１バルブボックス８３と、硫酸の供給源である硫酸供給源８４とを含む。硫酸は、第１処理液の一例である。

第１主配管８１は、たとえば一端および他端がそれぞれ硫酸供給源８４に接続されて硫酸の循環経路を形成する。また、硫酸供給源８４は、硫酸を貯蔵する図示しない貯蔵タンクと、貯蔵タンクに貯蔵された硫酸を吸い上げて第１主配管８１へ送り出す図示しないポンプとを備える。貯蔵タンクに貯蔵された硫酸は、ポンプによって第１主配管８１へ送り出され、第１主配管８１を循環して再び貯蔵タンクへ戻る。

また、硫酸供給源８４は、貯蔵タンクに貯蔵された硫酸を加熱するヒータを備える。これにより、硫酸は、たとえば１４０〜１８０℃程度の高温に加熱される。

第１バルブボックス８３には、第１通流制御ユニット８６が収容される。第１通流制御ユニット８６は、流量調節弁や流量計等を含む通流制御機器を平板状の支持部材に集約して取り付けた装置である。第１バルブボックス８３は、第１主配管８１に沿って設けられる。

第１主配管８１を循環する高温の硫酸は、図示しない上流側分岐管から第１バルブボックス８３内の第１通流制御ユニットへ流入し、図示しない下流側分岐管を経由して液処理ユニット２へ供給される。このとき、第１主配管８１および第１バルブボックス８３内の温度は、内部を流通する高温の硫酸によって加熱された状態となる。

一方、第２供給系統は、常温（２３〜２５℃程度）の処理液を液処理ユニット２へ供給するための複数の第２主配管７１，７２を備える。具体的には、第２主配管７１は、常温の過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）を供給するための主配管であり、第２主配管７２は、常温の純水（ＤＩＷ）を供給するための主配管である。過酸化水素水およびＤＩＷは、第２処理液の一例である。

また、第２供給系統は、各第２主配管７１，７２と液処理ユニット２との間に接続され、処理液の流量調整等を行う第２通流制御ユニットが収容される第２バルブボックス７３と、過酸化水素水の供給源である過酸化水素水供給源７４と、ＤＩＷの供給源であるＤＩＷ供給源７５とを含む。

第２主配管７１は、たとえば一端および他端がそれぞれ過酸化水素水供給源７４に接続され、第２主配管７２は、たとえば一端および他端がそれぞれＤＩＷ供給源７５に接続される。また、過酸化水素水供給源７４およびＤＩＷ供給源７５は、それぞれ過酸化水素水およびＤＩＷを貯蔵する図示しない貯蔵タンクと、貯蔵タンクに貯蔵された過酸化水素水およびＤＩＷを吸い上げて第２主配管７１，７２へ送り出す図示しないポンプとを備える。貯蔵タンクに貯蔵された過酸化水素水およびＤＩＷは、ポンプにより第２主配管７１，７２へ送り出され、第２主配管７１，７２を循環して再び貯蔵タンクへ戻る。

第２バルブボックス７３には、第２主配管７１に対応する第２通流制御ユニット７６と、第２主配管７２に対応する第２通流制御ユニット７６とが収容される。第２通流制御ユニット７６は、前述の第１通流制御ユニット８６と同様、流量調節弁や流量計等を含む通流制御機器を平板状の支持部材に集約して取り付けた装置である。第２バルブボックス７３は、第２主配管７１，７２に沿って設けられる。

そして、図３に示すように、第１の実施形態に係る液処理装置１では、第１供給系統の第１主配管８１が液処理ステーション６に配置され、第２主配管７１，７２がサイドタワー７に配置される。

具体的には、第１供給系統においては、硫酸供給源８４が液処理ステーション６の下部に配置されており、第１主配管８１が液処理ステーション６内に略垂直に配設される。一方、第２供給系統においては、過酸化水素水供給源７４およびＤＩＷ供給源７５が、液処理装置１の下部に配置されており、第２主配管７１，７２は、サイドタワー７内に略垂直に配設される。

