TWI672178B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

基板處理裝置包括：壓力控制單元，通過根據壓力傳感器的檢測值使作為壓力控制閥的一例的釋放閥變更個別配管內的處理液的壓力，而使連接位置上的處理液的壓力維持在壓力設定值；以及控制裝置，通過於未處理的基板在基板處理裝置內的處理期間的至少一部分內，將壓力設定值設定為處理用設定值，於未處理的基板沒有在基板處理裝置內的待機期間的至少一部分內，將壓力設定值設定為小於處理用設定值的待機用設定值，而使待機期間內在循環配管內流動的處理液的流量與處理期間內在循環配管內流動的處理液的流量相一致或相近。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明是有關於一種對基板進行處理的基板處理裝置及基板處理方法。在作為處理對象的基板中，例如，包含半導體晶片、液晶顯示裝置用基板、等離子體顯示器用基板、場發射顯示器（Field Emission Display，FED）用基板、光盤用基板、磁盤用基板、磁光盤用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽能電池用基板等。
在半導體裝置或液晶顯示裝置等的製造工序中，會使用對半導體晶片或液晶顯示裝置用玻璃基板等基板進行處理的基板處理裝置。在日本特開2015-141980號公報中，揭示了一種對基板一片片地進行處理的單片式基板處理裝置。
日本特開2015-141980號公報中所述的基板處理裝置包括貯存要被供給至基板的處理液的處理液槽（tank）、使處理液槽內的處理液循環的循環路徑、將處理液槽內的處理液輸送至循環路徑的循環泵、以及對在循環路徑內流動的處理液進行加熱的加熱器。所述基板處理裝置進而包括對從循環路徑向多個處理單元的處理液的供給進行控制的多個噴出閥、以及在多個處理單元的下游配置在循環路徑上的釋放閥（relief valve）。
在日本特開2015-141980號公報中，是將作為壓力控制閥之一的釋放閥在多個處理單元的下游配置在循環路徑上。當釋放閥的設定釋放壓力不變時，在所有噴出閥被關閉的待機期間內在循環路徑內流動的處理液的流量少於任一噴出閥被打開的基板的處理期間內的流量。
在循環路徑內流動的處理液的溫度會受到循環路徑的周圍的溫度的影響而發生變動。影響的程度取決於在循環路徑內流動的處理液的流量。即，當處理液的流量多時，處理液幾乎不受其周圍的溫度的影響，而當處理液的流量少時，處理液則會受到周圍的溫度的影響，溫度產生大幅變動。因此，當如日本特開2015-141980號公報，循環液的流量根據噴出閥的開閉狀態而發生大幅變動時，存在循環液的溫度也會據此產生大幅變動的問題。
並且，在循環路徑內流動的處理液的溫度也取決於待機期間的長度。從基板的處理期間轉移至待機期間後不久，處理液的溫度幾乎不變。然而，隨著待機期間變長，處理液的溫度會與基板處理期間內的處理液的溫度逐漸背離。因此，如果在長時間的待機期間之後執行對基板的處理液的供給，則會將與預期的溫度大不相同的溫度的處理液供給至基板。
當如上所述，將與所預期的溫度不同的溫度的處理液供給至基板時，會對蝕刻量或圖案倒塌率等基板處理的質量造成不良影響。並且，還存在如下問題：當對在相同的處理條件下應處理的多塊基板供給溫度不同的處理液時，在多塊基板間會產生質量偏差。
本發明的一個目的在於提供一種即使噴出閥的開閉狀態發生變化，在循環路徑內流動的處理液的溫度也不會大幅變動，從而可以向基板供給穩定的溫度的處理液的基板處理裝置及基板處理方法。
本發明的另一目的在於提供一種能夠降低被供給至多塊基板的處理液的溫度的偏差，從而可以降低多塊基板間的質量的偏差的基板處理裝置及基板處理方法。
本發明的實施方式提供一種基板處理裝置，包括：槽，貯存處理液；基板保持機構，水平地保持基板；噴嘴，朝向保持於所述基板保持機構上的基板噴出從所述槽供給的處理液；循環配管，使所述槽內的處理液循環；送液裝置，將所述槽內的處理液輸送至所述循環配管；溫度調節器，通過加熱及冷卻中的至少一者而變更由所述送液裝置輸送至所述循環配管的所述處理液的溫度；供給配管，從所述循環配管將處理液引導至所述噴嘴；噴出閥，插裝於所述供給配管，在噴出執行狀態與噴出停止狀態之間進行切換，所述噴出執行狀態是執行從所述供給配管向所述噴嘴供給處理液的狀態，所述噴出停止狀態是停止從所述供給配管向所述噴嘴供給處理液的狀態；壓力控制單元，包括檢測所述循環配管及供給配管相互連接著的連接位置上的處理液的壓力的壓力傳感器、以及在所述連接位置的下游的插裝位置上插裝於所述循環配管的壓力控制閥，通過使所述壓力控制閥根據所述壓力傳感器的檢測值變更所述循環配管內的處理液的壓力，而使所述連接位置上的處理液的壓力維持在壓力設定值；以及控制裝置，通過於未處理的基板在所述基板處理裝置內的處理期間的至少一部分內，將所述壓力設定值設定為處理用設定值，於所述未處理的基板沒有在所述基板處理裝置內的待機期間的至少一部分內，將所述壓力設定值設定為小於所述處理用設定值的待機用設定值，而使所述待機期間內在所述循環配管內流動的處理液的流量與所述處理期間內在所述循環配管內流動的處理液的流量相一致或相近。
根據所述構成，槽內的處理液通過送液裝置而輸送至循環配管，並從循環配管返回至槽內。槽內的處理液的溫度通過溫度調節器而調節成高於或低於室溫的溫度。當噴出閥變為噴出執行狀態時，利用供給配管將在循環配管內流動的處理液的一部分引導至噴嘴，並從噴嘴向基板噴出。當噴出閥變為噴出停止狀態時，停止從供給配管向噴嘴供給處理液，並且停止從噴嘴噴出處理液。
壓力控制閥是在循環配管及供給配管相互連接著的連接位置的下游的插裝位置上插裝於循環配管。壓力控制閥的一次側壓力，即，從循環配管中的送液裝置到插裝位置為止的部分的液壓是通過壓力控制閥而維持在壓力設定值。在壓力控制閥的一次側流動的處理液的流量不但根據噴出閥的開度，而且根據壓力控制閥的開度而發生變化。
當基板處理裝置內有未處理的基板，即，有未經基板處理裝置處理的基板時，控制裝置將表示循環配管及供給配管相互連接著的連接位置上的處理液的壓力的設定值的壓力設定值設定為處理用設定值。當基板處理裝置內沒有未處理的基板時，控制裝置將壓力設定值設定為待機用設定值。待機用設定值小於處理用設定值。因此，當基板處理裝置內沒有未處理的基板時，壓力控制閥內的壓力損耗減少，在循環配管內流動的處理液的流量增加。
待機用設定值是以整個待機期間內在循環配管內流動的處理液的流量與整個處理期間內在循環配管內流動的處理液的流量相一致或相近的方式來設定。因此，兩個期間內的流量的差減少至零或接近於零的值為止。因此，即使待機期間變長，在循環路徑內流動的處理液的溫度也幾乎不變。由此，即使在長時間的待機期間結束後，也可以將穩定的溫度的處理液供給至多塊基板，從而可以降低多塊基板間的質量的偏差。
再者，處理是指將槽內的處理液經由循環路徑供給至基板，然後使所述基板乾燥。待機期間是基板處理裝置內沒有未處理的基板的期間。基板處理裝置內只有處理完畢的基板的期間不屬待機期間。
控制裝置既可以在整個處理期間內將壓力設定值設定為處理用設定值，也可以只在一部分處理期間內將壓力設定值設定為處理用設定值。同樣地，控制裝置既可以在整個待機期間內將壓力設定值設定為待機用設定值，也可以只在一部分待機期間內將壓力設定值設定為待機用設定值。
整個處理期間內在循環配管內流動的處理液的流量是根據噴嘴是否正在噴出處理液，即，根據噴出閥的開閉狀態而發生變化。整個處理期間內在循環配管內流動的處理液的流量既可以是整個處理期間內在循環配管內流動的處理液的流量的平均值（平均流量），也可以是整個處理期間內在循環配管內流動的處理液的流量的最大值（最大流量）。
壓力控制閥既可以是開度根據一次側壓力而自動變化的釋放閥，也可以是通過電動致動器而使開度變更的電動閥。
釋放閥是當釋放閥的一次側壓力上升至設定釋放壓力為止時使一次側壓力下降至小於設定釋放壓力為止的閥。設定釋放壓力是根據施加至釋放閥的操作空氣壓力而發生變化。當壓力控制閥為釋放閥時，壓力控制單元進而包含對施加至釋放閥的操作空氣壓力進行變更的電動氣動調節器（electro-pneumatic regulator）。控制裝置通過根據壓力傳感器所檢測到的處理液的壓力與壓力設定值的差，使電動氣動調節器變更操作空氣壓力，而使連接位置上的處理液的壓力維持在壓力設定值。
當壓力控制閥為電動閥時，不需要電動氣動調節器。電動閥包括：閥主體（valve body），包括環繞處理液所流動的內部流路的環狀的閥座；閥體，配置在所述內部流路上，能夠相對於所述閥座而移動；以及電動致動器，使所述閥體在三個以上的多個位置上靜止。電動閥的開度，即，閥體相對於閥座的位置是通過電動致動器來變更。控制裝置通過根據壓力傳感器所檢測到的處理液的壓力與壓力設定值的差，使電動致動器變更電動閥的開度，而使連接位置上的處理液的壓力維持在壓力設定值。
在所述實施方式中，也可以將以下特徵中的至少一者添加至所述基板處理裝置。
所述基板處理裝置進而包括：第二噴嘴，噴出從所述槽供給的處理液；第二供給配管，在所述連接位置與所述插裝位置之間的第二連接位置上與所述循環配管連接，並從所述循環配管將處理液引導至所述第二噴嘴；以及第二噴出閥，插裝於所述第二供給配管，在噴出執行狀態與噴出停止狀態之間進行切換，所述噴出執行狀態是執行從所述第二供給配管向所述第二噴嘴供給處理液的狀態，所述噴出停止狀態是停止從所述第二供給配管向所述第二噴嘴供給處理液的狀態。
根據所述構成，將在循環配管內流動的處理液經由供給配管供給至噴嘴，並經由第二供給配管供給至第二噴嘴。噴嘴及第二噴嘴兩者正在噴出處理液時在循環配管內流動的處理液的流量，多於只有噴嘴及第二噴嘴中的一者正在噴出處理液時的所述流量。在所述構成中，整個處理期間內在循環配管內流動的處理液的流量的最大值（最大循環流量）增加，所以如果壓力設定值為固定，則在處理期間與待機期間之間的處理液的流量的差會擴大。因此，通過在待機期間內使壓力設定值減少至待機用設定值為止，可以有效減少兩個期間內的流量的差。
所述第二噴嘴既可以朝向保持於所述基板保持機構上的基板噴出從所述槽供給的處理液，也可以朝向水平地保持於與所述基板保持機構不同的第二基板保持機構上的基板噴出從所述槽供給的處理液。即，從所述噴嘴及第二噴嘴噴出的處理液既可以供給至相同的基板，也可以供給至分別不同的基板。
所述基板保持機構設置有多個，所述噴嘴是以與多個所述基板保持機構一一對應的方式而設置有多個，所述循環配管包含對通過所述送液裝置而從所述槽輸送的處理液進行引導的上游配管、以及從所述上游配管分支的多個個別配管，所述供給配管是以與多個所述個別配管一一對應的方式而設置有多個，並從所述個別配管延伸至所述噴嘴，所述噴出閥是以與多個所述供給配管一一對應的方式而設置有多個，所述壓力傳感器是以與多個所述供給配管一一對應的方式而設置有多個，所述壓力控制閥是以與多個所述供給配管一一對應的方式而設置有多個，並且在所述個別配管及供給配管相互連接著的所述連接位置的下游的所述插裝位置上插裝於所述個別配管，所述控制裝置通過在所述處理期間的至少一部分內，將多個所述個別配管中的至少一者的所述壓力設定值設定為所述處理用設定值，在所述待機期間的至少一部分內，將多個所述個別配管中的至少一者的所述壓力設定值設定為所述待機用設定值，而使所述待機期間內在所述個別配管內流動的處理液的流量與所述處理期間內在所述個別配管內流動的處理液的流量相一致或相近。
根據所述構成，可以使整個待機期間內在個別配管內流動的處理液的流量與整個處理期間內在個別配管內流動的處理液的流量相一致或相近。由此，能夠使整個待機期間內在個別配管內流動的處理液的溫度與整個處理期間內在個別配管內流動的處理液的溫度大致相同。
處理液從槽流通到噴嘴為止的流路的長度通常針對每個噴嘴而不同。這意味著壓力損耗在每個流路中各不相同。在此情況下，即使以相同的供給壓力將處理液輸送至多個流路，處理液的流量也在每個流路中各不相同。當想要減少多個流路間的流量的差時，必須針對每個流路設定處理液的供給壓力。然而，這意味著供給壓力的設定變得複雜。
如果在多個個別配管間容許某種程度的流量的差，那麼所述控制裝置也可以在至少一部分所述處理期間內，將所有所述個別配管內的所述壓力設定值設定為所述處理用設定值。同樣地，如果在多個個別配管間容許某種程度的流量的差，那麼所述控制裝置也可以在至少一部分所述待機期間內，將所有所述個別配管內的所述壓力設定值設定為所述待機用設定值。在這些情況下，可以簡化壓力設定值的設定。
或者，如果想要在多個個別配管間減少流量的差，那麼所述控制裝置也可以將多個所述個別配管內的所述壓力設定值設定為針對每個所述個別配管分別確定的多個所述處理用設定值。同樣地，如果想要在多個個別配管間減少流量的差，那麼所述控制裝置也可以將多個所述個別配管內的所述壓力設定值設定為針對每個所述個別配管分別確定的多個所述待機用設定值。
所述基板處理裝置進而包括裝載埠，所述裝載埠包括放置收容有所述未處理的基板的載體的載體載置台、以及檢測所述載體載置台上是否有所述載體的載體檢測傳感器，所述控制裝置在將收容有所述未處理的基板的所述載體載置在所述載體載置台上之後，將所述壓力設定值從所述待機用設定值變更為所述處理用設定值。
根據所述構成，將收容有未處理的基板的載體放置在裝載埠的載體載置台上。由此，將未處理的基板配置在基板處理裝置內。控制裝置在確認到已將載體放置在載體載置台上的同時或其後，使壓力設定值從待機用設定值增加至處理用設定值。由此，使壓力控制閥的一次側壓力提高至適合於處理液的噴出的壓力。
如果在所述基板處理裝置內所存在的所有基板的處理完成後預定的待機時間經過之前，沒有將另外的未處理的基板搬入至所述基板處理裝置，則所述控制裝置將所述壓力設定值從所述處理用設定值變更為所述待機用設定值。