このように、第１主配管８１と第２主配管７１，７２とが分離して配置されるため、第２主配管７１，７２を流通する過酸化水素水やＤＩＷの温度が、第１主配管８１からの放熱によって上昇することを防止することができる。

また、第１通流制御機器を収容する第１バルブボックス８３は、液処理ステーション６において液処理ユニット２の下方に配置され、第２通流制御機器を収容する第２バルブボックス７３は、サイドタワー７に配置される。このように、第１通流制御機器と第２通流制御機器とをそれぞれ異なるバルブボックス８３，７３に収容し、これらバルブボックス８３，７３を分離して配置することにより、第１バルブボックス８３からの放熱による過酸化水素水やＤＩＷの温度上昇を防止することができる。

ここで、サイドタワー７内の構成について図４を用いて説明する。図４は、サイドタワー７の模式平断面図である。図４に示すように、サイドタワー７内には、第２主配管７１，７２と第２バルブボックス７３とが配置される。

第２バルブボックス７３内には、第２主配管７１，７２にそれぞれ対応する第２通流制御ユニット７６が収容される。第２通流制御ユニット７６は、液処理ユニット２毎に設けられる。本例では、液処理ステーション６の上段に３個の液処理ユニット２が配置されるため、第２バルブボックス７３には合計６個の第２通流制御ユニット７６が収容される。なお、第２主配管７１，７２と各第２通流制御ユニット７６とは、上流側分岐管７７を介して接続される。

つづいて、第２通流制御ユニット７６の構成例について図５を参照して説明する。図５は、第２通流制御ユニット７６の構成を示す模式斜視図である。なお、ここでは、第１通流制御ユニットおよび第２通流制御ユニット７６の構成が同一であるものとし、第１通流制御ユニットの構成については省略するが、第１通流制御ユニットおよび第２通流制御ユニット７６は、処理液の種類や供給先によって種々の構成を取り得る。

図５に示すように、第２通流制御ユニット７６は、処理液の流量測定用の流量計７０４と、流量調節用の流量調整弁７０５とこれらを接続する配管部材７０７とを含む第２通流制御機器７０２を、支持部材７０１に集約して取り付けた構造となっている。

第２通流制御機器７０２は、第２通流制御ユニット７６よりも上流側の分岐管である上流側分岐管７７に上流側ポート７０３を介して接続され、第２通流制御ユニット７６よりも下流側の分岐管である下流側分岐管７８，９８に下流側ポート７０６を介して接続される。

上流側分岐管７７，９７は、第２主配管７１，７２から第２通流制御ユニット７６までの各分岐管に対応するものであり、上流側分岐管７７はＤＩＷが流通する分岐管であり、上流側分岐管９７は過酸化水素水が流通する分岐管である。また、下流側分岐管７８，９８は、第２通流制御ユニット７６から液処理ユニット２までの分岐管に対応するものであり、下流側分岐管７８はＤＩＷが流通する分岐管であり、下流側分岐管９８は過酸化水素水が流通する分岐管である。

かかる第２通流制御機器７０２は、制御部９によって制御されることにより、処理液の通流量や供給タイミングなどを調節する。なお、第２通流制御ユニット７６の構成は本例に限られるものではなく、後述する開閉バルブ１３，１４（図７参照）の他、バイパス配管など、他の通流制御器を備えていてもよい。

下流側分岐管７８，９８は、液処理ユニット２の下部を通って液処理ユニット２に接続されるため、第１主配管８１や第１バルブボックス８３の近傍を通過することとなる。このため、第１の実施形態に係る液処理装置１では、下流側分岐管７８，９８の配置についても工夫している。

ここで、液処理ステーション６における下流側分岐管７８，９８の配置について図６を参照して説明する。図６は、液処理ステーション６の模式横断面図である。なお、図６には、液処理ステーション６の最前方に配置された液処理ユニット２を横断する模式横断面図である。

図６に示すように、第１主配管８１は、第１バルブボックス８３の下部に配設されており、下流側分岐管７８，９８は、第１通流制御ユニット８６を収容する第１バルブボックス８３の上部に配置される。第１通流制御ユニット８６の構成は、上述した第２通流制御ユニット７６の構成と同一である。