根據所述構成，控制裝置在對基板處理裝置內所存在的所有基板進行處理之後，監視是否已將另外的未處理的基板搬入至基板處理裝置。然後，如果到預定的待機時間經過之前沒有搬入另外的未處理的基板，則控制裝置將壓力設定值從處理用設定值變更為待機用設定值。因此，即使在對所有基板進行處理後不久，搬入了另外的未處理的基板，也可以不用頻繁地變更壓力設定值。
所述控制裝置包含與所述基板處理裝置以外的外部裝置進行通信的通信裝置，當從所述外部裝置向所述通信裝置輸入如下的預告信息之後，將所述壓力設定值從所述待機用設定值變更為所述處理用設定值，所述預告信息是預告將所述未處理的基板搬入至所述基板處理裝置的信息。
根據所述構成，將主計算機（host computer）等基板處理裝置以外的外部裝置與控制裝置的通信裝置連接。當預告將未處理的基板搬入至基板處理裝置的預告信息通過有線通信或無線通信而從外部裝置輸入至通信裝置時，控制裝置在與此同時或其後，使壓力設定值從待機用設定值增加至處理用設定值。由此，將壓力控制閥的一次側壓力提高至適合於處理液的噴出的壓力。
所述基板處理裝置進而包括檢測在所述循環配管內流動的處理液的流量的流量計。
根據所述構成，在處理期間及待機期間內利用流量計檢測在循環配管內流動的處理液的流量。由此，可以監視處理液的流量是否穩定，並且可以監視處理液的溫度是否穩定。
所述基板處理裝置進而包括檢測在所述循環配管內流動的處理液的溫度的溫度傳感器。
根據所述構成，在處理期間及待機期間內利用溫度傳感器檢測在循環配管內流動的處理液的溫度。由此，可以監視處理液的溫度是否穩定。
本發明的另一實施方式提供一種基板處理方法，包括如下製程：在槽內貯存處理液；利用基板保持機構水平地保持基板；使噴嘴朝向保持於所述基板保持機構上的基板噴出從所述槽供給的處理液；在循環配管內使所述槽內的處理液循環；使送液裝置將所述槽內的處理液輸送至所述循環配管；使進行加熱及冷卻中的至少一者的溫度調節器變更通過所述送液裝置而輸送至所述循環配管的所述處理液的溫度；使供給配管將處理液從所述循環配管引導至所述噴嘴；使插裝於所述供給配管的噴出閥在噴出執行狀態與噴出停止狀態之間進行切換，所述噴出執行狀態是執行從所述供給配管向所述噴嘴供給處理液的狀態，所述噴出停止狀態是停止從所述供給配管向所述噴嘴供給處理液的狀態；利用壓力傳感器對所述循環配管及供給配管相互連接著的連接位置上的處理液的壓力進行檢測；通過使在所述連接位置的下游的插裝位置上插裝於所述循環配管的壓力控制閥，根據所述壓力傳感器的檢測值變更所述循環配管內的處理液的壓力，而使所述連接位置上的處理液的壓力維持在壓力設定值；於未處理的基板在基板處理裝置內的處理期間的至少一部分內，將所述壓力設定值設定為處理用設定值；通過於所述未處理的基板沒有在所述基板處理裝置內的待機期間的至少一部分內，將所述壓力設定值設定為小於所述處理用設定值的待機用設定值，而使整個所述待機期間內在所述循環配管內流動的處理液的流量與整個所述處理期間內在所述循環配管內流動的處理液的流量相一致或相近。根據所述構成，可以獲得與以上所述的效果同樣的效果。
本發明的以上所述的目的或進而其它目的、特徵及效果是通過以下參照附圖而描述的實施方式的說明來闡明。
圖1是從上方觀察本發明的一個實施方式的基板處理裝置1的示意圖。
基板處理裝置1是對半導體晶片等圓板狀的基板W一片片地進行處理的單片式的裝置。基板處理裝置1包括前端開啟式晶圓傳送盒（Front-Opening Unified Pod，FOUP）等保持載體C的多個裝載埠（load port）LP、以及利用處理液或處理氣體等處理流體對從多個裝載埠LP搬送來的基板W進行處理的多個處理單元2。裝載埠LP包括放置載體C的載體載置台LPa、以及檢測載體載置台LPa上是否有載體C的載體檢測傳感器LPb。
基板處理裝置1進而包含在裝載埠LP與處理單元2之間搬送基板W的搬送機器人。搬送機器人包括分度器機器人（indexer robot）IR及中心機器人（center robot）CR。分度器機器人IR是在裝載埠LP與中心機器人CR之間搬送基板W。中心機器人CR是在分度器機器人IR與處理單元2之間搬送基板W。分度器機器人IR包含支撐基板W的手部H1。同樣地，中心機器人CR包含支撐基板W的手部H2。
基板處理裝置1包含收容後述噴出閥23等流體設備的多個（例如四個）流體箱4。處理單元2及流體箱4配置在基板處理裝置1的外壁1a中，由基板處理裝置1的外壁1a覆蓋。收容後述槽40等的櫃體（cabinet）5配置在基板處理裝置1的外壁1a之外。櫃體5也可以配置在基板處理裝置1的側方，還可以配置在設置基板處理裝置1的潔淨室（clean room）的下方（地下）。
多個處理單元2形成了俯視時以環繞中心機器人CR的方式而配置的多個（例如四個）塔（tower）。各塔包含上下層疊著的多個（例如三個）處理單元2。四個流體箱4分別與四個塔相對應。櫃體5內的藥液是經由任一個流體箱4，供給至與所述流體箱4相對應的塔中所含的所有處理單元2。
收容有未處理的基板W的載體C通過製造半導體裝置等的製造工廠內設置的載體搬送機器人R1而放置到裝載埠LP上。然後，將載體C內的基板W，通過分度器機器人IR及中心機器人CR搬送至任一個處理單元2，並利用處理單元2進行處理。將經處理單元2處理的處理完畢的基板W通過分度器機器人IR及中心機器人CR而搬送至裝載埠LP上的相同的載體C。收容有處理完畢的基板W的載體C通過載體搬送機器人R1而搬送至進行下一個處理的裝置。
圖2是水平觀察基板處理裝置1中所含的處理單元2的內部的示意圖。
處理單元2包括具有內部空間的箱型的腔室6、在腔室6內一邊水平地保持基板W一邊使基板W圍繞著穿過基板W的中央部的鉛垂的旋轉軸線A1旋轉的自旋夾頭（spin chuck）10、以及接住從基板W排出的處理液的筒狀的杯體（cup）14。自旋夾頭10是基板保持機構及基板保持單元的一例。
腔室6包括設置有基板W所經過的搬入搬出口的箱型的隔壁8、使搬入搬出口開閉的擋板（shutter）9、以及在腔室6內形成通過過濾器而過濾的空氣即潔淨空氣（clean air）的向下流（down flow）的風機過濾單元（fan filter unit，FFU）7。中心機器人CR通過搬入搬出口將基板搬入至腔室6，並通過搬入搬出口從腔室6搬出基板W。
自旋夾頭10包括以水平姿勢而受到保持的圓板狀的自旋底座12、在自旋底座12的上方將基板W以水平姿勢加以保持的多個夾頭銷（chuck pin）11、以及通過使夾頭銷11及自旋底座12旋轉而使基板W圍繞旋轉軸線A1旋轉的自旋馬達13。自旋夾頭10並不限於使多個夾頭銷11與基板W的外周面接觸的夾持式的夾頭，還可以是通過使非器件形成面即基板W的背面（下表面）吸附於自旋底座12的上表面而水平地保持基板W的真空（vacuum）式的夾頭。
杯體14包括朝向旋轉軸線A1向斜上方延伸的筒狀的傾斜部14a、從傾斜部14a的下端部（外端部）向下方延伸的圓筒狀的引導部14b、以及形成朝向上方敞開的環狀的溝槽的收液部14c。傾斜部14a包含具有大於基板W及自旋底座12的內徑的圓環狀的上端。傾斜部14a的上端相當於杯體14的上端。杯體14的上端在俯視時環繞著基板W及自旋底座12。
處理單元2包含使杯體14在上位置（圖2所示的位置）與下位置之間鉛垂地升降的杯體升降單元15，所述上位置是指杯體14的上端位於比自旋夾頭10保持基板W的保持位置更上方的位置，所述下位置是指杯體14的上端位於比保持位置更下方的位置。當將處理液供給至基板W時，杯體14配置在上位置。從基板W飛散至外側的處理液在被傾斜部14a接住之後，通過引導部14b而收集至收液部14c內。
處理單元2包含朝向保持於自旋夾頭10上的基板W的上表面向下方噴出漂洗液（rinse solution）的漂洗液噴嘴16。漂洗液噴嘴16與插裝有漂洗液閥18的漂洗液配管17連接。處理單元2也可以包括在處理位置與退避位置之間使漂洗液噴嘴16水平地移動的噴嘴移動單元，在所述處理位置，將從漂洗液噴嘴16噴出的漂洗液供給至基板W，在所述退避位置，漂洗液噴嘴16在俯視時遠離基板W。
當打開漂洗液閥18時，將漂洗液從漂洗液配管17供給至漂洗液噴嘴16，並從漂洗液噴嘴16噴出。漂洗液例如為純水（去離子水：Deionized water）。漂洗液並不限於純水，還可以是碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水及稀釋濃度（例如，10 ppm～100 ppm程度）的鹽酸水中的任一者。
處理單元2包含朝向保持於自旋夾頭10上的基板W的上表面向下方噴出藥液的藥液噴嘴21。藥液噴嘴21連接於插裝有噴出閥23、流量計24及流量調整閥25的供給配管22。對藥液噴嘴21的藥液的供給及供給停止是通過噴出閥23來切換。供給至藥液噴嘴21的藥液的流量是通過流量計24來檢測。所述流量是通過流量調整閥25來變更。
當打開噴出閥23時，將藥液以與流量調整閥25的開度相對應的流量從供給配管22供給至藥液噴嘴21，並從藥液噴嘴21噴出。供給至藥液噴嘴21的藥液是包含例如硫酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、磷酸、醋酸、氨水、過氧化氫水、有機酸（例如檸檬酸、草酸等）、有機堿（例如，氫氧化四甲基銨（Tetramethyl Ammonium Hydroxide，TMAH）等）、界面活性劑及防腐劑中的至少一種的液體。也可以將除此以外的液體供給至藥液噴嘴21。
噴出閥23是在噴出執行狀態與噴出停止狀態之間進行切換，所述噴出執行狀態是執行從供給配管22向藥液噴嘴21供給藥液的狀態，所述噴出停止狀態是停止從供給配管22向藥液噴嘴21供給藥液的狀態。噴出停止狀態也可以是閥體遠離閥座的狀態。雖然沒有圖示，但噴出閥23包括包含環繞著藥液所流動的內部流路的環狀的閥座的閥主體、以及配置在內部流路內可相對於閥座移動的閥體。噴出閥23既可以是利用空氣壓力變更開度的氣動閥（air operated valve），也可以是利用電力變更開度的電動閥。
處理單元2包括使藥液噴嘴21在處理位置與退避位置之間水平地移動的噴嘴移動單元26，在所述處理位置，將從藥液噴嘴21噴出的藥液供給至基板W的上表面，在所述退避位置，藥液噴嘴21在俯視時遠離基板W。噴嘴移動單元26例如是使藥液噴嘴21在杯體14的周圍圍繞著鉛垂地延伸的擺動軸線A2水平地移動的回旋單元。
圖3是表示基板處理裝置1的電氣構成的框圖。
基板處理裝置1包含對基板處理裝置1進行控制的控制裝置3。控制裝置3包含計算機本體30、以及與計算機本體30連接的周邊裝置33。計算機本體30包含執行各種命令的中央處理裝置（central processing unit，CPU）31、以及存儲信息的主存儲裝置32。周邊裝置33包括存儲程序P等信息的輔助存儲裝置34、從可移動介質M讀取信息的讀取裝置35、以及與主計算機HC等控制裝置3以外的裝置進行通信的通信裝置36。
控制裝置3與輸入裝置37及顯示裝置38連接。輸入裝置37是在用戶或維護負責人等操作者將信息輸入至基板處理裝置1時被操作。信息顯示在顯示裝置38的畫面上。輸入裝置37既可以是鍵盤、定點設備（pointing device）及觸控面板中的任一者，也可以是這些以外的裝置。也可以將兼作輸入裝置37及顯示裝置38的觸控面板顯示器設置在基板處理裝置1中。
CPU 31執行輔助存儲裝置34中所存儲的程序P。輔助存儲裝置34內的程序P既可以預先安裝在控制裝置3中，也可以經過讀取裝置35從可移動介質M發送至輔助存儲裝置34，還可以從主計算機HC等外部裝置經過通信裝置36發送至輔助存儲裝置34。
輔助存儲裝置34及可移動介質M是即使沒有被供電，也保持存儲的非易失性存儲器。輔助存儲裝置34例如是硬盤驅動器等磁性存儲裝置。可移動介質M例如是高密度磁盤（compact disk）等光盤或存儲卡等半導體存儲器。可移動介質M是記錄有程序P的計算機可讀取的記錄介質的一例。
控制裝置3是以按照通過主計算機HC而指定的方案（recipe）處理基板W的方式來控制基板處理裝置1。輔助存儲裝置34存儲有多個方案。方案是規定基板W的處理內容、處理條件及處理順序的信息。多個方案在基板W的處理內容、處理條件及處理順序中的至少一者上互不相同。方案中包含供給至基板W的藥液的流量及溫度。輔助存儲裝置34存儲有與多個藥液的流量分別相對應的多個組的處理用設定值及待機用設定值。關於處理用設定值及待機用設定值將在後文描述。
圖4是用於說明通過基板處理裝置1而進行的基板W的處理的一例的流程圖。以下，參照圖1、圖2及圖4。以下的各製程是通過控制裝置3控制基板處理裝置1來執行。換言之，控制裝置3是以執行以下的各製程的方式而編程。
當利用基板處理裝置1處理基板W時，進行將基板W搬入至腔室6內的搬入製程（圖4的步驟S1）。
具體來說，在藥液噴嘴21從基板W的上方退避，杯體14位於下位置的狀態下，中心機器人CR（參照圖1）一邊利用手部H2支撐基板W，一邊使手部H2進入至腔室6內。然後，中心機器人CR在基板W的表面朝向上方的狀態下將手部H2上的基板W放置在自旋夾頭10上。自旋馬達13在利用夾頭銷11握持基板W之後，使基板W開始旋轉。中心機器人CR在將基板W放置在自旋夾頭10上之後，使手部H2從腔室6的內部退避。
其次，進行藥液供給製程，將藥液供給至基板W（圖4的步驟S2）。
具體來說，噴嘴移動單元26使藥液噴嘴21移動至處理位置，杯體升降單元15使杯體14上升至上位置為止。然後，打開噴出閥23，藥液噴嘴21開始噴出藥液。在藥液噴嘴21噴出藥液時，噴嘴移動單元26既可使藥液噴嘴21在中央處理位置與外周處理位置之間移動，也可以藥液的附著位置位於基板W的上表面中央部的方式使藥液噴嘴21靜止，在所述中央處理位置，從藥液噴嘴21噴出的藥液附著在基板W的上表面中央部，在所述外周處理位置，從藥液噴嘴21噴出的藥液附著在基板W的上表面外周部。