このように、下流側分岐管７８を第１主配管８１から離れた位置に配置することで、第１主配管８１からの放熱により下流側分岐管７８を流通する過酸化水素水やＤＩＷの温度が上昇することを防止することができる。

また、第１バルブボックス８３は、第１通流制御ユニット８６の内部を流通する高温の硫酸によって加熱された状態であるため、下流側分岐管７８，９８は、断熱材で覆われたダクト７９の内部に設けられる。これにより、下流側分岐管７８内を流通する過酸化水素水やＤＩＷの温度が第１バルブボックス８３からの放熱によって上昇することを抑えることができる。

また、第１主配管８１は、ダクト８５の内部に設けられている。かかるダクト８５は、断熱材で覆われており、第１主配管８１からの放熱が外部に漏れないようにしている。これにより、第１主配管８１からの放熱を抑えることができる。

なお、液処理装置１は、ダクト７９の内部を冷却する冷却装置をさらに備えていてもよい。冷却装置としては、たとえばダクト７９内の空気を換気する換気装置などがある。また、かかる冷却装置を備えることにより、過酸化水素水やＤＩＷの温度上昇をさらに抑制することができる。

液処理装置１には、液処理ユニット２に供給された後の処理液を液処理装置１の外部へ排出するための排出系統も設けられている。かかる排出系統は、図６に示すように、排出用主配管１００と、かかる排出用主配管１００から処理液ごとに分岐する複数の排出用分岐管とを含んで構成される。

そして、図６に示すように、排出用主配管１００と、ＳＰＭ（Sulfuric Acid Hydrogen Peroxide Mixture）を排出するための排出用分岐管１０１とは、液処理ステーション６に配置される。ＳＰＭは、高温の硫酸と常温の過酸化水素水との混合溶液であり、液処理ユニット２のノズルから吐出される前に生成され、ウェハＷに供給された後、排出用主配管１００および排出用分岐管１０１を通って液処理装置１の外部へと排出される。

このように、排出用主配管１００および排出用分岐管１０１には、高温のＳＰＭが流通する。このため、排出用主配管１００および排出用分岐管１０１も、第１主配管８１や第１バルブボックス８３と同じように放熱するおそれがある。

そこで、第１の実施形態に係る液処理装置１では、これら排出用主配管１００および排出用分岐管１０１を液処理ステーション６に配置することとした。これにより、サイドタワー７に配置される第２主配管７１，７２や第２バルブボックス７３を流通する過酸化水素水およびＤＩＷが排出用主配管１００および排出用分岐管１０１からの放熱によって加熱されることを防止することができる。

次に、液処理ユニット２の構成について図７を参照して説明する。図７は、液処理ユニット２の構成を示す模式側断面図である。

図７に示すように、液処理ユニット２は、ウェハＷを回転可能に保持する回転プレート２４と、この回転プレート２４を下面側から支持し、図示しない回転モータにより回転プレート２４を回転させる回転支持部２５とを備える。

回転プレート２４は、円板状の部材であり、その表面にはウェハＷを保持する複数の保持部材２４１が設けられている。ウェハＷは、回転プレート２４の表面より上方の位置に隙間を介して保持される。回転支持部２５は、液処理ユニット２が載置されるベースプレート２８上に設けられた軸受け部２５１に回転自在に保持される。

また、液処理ユニット２は、ウェハＷの表面にＳＰＭを供給するための第１ノズル２６と、ウェハＷの表面にＤＩＷを供給するための第２ノズル２７とを備える。第１ノズル２６は、第１アーム２６１に支持されており、回転プレート２４に保持されたウェハＷの上方の処理位置と、この処理位置から退避した退避位置との間で移動することができる。また、第２ノズル２７は、第２アーム２７１に支持されており、上記処理位置と退避位置との間で移動可能である。

第１ノズル２６には、第１アーム２６１を介して下流側分岐管８８が接続される。下流側分岐管８８は、高温の硫酸が流通する第１主配管８１に対応する第１通流制御ユニット８６に接続される。また、第１通流制御ユニット８６は、上流側分岐管８７および開閉バルブ１１を介して第１主配管８１と接続される。