從藥液噴嘴21噴出的藥液附著在基板W的上表面之後，沿正在旋轉的基板W的上表面向外側流動。由此，形成覆蓋基板W的上表面整個區域的藥液的液膜，對基板W的上表面整個區域供給藥液。特別是當噴嘴移動單元26使藥液噴嘴21在中央處理位置與外周處理位置之間移動時，會在藥液的附著位置上對基板W的上表面整個區域進行掃描，因此將藥液均勻地供給至基板W的上表面整個區域。由此，對基板W的上表面均勻地進行處理。當打開噴出閥23之後經過規定時間時，關閉噴出閥23，停止從藥液噴嘴21噴出藥液。然後，噴嘴移動單元26使藥液噴嘴21移動至退避位置。
其次，進行漂洗液供給製程，將作為漂洗液的一例的純水供給至基板W的上表面（圖4的步驟S3）。
具體來說，打開漂洗液閥18，漂洗液噴嘴16開始噴出純水。附著在基板W的上表面的純水沿正在旋轉的基板W的上表面向外側流動。基板W上的藥液是利用從漂洗液噴嘴16噴出的純水來沖洗。由此，形成覆蓋基板W的上表面整個區域的純水的液膜。當打開漂洗液閥18之後經過規定時間時，關閉漂洗液閥18，停止噴出純水。
其次，進行乾燥程序，通過基板W的高速旋轉而使基板W乾燥（圖4的步驟S4）。
具體來說，自旋馬達13使基板W沿旋轉方向加速，從而使基板W以大於藥液供給製程及漂洗液供給製程中的基板W的旋轉速度的高旋轉速度（例如數千rpm）旋轉。由此，將液體從基板W去除，使基板W乾燥。當基板W開始高速旋轉後經過規定時間時，自旋馬達13停止旋轉。由此，基板W停止旋轉。
其次，進行搬出製程，從腔室6搬出基板W（圖4的步驟S5）。
具體來說，杯體升降單元15使杯體14下降至下位置為止。然後，中心機器人CR（參照圖1）使手部H2進入至腔室6內。中心機器人CR在多個夾頭銷11解除對基板W的握持之後，利用手部H2支撐自旋夾頭10上的基板W。然後，中心機器人CR一邊利用手部H2支撐基板W，一邊使手部H2從腔室6的內部退避。由此，從腔室6搬出處理完畢的基板W。
圖5是表示基板處理裝置1的藥液供給系統的示意圖。圖5中，利用一點鏈線表示流體箱4，利用兩點鏈線表示藥液櫃體5。配置在以一點鏈線圍成的區域內的構件配置在流體箱4內，配置在以兩點鏈線圍成的區域內的構件配置在藥液櫃體5內。
基板處理裝置1包括貯存供給至基板W的藥液的槽40、以及使槽40內的藥液循環的循環配管41。循環配管41包括從槽40延伸至下游的上游配管42、從上游配管42分支的多個個別配管43、以及從各個別配管43向下游延伸至槽40為止的下游配管44。
上游配管42的上游端與槽40連接。下游配管44的下游端與槽40連接。上游配管42的上游端相當於循環配管41的上游端，下游配管44的下游端相當於循環配管41的下游端。各個別配管43從上游配管42的下游端延伸至下游配管44的上游端。也可以代替下游配管44的下游端，將個別配管43的下游端與槽40連接。即，也可以省略下游配管44。
多個個別配管43分別與多個塔相對應。圖5表示一個個別配管43的整體與剩下三個個別配管43的一部分。圖5表示相同的塔中所含的三個處理單元2。與相同的塔中所含的三個處理單元2相對應的三個供給配管22與相同的個別配管43連接。三個供給配管22與個別配管43相互連接著的三個連接位置P2在藥液流動的方向上排列。
基板處理裝置1包括將槽40內的藥液輸送至循環配管41的泵45、從在循環配管41內流動的藥液中去除異物的過濾器46、以及對槽40內的藥液的溫度進行調整的溫度調節器47。基板處理裝置1進而包括檢測在循環配管41內流動的藥液的流量的流量計48、以及檢測在循環配管41內流動的藥液的溫度的溫度傳感器49。泵45、過濾器46及溫度調節器47插裝於上游配管42。流量計48及溫度傳感器49插裝於個別配管43。
槽40內的藥液通過泵45而輸送至上游配管42，並從上游配管42流向多個個別配管43。個別配管43內的藥液流向下游配管44，並從下游配管44返回到槽40內。在此期間，利用過濾器46將藥液中所含的異物加以去除。並且，對槽40內的藥液，利用溫度調節器47進行加熱或冷卻以達到由方案規定的溫度，並送入至上游配管42。由此，將槽40內的藥液至少在溫度調節器47的正後方的下游位置P4，一邊維持在高於或低於處理單元2內的環境的溫度（例如20℃～30℃）的固定溫度，一邊送入至上游配管42（循環配管41）。
溫度調節器47既可以是對在循環配管41內流動的藥液進行加熱的加熱器，也可以是對在循環配管41內流動的藥液進行冷卻的冷卻器（cooler），還可以是對在循環配管41內流動的藥液進行加熱及冷卻的冷熱裝置。圖5表示溫度調節器47為加熱器的示例。溫度調節器47既可以設置在循環配管41上，也可以設置在槽40內。
泵45不論基板處理裝置1內是否有基板W，都以固定的壓力將槽40內的藥液持續送入至循環配管41。基板處理裝置1也可以包含加壓裝置來代替泵45，所述加壓裝置是通過使槽40內的氣壓上升而將槽40內的藥液擠出至循環配管41。泵45及加壓裝置均是將槽40內的藥液輸送至循環配管41的送液裝置的一例。
基板處理裝置1包括壓力控制單元51，所述壓力控制單元51是對個別配管43與多個供給配管22相互連接著的多個連接位置P2上的處理液的壓力進行控制。壓力控制單元51包括檢測個別配管43內的處理液的壓力的壓力傳感器52、在多個連接位置P2的下游的插裝位置P3上插裝於個別配管43的釋放閥53、以及通過變更施加至釋放閥53的操作空氣壓力來變更釋放閥53的設定釋放壓力的電動氣動調節器（electro-pneumatic regulator）54。
壓力傳感器52在個別配管43上的檢測位置P1上檢測個別配管43內的處理液的壓力。個別配管43及供給配管22相互連接著的連接位置P2上的處理液的壓力大概等於檢測位置P1上的處理液的壓力。因此，在檢測位置P1上利用壓力傳感器52檢測個別配管43內的處理液的壓力，可以看成與在連接位置P2上檢測處理液的壓力實質上等效。檢測位置P1是多個連接位置P2的上游的位置。如果是釋放閥53的上游，那麼檢測位置P1也可以是多個連接位置P2的下游。
釋放閥53是在一次側壓力，即，釋放閥53的上游的壓力上升至設定釋放壓力為止時，使一次側壓力下降至小於設定釋放壓力的閥。設定釋放壓力根據施加至釋放閥53的操作空氣壓力而發生變化。電動氣動調節器54使施加至釋放閥53的操作空氣壓力增減。當操作空氣壓力增加時，設定釋放壓力也增加，當操作空氣壓力減少時，設定釋放壓力也減少。
泵45將槽40內的藥液以固定的壓力輸送至循環配管41。如果可以忽視泵45的脈動，那麼在關閉與相同的塔相對應的所有噴出閥23，並且釋放閥53的設定釋放壓力相同時，在個別配管43內流動的處理液的壓力在個別配管43內的任一部位均相同。控制裝置3是以如上所述的方式根據壓力傳感器52的檢測值監視個別配管43內的處理液的壓力。