また、下流側分岐管８８には、下流側分岐管９８が接続される。下流側分岐管９８は、常温の過酸化水素水が流通するが流通する第２主配管７１に対応する第２通流制御ユニット７６に接続される。また、第２通流制御ユニット７６は、上流側分岐管９７および開閉バルブ１３を介して第２主配管７１と接続される。

一方、第２ノズル２７には、第２アーム２７１を介して下流側分岐管７８が接続される。下流側分岐管７８は、ＤＩＷが流通する第２主配管７２に対応する第２通流制御ユニット７６に接続される。また、第２主配管７２に対応する第２通流制御ユニット７６は、上流側分岐管７７および開閉バルブ１４を介して第２主配管７２と接続される。

このように、第１の実施形態に係る液処理ユニット２は、高温の処理液であるＳＰＭを吐出する第１ノズル２６と、常温の処理液である過酸化水素水およびＤＩＷを吐出する第２ノズル２７の２つのノズルを備える。このため、ＳＰＭとＤＩＷとを単一のノズルから吐出する場合と比較して、ＤＩＷの温度上昇を確実に防止することができる。

また、第１の実施形態に係る液処理ユニット２は、第１ノズル２６を支持する第１アーム２６１と、第２ノズル２７を支持する第２アーム２７１とを備える。このため、第１ノズル２６と第２ノズル２７とを単一のアームに設ける場合と比較して、ＤＩＷの温度上昇をより確実に防止することができる。

液処理ユニット２は、回転するウェハＷから振り切られた薬液を受け止めて外部へ排出するためのカップ２３をさらに備える。カップ２３は、回転プレート２４に保持されたウェハＷを囲むように設けられた円環状の部材であり、底面に接続された排出用主配管１００を介して、内部の処理液を排出することができる。

排出用主配管１００は、下流側において分岐し、ＳＰＭを排出するための排出用分岐管１０１およびＤＩＷを排出するための排出用分岐管１０２にそれぞれ開閉バルブ１５，１６を介して接続される。

また、カップ２３の外方には、ケーシング２１が設けられている。ケーシング２１の基板搬送装置６１（図２参照）と対向する面には、図示しない開閉扉が設けられており、この開閉扉を開くことにより、基板搬送装置６１をケーシング２１内に進入させることができる。

上述してきたように、第１の実施形態に係る液処理装置１は、複数の液処理ユニット２と、第１主配管８１と、第１通流制御機器と、第２主配管７２と、第２通流制御機器とを備える。複数の液処理ユニット２は、ウェハＷに処理液を供給して液処理を行う。第１主配管８１は、高温の硫酸を液処理ユニット２へ供給するための配管である。第１通流制御機器は、第１主配管８１と液処理ユニット２との間に接続される。第２主配管７２は、高温の硫酸よりも温度の低いＤＩＷを液処理ユニット２へ供給するための配管である。第２通流制御機器は、第２主配管７２と液処理ユニット２との間に接続される。そして、第１通流制御機器と第２通流制御機器とがそれぞれ異なるバルブボックス８３，７３に収容されるとともに、第１通流制御機器を収容する第１バルブボックス８３に隣接して第１主配管８１が配置され、第２通流制御機器を収容する第２バルブボックス７３に隣接して第２主配管７２が配置される。したがって、各処理液が温度の異なる他の処理液からの温度影響を受けにくい液処理装置を提供することができる。

（第２の実施形態）
次に、液処理装置の他の構成例について図８および図９を用いて説明する。図８および図９は、液処理装置の他の構成例を示す模式平断面図である。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

上述した第１の実施形態では、第２主配管７１，７２および第２バルブボックス７３をサイドタワー７内に配置する場合の例を示した。しかし、第２主配管７１，７２および第２バルブボックス７３は、液処理ステーション６に設けられてもよい。

たとえば、図８に示すように、液処理装置１Ａは、第１の実施形態に係る液処理装置１が備える液処理ステーション６に代えて液処理ステーション６Ａを備える。また、液処理装置１Ａは、サイドタワー７を備えておらず、高温キャビネット８が液処理ステーション６Ａに隣接して配置される。