控制裝置3通過對壓力控制單元51進行控制，而將連接位置P2上的處理液的壓力維持在壓力設定值。具體來說，當壓力傳感器52所檢測到的處理液的壓力，即，實際的處理液的壓力發生變動時，控制裝置3使電動氣動調節器54變更操作空氣壓力，以使實際的處理液的壓力與壓力設定值相一致或相近。由此，壓力傳感器52的檢測值得到反饋，使實際的處理液的壓力維持在壓力設定值或其附近。
圖6是用於說明表示循環配管41及供給配管22相互連接著的連接位置P2上的處理液的壓力的設定值的壓力設定值的變更順序的一例的流程圖。以下的各製程是通過控制裝置3對基板處理裝置1進行控制來執行。換言之，控制裝置3是以執行以下的各製程的方式而編程。
當最初設定應用於基板W的方案時，或者，當變更應用於基板W的方案時，在將未處理的基板W搬送至基板處理裝置1之前，將供給至基板W的藥液的流量輸入至控制裝置3（圖6的步驟S11）。藥液的流量既可以從主計算機HC等外部裝置輸入至控制裝置3的通信裝置36，也可以通過用戶來輸入至控制裝置3的輸入裝置37。
當將藥液的流量輸入至控制裝置3的通信裝置36或輸入裝置37時，控制裝置3從存儲於輔助存儲裝置34中的多個組的處理用設定值及待機用設定值之中，選擇與所輸入的藥液的流量相對應的處理用設定值及待機用設定值。然後，控制裝置3將表示循環配管41及供給配管22相互連接著的連接位置P2上的處理液的壓力的設定值的壓力設定值設定為待機用設定值，直到將未處理的基板W搬送至基板處理裝置1為止（圖6的步驟S12）。
控制裝置3在將所有塔的壓力設定值設定為待機用設定值的狀態下，根據載體檢測傳感器LPb的檢測值，監視收容有未處理的基板W的載體C是否位於任一個裝載埠LP（圖6的步驟S13）。當載體搬送機器人R1（參照圖1）將收容有未處理的基板W的載體C放置在任一個裝載埠LP上時，控制裝置3判定為裝載埠LP上存在收容有未處理的基板W的載體C（圖6的步驟S13中為是（Yes））。然後，控制裝置3使所有塔的壓力設定值從待機用設定值增加至處理用設定值（圖6的步驟S14）。
當將收容有未處理的基板W的載體C放置在任一個裝載埠LP上之後，如以上所述，將載體C內的基板W通過分度器機器人IR及中心機器人CR搬送至任一個處理單元2，並在處理單元2中進行處理（圖6的步驟S15）。經處理單元2處理的基板W通過分度器機器人IR及中心機器人CR而搬送至裝載埠LP上的相同的載體C（圖6的步驟S15）。當對載體C內的所有基板W進行處理，並收容於載體C之後，將裝載埠LP上的載體C通過載體搬送機器人R1而搬送至下一個裝置。
當相同的載體C內的所有基板W的處理完成後（圖6的步驟S16中為是），控制裝置3確認收容有未處理的基板W的新的載體C沒有存在於任一個裝載埠LP上（圖6的步驟S17）。當在載體C內的所有基板W的處理完成後預定的待機時間經過之前，將新的載體C搬送至任一個裝載埠LP時（圖6的步驟S17中為是），控制裝置3仍舊使所有塔的壓力設定值維持在處理用設定值，進行基板W的搬送及處理（返回到圖6的步驟S15）。
另一方面，如果在載體C內的所有基板W的處理完成後預定的待機時間經過之前，沒有將收容有未處理的基板W的新的載體C搬入至任一個裝載埠LP（圖6的步驟S18中為是），則控制裝置3使所有壓力設定值從處理用設定值減少至待機用設定值（圖6的步驟S19）。然後，控制裝置3監視收容有未處理的基板W的載體C是否已搬送至任一個裝載埠LP（返回到圖6的步驟S13）。
圖7是表示與相同的塔相對應的三個噴出閥23的狀態的隨時間的變化、在個別配管43內流動的處理液的流量的隨時間的變化、與壓力設定值的隨時間的變化的一例的時序圖。在圖7中，為了對與相同的塔相對應的三個噴出閥23進行區分，將三個噴出閥23表示為第一噴出閥23A、第二噴出閥23B及第三噴出閥23C。
如果能夠忽視泵45的脈動，那麼在釋放閥53的設定釋放壓力相同，並且所有噴出閥23已關閉時，在個別配管43內流動的藥液的流量為固定而不隨時間發生變化。
即使釋放閥53的設定釋放壓力相同，如果打開任一個噴出閥23時，在個別配管43內流動的藥液的流量也會增加。在個別配管43內流動的藥液的流量會隨著打開的噴出閥23的數量增加而增加。例如，如圖7所示，當將第一噴出閥23A、第二噴出閥23B及第三噴出閥23C依次打開，然後依次關閉時，在個別配管43內流動的藥液的流量會階段性地增加，然後階段性地減少。
當使壓力設定值從處理用設定值減少至待機用設定值時，即，當使釋放閥53的設定釋放壓力下降時，在個別配管43內流動的藥液的流量會增加。此時，在個別配管43內流動的藥液的流量多於壓力設定值為處理用設定值，並且與相同的塔相對應的所有噴出閥23已關閉時的所述流量。待機用設定值是以整個待機期間內在個別配管43內流動的藥液的流量與整個處理期間內在個別配管43內流動的藥液的平均流量或最大流量相一致或相近的方式來設定。因此，兩個期間內的流量的差減少至零或接近於零的值為止。再者，使壓力設定值減少至待機用設定值時在個別配管43內流動的藥液的流量，也可以等於壓力設定值為處理用設定值，並且與相同的塔相對應的所有噴出閥23已關閉時的所述流量。
圖8是用於說明本實施方式的效果的曲線圖。圖8是表示循環配管41內的各位置上的藥液的溫度的概況的曲線圖。曲線圖的橫軸表示循環配管41內的位置，更具體來說，表示從溫度調節器47到循環配管41內的任意的位置為止的距離。曲線圖的縱軸表示在循環配管41內流動的藥液的溫度。圖8中的實線表示處理期間內的藥液的溫度，虛線表示待機期間內的藥液的溫度。
當溫度調節器47為加熱器及冷卻器中的任一者時，溫度調節器47對藥液進行加熱或冷卻，以使經過溫度調節器47的藥液達到設定溫度。因此，溫度調節器47的正後方的下游位置P4的溫度t1不論經過溫度調節器47的藥液的流量如何均為固定。處理液的溫度會隨著所述檢測位置變為下游，受環境的影響而發生變動（下降或上升）。如以上所述，處理液的溫度的變動的程度會受到在循環配管41內流動的處理液的流量的影響。
在圖8的示例中，待機期間（藥液的流量少的狀態）內的溫度的下降程度（溫度t1→溫度t3）大於處理期間（藥液的流量多的狀態）內的溫度的下降程度（溫度t1→溫度t2）。如果藥液的溫度大幅下降，那麼從待機期間恢復至處理期間時無法將所需溫度的藥液供給至基板。因此，在本實施方式中，通過調整待機期間內的釋放閥53的設定釋放壓力來使處理期間內及待機期間內的流量的差減少，由此，抑制待機期間內的比溫度調節器47更下游位置（例如連接位置P2）上的藥液溫度的下降程度。
如以上所述，在本實施方式中，當基板處理裝置1內有未處理的基板W，即，有未經基板處理裝置1處理的基板W時，控制裝置3將表示循環配管41及供給配管22相互連接著的連接位置P2上的藥液的壓力的設定值的壓力設定值設定為處理用設定值。當基板處理裝置1內沒有未處理的基板W時，控制裝置3將壓力設定值設定為待機用設定值。待機用設定值小於處理用設定值。因此，當基板處理裝置1內沒有未處理的基板W時，作為壓力控制閥的一例的釋放閥53內的壓力損耗減少，在循環配管41內流動的藥液的流量增加。
待機用設定值是以整個待機期間內在循環配管41內流動的藥液的流量與整個處理期間內在循環配管41內流動的藥液的流量相一致或相近的方式來設定。因此，兩個期間內的流量的差減少至零或接近於零的值為止。因此，即使待機期間變長，槽40內的藥液的溫度也幾乎不變。由此，即使在長時間的待機期間結束後，也可以將穩定的溫度的藥液供給至多塊基板W，從而可以降低多塊基板W之間的質量的偏差。
在本實施方式中，在相同的個別配管43上連接著多個藥液噴嘴21。在對與相同的個別配管43連接的三個藥液噴嘴21進行區分的情況下，將三個藥液噴嘴21稱為第一藥液噴嘴21(噴嘴)、第二藥液噴嘴21(第二噴嘴)及第三藥液噴嘴21。第一藥液噴嘴21、第二藥液噴嘴21及第三藥液噴嘴21正在噴出藥液時在個別配管43內流動的藥液的流量多於只有第一藥液噴嘴21、第二藥液噴嘴21及第三藥液噴嘴21中的兩者正在噴出藥液時的所述流量。
在多個藥液噴嘴21與相同的個別配管43連接的構成中，與只有一個藥液噴嘴21與個別配管43連接的構成相比，整個處理期間內在個別配管43內流動的藥液的流量的最大值(最大循環流量)增加。因此，如果壓力設定值為固定，那麼處理期間與待機期間之間的藥液的流量的差會擴大。因此，通過在待機期間內使壓力設定值減少至待機用設定值為止，可以有效減少兩個期間內的流量的差。
在本實施方式中，將槽40內的藥液通過作為送液裝置的一例的泵45而輸送至上游配管42，並從上游配管42引導至多個個別配管43。在這種情況下，處理期間與待機期間之間的藥液的流量的差容易擴大，但是通過在待機期間內使壓力設定值減少至待機用設定值為止，可以有效減少兩個期間內的流量的差。
在本實施方式中，將收容有未處理的基板W的載體C放置在裝載埠LP的載體載置台LPa上。由此，將未處理的基板W配置在基板處理裝置1內。控制裝置3在確認到已將載體C放置在載體載置台LPa上的同時或其後，使壓力設定值從待機用設定值增加至處理用設定值。由此，使釋放閥53的一次側壓力提高至適合於藥液的噴出的壓力。
在本實施方式中，控制裝置3在對基板處理裝置1內所存在的所有基板W進行處理之後，監視是否已將另外的未處理的基板W搬入至基板處理裝置1。然後，如果到預定的待機時間經過之前沒有搬入另外的未處理的基板W，則控制裝置3將壓力設定值從處理用設定值變更為待機用設定值。因此，即使在對所有基板W進行處理後不久，搬入了另外的未處理的基板W，也可以不用頻繁地變更壓力設定值。
其它實施方式 本發明並不限定於以上所述的實施方式的內容，而可以進行各種變更。
例如，貯存於槽40內的液體並不限於藥液，還可以是漂洗液等其它液體。
壓力控制閥並不限於釋放閥53，還可以是電動針形閥（needle valve）等電動閥。
與相同的個別配管43連接的供給配管22的數量既可以小於兩根，也可以是四根以上。
設置在循環配管41中的個別配管43的數量既可以小於三根，也可以為五根以上。
控制裝置3也能夠以將收容有未處理的基板W的載體C已放置在裝載埠LP這一情況以外為契機，將壓力設定值從待機用設定值變更為處理用設定值。
例如，當預告將未處理的基板W搬入至基板處理裝置1的預告信息通過有線通信或無線通信而從主計算機HC等外部裝置輸入至通信裝置36時，控制裝置3也可以在將預告信息輸入至通信裝置36的同時或其後，使壓力設定值從待機用設定值增加至處理用設定值。在此情況下，可以在將載體C放置在裝載埠LP上之前，變更壓力設定值。
當基板處理裝置1內所存在的所有基板W的處理完成時，也可以不等待待機隨時間的經過，而將壓力設定值從處理用設定值變更為待機用設定值。
也可以省略所有的流量計48。同樣地，也可以省略所有的溫度傳感器49。並且，還可以省略所有的流量計48及所有的溫度傳感器49。或者，也可以從小於四根的個別配管43中省略流量計48及溫度傳感器49中的至少一者，只在剩下的個別配管43上設置有流量計48及溫度傳感器49中的至少一者。
基板處理裝置1並不限於對圓板狀的基板W進行處理的裝置，還可以是對多邊形的基板W進行處理的裝置。
也可以將以上所述的所有構成的兩個以上加以組合。
此外，還可以在申請專利範圍所描述的事項的範圍內實施各種設計變更。
1‧‧‧基板處理裝置
1a‧‧‧外壁
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制裝置
4‧‧‧流體箱
5‧‧‧櫃體（藥液櫃體）
6‧‧‧腔室
7‧‧‧風機過濾單元
8‧‧‧隔壁
9‧‧‧擋板
10‧‧‧自旋夾頭
11‧‧‧夾頭銷
12‧‧‧自旋底座
13‧‧‧自旋馬達
14‧‧‧杯體
14a‧‧‧傾斜部
14b‧‧‧引導部
14c‧‧‧收液部
15‧‧‧杯體升降單元
16‧‧‧漂洗液噴嘴
17‧‧‧漂洗液配管
18‧‧‧漂洗液閥
21‧‧‧藥液噴嘴(噴嘴)(第二噴嘴)
22‧‧‧供給配管(第二供給配管)
23‧‧‧噴出閥
23A‧‧‧第一噴出閥
23B‧‧‧第二噴出閥
23C‧‧‧第三噴出閥
24、48‧‧‧流量計
25‧‧‧流量調整閥
26‧‧‧噴嘴移動單元
30‧‧‧計算機本體
31‧‧‧CPU
32‧‧‧主存儲裝置
33‧‧‧周邊裝置
34‧‧‧輔助存儲裝置
35‧‧‧讀取裝置
36‧‧‧通信裝置
37‧‧‧輸入裝置
38‧‧‧顯示裝置
40‧‧‧槽
41‧‧‧循環配管
42‧‧‧上游配管
43‧‧‧個別配管
44‧‧‧下游配管
45‧‧‧泵
46‧‧‧過濾器
47‧‧‧溫度調節器
49‧‧‧溫度傳感器
51‧‧‧壓力控制單元
52‧‧‧壓力傳感器
53‧‧‧釋放閥
54‧‧‧電動氣動調節器
A1‧‧‧旋轉軸線
A2‧‧‧擺動軸線
C‧‧‧載體
CR‧‧‧中心機器人
H1、H2‧‧‧手部
HC‧‧‧主計算機
IR‧‧‧分度器機器人
LP‧‧‧裝載埠
LPa‧‧‧載體載置台
LPb‧‧‧載體檢測傳感器
M‧‧‧可移動介質
P‧‧‧程序
P1‧‧‧檢測位置
P2‧‧‧連接位置
P3‧‧‧插裝位置
P4‧‧‧下游位置
R1‧‧‧載體搬送機器人
S1～S5、S11～S19‧‧‧步驟
t1、t2、t3‧‧‧溫度
W‧‧‧基板
圖1是從上方觀察本發明的一個實施方式的基板處理裝置的示意圖。 圖2是水平地觀察基板處理裝置中所含的處理單元的內部的示意圖。 圖3是表示基板處理裝置的電氣構成的框圖。 圖4是用於說明通過基板處理裝置而進行的基板的處理的一例的流程圖。 圖5是表示基板處理裝置的藥液供給系統的示意圖。 圖6是用於說明表示循環配管及供給配管相互連接著的連接位置上的處理液的壓力的設定值的壓力設定值的變更順序的一例的流程圖。 圖7是表示與相同的塔相對應的三個噴出閥的狀態的隨時間的變化、在個別配管內流動的處理液的流量的隨時間的變化、及壓力設定值的隨時間的變化的一例的時序圖。 圖8是表示循環配管內的各位置上的藥液的溫度的概況的曲線圖。