液処理ステーション６Ａには、液処理ユニット２に加え、第１主配管８１および第１バルブボックス８３と、第２主配管７１，７２と第２バルブボックス７３とが配置される。第１の実施形態と同様に、第１主配管８１は略水平に配設され、第２主配管７１，７２は略垂直に配設される。

かかる場合も、第１主配管８１と第１バルブボックス８３とを含む第１供給系統と、第２主配管７１，７２と第２バルブボックス７３とを含む第２供給系統とは、分離して配置される。具体的には、液処理装置１Ａでは、第１供給系統と第２供給系統とがＹ方向に並べて配置される。

このように、第２主配管７１，７２および第２バルブボックス７３は、液処理ステーション６Ａに設けられてもよい。なお、かかる場合、第１供給系統と第２供給系統との間に断熱ボード等を設けることによって第１供給系統からの放熱を遮断してもよい。

また、図９に示す液処理装置１Ｂのように、液処理ステーション６Ｂに第２供給系統を配置する場合において、液処理ユニット２を挟んで第１供給系統と反対側に第２供給系統を配置してもよい。

なお、上述してきた各実施形態では、第１処理液が高温の硫酸であり、第２処理液が過酸化水素水およびＤＩＷである場合の例を示したが、第１処理液および第２処理液の種類および数は、上記のものに限定されない。

また、第２供給系統によって供給される処理液は、第１供給系統によって供給される処理液よりも温度が低いものであればよく、常温の処理液に限定されない。

さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。

１ 液処理装置
３ 載置ステーション
４ 搬入出ステーション
５ 受渡ステーション
６ 液処理ステーション
７ サイドタワー
８ 高温キャビネット
９ 制御部
７１，７２ 第２主配管
７３ 第２バルブボックス
７４ 過酸化水素水供給源
７５ ＤＩＷ供給源
７６ 第２通流制御ユニット
８１，８２ 第１主配管
８３ 第１バルブボックス
８４ 硫酸供給源
８６ 第１通流制御ユニット

Claims (7)

1. 基板に処理液を供給して液処理を行う複数の液処理ユニットと、
   第１処理液を前記液処理ユニットへ供給するための第１主配管と、
   前記第１主配管と前記液処理ユニットとの間に接続される第１通流制御機器と、
   前記第１処理液よりも温度の低い第２処理液を前記液処理ユニットへ供給するための第２主配管と、
   前記第２主配管と前記液処理ユニットとの間に接続される第２通流制御機器と
   を備え、
   前記第１通流制御機器と前記第２通流制御機器とがそれぞれ異なるボックスに収容されるとともに、前記第１通流制御機器を収容するボックスに隣接して前記第１主配管が配置され、前記第２通流制御機器を収容するボックスに隣接して前記第２主配管が配置されること
   を特徴とする液処理装置。
2. 前記複数の液処理ユニットが配置される第１筐体部と、
   前記第１筐体部に隣接して設けられる第２筐体部と
   をさらに備え、
   前記第１主配管は、前記第１筐体部に配置され、
   前記第２主配管は、前記第２筐体部に配置されること
   を特徴とする請求項１に記載の液処理装置。
3. 前記第１通流制御機器を収容するボックスは、前記第１筐体部に配置され、
   前記第２通流制御機器を収容するボックスは、前記第２筐体部に配置されること
   を特徴とする請求項２に記載の液処理装置。
4. 前記第１通流制御機器を収容するボックスは、前記液処理ユニットの下方に配置されること
   を特徴とする請求項３に記載の液処理装置。
5. 前記液処理ユニットは、
   前記第１処理液を吐出する第１ノズルと、
   前記第２処理液を吐出する第２ノズルと
   を備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の液処理装置。
6. 前記液処理ユニットは、
   前記第１ノズルを支持する第１アームと、
   前記第２ノズルを支持する第２アームと
   を備えることを特徴とする請求項５に記載の液処理装置。
7. 前記基板へ供給された後の第１処理液を装置外部へ排出するための排液管
   をさらに備え、
   前記排液管は、前記第１筐体部に配置されること
   を特徴とする請求項２〜６のいずれか一つに記載の液処理装置。

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