Claims (9)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵在於包括： 槽，貯存處理液； 基板保持機構，水平地保持基板； 噴嘴，朝向保持於所述基板保持機構上的所述基板噴出從所述槽供給的處理液； 循環配管，使所述槽內的處理液循環； 送液裝置，將所述槽內的處理液輸送至所述循環配管； 溫度調節器，通過加熱及冷卻中的至少一者來變更由所述送液裝置輸送至所述循環配管的所述處理液的溫度； 供給配管，從所述循環配管將處理液引導至所述噴嘴； 噴出閥，插裝於所述供給配管，在噴出執行狀態與噴出停止狀態之間進行切換，所述噴出執行狀態是執行從所述供給配管向所述噴嘴供給處理液的狀態，所述噴出停止狀態是停止從所述供給配管向所述噴嘴供給處理液的狀態； 壓力控制單元，包括檢測所述循環配管及所述供給配管相互連接著的連接位置上的處理液的壓力的壓力傳感器、及在所述連接位置的下游的插裝位置上插裝於所述循環配管上的壓力控制閥，通過根據所述壓力傳感器的檢測值使所述壓力控制閥變更所述循環配管內的處理液的壓力，而使所述連接位置上的處理液的壓力維持在壓力設定值；以及 控制裝置，通過於未處理的基板在所述基板處理裝置內的處理期間的至少一部分內，將所述壓力設定值設定為處理用設定值，於所述未處理的基板沒有在所述基板處理裝置內的待機期間的至少一部分內，將所述壓力設定值設定為小於所述處理用設定值的待機用設定值，而使所述待機期間內在所述循環配管內流動的處理液的流量與所述處理期間內在所述循環配管內流動的處理液的流量相一致或相近。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的基板處理裝置，其中 第二噴嘴，噴出從所述槽供給的處理液； 第二供給配管，在所述連接位置與所述插裝位置之間的第二連接位置上與所述循環配管連接，從所述循環配管將處理液引導至所述第二噴嘴；以及 第二噴出閥，插裝於所述第二供給配管，在噴出執行狀態與噴出停止狀態之間進行切換，所述噴出執行狀態是執行從所述第二供給配管向所述第二噴嘴供給處理液的狀態，所述噴出停止狀態是停止從所述第二供給配管向所述第二噴嘴供給處理液的狀態。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的基板處理裝置，其中 所述基板保持機構設置有多個， 所述噴嘴是以與多個所述基板保持機構一一對應的方式而設置有多個， 所述循環配管包括引導通過所述送液裝置而從所述槽輸送的處理液的上游配管、以及從所述上游配管分支的多個個別配管， 所述供給配管是以與多個所述個別配管一一對應的方式而設置有多個，並從所述個別配管延伸至所述噴嘴， 所述噴出閥是以與多個所述供給配管一一對應的方式而設置有多個， 所述壓力傳感器是以與多個所述供給配管一一對應的方式而設置有多個， 所述壓力控制閥是以與多個所述供給配管一一對應的方式而設置有多個，並且在所述個別配管及供給配管相互連接著的所述連接位置的下游的所述插裝位置上插裝於所述個別配管， 所述控制裝置通過在所述處理期間的至少一部分內，將多個所述個別配管中的至少一者的所述壓力設定值設定為所述處理用設定值，在所述待機期間的至少一部分內，將多個所述個別配管中的至少一者的所述壓力設定值設定為所述待機用設定值，而使所述待機期間內在所述個別配管內流動的處理液的流量與所述處理期間內在所述個別配管內流動的處理液的流量相一致或相近。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的基板處理裝置，其中 所述基板處理裝置進而包括裝載埠，所述裝載埠包括放置收容有所述未處理的基板的載體的載體載置台、以及檢測所述載體載置台上是否有所述載體的載體檢測傳感器， 所述控制裝置在收容有所述未處理的基板的所述載體被載置在所述載體載置台上時，使所述壓力設定值從所述待機用設定值變更為所述處理用設定值。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的基板處理裝置，其中 如果在所述基板處理裝置內所存在的所有基板的處理完成後預定的待機時間經過之前，沒有將另外的所述未處理的基板搬入至所述基板處理裝置，則所述控制裝置將所述壓力設定值從所述處理用設定值變更為所述待機用設定值。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的基板處理裝置，其中 所述控制裝置包含與所述基板處理裝置以外的外部裝置進行通信的通信裝置，當從所述外部裝置向所述通信裝置輸入如下的預告信息之後，將所述壓力設定值從所述待機用設定值變更為所述處理用設定值，所述預告信息是預告將所述未處理的基板搬入至所述基板處理裝置的信息。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的基板處理裝置，進而包括： 流量計，檢測在所述循環配管內流動的處理液的流量。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的基板處理裝置，進而包括： 溫度傳感器，檢測在所述循環配管內流動的處理液的溫度。
  9. 一種基板處理方法，其特徵在於包括如下製程： 在槽內貯存處理液； 利用基板保持機構水平地保持基板； 使噴嘴朝向保持於所述基板保持機構上的所述基板噴出從所述槽供給的處理液； 在循環配管內使所述槽內的處理液循環； 使送液裝置將所述槽內的處理液輸送至所述循環配管； 通過進行加熱及冷卻中的至少一者的溫度調節器而變更由所述送液裝置輸送至所述循環配管的所述處理液的溫度； 使供給配管將處理液從所述循環配管引導至所述噴嘴； 使插裝於所述供給配管的噴出閥在噴出執行狀態與噴出停止狀態之間進行切換，所述噴出執行狀態是執行從所述供給配管向所述噴嘴供給處理液的狀態，所述噴出停止狀態是停止從所述供給配管向所述噴嘴供給處理液的狀態； 利用壓力傳感器檢測所述循環配管及供給所述配管相互連接著的連接位置上的處理液的壓力； 通過使在所述連接位置的下游的插裝位置上插裝於所述循環配管的壓力控制閥，根據所述壓力傳感器的檢測值變更所述循環配管內的處理液的壓力，而使所述連接位置上的處理液的壓力維持在壓力設定值； 於未處理的基板在基板處理裝置內的處理期間的至少一部分內，將所述壓力設定值設定為處理用設定值；以及 通過於所述未處理的基板沒有在所述基板處理裝置內的待機期間的至少一部分內，將所述壓力設定值設定為小於所述處理用設定值的待機用設定值，而使所述待機期間內在所述循環配管內流動的處理液的流量與所述處理期間內在所述循環配管內流動的處理液的流量相一致或相近。
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